JPS63120431A - 電力用半導体装置 - Google Patents

電力用半導体装置

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JPS63120431A
JPS63120431A JP61268207A JP26820786A JPS63120431A JP S63120431 A JPS63120431 A JP S63120431A JP 61268207 A JP61268207 A JP 61268207A JP 26820786 A JP26820786 A JP 26820786A JP S63120431 A JPS63120431 A JP S63120431A
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JP
Japan
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semiconductor element
heat generating
trapezoidal
directly below
semiconductor device
Prior art date
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JP61268207A
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English (en)
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Yoshihiro Horie
堀江　義弘
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Publication of JPS63120431A publication Critical patent/JPS63120431A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電力用半導体素子の熱放散を良好に、かつダイ
ボンディングの精度の向上に効果にある電力用半導体装
置に関する。
〔従来の技術〕
第３図の断面図に示す従来の電力用半導体装置において
半導体素子は、素子表面の反対側に施こされた人Ｕ又は
Ａｇ系のメタル層と鉛系の半田層を介在して放熱用タブ
に接続されている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
最近の電力用半導体素子はよシ高電力化の要請によシ、
半導体素子サイズの大型化並びに、熱放散を良くするた
めの半導体素子厚の薄化の傾向にある。この一つの方策
として、従来、一般に使用されている素子全体の厚さ１
２０〜１６０μｍに対して、最近基板厚さを極端に５０
μｍ程度に薄くして残シを素子強度を保つためにＡｕ又
はＡｇ系のメタルで５０μｍ厚にする方策が使用されて
いるが、基板とＡｕ又はＡｇ系のメタル層の熱膨張率の
差によシ半導体素子にクラックが入シやずいという欠点
がある。
上述した従来の熱放散を良くするために、半導体素子全
体の厚さを薄くするのに対し、本発明は半導体素子の発
熱部属下の基板抵抗を低減するためその部分の基板を薄
くシ、かつ放熱用タブに対しては薄くなった基板との熱
放散を良くするため放熱用タブ表面に台形状の凹起を設
けるという独創的内容を有する。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明では半導体素子の発熱部直下部分で素子表面と反
対側から素子基板を台形状にえぐシとり、−方、放熱用
タブには、前述のえぐり取られた半導体素子が放熱用タ
ブと熱放散よく接続される様に、台形状の凸起部を有し
ている。
〔実施例〕
次に、本発明を実施例により説明する。
第１図は本発明の実施例１の封止樹脂を省略し７た平面
図と断面図である。図において約４５°の傾斜の台形状
を有した放熱用タブ４の上面に丁度、重なる様に、半田
等３を介して、発熱源２の直下で台形状にえぐられた半
導体素子１がダイボンディングされ、半導体素子１の電
極と外部リード５との間は金属細線６で接続されている
。
第２図は本発明の実施例２の断面図である。
半導体素子に複数個の発熱源２を大電力用半導体装置に
おいては、発熱源から、放熱用タブまでの厚さは台形状
の大きさを変えることにより、任意に送べるため、半導
体素子の熱分布を均一にすることが容易である。
〔発明の効果〕
上述の通や、本発明は、半導体素子の発熱部直下の基板
厚を薄くすることが出来るため、熱放散が大巾に向上し
、かつ半導体素子の厚さは発熱部以外の周辺部で、従来
と変らないので半導体素子のダイボンディング時のクラ
ックが防止できる。
又、台形状の放熱用タブにより、半導体素子と放熱用タ
ブとのダイボンディング位置精度も大巾に向上し、後工
程のダイボンディング工程の作業能率向上に良い効果を
与えることが出来る５、
【図面の簡単な説明】
第１図（ａｕ本発明の実施例１の封止樹脂を省略した平
面図、同図ω）は断面図で第２図は実施例２の封止樹脂
を省略した断面図である。第３図は従来の電力用半導体
装置の封止樹脂を省略した断面図である。 １・・・・・・半導体素子、２・・・・・・発熱源、３
・・・・・・半田、４・・・・・・放熱用タブ、５・・
・・・・外部リード、６・・・・・・金属細線、７・・
・・・・Ａ　ｕ　ｏ　ｒ　Ａ　ｇ系のメタル層。 一某　ｌ　閲

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体素子の発熱部直下に、素子表面の反対側から台形
    状の凹起部を有する半導体素子と、この半導体素子が塔
    載された台形状の凸起部を有する放熱用タブと、前記半
    導体素子の電極と外部リード間を接続する金属細線と、
    前記半導体素子を包覆する封止樹脂体とからなる電力用
    半導体装置。
JP61268207A 1986-11-10 1986-11-10 電力用半導体装置 Pending JPS63120431A (ja)

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