JPH04293213A - チップ型電子部品の端子電極用導電性ペースト - Google Patents
チップ型電子部品の端子電極用導電性ペーストInfo
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- JPH04293213A JPH04293213A JP8199391A JP8199391A JPH04293213A JP H04293213 A JPH04293213 A JP H04293213A JP 8199391 A JP8199391 A JP 8199391A JP 8199391 A JP8199391 A JP 8199391A JP H04293213 A JPH04293213 A JP H04293213A
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- Japan
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- chip
- weight
- glass frit
- conductive paste
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- Ceramic Capacitors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はチップコンデンサ、チッ
プ抵抗、チップサーミスタ等のチップ型電子部品の端子
電極を形成するための導電性ペーストに関する。更に詳
しくは導電性ペーストのガラスフリット成分に関するも
のである。
プ抵抗、チップサーミスタ等のチップ型電子部品の端子
電極を形成するための導電性ペーストに関する。更に詳
しくは導電性ペーストのガラスフリット成分に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】この種のチップ型電子部品を構成するセ
ラミック誘電体からなるベアチップの表面には端子電極
が形成される。この端子電極は金属粉末とガラスフリッ
トと不活性有機ビヒクルとを混練してつくられた導電性
ペーストをベアチップの表面に塗布し乾燥した後、６０
０〜８００℃程度の温度で焼成して形成される。このチ
ップ型電子部品は端子電極を基板にはんだ付けして使用
される。
ラミック誘電体からなるベアチップの表面には端子電極
が形成される。この端子電極は金属粉末とガラスフリッ
トと不活性有機ビヒクルとを混練してつくられた導電性
ペーストをベアチップの表面に塗布し乾燥した後、６０
０〜８００℃程度の温度で焼成して形成される。このチ
ップ型電子部品は端子電極を基板にはんだ付けして使用
される。
【０００３】従来、導電性ペーストのガラスフリットに
は、ホウケイ酸亜鉛、アルカリ金属及びアルカリ土類金
属を含有するホウケイ酸亜鉛、ホウケイ酸鉛、ホウケイ
酸ビスマス等のホウケイ酸系ガラス、ホウ酸亜鉛系ガラ
ス、ホウ酸カドミウム系ガラス、ケイ酸鉛亜鉛系ガラス
等が用いられている。これらのガラスは少なくともＢ２
Ｏ３又はＳｉＯ２を含み、その他ＰｂＯ，ＺｎＯ，Ｂａ
Ｏ，Ｎａ２Ｏ等の金属酸化物を含んでいる。ガラスフリ
ットは主として金属粉末の焼結を促進し、ベアチップと
の界面を接合させるために用いられる。そのためにガラ
スフリットの特性として、軟化点が比較的低くガラス化
したときにはんだ付け性が良いこと、焼結金属のベアチ
ップに対する接着強度を高めて耐水性があること、熱膨
張率があまり大きくないこと等が要求される。
は、ホウケイ酸亜鉛、アルカリ金属及びアルカリ土類金
属を含有するホウケイ酸亜鉛、ホウケイ酸鉛、ホウケイ
酸ビスマス等のホウケイ酸系ガラス、ホウ酸亜鉛系ガラ
ス、ホウ酸カドミウム系ガラス、ケイ酸鉛亜鉛系ガラス
等が用いられている。これらのガラスは少なくともＢ２
Ｏ３又はＳｉＯ２を含み、その他ＰｂＯ，ＺｎＯ，Ｂａ
Ｏ，Ｎａ２Ｏ等の金属酸化物を含んでいる。ガラスフリ
ットは主として金属粉末の焼結を促進し、ベアチップと
の界面を接合させるために用いられる。そのためにガラ
スフリットの特性として、軟化点が比較的低くガラス化
したときにはんだ付け性が良いこと、焼結金属のベアチ
ップに対する接着強度を高めて耐水性があること、熱膨
張率があまり大きくないこと等が要求される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の上記金
属酸化物を２種以上混合したガラスフリットを用いて導
電性ペーストを調製し、このペーストで端子電極を形成
した場合、端子電極のはんだ付け性が良好でなく、しか
も端子電極のベアチップに対する接着強度が十分でない
問題点があった。本発明の目的は、比較的少量のガラス
フリットの配合でベアチップとの接着強度が高く、耐湿
性に優れ、しかもめっき膜の形成又ははんだ付け性が良
好なチップ型電子部品の端子電極用導電性ペーストを提
供することにある。
属酸化物を２種以上混合したガラスフリットを用いて導
電性ペーストを調製し、このペーストで端子電極を形成
した場合、端子電極のはんだ付け性が良好でなく、しか
も端子電極のベアチップに対する接着強度が十分でない
問題点があった。本発明の目的は、比較的少量のガラス
フリットの配合でベアチップとの接着強度が高く、耐湿
性に優れ、しかもめっき膜の形成又ははんだ付け性が良
好なチップ型電子部品の端子電極用導電性ペーストを提
供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、ガラスフ
リットの各種成分を検討していく過程で、従来のガラス
フリットはガラス化が容易なＢ２Ｏ３の組成比が少なめ
であるか、或いはガラス化が容易でないＳｉＯ２の組成
比が多めであることに気付き、他の金属酸化物との組合
せを種々行った結果、本発明に到達した。本発明は金属
粉末とガラスフリットと不活性有機ビヒクルを含み、セ
ラミック誘電体からなるベアチップの表面に塗布した後
焼付けて端子電極を形成するチップ型電子部品の端子電
極用導電性ペーストにおいて、ガラスフリットが酸化鉛
（ＰｂＯ）０〜４０重量％と三酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）
３５〜６５重量％と酸化亜鉛（ＺｎＯ）２０〜５５重量
％の組成比からなるホウ酸亜鉛鉛系ガラスであって、金
属粉末に対して１〜１０重量％配合されたことを特徴と
する。
リットの各種成分を検討していく過程で、従来のガラス
フリットはガラス化が容易なＢ２Ｏ３の組成比が少なめ
であるか、或いはガラス化が容易でないＳｉＯ２の組成
比が多めであることに気付き、他の金属酸化物との組合
せを種々行った結果、本発明に到達した。本発明は金属
粉末とガラスフリットと不活性有機ビヒクルを含み、セ
ラミック誘電体からなるベアチップの表面に塗布した後
焼付けて端子電極を形成するチップ型電子部品の端子電
極用導電性ペーストにおいて、ガラスフリットが酸化鉛
（ＰｂＯ）０〜４０重量％と三酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）
３５〜６５重量％と酸化亜鉛（ＺｎＯ）２０〜５５重量
％の組成比からなるホウ酸亜鉛鉛系ガラスであって、金
属粉末に対して１〜１０重量％配合されたことを特徴と
する。
【０００６】以下、本発明を詳述する。本発明の金属粉
末には、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｐｔ等の貴金属、Ｃｕ，Ｎ
ｉ等の卑金属、又はこれらを混合した粉末が使用される
。金属粉末は焼結して端子電極に導電性を与える。不活
性有機ビヒクルには、メチルセルロース、エチルセルロ
ース等をブチルカルビトール、テルピネオール等の有機
溶剤に溶解したものが用いられる。上記セルロース類は
上記有機溶剤に５〜３０重量％の割合で混合される。 有機ビヒクルはペーストの粘度を調整し、ベアチップ表
面への塗布を容易にするために用いられる。導電性ペー
ストは、ペースト１００重量％とするとき、６５〜８０
重量％の金属粉末と、この金属粉末に対して１〜１０重
量％のガラスフリットと、残部が有機ビヒクルとにより
構成される。金属粉末が６５重量％未満になると電極の
導電性に劣り、８０重量％を越えるとベアチップとの接
着性が劣化する。
末には、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｐｔ等の貴金属、Ｃｕ，Ｎ
ｉ等の卑金属、又はこれらを混合した粉末が使用される
。金属粉末は焼結して端子電極に導電性を与える。不活
性有機ビヒクルには、メチルセルロース、エチルセルロ
ース等をブチルカルビトール、テルピネオール等の有機
溶剤に溶解したものが用いられる。上記セルロース類は
上記有機溶剤に５〜３０重量％の割合で混合される。 有機ビヒクルはペーストの粘度を調整し、ベアチップ表
面への塗布を容易にするために用いられる。導電性ペー
ストは、ペースト１００重量％とするとき、６５〜８０
重量％の金属粉末と、この金属粉末に対して１〜１０重
量％のガラスフリットと、残部が有機ビヒクルとにより
構成される。金属粉末が６５重量％未満になると電極の
導電性に劣り、８０重量％を越えるとベアチップとの接
着性が劣化する。
【０００７】本発明のガラスフリットはホウ酸亜鉛鉛系
ガラスであって、ＰｂＯ０〜４０重量％とＢ２Ｏ３３５
〜６５重量％とＺｎＯ２０〜５５重量％の組成比を有す
る。図２はこの組成比を示すもので、実線で囲まれた部
分は上記範囲を、破線で囲まれた部分はガラス化範囲を
それぞれ示す。本発明のガラスフリットの配合比１〜１
０重量％は、従来のガラスフリットの配合比より小さい
値である。換言すれば本発明のガラスフリットは導電性
ペースト中の配合比が小さくてもガラスフリットとして
要求される特性を具備する。しかし、この配合比を１重
量％未満にすると焼結金属が多孔質になって、端子電極
とベアチップとの接着強度が低下し、端子電極の耐湿性
が劣化する。コンデンサの場合には誘電正接（ｔａｎδ
）が劣化する。またガラスフリットの配合比が１０重量
％を越えると焼付け時に電極層の表面にガラスフリット
が浮き出て、焼付け電極層の表面に更にめっき層を設け
る場合にはめっき膜の形成が阻害され、めっき層を設け
ずにそのまま基板に実装される場合にははんだ付け性が
劣化する。
ガラスであって、ＰｂＯ０〜４０重量％とＢ２Ｏ３３５
〜６５重量％とＺｎＯ２０〜５５重量％の組成比を有す
る。図２はこの組成比を示すもので、実線で囲まれた部
分は上記範囲を、破線で囲まれた部分はガラス化範囲を
それぞれ示す。本発明のガラスフリットの配合比１〜１
０重量％は、従来のガラスフリットの配合比より小さい
値である。換言すれば本発明のガラスフリットは導電性
ペースト中の配合比が小さくてもガラスフリットとして
要求される特性を具備する。しかし、この配合比を１重
量％未満にすると焼結金属が多孔質になって、端子電極
とベアチップとの接着強度が低下し、端子電極の耐湿性
が劣化する。コンデンサの場合には誘電正接（ｔａｎδ
）が劣化する。またガラスフリットの配合比が１０重量
％を越えると焼付け時に電極層の表面にガラスフリット
が浮き出て、焼付け電極層の表面に更にめっき層を設け
る場合にはめっき膜の形成が阻害され、めっき層を設け
ずにそのまま基板に実装される場合にははんだ付け性が
劣化する。
【０００８】本発明の導電性ペーストはチップコンデン
サ、チップ抵抗、チップサーミスタ等のチップ型電子部
品の端子電極に用いられる。特に、チップ型積層セラミ
ックコンデンサに好適に用いられる。この場合、コンデ
ンサを構成するセラミック誘電体には鉛系ペロブスカイ
ト又はチタン酸バリウムを主成分とする誘電体材料が好
ましい。鉛系ペロブスカイトを主成分にする誘電体材料
としては、Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３，Ｐｂ（
Ｆｅ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３，ＰｂＴｉＯ３等が挙げら
れる。また導電性ペーストを焼付けて形成した電極層の
表面にめっき層を設けてもよい。
サ、チップ抵抗、チップサーミスタ等のチップ型電子部
品の端子電極に用いられる。特に、チップ型積層セラミ
ックコンデンサに好適に用いられる。この場合、コンデ
ンサを構成するセラミック誘電体には鉛系ペロブスカイ
ト又はチタン酸バリウムを主成分とする誘電体材料が好
ましい。鉛系ペロブスカイトを主成分にする誘電体材料
としては、Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３，Ｐｂ（
Ｆｅ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３，ＰｂＴｉＯ３等が挙げら
れる。また導電性ペーストを焼付けて形成した電極層の
表面にめっき層を設けてもよい。
【０００９】
【作用】ガラスフリットに含まれるＰｂＯは、ガラスの
軟化点を下げ、焼成時の他の成分との反応性を高める作
用がある。ＰｂＯが４０重量％を越えると端子電極に耐
水性がなくなる。またＢ２Ｏ３はガラス形成酸化物とし
て用いられ、熱膨張率をあまり大きくすることなくガラ
ス化温度を下げるように作用し、ガラス化を容易にする
。 Ｂ２Ｏ３は３５重量％未満ではその効果が十分でなく、
６５重量％を越えると端子電極に耐水性がなくなる。更
にＺｎＯは焼結金属のベアチップに対する接着強度を高
めるために添加する。ＺｎＯは２０重量％未満ではその
効果が少なく、５５重量％を越えると融点が高くなり、
ガラス化しにくくなる。
軟化点を下げ、焼成時の他の成分との反応性を高める作
用がある。ＰｂＯが４０重量％を越えると端子電極に耐
水性がなくなる。またＢ２Ｏ３はガラス形成酸化物とし
て用いられ、熱膨張率をあまり大きくすることなくガラ
ス化温度を下げるように作用し、ガラス化を容易にする
。 Ｂ２Ｏ３は３５重量％未満ではその効果が十分でなく、
６５重量％を越えると端子電極に耐水性がなくなる。更
にＺｎＯは焼結金属のベアチップに対する接着強度を高
めるために添加する。ＺｎＯは２０重量％未満ではその
効果が少なく、５５重量％を越えると融点が高くなり、
ガラス化しにくくなる。
【００１０】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、ガ
ラス化が容易でないＳｉＯ２を含有せずに、代わりにガ
ラス化が容易なＢ２Ｏ３の組成比を多めにして、他のガ
ラスフリットの成分としてＰｂＯとＺｎＯを採用し、こ
れらを所定の比率で配合して導電性ペーストを構成する
ことにより、このペーストをベアチップの表面に焼付け
て形成した端子電極は、第一にはんだ付け性が良好で、
第二にベアチップとの接着強度が高く、第三に耐湿性に
優れ高い信頼性を有するようになる。
ラス化が容易でないＳｉＯ２を含有せずに、代わりにガ
ラス化が容易なＢ２Ｏ３の組成比を多めにして、他のガ
ラスフリットの成分としてＰｂＯとＺｎＯを採用し、こ
れらを所定の比率で配合して導電性ペーストを構成する
ことにより、このペーストをベアチップの表面に焼付け
て形成した端子電極は、第一にはんだ付け性が良好で、
第二にベアチップとの接着強度が高く、第三に耐湿性に
優れ高い信頼性を有するようになる。
【００１１】
【実施例】次に本発明の実施例を図面に基づいて比較例
とともに説明する。 ＜実施例＞図１に示すように、この例ではチップ型電子
部品はチップ型積層セラミックコンデンサ１０である。 このコンデンサ１０はベアチップ１１とこのチップ１１
の両端部に形成された端子電極１２とを備える。チップ
１１は鉛ペロブスカイト系であって、貴金属のＡｇ７０
／Ｐｄ３０からなる内部電極１３を有し、長さ３．２ｍ
ｍ、幅１．６ｍｍ、厚み０．８５ｍｍのサイズを有する
。
とともに説明する。 ＜実施例＞図１に示すように、この例ではチップ型電子
部品はチップ型積層セラミックコンデンサ１０である。 このコンデンサ１０はベアチップ１１とこのチップ１１
の両端部に形成された端子電極１２とを備える。チップ
１１は鉛ペロブスカイト系であって、貴金属のＡｇ７０
／Ｐｄ３０からなる内部電極１３を有し、長さ３．２ｍ
ｍ、幅１．６ｍｍ、厚み０．８５ｍｍのサイズを有する
。
【００１２】端子電極を次の条件により形成した。導電
性ペースト１００重量％とするとき７５重量％の金属粉
末と、この金属成分に対して表１及び図２の白丸に示す
配合比のガラスフリットと、残部が不活性有機ビヒクル
とを混練して導電性ペーストを調製した。ここで金属粉
末はＡｇ９０重量％とＰｄ１０重量％の混合粉であり、
ガラスフリットはＰｂＯとＢ２Ｏ３とＺｎＯの３種又は
Ｂ２Ｏ３とＺｎＯの２種であって、表１及び図２の白丸
に示す組成比で添加される。また有機ビヒクルはエチル
セルロースをブチルカルビトールとテルピネオールに混
合したものを用いた。このペーストを焼付け後の厚さが
９０μｍになるようにベアチップの両端部にディップ方
式で塗布し、大気圧下、１５０℃で１０分間乾燥した。 このチップを２５℃／分の速度で、大気圧下、７５０℃
まで昇温しそこで５分間保持した後、２０分／分の速度
で室温まで降温して積層セラミックコンデンサを得た。
性ペースト１００重量％とするとき７５重量％の金属粉
末と、この金属成分に対して表１及び図２の白丸に示す
配合比のガラスフリットと、残部が不活性有機ビヒクル
とを混練して導電性ペーストを調製した。ここで金属粉
末はＡｇ９０重量％とＰｄ１０重量％の混合粉であり、
ガラスフリットはＰｂＯとＢ２Ｏ３とＺｎＯの３種又は
Ｂ２Ｏ３とＺｎＯの２種であって、表１及び図２の白丸
に示す組成比で添加される。また有機ビヒクルはエチル
セルロースをブチルカルビトールとテルピネオールに混
合したものを用いた。このペーストを焼付け後の厚さが
９０μｍになるようにベアチップの両端部にディップ方
式で塗布し、大気圧下、１５０℃で１０分間乾燥した。 このチップを２５℃／分の速度で、大気圧下、７５０℃
まで昇温しそこで５分間保持した後、２０分／分の速度
で室温まで降温して積層セラミックコンデンサを得た。
【００１３】＜比較例＞表１及び図２の黒丸に示すよう
に、ＺｎＯの組成比を１５重量％に減らすか、或いはＢ
２Ｏ３の組成比を３０重量％に減らす以外は実施例と同
様にして積層セラミックコンデンサを得た。また表２に
示すように、ＳｉＯ２を用いるか、又はＢ２Ｏ３の組成
比を３０重量％以下に減らし、或いはＢａＯ，Ｎａ２Ｏ
も用いてガラスフリットを構成した以外は実施例と同様
にして積層セラミックコンデンサを得た。
に、ＺｎＯの組成比を１５重量％に減らすか、或いはＢ
２Ｏ３の組成比を３０重量％に減らす以外は実施例と同
様にして積層セラミックコンデンサを得た。また表２に
示すように、ＳｉＯ２を用いるか、又はＢ２Ｏ３の組成
比を３０重量％以下に減らし、或いはＢａＯ，Ｎａ２Ｏ
も用いてガラスフリットを構成した以外は実施例と同様
にして積層セラミックコンデンサを得た。
【００１４】＜測定方法＞上記実施例及び比較例で作製
した積層セラミックコンデンサについて次の（ａ）〜（
ｃ）の特性を測定した。括弧内の数値ｎは試験した試料
数である。 （ａ） はんだ付け性（ｎ＝２０） ２３０℃の銀入り共晶はんだ（Ｓｎ６２／Ｐｂ３６／Ａ
ｇ２）中に２秒間試料を浸漬した後、端子電極がはんだ
で完全に覆われているか否か調べた。 （ｂ） 引張強度（ｎ＝１０） 端子電極に０．８ｍｍのはんだ引き鋼線を２３０℃のホ
ットプレート上で共晶クリームはんだ（千住金属社製Ｓ
ＰＴ−５５−２０６２−Ｍ１０）により接着し、この鋼
線を引張ることにより引張強度を測定した。 （ｃ） 信頼性（耐湿負荷試験）（ｎ＝２０）＋８５℃
の温度で８５％の相対湿度下、５０Ｖの直流電圧を印加
して１０００時間に至るまでの劣化の有無を調べた。
した積層セラミックコンデンサについて次の（ａ）〜（
ｃ）の特性を測定した。括弧内の数値ｎは試験した試料
数である。 （ａ） はんだ付け性（ｎ＝２０） ２３０℃の銀入り共晶はんだ（Ｓｎ６２／Ｐｂ３６／Ａ
ｇ２）中に２秒間試料を浸漬した後、端子電極がはんだ
で完全に覆われているか否か調べた。 （ｂ） 引張強度（ｎ＝１０） 端子電極に０．８ｍｍのはんだ引き鋼線を２３０℃のホ
ットプレート上で共晶クリームはんだ（千住金属社製Ｓ
ＰＴ−５５−２０６２−Ｍ１０）により接着し、この鋼
線を引張ることにより引張強度を測定した。 （ｃ） 信頼性（耐湿負荷試験）（ｎ＝２０）＋８５℃
の温度で８５％の相対湿度下、５０Ｖの直流電圧を印加
して１０００時間に至るまでの劣化の有無を調べた。
【００１５】＜測定結果と評価＞上記（ａ）〜（ｃ）の
結果を表１及び表２に示す。表１及び表２においてガラ
スフリット配合比は金属粉末１００重量％に対する割合
を意味する。またはんだ付け性の”◎”は端子電極が１
００％はんだで覆われ「極めて良好」、”○”は８０％
以上１００％未満はんだで覆われ「良好」、”△”は７
０％以上８０％未満はんだで覆われ「不良」、”×”は
７０％未満しかはんだで覆われていない「極めて不良」
を意味する。表１より、ＰｂＯ０〜４０重量％とＢ２Ｏ
３３５〜６５重量％とＺｎＯ２０〜５５重量％の組成比
にある実施例１〜１５ははんだ付け性、引張強度及び信
頼性とも優れていた。これに対して上記範囲外の組成比
の比較例１〜５は引張強度、即ち接着強度が低く、或い
は耐湿負荷試験において２００〜４００時間程度で劣化
し信頼性が低かった。また表２より、ＳｉＯ２を用いる
か、又はＢ２Ｏ３の組成比を３０重量％以下に減らした
比較例６〜１２はいずれも試料もはんだ付け性が悪く、
他の引張強度及び耐湿負荷試験を行うまでには至らなか
った。
結果を表１及び表２に示す。表１及び表２においてガラ
スフリット配合比は金属粉末１００重量％に対する割合
を意味する。またはんだ付け性の”◎”は端子電極が１
００％はんだで覆われ「極めて良好」、”○”は８０％
以上１００％未満はんだで覆われ「良好」、”△”は７
０％以上８０％未満はんだで覆われ「不良」、”×”は
７０％未満しかはんだで覆われていない「極めて不良」
を意味する。表１より、ＰｂＯ０〜４０重量％とＢ２Ｏ
３３５〜６５重量％とＺｎＯ２０〜５５重量％の組成比
にある実施例１〜１５ははんだ付け性、引張強度及び信
頼性とも優れていた。これに対して上記範囲外の組成比
の比較例１〜５は引張強度、即ち接着強度が低く、或い
は耐湿負荷試験において２００〜４００時間程度で劣化
し信頼性が低かった。また表２より、ＳｉＯ２を用いる
か、又はＢ２Ｏ３の組成比を３０重量％以下に減らした
比較例６〜１２はいずれも試料もはんだ付け性が悪く、
他の引張強度及び耐湿負荷試験を行うまでには至らなか
った。
【００１６】
【表１】
【００１７】
【表２】
【図１】本発明実施例の積層セラミックコンデンサの断
面図。
面図。
【図２】本発明実施例及び比較例のガラスフリットの組
成図。
成図。
１０ 積層セラミックコンデンサ
１１ ベアチップ
１２ 端子電極
１３ 内部電極
Claims (3)
- 【請求項１】 金属粉末とガラスフリットと不活性有
機ビヒクルを含み、セラミック誘電体からなるベアチッ
プの表面に塗布した後焼付けて端子電極を形成するチッ
プ型電子部品の端子電極用導電性ペーストにおいて、前
記ガラスフリットはＰｂＯ０〜４０重量％とＢ２Ｏ３３
５〜６５重量％とＺｎＯ２０〜５５重量％の組成比から
なるホウ酸亜鉛鉛系ガラスであって、前記金属粉末に対
して１〜１０重量％配合されたことを特徴とするチップ
型電子部品の端子電極用導電性ペースト。 - 【請求項２】 チップ型電子部品がセラミックコンデ
ンサである請求項１記載のチップ型電子部品の端子電極
用導電性ペースト。 - 【請求項３】 セラミック誘電体が鉛系ペロブスカイ
ト又はチタン酸バリウムを主成分とする請求項２記載の
チップ型電子部品の端子電極用導電性ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8199391A JPH04293213A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | チップ型電子部品の端子電極用導電性ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8199391A JPH04293213A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | チップ型電子部品の端子電極用導電性ペースト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04293213A true JPH04293213A (ja) | 1992-10-16 |
Family
ID=13762002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8199391A Pending JPH04293213A (ja) | 1991-03-20 | 1991-03-20 | チップ型電子部品の端子電極用導電性ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04293213A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5707555A (en) * | 1994-11-24 | 1998-01-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Conductive paste and external electrodes for electronic product formed using same |
-
1991
- 1991-03-20 JP JP8199391A patent/JPH04293213A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5707555A (en) * | 1994-11-24 | 1998-01-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Conductive paste and external electrodes for electronic product formed using same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19981110 |