JPH04290527A - Ｃｖｄ排ガス処理方法および装置 - Google Patents
Ｃｖｄ排ガス処理方法および装置Info
- Publication number
- JPH04290527A JPH04290527A JP3054710A JP5471091A JPH04290527A JP H04290527 A JPH04290527 A JP H04290527A JP 3054710 A JP3054710 A JP 3054710A JP 5471091 A JP5471091 A JP 5471091A JP H04290527 A JPH04290527 A JP H04290527A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- exhaust gas
- treatment
- cvd
- oxidation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 26
- 239000002699 waste material Substances 0.000 title abstract 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 98
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 45
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 44
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 19
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 22
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 12
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 abstract description 9
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 5
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910004014 SiF4 Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000002351 wastewater Substances 0.000 abstract description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 239000002912 waste gas Substances 0.000 abstract 5
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 abstract 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 25
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 19
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000006864 oxidative decomposition reaction Methods 0.000 description 13
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 8
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 4
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 4
- -1 C2 H5 OH Chemical class 0.000 description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003570 air Substances 0.000 description 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 125000002485 formyl group Chemical class [H]C(*)=O 0.000 description 2
- 229910020323 ClF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100441092 Danio rerio crlf3 gene Proteins 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005063 solubilization Methods 0.000 description 1
- 230000007928 solubilization Effects 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N trifluorochlorine Chemical compound FCl(F)F JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02C—CAPTURE, STORAGE, SEQUESTRATION OR DISPOSAL OF GREENHOUSE GASES [GHG]
- Y02C20/00—Capture or disposal of greenhouse gases
- Y02C20/30—Capture or disposal of greenhouse gases of perfluorocarbons [PFC], hydrofluorocarbons [HFC] or sulfur hexafluoride [SF6]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Exhaust Gas Treatment By Means Of Catalyst (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体の製造などでお
こなわれているＣＶＤ（化学的蒸着）プロセスにおける
排ガス中には未反応のプロセスガス等の有機ソースおよ
びその分解で生成する有機物やＣＯ等の有害成分が含有
されている。本発明はこの有害成分を含有する排ガスを
浄化して無害化することに関するものである。
こなわれているＣＶＤ（化学的蒸着）プロセスにおける
排ガス中には未反応のプロセスガス等の有機ソースおよ
びその分解で生成する有機物やＣＯ等の有害成分が含有
されている。本発明はこの有害成分を含有する排ガスを
浄化して無害化することに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来は、湿式スクラバーや活性炭吸着等
で処理されている。湿式スクラバーでの処理は有害成分
の除去率が低いことが問題である。
で処理されている。湿式スクラバーでの処理は有害成分
の除去率が低いことが問題である。
【０００３】また、活性炭吸着方式は破過した活性炭の
交換費用が高いことやＣＯの除去ができないことが問題
である。また、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）やそ
の分解成分の有機物は可燃性であり、水素ガスやＬＰＧ
などを助燃剤として燃焼すれば安価な処理ができるが、
火炎の温度が高くなり、排ガス中の窒素が酸化されてＮ
ＯＸ が生成してしまう。
交換費用が高いことやＣＯの除去ができないことが問題
である。また、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）やそ
の分解成分の有機物は可燃性であり、水素ガスやＬＰＧ
などを助燃剤として燃焼すれば安価な処理ができるが、
火炎の温度が高くなり、排ガス中の窒素が酸化されてＮ
ＯＸ が生成してしまう。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は従来より低廉
なランニングコストで、ＮＯＸ 生成を防止し、全ての
有害ガス成分を無害化できるＣＶＤ排ガス処理方法およ
びその装置を提供することにある。
なランニングコストで、ＮＯＸ 生成を防止し、全ての
有害ガス成分を無害化できるＣＶＤ排ガス処理方法およ
びその装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、下記■および
■記載の方法および装置であり、これにより上記課題を
解決できる。 ■ ＣＶＤ排ガスを加熱酸化分解処理した後にその加
熱酸化分解処理したガスを酸素の共存下で酸化触媒と接
触させて酸化処理することを特徴とするＣＶＤ排ガス処
理方法。 ■ ＣＶＤ排ガスを加熱酸化分解する装置および該装
置の後段に設けられ、その加熱酸化分解処理したガスを
酸素の共存下で酸化触媒と接触させて酸化処理する装置
とからなることを特徴とするＣＶＤ排ガス処理装置。
■記載の方法および装置であり、これにより上記課題を
解決できる。 ■ ＣＶＤ排ガスを加熱酸化分解処理した後にその加
熱酸化分解処理したガスを酸素の共存下で酸化触媒と接
触させて酸化処理することを特徴とするＣＶＤ排ガス処
理方法。 ■ ＣＶＤ排ガスを加熱酸化分解する装置および該装
置の後段に設けられ、その加熱酸化分解処理したガスを
酸素の共存下で酸化触媒と接触させて酸化処理する装置
とからなることを特徴とするＣＶＤ排ガス処理装置。
【０００６】本発明は、ＣＶＤ排ガスを加熱酸化分解処
理し、その処理ガス中に存在する主としてＣＯ等の有害
な未酸化物質を酸素共存の触媒に接触させることにより
酸化処理して無害化処理ガスを得る方法および装置であ
るが、ＮＯＸが生成しない温度で酸化処理できるので、
２次汚染を発生させず、安価な処理ができる。
理し、その処理ガス中に存在する主としてＣＯ等の有害
な未酸化物質を酸素共存の触媒に接触させることにより
酸化処理して無害化処理ガスを得る方法および装置であ
るが、ＮＯＸが生成しない温度で酸化処理できるので、
２次汚染を発生させず、安価な処理ができる。
【０００７】本発明は、排ガス中に存在する加熱酸化分
解性物質を加熱酸化分解する装置の反応部の温度コント
ロールができるように構成することができ、電気ヒータ
による加熱方式が適している。
解性物質を加熱酸化分解する装置の反応部の温度コント
ロールができるように構成することができ、電気ヒータ
による加熱方式が適している。
【０００８】排ガス中の加熱酸化分解性物質、例えば、
ＴＥＯＳやアルコール、アルデヒド等は８００℃以上で
酸化速度が速いため、装置の経済性およびＮＯＸ 生成
の防止を考慮すると反応部の温度は８００〜１０００℃
が好ましい。
ＴＥＯＳやアルコール、アルデヒド等は８００℃以上で
酸化速度が速いため、装置の経済性およびＮＯＸ 生成
の防止を考慮すると反応部の温度は８００〜１０００℃
が好ましい。
【０００９】本発明に使用される加熱酸化分解装置によ
る処理は、１０００℃以下では排ガス中のＣＯの酸化率
は５０％程度であるが、ＴＥＯＳの酸化で生成するＳｉ
Ｏ２ を水洗等で除去し、有機物をＣＯ２ と水に酸化
分解することにより除去するので、後段の触媒処理装置
でＣＯ酸化、残留有機物酸化等を高速で処理できる。
る処理は、１０００℃以下では排ガス中のＣＯの酸化率
は５０％程度であるが、ＴＥＯＳの酸化で生成するＳｉ
Ｏ２ を水洗等で除去し、有機物をＣＯ２ と水に酸化
分解することにより除去するので、後段の触媒処理装置
でＣＯ酸化、残留有機物酸化等を高速で処理できる。
【００１０】該触媒は、酸化力があれば特に制限はない
が、特にＣＯ酸化力があるものが好ましい。該触媒とし
て、例示すれば、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ
の酸化物が好ましく、これらの一種または二種以上を含
むことができる。また、これらの触媒の形態も任意であ
り、糸上、粉末状、他の材料、例えば、セルロース等と
の複合材料等が使用でき、通常、上記加熱酸化分解処理
したガスの流入口と酸化処理したガスの流出口を設けた
容器内に所望量、充填または装填して用いることができ
る。
が、特にＣＯ酸化力があるものが好ましい。該触媒とし
て、例示すれば、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ
の酸化物が好ましく、これらの一種または二種以上を含
むことができる。また、これらの触媒の形態も任意であ
り、糸上、粉末状、他の材料、例えば、セルロース等と
の複合材料等が使用でき、通常、上記加熱酸化分解処理
したガスの流入口と酸化処理したガスの流出口を設けた
容器内に所望量、充填または装填して用いることができ
る。
【００１１】該酸化物系触媒は、比較的低温で処理でき
、特に効果的である。その場合、水分や残留する有機物
の影響がなくなる１５０℃以上であればよい。また、触
媒での酸化速度から加熱酸化分解処理されたガスの触媒
装置におけるＳＶ（流速）は２０，０００ １／ｈ程
度でも問題ないが、圧損を小さくするためには２０００
１／ｈから１０，０００ １／ｈで処理するのが
望ましい。
、特に効果的である。その場合、水分や残留する有機物
の影響がなくなる１５０℃以上であればよい。また、触
媒での酸化速度から加熱酸化分解処理されたガスの触媒
装置におけるＳＶ（流速）は２０，０００ １／ｈ程
度でも問題ないが、圧損を小さくするためには２０００
１／ｈから１０，０００ １／ｈで処理するのが
望ましい。
【００１２】ここで、触媒に存在せしめられる酸素の供
給は、加熱酸化分解に必要な酸素を反応部に供給し、加
熱酸化分解に消費した残部を用いてもよいし、別途触媒
に供給するようにしてもよい。
給は、加熱酸化分解に必要な酸素を反応部に供給し、加
熱酸化分解に消費した残部を用いてもよいし、別途触媒
に供給するようにしてもよい。
【００１３】本発明におけるＣＶＤ排ガスとは、ＣＶＤ
装置からのＣＶＤ（化学的蒸着）法に使用されるプロセ
スガスのＣＶＤ処理済の排ガスを主とするものではある
が、場合により、ＣＶＤ装置をクリーニングするめのガ
スを使用した後のクリーニング時の排ガスも包含できる
。
装置からのＣＶＤ（化学的蒸着）法に使用されるプロセ
スガスのＣＶＤ処理済の排ガスを主とするものではある
が、場合により、ＣＶＤ装置をクリーニングするめのガ
スを使用した後のクリーニング時の排ガスも包含できる
。
【００１４】本発明におけるＣＶＤ排ガスを与えるＣＶ
Ｄ原料、即ちプロセスガスとしては、公知のものが挙げ
られ、例示すれば、無機原料、例えば、モノシラン、ジ
シラン、ジクロルシラン等、有機原料、例えば、ＴＥＯ
Ｓ（テトラエトキシシラン）等があり、これらは１種以
上単独または組み合わせて用いられる。これらの排ガス
には、これらの未反応物あるいはその誘導体、反応分解
物、例えば、Ｈ２ 、ＣＯ、Ｃ２ Ｈ５ ＯＨ等のアル
コール、ＣＨ３ ＣＨＯ等のアルデヒド、Ｃ２ Ｈ４
等の炭化水素等の加熱酸化分解性物質が含まれ、加熱酸
化分解されることにより、主として、ＳｉＯ２ 等の金
属酸化物、Ｈ２ ＯとＣＯ２ になる。ここで言う加熱
酸化分解とは、分解不能のものの単なる酸化、例えば、
水素、金属等の単体の酸化等をも包含することは明らか
である。
Ｄ原料、即ちプロセスガスとしては、公知のものが挙げ
られ、例示すれば、無機原料、例えば、モノシラン、ジ
シラン、ジクロルシラン等、有機原料、例えば、ＴＥＯ
Ｓ（テトラエトキシシラン）等があり、これらは１種以
上単独または組み合わせて用いられる。これらの排ガス
には、これらの未反応物あるいはその誘導体、反応分解
物、例えば、Ｈ２ 、ＣＯ、Ｃ２ Ｈ５ ＯＨ等のアル
コール、ＣＨ３ ＣＨＯ等のアルデヒド、Ｃ２ Ｈ４
等の炭化水素等の加熱酸化分解性物質が含まれ、加熱酸
化分解されることにより、主として、ＳｉＯ２ 等の金
属酸化物、Ｈ２ ＯとＣＯ２ になる。ここで言う加熱
酸化分解とは、分解不能のものの単なる酸化、例えば、
水素、金属等の単体の酸化等をも包含することは明らか
である。
【００１５】クリーニングガスとしては、ＮＦ３ 、Ｃ
Ｆ４ 、Ｃ２ Ｆ６ 、ＳＦ６ 、ＣｌＦ３ などが挙
げられ、クリーニング排ガスは、クリーニングガスとＣ
ＶＤ装置内物質（未排気のＣＶＤ処理済物質等）との反
応物、例えば、ＳｉＦ４ 、クリーニングガス誘導体等
、およびクリーニングガスとクリーニングガスにより物
理的にクリーニングしたＣＶＤ内物質等からなる。
Ｆ４ 、Ｃ２ Ｆ６ 、ＳＦ６ 、ＣｌＦ３ などが挙
げられ、クリーニング排ガスは、クリーニングガスとＣ
ＶＤ装置内物質（未排気のＣＶＤ処理済物質等）との反
応物、例えば、ＳｉＦ４ 、クリーニングガス誘導体等
、およびクリーニングガスとクリーニングガスにより物
理的にクリーニングしたＣＶＤ内物質等からなる。
【００１６】本発明における加熱酸化分解処理の反応条
件、排ガスの導入条件等は特に制限されるものではない
が、少なくとも酸素の共存下に排ガスに含有される加熱
酸化分解性物質が加熱酸化分解されればよい。従って、
排ガスを加熱酸化分解装置に導入する時、同時に酸素が
加熱酸化反応部に存在することが必要である。この酸素
の存在方法は任意であるが、該酸素は通常排ガスと共に
酸素含有ガス、例えば、空気等として導入することが好
ましい。また、加熱酸化分解の条件を調整するために任
意のガスを混在させることができる。例えば、窒素等の
不活性ガス混在させ、該窒素ガスが排ガスを包みかつ酸
素がこれらを包むような３層状態で加熱酸化分解装置の
反応部に導入されることが好ましく、加熱酸化分解装置
にこれらのガス導入部として同心状に管を３層構造にし
たものを配備することが好ましい。
件、排ガスの導入条件等は特に制限されるものではない
が、少なくとも酸素の共存下に排ガスに含有される加熱
酸化分解性物質が加熱酸化分解されればよい。従って、
排ガスを加熱酸化分解装置に導入する時、同時に酸素が
加熱酸化反応部に存在することが必要である。この酸素
の存在方法は任意であるが、該酸素は通常排ガスと共に
酸素含有ガス、例えば、空気等として導入することが好
ましい。また、加熱酸化分解の条件を調整するために任
意のガスを混在させることができる。例えば、窒素等の
不活性ガス混在させ、該窒素ガスが排ガスを包みかつ酸
素がこれらを包むような３層状態で加熱酸化分解装置の
反応部に導入されることが好ましく、加熱酸化分解装置
にこれらのガス導入部として同心状に管を３層構造にし
たものを配備することが好ましい。
【００１７】また、加熱酸化分解処理における加熱手段
も任意であるが、好ましくは、上述のように電気的に温
度制御可能なヒータ加熱方式が望ましく、通常反応部の
壁内に設けることができる。また、反応部の温度は、８
００〜１０００℃の範囲が好ましい。１０００℃以上で
あるとＮ２ ガスの酸化でＮＯＸ が生成されるので、
好ましくない。
も任意であるが、好ましくは、上述のように電気的に温
度制御可能なヒータ加熱方式が望ましく、通常反応部の
壁内に設けることができる。また、反応部の温度は、８
００〜１０００℃の範囲が好ましい。１０００℃以上で
あるとＮ２ ガスの酸化でＮＯＸ が生成されるので、
好ましくない。
【００１８】本発明において、加熱酸化分解処理された
排ガスはその組成に応じて、そのまま触媒処理装置に移
行させるか、更に他の任意の処理を加えてから触媒処理
装置に移行させることができる。
排ガスはその組成に応じて、そのまま触媒処理装置に移
行させるか、更に他の任意の処理を加えてから触媒処理
装置に移行させることができる。
【００１９】特に、本発明においては加熱酸化分解処理
された排ガスを水と接触させること、即ち、水洗処理に
供することが好ましく、これにより、該分解処理により
生成したＳｉＯ２ 等の金属酸化物微粒子の巻き込みに
よる除去、ＳｉＦ４ 等の水溶性化合物等の可溶化によ
る除去、処理ガスの冷却等を行うことができる。この水
洗処理の方法は任意であるが、噴霧状に処理ガスと接触
させることが好ましい。
された排ガスを水と接触させること、即ち、水洗処理に
供することが好ましく、これにより、該分解処理により
生成したＳｉＯ２ 等の金属酸化物微粒子の巻き込みに
よる除去、ＳｉＦ４ 等の水溶性化合物等の可溶化によ
る除去、処理ガスの冷却等を行うことができる。この水
洗処理の方法は任意であるが、噴霧状に処理ガスと接触
させることが好ましい。
【００２０】この水洗処理されたガスを触媒処理したも
のは、環境に放出もしくは更に所望により他の任意の処
理、例えば、公知の吸着処理等を施すことができ、任意
の排気手段、例えば、排気管等を触媒処理装置に配備す
ることができる。また、水洗排水は排水管等の排水手段
により系外に排出されるが、この排水に更に処理を加え
ることができる。これらの水洗処理手段、排出管等は加
熱酸化分解装置に設けることができる。
のは、環境に放出もしくは更に所望により他の任意の処
理、例えば、公知の吸着処理等を施すことができ、任意
の排気手段、例えば、排気管等を触媒処理装置に配備す
ることができる。また、水洗排水は排水管等の排水手段
により系外に排出されるが、この排水に更に処理を加え
ることができる。これらの水洗処理手段、排出管等は加
熱酸化分解装置に設けることができる。
【００２１】本発明における加熱酸化分解方式は高温下
で排ガスを酸化分解するために短時間で処理ができるた
めにＣＶＤ排ガスが大量であっても除害効率が高く、ま
た、加熱のための電気、空気、窒素、冷却用水（洗浄水
を兼ねる）があれば効率よく処理できるので乾式吸着法
よりランニングコストが低廉である。
で排ガスを酸化分解するために短時間で処理ができるた
めにＣＶＤ排ガスが大量であっても除害効率が高く、ま
た、加熱のための電気、空気、窒素、冷却用水（洗浄水
を兼ねる）があれば効率よく処理できるので乾式吸着法
よりランニングコストが低廉である。
【００２２】本発明は、上記処理工程が一連のものとし
て連続的かつ自動的に行われるようにかつ所望処理条件
を適宜選定できるように制御装置を具備することができ
る。この制御装置は、通常種々の検出装置、例えば、温
度、圧力、水位等のセンサーと連絡され、常に安全でし
かも最適処理が行えるように構成される。
て連続的かつ自動的に行われるようにかつ所望処理条件
を適宜選定できるように制御装置を具備することができ
る。この制御装置は、通常種々の検出装置、例えば、温
度、圧力、水位等のセンサーと連絡され、常に安全でし
かも最適処理が行えるように構成される。
【００２３】
【作用】本発明において、加熱酸化分解装置にはＣＶＤ
の排ガスと好ましくはスリーブ用の窒素、酸化用の空気
が流入し、８００℃以上に加熱されることにより、排ガ
ス中のＴＥＯＳや有機物が酸化されてＳｉＯ２ 、Ｈ２
Ｏ、ＣＯ２ になる。また、生成したＳｉＯ２ は排
気の冷却を兼ねた洗浄水で除去される。以上の作用によ
り酸化率が低いＣＯ以外は無害化される。
の排ガスと好ましくはスリーブ用の窒素、酸化用の空気
が流入し、８００℃以上に加熱されることにより、排ガ
ス中のＴＥＯＳや有機物が酸化されてＳｉＯ２ 、Ｈ２
Ｏ、ＣＯ２ になる。また、生成したＳｉＯ２ は排
気の冷却を兼ねた洗浄水で除去される。以上の作用によ
り酸化率が低いＣＯ以外は無害化される。
【００２４】排気中のＣＯ等は酸化触媒充填層等からな
る触媒装置を通過することにより、ＣＯ２ 等に酸化さ
れて無害になる。触媒はＭｎ、Ｃｕ酸化物系のものであ
れば常温でもＣＯの酸化力があるが、水分や有機物が共
存すると活性の低下がはやいために加熱することが望ま
しく、触媒を１５０℃程度に加熱するのは触媒装置と排
気との熱交換を行えばよく、また、高ＳＶで処理できる
ので触媒装置は非常にコンパクトであり、また、触媒の
寿命が長い。
る触媒装置を通過することにより、ＣＯ２ 等に酸化さ
れて無害になる。触媒はＭｎ、Ｃｕ酸化物系のものであ
れば常温でもＣＯの酸化力があるが、水分や有機物が共
存すると活性の低下がはやいために加熱することが望ま
しく、触媒を１５０℃程度に加熱するのは触媒装置と排
気との熱交換を行えばよく、また、高ＳＶで処理できる
ので触媒装置は非常にコンパクトであり、また、触媒の
寿命が長い。
【００２５】従って、処理に要するのは加熱用電力、水
および触媒の交換費用であるが、吸着方式と比べてラン
ニングコストは大幅に低減でき、完全処理ができる。
および触媒の交換費用であるが、吸着方式と比べてラン
ニングコストは大幅に低減でき、完全処理ができる。
【００２６】
【実施例】本発明の具体的実施例を図１に従って説明す
るが、本発明はこれにより限定されない。
るが、本発明はこれにより限定されない。
【００２７】図１は、本発明法に使用される処理装置の
一例を示し、本発明のＣＶＤ排ガス処理装置１は、加熱
酸化分解装置２と触媒反応槽３とから構成される。加熱
酸化分解装置２は、ＣＶＤ装置からのＣＶＤ排ガスを導
入する排ガス流入管４、排ガス酸化を調整するための窒
素を導入するための窒素流入管５および排ガス中の加熱
酸化分解性物質を酸化するための酸素を供給するための
空気流入管６を同心状に構成した３層構造のガス導入部
７と、ガス導入部から放出されるこれら混合ガス中の排
ガスを加熱酸化分解するための熱源であるセラミックヒ
ータ８を外壁に有すると共に熱電対９、１０を配備した
温度制御されている反応部１１と、反応部１１にて生成
した加熱酸化分解生成物を含む処理ガスを冷却水１２に
て水洗処理するための水洗部１３とＦ２ 、ＳｉＦ４
等の可溶性物質、ＳｉＯ２ 等を含む排水を系外に排出
する排水管１４から構成される。
一例を示し、本発明のＣＶＤ排ガス処理装置１は、加熱
酸化分解装置２と触媒反応槽３とから構成される。加熱
酸化分解装置２は、ＣＶＤ装置からのＣＶＤ排ガスを導
入する排ガス流入管４、排ガス酸化を調整するための窒
素を導入するための窒素流入管５および排ガス中の加熱
酸化分解性物質を酸化するための酸素を供給するための
空気流入管６を同心状に構成した３層構造のガス導入部
７と、ガス導入部から放出されるこれら混合ガス中の排
ガスを加熱酸化分解するための熱源であるセラミックヒ
ータ８を外壁に有すると共に熱電対９、１０を配備した
温度制御されている反応部１１と、反応部１１にて生成
した加熱酸化分解生成物を含む処理ガスを冷却水１２に
て水洗処理するための水洗部１３とＦ２ 、ＳｉＦ４
等の可溶性物質、ＳｉＯ２ 等を含む排水を系外に排出
する排水管１４から構成される。
【００２８】触媒反応槽３は、加熱酸化分解装置２の後
段に設けられ供給管１５を介して水洗処理された処理ガ
スが該触媒反応槽３に導入される。該触媒反応槽３は、
導入されたＣＯ等の酸化すべきガスを酸化処理する酸化
触媒を充填したものであり、ここを通過させることによ
り排ガスを浄化かつ無害化することができ、これを配備
された排気管１６より、排出する。尚、１７〜１９は排
ガス、加熱酸化分解・水洗処理されたガス、触媒処理さ
れたガスの各サンプリング管Ａ，Ｂ，Ｃである。
段に設けられ供給管１５を介して水洗処理された処理ガ
スが該触媒反応槽３に導入される。該触媒反応槽３は、
導入されたＣＯ等の酸化すべきガスを酸化処理する酸化
触媒を充填したものであり、ここを通過させることによ
り排ガスを浄化かつ無害化することができ、これを配備
された排気管１６より、排出する。尚、１７〜１９は排
ガス、加熱酸化分解・水洗処理されたガス、触媒処理さ
れたガスの各サンプリング管Ａ，Ｂ，Ｃである。
【００２９】
【実験例】図１に示した排ガス処理装置を用いて処理試
験を行った。ＴＥＯＳをプロセスガスとしたＣＶＤ排ガ
スの処理結果を表１に示す。
験を行った。ＴＥＯＳをプロセスガスとしたＣＶＤ排ガ
スの処理結果を表１に示す。
【００３０】排ガス量は４０Ｌ（リットル）／分、加熱
酸化分解装置の処理条件は反応温度９００℃、Ｎ２ １
０Ｌ／分、酸化用空気２０Ｌ／分、冷却水４Ｌ／分とし
た。また、Ｃｕ、Ｍｎ系触媒を充填したカラムを触媒反
応槽として、これを１５０℃に加熱して加熱酸化分解装
置の流出ガスをＳＶ５，０００で処理した。
酸化分解装置の処理条件は反応温度９００℃、Ｎ２ １
０Ｌ／分、酸化用空気２０Ｌ／分、冷却水４Ｌ／分とし
た。また、Ｃｕ、Ｍｎ系触媒を充填したカラムを触媒反
応槽として、これを１５０℃に加熱して加熱酸化分解装
置の流出ガスをＳＶ５，０００で処理した。
【００３１】表１に示すように触媒は半年後でも十分な
活性があった。この間の排ガス処理時間２〜６時間／日
であった。
活性があった。この間の排ガス処理時間２〜６時間／日
であった。
【００３２】
【表１】
【００３３】
【発明の効果】加熱酸化分解装置とコンパクトな触媒反
応槽との組合せでＴＥＯＳ系ＣＶＤ排ガスの有害成分を
完全に除去でき、有害なＮＯＸ が生成しない。また、
半年から１年に１回触媒を交換する他は電気、水、窒素
、空気を要するだけなのでメンテナンスが容易で吸着法
と比較して処理費が安価である。
応槽との組合せでＴＥＯＳ系ＣＶＤ排ガスの有害成分を
完全に除去でき、有害なＮＯＸ が生成しない。また、
半年から１年に１回触媒を交換する他は電気、水、窒素
、空気を要するだけなのでメンテナンスが容易で吸着法
と比較して処理費が安価である。
【００３４】１０００℃以下での酸化処理では有機物が
若干残留するが酸化触媒処理で残留した有機物が酸化さ
れて完全に除去される効果もある。
若干残留するが酸化触媒処理で残留した有機物が酸化さ
れて完全に除去される効果もある。
【図１】本発明ほ方法が適用されるＮＦ３ 排ガス処理
装置を説明するための図である。
装置を説明するための図である。
１ ＣＶＤ排ガス処理装置
２ 加熱酸化分解装置
３ 触媒反応槽
４ 排ガス流入管
５ 窒素流入管
６ 空気流入管
７ ガス導入部
８ セラミックヒータ
９ 熱電対
１０ 熱電対
１２ 冷却水
１３ 水洗部
１４ 排水管
１５ 供給管
１６ 排気管
１７ サンプリング管Ａ
１８ サンプリング管Ｂ
１９ サンプリング管Ｃ
Claims (2)
- 【請求項１】 ＣＶＤ排ガスを加熱酸化分解処理した
後にその加熱酸化分解処理したガスを酸素の共存下で酸
化触媒と接触させて酸化処理することを特徴とするＣＶ
Ｄ排ガス処理方法。 - 【請求項２】 ＣＶＤ排ガスを加熱酸化分解する装置
および該装置の後段に設けられ、その加熱酸化分解処理
したガスを酸素の共存下で酸化触媒と接触させて酸化処
理する装置とからなることを特徴とするＣＶＤ排ガス処
理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3054710A JPH0671529B2 (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | Ｃｖｄ排ガス処理方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3054710A JPH0671529B2 (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | Ｃｖｄ排ガス処理方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04290527A true JPH04290527A (ja) | 1992-10-15 |
| JPH0671529B2 JPH0671529B2 (ja) | 1994-09-14 |
Family
ID=12978362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3054710A Expired - Lifetime JPH0671529B2 (ja) | 1991-03-19 | 1991-03-19 | Ｃｖｄ排ガス処理方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0671529B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06503995A (ja) * | 1992-03-13 | 1994-05-12 | リーター・アウトマーティク・ゲゼルシャフト・ミット ベシュレンクテル・ハフツング | 特に真空熱分解装置からの排気ガスを浄化するためのプロセス |
| WO2000074821A1 (fr) * | 1999-06-09 | 2000-12-14 | Hitachi, Ltd. | Procede et systeme pour eliminer un compose fluore par decomposition |
| US7261868B2 (en) | 2001-09-13 | 2007-08-28 | Hitachi, Ltd. | Process and apparatus for the decomposition of fluorine compounds |
| JP2010149082A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Air Liquide Japan Ltd | 有機金属化合物を含む排ガスの処理装置および処理方法 |
| CN102719806A (zh) * | 2012-06-26 | 2012-10-10 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 沉积装置 |
-
1991
- 1991-03-19 JP JP3054710A patent/JPH0671529B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06503995A (ja) * | 1992-03-13 | 1994-05-12 | リーター・アウトマーティク・ゲゼルシャフト・ミット ベシュレンクテル・ハフツング | 特に真空熱分解装置からの排気ガスを浄化するためのプロセス |
| WO2000074821A1 (fr) * | 1999-06-09 | 2000-12-14 | Hitachi, Ltd. | Procede et systeme pour eliminer un compose fluore par decomposition |
| US7294315B1 (en) | 1999-06-09 | 2007-11-13 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for disposing of fluorine-containing compound by decomposition |
| US7261868B2 (en) | 2001-09-13 | 2007-08-28 | Hitachi, Ltd. | Process and apparatus for the decomposition of fluorine compounds |
| JP2010149082A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Air Liquide Japan Ltd | 有機金属化合物を含む排ガスの処理装置および処理方法 |
| CN102719806A (zh) * | 2012-06-26 | 2012-10-10 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 沉积装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0671529B2 (ja) | 1994-09-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100488598C (zh) | 处理废气的方法和装置 | |
| JP3280173B2 (ja) | 排ガス処理装置 | |
| JP4512238B2 (ja) | 廃ガス流から窒素酸化物を除去する方法 | |
| JP2007203290A (ja) | 排ガスの処理方法 | |
| KR101097240B1 (ko) | 배기 가스 처리 방법 및 장치 | |
| JPH04290527A (ja) | Ｃｖｄ排ガス処理方法および装置 | |
| CN109414647B (zh) | 一种用于低温气体清洁的方法和用于该方法的催化剂 | |
| JPH04290525A (ja) | 排ガス処理方法および装置 | |
| JPH04290523A (ja) | Ｎｆ３ 排ガス処理方法および装置 | |
| JPH10249165A (ja) | アンモニア含有ガスの処理方法 | |
| PL126861B1 (en) | Method of catalytically purifying gases | |
| JPH0779949B2 (ja) | 排ガス処理装置 | |
| JP5133231B2 (ja) | 有機金属化合物を含む排ガスの処理装置および処理方法 | |
| KR100266830B1 (ko) | 화학증착공정에서배출되는폐가스를무해화하는방법 | |
| CN205517185U (zh) | 一种聚胺类有机废气的处理装置 | |
| JPH0710335B2 (ja) | Ｎｆ３ 排ガス処理方法および装置 | |
| JPH08141359A (ja) | 有害ガスの除害方法及び除害装置 | |
| JP2004097908A (ja) | ガス中に含まれる揮発性有機物質の分解方法 | |
| JPS5581730A (en) | Continuous deodorizing method | |
| RU1813529C (ru) | Способ очистки газов от озона | |
| WO2002081970B1 (en) | A method of treating materials, as well as a plant and a reactor for implementing the method | |
| JPH03229619A (ja) | 排オゾン処理装置 | |
| Sulaymanova et al. | Sanitary cleaning of exhaust gases from the oxidation unit in the production of pyromellite dianhydride | |
| WO2007077742A1 (ja) | 排ガス中の酸化エチレンの除害方法及び除害装置 | |
| JPH1147550A (ja) | 排ガス処理方法 |