JPH04290276A - 超伝導装置 - Google Patents
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- JPH04290276A JPH04290276A JP3054270A JP5427091A JPH04290276A JP H04290276 A JPH04290276 A JP H04290276A JP 3054270 A JP3054270 A JP 3054270A JP 5427091 A JP5427091 A JP 5427091A JP H04290276 A JPH04290276 A JP H04290276A
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
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- H03K19/195—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using superconductive devices
- H03K19/1954—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using superconductive devices with injection of the control current
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、超伝導装置、特に超伝
導量子干渉素子を含む超伝導装置に関する。超伝導量子
干渉素子（ＳＱＵＩＤ：ｓｕｐｅｒ ｃｏｎｄｕｃｔｉ
ｎｇ ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｔｉａｌ ｄｅｖｉｃｅ）
は、生体磁気信号のようにきわめて微弱な磁気を検出す
るための高感度磁気センサとして使用されるが、近年の
測定精度に対する向上要求や磁界分布の時間変化の観測
要求等の高度化に伴って、一段と高性能なＳＱＵＩＤが
求められる傾向にある。
導量子干渉素子を含む超伝導装置に関する。超伝導量子
干渉素子（ＳＱＵＩＤ：ｓｕｐｅｒ ｃｏｎｄｕｃｔｉ
ｎｇ ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｔｉａｌ ｄｅｖｉｃｅ）
は、生体磁気信号のようにきわめて微弱な磁気を検出す
るための高感度磁気センサとして使用されるが、近年の
測定精度に対する向上要求や磁界分布の時間変化の観測
要求等の高度化に伴って、一段と高性能なＳＱＵＩＤが
求められる傾向にある。
【０００２】
【従来の技術】単一のＳＱＵＩＤでは心臓や脳の磁界を
ピンポイント的にしか検出できない。これに対して多数
のＳＱＵＩＤをマトリクス状に配列したいわゆる多チャ
ンネルＳＱＵＩＤは磁界分布を同時刻で検出でき、磁界
分布の時間変化の観測に優れている。
ピンポイント的にしか検出できない。これに対して多数
のＳＱＵＩＤをマトリクス状に配列したいわゆる多チャ
ンネルＳＱＵＩＤは磁界分布を同時刻で検出でき、磁界
分布の時間変化の観測に優れている。
【０００３】例えば特開昭６３−２９０９７９号公報や
特開昭６４−２１３７８号公報に記載の「デジタルＳＱ
ＵＩＤ」は、かかる多チャンネルＳＱＵＩＤに好適な技
術である。これらの引用例に記載のものは、既存のＳＱ
ＵＩＤがアナログ的な信号を出力するのに対してパルス
を持つ信号を出力する。これにより、Ｓ／Ｎ比を格段に
向上でき、また、Ａ／Ｄ変換器が不要になり、ディジタ
ル処理回路との直接的なインターフェイスが可能となる
。
特開昭６４−２１３７８号公報に記載の「デジタルＳＱ
ＵＩＤ」は、かかる多チャンネルＳＱＵＩＤに好適な技
術である。これらの引用例に記載のものは、既存のＳＱ
ＵＩＤがアナログ的な信号を出力するのに対してパルス
を持つ信号を出力する。これにより、Ｓ／Ｎ比を格段に
向上でき、また、Ａ／Ｄ変換器が不要になり、ディジタ
ル処理回路との直接的なインターフェイスが可能となる
。
【０００４】さらに、処理回路をジョセフソン集積回路
で構成すれば、ＳＱＵＩＤからの出力信号を低温環境下
できわめて超高速に処理することも可能である。
で構成すれば、ＳＱＵＩＤからの出力信号を低温環境下
できわめて超高速に処理することも可能である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来のものにあっては（１）ＳＱＵＩＤから出力される
パルス信号が双極性信号（正パルスと負パルスが交互に
現れるバイポーラ信号）である（２）例えばＭＶＴＬ（
Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｖａｒｉａｂｌｅ Ｔｈｒｅｓｈｏ
ｌｄ Ｌｏｇｉｃ）ゲートのようなジョセフソン論理ゲ
ートのしきい値特性が入力に対して非対称であるために
、ＳＱＵＩＤからの信号を直接、ジョセフソン回路で処
理することができなかった。
従来のものにあっては（１）ＳＱＵＩＤから出力される
パルス信号が双極性信号（正パルスと負パルスが交互に
現れるバイポーラ信号）である（２）例えばＭＶＴＬ（
Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｖａｒｉａｂｌｅ Ｔｈｒｅｓｈｏ
ｌｄ Ｌｏｇｉｃ）ゲートのようなジョセフソン論理ゲ
ートのしきい値特性が入力に対して非対称であるために
、ＳＱＵＩＤからの信号を直接、ジョセフソン回路で処
理することができなかった。
【０００６】なお、通常の半導体回路でも、入力信号の
極性が正負何れかのときにスイッチするように設計され
ているので、上記ジョセフソン回路と同様にＳＱＵＩＤ
からの信号を直接、論理回路で処理することはできない
。
極性が正負何れかのときにスイッチするように設計され
ているので、上記ジョセフソン回路と同様にＳＱＵＩＤ
からの信号を直接、論理回路で処理することはできない
。
【０００７】そこで本発明は、ＳＱＵＩＤセンサからの
双極性パルス信号（バイポーラ信号）を片極性の信号（
ユニポーラ信号）に変換し、ジョセフソン回路や半導体
回路を用いた信号処理を実現することを目的としている
。
双極性パルス信号（バイポーラ信号）を片極性の信号（
ユニポーラ信号）に変換し、ジョセフソン回路や半導体
回路を用いた信号処理を実現することを目的としている
。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、その
原理図を図１（ａ）に示すように、超伝導量子干渉素子
の出力端子に磁界結合型超伝導ゲートを接続し、該超伝
導ゲートを介して前記超伝導量子干渉素子の出力パルス
信号を取り出すことを特徴とする。
原理図を図１（ａ）に示すように、超伝導量子干渉素子
の出力端子に磁界結合型超伝導ゲートを接続し、該超伝
導ゲートを介して前記超伝導量子干渉素子の出力パルス
信号を取り出すことを特徴とする。
【０００９】請求項２の発明は、その原理図を図１（ｂ
）に示すように、超伝導量子干渉素子の出力端子に電流
注入型超伝導ゲートを接続し、該超伝導ゲートを介して
前記超伝導量子干渉素子の出力パルス信号を取り出すこ
とを特徴とする。
）に示すように、超伝導量子干渉素子の出力端子に電流
注入型超伝導ゲートを接続し、該超伝導ゲートを介して
前記超伝導量子干渉素子の出力パルス信号を取り出すこ
とを特徴とする。
【００１０】請求項３の発明は、その原理図を図１（ｃ
）に示すように、前記電流注入型超伝導ゲートの後に、
磁界結合型超伝導ゲートを接続し、これら２つの超伝導
ゲートを介して前記超伝導量子干渉素子の出力パルス信
号を取り出すことを特徴とする。
）に示すように、前記電流注入型超伝導ゲートの後に、
磁界結合型超伝導ゲートを接続し、これら２つの超伝導
ゲートを介して前記超伝導量子干渉素子の出力パルス信
号を取り出すことを特徴とする。
【００１１】
【作用】請求項１の本発明では、磁界結合型超伝導ゲー
トから、そのゲートバイアスの極性と同一極性に揃えら
れた片極性のパルス信号が、入力パルスと同数取り出さ
れる。
トから、そのゲートバイアスの極性と同一極性に揃えら
れた片極性のパルス信号が、入力パルスと同数取り出さ
れる。
【００１２】請求項２の発明では、電流注入型超伝導ゲ
ートのスイッチ動作が、そのゲートバイアスと同極性の
パルスが入力した時に行われ、この電流注入型超伝導ゲ
ートからは入力パルスの１つおきに片極性のパルス信号
が取り出される。
ートのスイッチ動作が、そのゲートバイアスと同極性の
パルスが入力した時に行われ、この電流注入型超伝導ゲ
ートからは入力パルスの１つおきに片極性のパルス信号
が取り出される。
【００１３】請求項３の発明では、電流注入型超伝導ゲ
ートから取り出された信号の極性が、磁界結合型超伝導
ゲートのゲートバイアス極性に応じて任意に変えられる
。したがって、以上の各請求項の発明によれば、ＳＱＵ
ＩＤからの双極性パルスを片極性パルスに変換でき、ジ
ョセフソン回路や半導体回路に対する直接入力が可能に
なる。
ートから取り出された信号の極性が、磁界結合型超伝導
ゲートのゲートバイアス極性に応じて任意に変えられる
。したがって、以上の各請求項の発明によれば、ＳＱＵ
ＩＤからの双極性パルスを片極性パルスに変換でき、ジ
ョセフソン回路や半導体回路に対する直接入力が可能に
なる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。
第１実施例
図２〜図４は本発明に係る超伝導装置の第１実施例を示
す図であり、請求項１の発明に対応するものである。
す図であり、請求項１の発明に対応するものである。
【００１５】図２において、１０はインダクタンスＬ１
や複数のジョセフソン接合Ｊ１、Ｊ２などを超伝導ルー
プ内に含み、磁束量子の捕捉量に応じたパルス信号を出
力するＳＱＵＩＤセンサ（以下単にセンサという）、１
１は超伝導ループＬＰに磁界結合する制御線Ｌ２（以下
磁界結合線）を含む例えば３接合ＳＱＵＩＤゲート（以
下単にゲートという）である。なお、Ｒ１は終端抵抗で
ある。
や複数のジョセフソン接合Ｊ１、Ｊ２などを超伝導ルー
プ内に含み、磁束量子の捕捉量に応じたパルス信号を出
力するＳＱＵＩＤセンサ（以下単にセンサという）、１
１は超伝導ループＬＰに磁界結合する制御線Ｌ２（以下
磁界結合線）を含む例えば３接合ＳＱＵＩＤゲート（以
下単にゲートという）である。なお、Ｒ１は終端抵抗で
ある。
【００１６】センサ１０には、双極性の交流バイアス（
以下センサバイアスＩＳＢ）が与えられており、このバ
イアスＩＳＢに同期して正負極に交互変化する双極性の
パルス信号ＰＳＯが出力される。
以下センサバイアスＩＳＢ）が与えられており、このバ
イアスＩＳＢに同期して正負極に交互変化する双極性の
パルス信号ＰＳＯが出力される。
【００１７】一方、ゲート１１には、片極性（例えば正
極性）の交流バイアス（以下ゲートバイアスＩＧＢ）が
与えられており、このバイアスＩＧＢに同期し、かつバ
イアスＩＧＢの極性と同一極性の片極性（正極性）のパ
ルス信号ＰＧＯが出力される。
極性）の交流バイアス（以下ゲートバイアスＩＧＢ）が
与えられており、このバイアスＩＧＢに同期し、かつバ
イアスＩＧＢの極性と同一極性の片極性（正極性）のパ
ルス信号ＰＧＯが出力される。
【００１８】図３はゲート１１（磁界結合型超伝導ゲー
ト）のしきい値特性図である。縦軸はゲートバイアスＩ
ＧＢ、横軸は磁界結合線Ｌ２に流れる制御電流ＩＬ２で
あり、しきい値を示す特性線Ａはゼロを境にして制御電
流に対し両極（＋／−）で対称となっている。
ト）のしきい値特性図である。縦軸はゲートバイアスＩ
ＧＢ、横軸は磁界結合線Ｌ２に流れる制御電流ＩＬ２で
あり、しきい値を示す特性線Ａはゼロを境にして制御電
流に対し両極（＋／−）で対称となっている。
【００１９】ここで、制御電流ＩＬ２は、前段回路（セ
ンサ１０）から出力される信号ＰＳＯの大きさ及び極性
に応じて変化するが、しきい値特性が両極対称のため、
ゲート１１の超伝導ループＬＰは正負どちらの入力に対
してもスイッチする。すなわちパルス信号ＰＳＯの極性
に関係なくスイッチする。
ンサ１０）から出力される信号ＰＳＯの大きさ及び極性
に応じて変化するが、しきい値特性が両極対称のため、
ゲート１１の超伝導ループＬＰは正負どちらの入力に対
してもスイッチする。すなわちパルス信号ＰＳＯの極性
に関係なくスイッチする。
【００２０】このため、図４に図２の各部波形図を示す
ように、双極性に変化するセンサバイアスＩＳＢに同期
したセンサ出力ＰＳＯは、片極性（正極性）に変化する
ゲートバイアスＩＧＢにより、同一極性（正極性）に変
換され、ＰＳＯに対して同一のパルス数を持つＰＧＯと
して取り出されるので、センサ１０から出力される信号
ＰＳＯの極性を、ゲートバイアスＩＧＢの極性に合わせ
て任意に変更することができ、双極性信号（バイポーラ
信号）を片極性信号（ユニポーラ信号）に変換すること
ができる。
ように、双極性に変化するセンサバイアスＩＳＢに同期
したセンサ出力ＰＳＯは、片極性（正極性）に変化する
ゲートバイアスＩＧＢにより、同一極性（正極性）に変
換され、ＰＳＯに対して同一のパルス数を持つＰＧＯと
して取り出されるので、センサ１０から出力される信号
ＰＳＯの極性を、ゲートバイアスＩＧＢの極性に合わせ
て任意に変更することができ、双極性信号（バイポーラ
信号）を片極性信号（ユニポーラ信号）に変換すること
ができる。
【００２１】したがって、半導体回路やジョセフソン回
路（例えばＭＶＴＬで構成される）との間の直接的な信
号伝達が可能になり、ゲート１１以降の処理回路にこれ
らの回路を使用して直接接続することができる。その結
果、検出された微小磁界の高速処理が可能になり、測定
精度の向上やリアルタイム性を改善できる。 第２、３実施例 図５〜図８は本発明に係る超伝導装置の第２及び第３実
施例を示す図であり、請求項２及び３の発明に対応する
ものである。
路（例えばＭＶＴＬで構成される）との間の直接的な信
号伝達が可能になり、ゲート１１以降の処理回路にこれ
らの回路を使用して直接接続することができる。その結
果、検出された微小磁界の高速処理が可能になり、測定
精度の向上やリアルタイム性を改善できる。 第２、３実施例 図５〜図８は本発明に係る超伝導装置の第２及び第３実
施例を示す図であり、請求項２及び３の発明に対応する
ものである。
【００２２】図５において、２０はインダクタンスＬ２
１や複数のジョセフソン接合Ｊ２１、Ｊ２２などを超伝
導ループ内に含み、磁束量子の捕捉量に応じたパルス信
号を出力するＳＱＵＩＤセンサ（以下単にセンサという
）であり、このセンサ２０の出力には２つの電流注入型
超伝導ゲート、例えばＭＶＴＬ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｖ
ａｒｉａｂｌｅ Ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ Ｌｏｇｉｃ）ゲ
ート（以下、第１ゲート２１、第２ゲート２２）が接続
されている。
１や複数のジョセフソン接合Ｊ２１、Ｊ２２などを超伝
導ループ内に含み、磁束量子の捕捉量に応じたパルス信
号を出力するＳＱＵＩＤセンサ（以下単にセンサという
）であり、このセンサ２０の出力には２つの電流注入型
超伝導ゲート、例えばＭＶＴＬ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｖ
ａｒｉａｂｌｅ Ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ Ｌｏｇｉｃ）ゲ
ート（以下、第１ゲート２１、第２ゲート２２）が接続
されている。
【００２３】センサ２０には、第１実施例と同様に、双
極性の交流バイアス（以下センサバイアスＩＳＢ）が与
えられており、このバイアスＩＳＢに同期して正負極に
交互変化する双極性のパルス信号ＰＳＯが出力される。
極性の交流バイアス（以下センサバイアスＩＳＢ）が与
えられており、このバイアスＩＳＢに同期して正負極に
交互変化する双極性のパルス信号ＰＳＯが出力される。
【００２４】一方、第１ゲート２１には、正極性の交流
バイアス（以下ゲートバイアス＋ＩＧＢ）が与えられて
おり、このバイアス＋ＩＧＢに同期し、かつバイアス＋
ＩＧＢの極性と同一極性の正極性のパルス信号＋ＰＧＯ
が出力される。
バイアス（以下ゲートバイアス＋ＩＧＢ）が与えられて
おり、このバイアス＋ＩＧＢに同期し、かつバイアス＋
ＩＧＢの極性と同一極性の正極性のパルス信号＋ＰＧＯ
が出力される。
【００２５】他方、第２ゲート２２には、負極性の交流
バイアス（以下ゲートバイアス−ＩＧＢ）が与えられて
おり、このバイアス−ＩＧＢに同期し、かつバイアス−
ＩＧＢの極性と同一極性の負極性のパルス信号−ＰＧＯ
が出力される。
バイアス（以下ゲートバイアス−ＩＧＢ）が与えられて
おり、このバイアス−ＩＧＢに同期し、かつバイアス−
ＩＧＢの極性と同一極性の負極性のパルス信号−ＰＧＯ
が出力される。
【００２６】図６は第１及び第２ゲート２１、２２（磁
界結合型超伝導ゲート）のしきい値特性図である。縦軸
はゲートバイアス±ＩＧＢ、横軸はゲートの入力電流Ｌ
Ｌ２２であり、しきい値を示す特性線Ｂは入力電流ゼロ
を境にして両極（正／負）で非対称となっている。
界結合型超伝導ゲート）のしきい値特性図である。縦軸
はゲートバイアス±ＩＧＢ、横軸はゲートの入力電流Ｌ
Ｌ２２であり、しきい値を示す特性線Ｂは入力電流ゼロ
を境にして両極（正／負）で非対称となっている。
【００２７】ここで、入力電流ＩＬ２２は、前段回路（
センサ２０）から出力される信号ＰＳＯの大きさ及び極
性に応じて変化するが、しきい値特性が両極非対称のた
め、第１ゲート２１及び第２ゲート２２は、自己のゲー
トバイアス±ＩＧＢの極性と同一極性の入力電流ＩＬ２
２に対してしかスイッチしない。すなわちパルス信号Ｐ
ＳＯが正極性のときは第１ゲート２１がスイッチし、負
極性のときは第２ゲート２２がスイッチする。
センサ２０）から出力される信号ＰＳＯの大きさ及び極
性に応じて変化するが、しきい値特性が両極非対称のた
め、第１ゲート２１及び第２ゲート２２は、自己のゲー
トバイアス±ＩＧＢの極性と同一極性の入力電流ＩＬ２
２に対してしかスイッチしない。すなわちパルス信号Ｐ
ＳＯが正極性のときは第１ゲート２１がスイッチし、負
極性のときは第２ゲート２２がスイッチする。
【００２８】このため、図８に図５の各部波形図を示す
ように、双極性に変化するセンサバイアスＩＳＢに同期
したセンサ出力ＰＳＯは、それぞれ片極性（正または負
極性）に変化する第１ゲート２１及び第２ゲート２２の
ゲートバイアス±ＩＧＢにより、各々正または負極性に
変換され、ＰＳＯに対して半数づつのパルス数を持つ＋
ＰＧＯ及び−ＰＧＯとして取り出されるので、センサ２
０から出力される信号ＰＳＯの極性を、ゲートバイアス
±ＩＧＢの極性に合わせて正または負極性の何れかに変
更することができ、双極性信号（バイポーラ信号）を片
極性信号（ユニポーラ信号）に変換することができる。
ように、双極性に変化するセンサバイアスＩＳＢに同期
したセンサ出力ＰＳＯは、それぞれ片極性（正または負
極性）に変化する第１ゲート２１及び第２ゲート２２の
ゲートバイアス±ＩＧＢにより、各々正または負極性に
変換され、ＰＳＯに対して半数づつのパルス数を持つ＋
ＰＧＯ及び−ＰＧＯとして取り出されるので、センサ２
０から出力される信号ＰＳＯの極性を、ゲートバイアス
±ＩＧＢの極性に合わせて正または負極性の何れかに変
更することができ、双極性信号（バイポーラ信号）を片
極性信号（ユニポーラ信号）に変換することができる。
【００２９】したがって、この第２実施例によっても、
半導体回路やジョセフソン回路との間の直接的な信号伝
達が可能になり、第１ゲート２１及び第２ゲート２２以
降の処理回路にこれらの回路を使用して直接接続するこ
とができる。その結果、検出された微小磁界の高速処理
が可能になり、測定精度の向上やリアルタイム性を改善
できる。
半導体回路やジョセフソン回路との間の直接的な信号伝
達が可能になり、第１ゲート２１及び第２ゲート２２以
降の処理回路にこれらの回路を使用して直接接続するこ
とができる。その結果、検出された微小磁界の高速処理
が可能になり、測定精度の向上やリアルタイム性を改善
できる。
【００３０】なお、第２実施例では、第２ゲート２２か
ら負極性のパルス信号−ＰＧＯを取り出しているが、後
段の処理回路で正極性信号を必要とする場合には、本発
明の第３実施例を図７に示すように、第２ゲート２２（
電流注入型超伝導ゲート）の後に、磁界結合型超伝導ゲ
ート、例えば磁界結合線を含む３接合ＳＱＵＩＤゲート
２３を接続し、このＳＱＵＩＤゲート２３に正極性のゲ
ートバイアス＋ＩＧＢ２３を与えるようにしてもよい。
ら負極性のパルス信号−ＰＧＯを取り出しているが、後
段の処理回路で正極性信号を必要とする場合には、本発
明の第３実施例を図７に示すように、第２ゲート２２（
電流注入型超伝導ゲート）の後に、磁界結合型超伝導ゲ
ート、例えば磁界結合線を含む３接合ＳＱＵＩＤゲート
２３を接続し、このＳＱＵＩＤゲート２３に正極性のゲ
ートバイアス＋ＩＧＢ２３を与えるようにしてもよい。
【００３１】第２ゲート２２から取り出された負極性の
パルス信号−ＰＧＯを、ＳＱＵＩＤゲート２３によって
正極性に変換でき、後段の処理回路に必要な正極性パル
ス信号＋ＰＧＯ’（図８参照）を得ることができる。
パルス信号−ＰＧＯを、ＳＱＵＩＤゲート２３によって
正極性に変換でき、後段の処理回路に必要な正極性パル
ス信号＋ＰＧＯ’（図８参照）を得ることができる。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、ＳＱＵＩＤセンサから
の双極性パルス信号（バイポーラ信号）を片極性の信号
（ユニポーラ信号）に変換でき、ジョセフソン回路や半
導体回路を用いた信号処理を実現することができる。
の双極性パルス信号（バイポーラ信号）を片極性の信号
（ユニポーラ信号）に変換でき、ジョセフソン回路や半
導体回路を用いた信号処理を実現することができる。
【図１】本発明の原理図である。
【図２】第１実施例の構成図である。
【図３】磁界結合型超伝導ゲートのしきい値特性図であ
る。
る。
【図４】第１実施例の各部波形図である。
【図５】第２実施例の構成図である。
【図６】電流注入型超伝導ゲートのしきい値特性図であ
る。
る。
【図７】第３実施例の構成図である。
【図８】第２実施例及び第３実施例の各部波形図である
。
。
１０、２０：ＳＱＵＩＤセンサ（超伝導量子干渉素子）
１１、２３：ＳＱＵＩＤゲート（磁界結合型超伝導ゲー
ト） ２１、２２：ＭＶＴＬゲート（電流注入型超伝導ゲート
）
１１、２３：ＳＱＵＩＤゲート（磁界結合型超伝導ゲー
ト） ２１、２２：ＭＶＴＬゲート（電流注入型超伝導ゲート
）
Claims (3)
- 【請求項１】超伝導量子干渉素子の出力端子に磁界結合
型超伝導ゲートを接続し、該超伝導ゲートを介して前記
超伝導量子干渉素子の出力パルス信号を取り出すことを
特徴とする超伝導装置。 - 【請求項２】超伝導量子干渉素子の出力端子に電流注入
型超伝導ゲートを接続し、該超伝導ゲートを介して前記
超伝導量子干渉素子の出力パルス信号を取り出すことを
特徴とする超伝導装置。 - 【請求項３】前記電流注入型超伝導ゲートの後に、磁界
結合型超伝導ゲートを接続し、これら２つの超伝導ゲー
トを介して前記超伝導量子干渉素子の出力パルス信号を
取り出すことを特徴とする請求項２記載の超伝導装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3054270A JPH04290276A (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | 超伝導装置 |
| US07/850,918 US5287057A (en) | 1991-03-19 | 1992-03-13 | Superconducting circuit having a rectifier for converting a bipolar signal to a unipolar signal |
| EP92400683A EP0505250B1 (en) | 1991-03-19 | 1992-03-16 | Superconducting circuit having a rectifier for converting a bipolar signal to a unipolar signal |
| DE69220990T DE69220990T2 (de) | 1991-03-19 | 1992-03-16 | Superleiterschaltung mit einem Gleichrichter zur Umsetzung eines bipolaren Signals in ein monopolares Signal |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3054270A JPH04290276A (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | 超伝導装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04290276A true JPH04290276A (ja) | 1992-10-14 |
Family
ID=12965887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3054270A Pending JPH04290276A (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | 超伝導装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5287057A (ja) |
| EP (1) | EP0505250B1 (ja) |
| JP (1) | JPH04290276A (ja) |
| DE (1) | DE69220990T2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| US5600243A (en) * | 1993-09-07 | 1997-02-04 | Conductus, Inc. | Magnetically shielded magnetic sensor with squid and ground plane |
| US7391210B2 (en) * | 2004-09-07 | 2008-06-24 | Quasar Federal Systems, Inc. | Integrated fluxgate-induction sensor |
| US8571614B1 (en) | 2009-10-12 | 2013-10-29 | Hypres, Inc. | Low-power biasing networks for superconducting integrated circuits |
| US10222416B1 (en) | 2015-04-14 | 2019-03-05 | Hypres, Inc. | System and method for array diagnostics in superconducting integrated circuit |
| WO2023196707A1 (en) * | 2022-04-08 | 2023-10-12 | Massachusetts Institute Of Technology | Scalable control of quantum bits using baseband pulsing |
Family Cites Families (5)
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|---|---|---|---|---|
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| JPS5840928A (ja) * | 1981-09-04 | 1983-03-10 | Hitachi Ltd | 電流変換ジヨセフソン回路 |
| JPS5856374A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-04 | Fujitsu Ltd | ジヨセフソン論理積装置 |
| JPS59210722A (ja) * | 1983-05-16 | 1984-11-29 | Agency Of Ind Science & Technol | 超電導フリツプフロツプ回路 |
| JPS60199227A (ja) * | 1984-03-24 | 1985-10-08 | Tokyo Daigaku | 超伝導回路 |
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- 1991-03-19 JP JP3054270A patent/JPH04290276A/ja active Pending
-
1992
- 1992-03-13 US US07/850,918 patent/US5287057A/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-03-16 DE DE69220990T patent/DE69220990T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-03-16 EP EP92400683A patent/EP0505250B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69220990T2 (de) | 1997-11-27 |
| EP0505250B1 (en) | 1997-07-23 |
| EP0505250A2 (en) | 1992-09-23 |
| DE69220990D1 (de) | 1997-08-28 |
| US5287057A (en) | 1994-02-15 |
| EP0505250A3 (en) | 1993-03-17 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000222 |