JPH04293349A - フアクシミリ装置 - Google Patents
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- JPH04293349A JPH04293349A JP3058459A JP5845991A JPH04293349A JP H04293349 A JPH04293349 A JP H04293349A JP 3058459 A JP3058459 A JP 3058459A JP 5845991 A JP5845991 A JP 5845991A JP H04293349 A JPH04293349 A JP H04293349A
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、記憶速度の速
い記憶媒体に画情報を蓄積し、その画情報を記憶速度の
遅い記憶媒体へ転送するフアクシミリ装置に関するもの
である。
い記憶媒体に画情報を蓄積し、その画情報を記憶速度の
遅い記憶媒体へ転送するフアクシミリ装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来のフアクシミリ装置では、画情報を
蓄積する記憶媒体として半導体メモリが知られている。 また、最近では、データのバツクアツプが可能なハード
デイスクやフロツピーデイスクなども、記憶媒体として
用いられている。ここで、これらの記憶媒体の中で、フ
ロツピーデイスクなどの記憶速度が遅い記憶媒体を使用
する時には、システム全体の速度を落とさないようにす
るため、一旦、記憶速度の速い記憶媒体（上記第１の記
憶媒体）に画情報を蓄積し、その画情報を記憶速度の遅
い記憶媒体（上記第２の記憶媒体）に転送する様に構成
されている。
蓄積する記憶媒体として半導体メモリが知られている。 また、最近では、データのバツクアツプが可能なハード
デイスクやフロツピーデイスクなども、記憶媒体として
用いられている。ここで、これらの記憶媒体の中で、フ
ロツピーデイスクなどの記憶速度が遅い記憶媒体を使用
する時には、システム全体の速度を落とさないようにす
るため、一旦、記憶速度の速い記憶媒体（上記第１の記
憶媒体）に画情報を蓄積し、その画情報を記憶速度の遅
い記憶媒体（上記第２の記憶媒体）に転送する様に構成
されている。
【０００３】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、上
記従来例では、上記第１の記憶媒体に蓄積された画情報
を上記第２の記憶媒体へ転送する際に、上記第１の記憶
媒体に蓄積された全ての画情報を転送する前に、上記第
２の記憶媒体がメモリオーバとなることにより問題が生
ずるという欠点があつた。
記従来例では、上記第１の記憶媒体に蓄積された画情報
を上記第２の記憶媒体へ転送する際に、上記第１の記憶
媒体に蓄積された全ての画情報を転送する前に、上記第
２の記憶媒体がメモリオーバとなることにより問題が生
ずるという欠点があつた。
【０００４】例えば、受信を正常終了した後、蓄積され
た受信画情報を転送中に、上記第２の記憶媒体がメモリ
オーバとなつた場合に、実際にはメモリオーバで受信で
きていないにも関わらず、通信が終了しているために通
信側に伝えることができず、送信側ではエラーに気付か
ないということが問題となる。本発明は、上述した従来
例の欠点に鑑みてなされたものであり、その目的とする
ところは、上記第１の記憶媒体から上記第２の記憶媒体
への転送中に、上記第２の記憶媒体がメモリオーバとな
ることを防止できるフアクシミリ装置を提供する点にあ
る。
た受信画情報を転送中に、上記第２の記憶媒体がメモリ
オーバとなつた場合に、実際にはメモリオーバで受信で
きていないにも関わらず、通信が終了しているために通
信側に伝えることができず、送信側ではエラーに気付か
ないということが問題となる。本発明は、上述した従来
例の欠点に鑑みてなされたものであり、その目的とする
ところは、上記第１の記憶媒体から上記第２の記憶媒体
への転送中に、上記第２の記憶媒体がメモリオーバとな
ることを防止できるフアクシミリ装置を提供する点にあ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決し、
目的を達成するため、本発明に係るフアクシミリ装置は
、データを記憶する第１の記憶手段と、前記第１の記憶
手段より遅い記憶速度でデータを記憶する第２の記憶手
段と、前記第１の記憶手段で記憶したデータを前記第２
の記憶手段に転送する転送手段と、前記転送手段の転送
前に前記第２の記憶手段の記憶状態を検出する検出手段
と、前記検出手段で検出した記憶状態に基づいて前記第
１の記憶手段を制御する制御手段とを備えることを特徴
とする。
目的を達成するため、本発明に係るフアクシミリ装置は
、データを記憶する第１の記憶手段と、前記第１の記憶
手段より遅い記憶速度でデータを記憶する第２の記憶手
段と、前記第１の記憶手段で記憶したデータを前記第２
の記憶手段に転送する転送手段と、前記転送手段の転送
前に前記第２の記憶手段の記憶状態を検出する検出手段
と、前記検出手段で検出した記憶状態に基づいて前記第
１の記憶手段を制御する制御手段とを備えることを特徴
とする。
【０００６】
【作用】かかる構成によれば、第１の記憶手段はデータ
を記憶し、第２の記憶手段は第１の記憶手段より遅い記
憶速度でデータを記憶し、転送手段は第１の記憶手段で
記憶したデータを第２の記憶手段に転送し、検出手段は
転送手段の転送前に第２の記憶手段の記憶状態を検出し
、制御手段は検出手段で検出した記憶状態に基づいて第
１の記憶手段を制御する。
を記憶し、第２の記憶手段は第１の記憶手段より遅い記
憶速度でデータを記憶し、転送手段は第１の記憶手段で
記憶したデータを第２の記憶手段に転送し、検出手段は
転送手段の転送前に第２の記憶手段の記憶状態を検出し
、制御手段は検出手段で検出した記憶状態に基づいて第
１の記憶手段を制御する。
【０００７】
【実施例】以下に、添付図面を参照して、本発明の好適
な実施例を詳細に説明する。図１は本発明のフアクシミ
リ装置の一実施例を示すブロツク図である。図１におい
て、１は装置全体の動作を制御する主制御部であり、Ｃ
ＰＵ（マイクロプロセツサ）１ａ、プログラムメモリ用
のＲＯＭ１ｂ、ワークエリア用のＲＡＭ１ｃ等により構
成される。２は読取部で、ＣＣＤイメージセンサや原稿
搬送機構等により構成される。３は記録部で、感熱プリ
ンタもしくはレーザプリンタ等により構成される。４は
通信制御部で、モデム、ＮＣＵ（網制御装置）等により
構成される。５は操作部で、キーボード等から構成され
る。６は表示部で、ＬＣＤ等により構成される。２０は
制御データ記憶用メモリで、各種制御データを記憶する
メモリで構成される。４０はフロツピーデイスクドライ
ブで、外部記憶装置として機能する。４１はフロツピー
デイスクで、着脱交換自在のメモリである。３０は半導
体メモリで、１０は通信制御部４に接続された回線であ
る。
な実施例を詳細に説明する。図１は本発明のフアクシミ
リ装置の一実施例を示すブロツク図である。図１におい
て、１は装置全体の動作を制御する主制御部であり、Ｃ
ＰＵ（マイクロプロセツサ）１ａ、プログラムメモリ用
のＲＯＭ１ｂ、ワークエリア用のＲＡＭ１ｃ等により構
成される。２は読取部で、ＣＣＤイメージセンサや原稿
搬送機構等により構成される。３は記録部で、感熱プリ
ンタもしくはレーザプリンタ等により構成される。４は
通信制御部で、モデム、ＮＣＵ（網制御装置）等により
構成される。５は操作部で、キーボード等から構成され
る。６は表示部で、ＬＣＤ等により構成される。２０は
制御データ記憶用メモリで、各種制御データを記憶する
メモリで構成される。４０はフロツピーデイスクドライ
ブで、外部記憶装置として機能する。４１はフロツピー
デイスクで、着脱交換自在のメモリである。３０は半導
体メモリで、１０は通信制御部４に接続された回線であ
る。
【０００８】半導体メモリ３０は、上記実施例が送信予
約や代行受信などを行うと、主制御部１の命令によつて
画情報を蓄積する記憶媒体であり、記憶速度の速い第１
の記憶媒体の一例である。また、これは、所定の大きさ
のブロツクでその蓄積領域を複数に分けられたものであ
り、蓄積された画情報が上記ブロツクごとにフロツピー
デイスク４１へブロツク転送されるようになつている。
約や代行受信などを行うと、主制御部１の命令によつて
画情報を蓄積する記憶媒体であり、記憶速度の速い第１
の記憶媒体の一例である。また、これは、所定の大きさ
のブロツクでその蓄積領域を複数に分けられたものであ
り、蓄積された画情報が上記ブロツクごとにフロツピー
デイスク４１へブロツク転送されるようになつている。
【０００９】フロツピーデイスク４１は、半導体メモリ
３０からブロツク転送されてきた画情報を蓄積する記憶
媒体であり、記憶速度の遅い第２の記憶媒体の一例であ
る。図４は本実施例による半導体メモリ３０の構成を示
す図である。同図において、２１は画情報蓄積ポインタ
、２２は蓄積終了位置ポインタ、２３は転送用ポインタ
である。
３０からブロツク転送されてきた画情報を蓄積する記憶
媒体であり、記憶速度の遅い第２の記憶媒体の一例であ
る。図４は本実施例による半導体メモリ３０の構成を示
す図である。同図において、２１は画情報蓄積ポインタ
、２２は蓄積終了位置ポインタ、２３は転送用ポインタ
である。
【００１０】図１に示した制御データ記憶用メモリ２０
は、画情報蓄積ポインタ２１、蓄積終了位置ポインタ２
２、および、転送用ポインタ２３を記憶するメモリであ
る。各ポインタは用途に応じて半導体メモリ３０のアド
レスを示すものである。画情報蓄積ポインタ２１は、最
後に蓄積された画情報のアドレスの次のアドレス、つま
り、次に画情報が蓄積されるべきアドレスを示す。蓄積
終了位置ポインタ２２は、半導体メモリ３０上で、その
時点で蓄積中の画情報の蓄積に使用可能な領域の最終ア
ドレスを示す。また、転送用ポインタ２３は、転送中も
しくは転送待ちのブロツクの先頭アドレスを示し、その
ブロツクの転送が終了すると、次のブロツクの先頭アド
レスに更新される。
は、画情報蓄積ポインタ２１、蓄積終了位置ポインタ２
２、および、転送用ポインタ２３を記憶するメモリであ
る。各ポインタは用途に応じて半導体メモリ３０のアド
レスを示すものである。画情報蓄積ポインタ２１は、最
後に蓄積された画情報のアドレスの次のアドレス、つま
り、次に画情報が蓄積されるべきアドレスを示す。蓄積
終了位置ポインタ２２は、半導体メモリ３０上で、その
時点で蓄積中の画情報の蓄積に使用可能な領域の最終ア
ドレスを示す。また、転送用ポインタ２３は、転送中も
しくは転送待ちのブロツクの先頭アドレスを示し、その
ブロツクの転送が終了すると、次のブロツクの先頭アド
レスに更新される。
【００１１】次に、上記実施例の動作について説明する
。図２は本実施例における画情報の蓄積処理を説明する
フローチヤートである。図２において、まずＳ（ステツ
プ）１において、画情報蓄積ポインタ２１と転送用ポイ
ンタ２３に、半導体メモリ３０の未使用領域の先頭アド
レスを格納することにより、画情報蓄積ポインタ２１、
および、転送用ポインタ２３を初期化する（Ｓ１）。ま
た、画情報蓄積ポインタ２１とあらかじめ算出されたフ
ロツピーデイスク４１の残り容量を加えたものを蓄積終
了位置ポインタ２２に格納することにより、蓄積終了位
置ポインタ２２を初期化する（Ｓ１）。ここで、フロツ
ピーデイスク４１の残り容量は、例えば、オペレーテイ
ング・システムの一つであるＭＳ−ＤＯＳ（登録商標）
フオーマツトのフロツピーデイスクの場合には、管理情
報部であるフアイル・アロケーシヨン・テーブル（ＦＡ
Ｔ）より算出される。また、この容量は、代行受信、代
行受信画像出力、送信予約、メモリ画像の送信等による
フロツピーデイスクの内容変更時、もしくはフロツピー
デイスクの挿入、脱却によるフロツピーデイスク自身の
変更時などに再度算出されて更新される。
。図２は本実施例における画情報の蓄積処理を説明する
フローチヤートである。図２において、まずＳ（ステツ
プ）１において、画情報蓄積ポインタ２１と転送用ポイ
ンタ２３に、半導体メモリ３０の未使用領域の先頭アド
レスを格納することにより、画情報蓄積ポインタ２１、
および、転送用ポインタ２３を初期化する（Ｓ１）。ま
た、画情報蓄積ポインタ２１とあらかじめ算出されたフ
ロツピーデイスク４１の残り容量を加えたものを蓄積終
了位置ポインタ２２に格納することにより、蓄積終了位
置ポインタ２２を初期化する（Ｓ１）。ここで、フロツ
ピーデイスク４１の残り容量は、例えば、オペレーテイ
ング・システムの一つであるＭＳ−ＤＯＳ（登録商標）
フオーマツトのフロツピーデイスクの場合には、管理情
報部であるフアイル・アロケーシヨン・テーブル（ＦＡ
Ｔ）より算出される。また、この容量は、代行受信、代
行受信画像出力、送信予約、メモリ画像の送信等による
フロツピーデイスクの内容変更時、もしくはフロツピー
デイスクの挿入、脱却によるフロツピーデイスク自身の
変更時などに再度算出されて更新される。
【００１２】画情報の蓄積が開始されると、第１の記憶
媒体である半導体メモリ３０に蓄積された画情報の量が
、第２の記憶媒体であるフロツピーデイスク４１の残り
容量を越えたかどうかを調べる（Ｓ２）。これは、画情
報蓄積ポインタ２１が蓄積終了位置ポインタ２２を越え
たかどうかで判断される。画情報蓄積ポインタ２１が蓄
積終了位置ポインタ２２を越えていなければ（Ｓ２）、
半導体メモリ３０がメモリオーバしているかどうか（Ｓ
３）、つまり半導体メモリ３０に未使用領域が有るか否
かを判断する。半導体メモリ３０に未使用領域が有れば
、次に蓄積すべき画情報が有るか否かを判断し（Ｓ４）
、蓄積すべき画情報が有れば蓄積を続け、無ければ蓄積
を正常終了する。
媒体である半導体メモリ３０に蓄積された画情報の量が
、第２の記憶媒体であるフロツピーデイスク４１の残り
容量を越えたかどうかを調べる（Ｓ２）。これは、画情
報蓄積ポインタ２１が蓄積終了位置ポインタ２２を越え
たかどうかで判断される。画情報蓄積ポインタ２１が蓄
積終了位置ポインタ２２を越えていなければ（Ｓ２）、
半導体メモリ３０がメモリオーバしているかどうか（Ｓ
３）、つまり半導体メモリ３０に未使用領域が有るか否
かを判断する。半導体メモリ３０に未使用領域が有れば
、次に蓄積すべき画情報が有るか否かを判断し（Ｓ４）
、蓄積すべき画情報が有れば蓄積を続け、無ければ蓄積
を正常終了する。
【００１３】ここで、蓄積すべき画情報が有るか否かの
判断は、例えばＧ３の場合、ＣＣＩＴＴ（国際電信電話
諮問委員会）勧告Ｔ．３０におけるメツセージ後命令信
号の中のＥＯＰ（ ＥＮＤ ＯＦ ＰＡＧＥ ） 信号
に基づいて判断し、ＥＯＰ信号を受けるまでは蓄積すべ
き画情報有り、ＥＯＰ信号を受けると蓄積すべき画情報
無しとなる。また、画情報蓄積ポインタ２１が蓄積終了
位置ポインタ２２を越えた時と（Ｓ２）、半導体メモリ
３０がメモリオーバした時は（Ｓ３）、画情報の蓄積を
エラー終了とする。エラー終了となつた場合、蓄積され
た画情報は消去され、また、代行受信の場合は、即座に
通信をエラー終了とし、通信予約の場合は、予約できな
かつたことを表示部６を通じてオペレータに表示警告す
る。
判断は、例えばＧ３の場合、ＣＣＩＴＴ（国際電信電話
諮問委員会）勧告Ｔ．３０におけるメツセージ後命令信
号の中のＥＯＰ（ ＥＮＤ ＯＦ ＰＡＧＥ ） 信号
に基づいて判断し、ＥＯＰ信号を受けるまでは蓄積すべ
き画情報有り、ＥＯＰ信号を受けると蓄積すべき画情報
無しとなる。また、画情報蓄積ポインタ２１が蓄積終了
位置ポインタ２２を越えた時と（Ｓ２）、半導体メモリ
３０がメモリオーバした時は（Ｓ３）、画情報の蓄積を
エラー終了とする。エラー終了となつた場合、蓄積され
た画情報は消去され、また、代行受信の場合は、即座に
通信をエラー終了とし、通信予約の場合は、予約できな
かつたことを表示部６を通じてオペレータに表示警告す
る。
【００１４】図３は本実施例において半導体メモリ３０
からフロツピーデイスク４１への転送処理を示すフロー
チヤートである。まず、転送用ポインタ２３の示すブロ
ツクが転送可能、つまり、転送用ポインタ２３の示すブ
ロツク内に画情報蓄積ポインタ２１が無ければ（Ｓ１１
）、半導体メモリ３０からフロツピーデイスク４１への
画情報ブロツク転送を開始する（Ｓ１２）。１ブロツク
のブロツク転送が終了したならば（Ｓ１３）、半導体メ
モリ３０内に未転送の蓄積画情報が有るか否かを判断す
る（Ｓ１４）。未転送の蓄積画情報が無ければ、転送処
理を終了する。また、未転送の蓄積画情報が有れば、次
のブロツクの先頭アドレスを転送用ポインタ２３へ格納
して（Ｓ１５）、次のブロツク転送を行う。
からフロツピーデイスク４１への転送処理を示すフロー
チヤートである。まず、転送用ポインタ２３の示すブロ
ツクが転送可能、つまり、転送用ポインタ２３の示すブ
ロツク内に画情報蓄積ポインタ２１が無ければ（Ｓ１１
）、半導体メモリ３０からフロツピーデイスク４１への
画情報ブロツク転送を開始する（Ｓ１２）。１ブロツク
のブロツク転送が終了したならば（Ｓ１３）、半導体メ
モリ３０内に未転送の蓄積画情報が有るか否かを判断す
る（Ｓ１４）。未転送の蓄積画情報が無ければ、転送処
理を終了する。また、未転送の蓄積画情報が有れば、次
のブロツクの先頭アドレスを転送用ポインタ２３へ格納
して（Ｓ１５）、次のブロツク転送を行う。
【００１５】ここで、図２に示した受信処理と図３に示
した転送処理とは、それぞれ別々に動作する事も、同時
に動作する事も可能である。さて、本発明は、上述した
実施例に限定されるものでは無く、Ｓ２において、半導
体メモリ３０に蓄積された画情報の量が、フロツピーデ
イスク４１の残り容量を越えたかどうかを調べる方法と
しては、上記実施例のようにポインタどうしの比較を用
いる方法以外に、お互いの絶対量の比較によつて判断し
てもよい。
した転送処理とは、それぞれ別々に動作する事も、同時
に動作する事も可能である。さて、本発明は、上述した
実施例に限定されるものでは無く、Ｓ２において、半導
体メモリ３０に蓄積された画情報の量が、フロツピーデ
イスク４１の残り容量を越えたかどうかを調べる方法と
しては、上記実施例のようにポインタどうしの比較を用
いる方法以外に、お互いの絶対量の比較によつて判断し
てもよい。
【００１６】また、半導体メモリ３０としては、小容量
の先入れ先出し方式のバツフアメモリを用いてもよい。 この場合には、Ｓ２において、半導体メモリ３０に蓄積
された画情報の量が、フロツピーデイスク４１の残り容
量を越えたかどうかを調べる方法としては、お互いの絶
対量の比較によるものとなる。また、前述の実施例では
、エラーを警告するために、表示部にメツセージを表示
したが、本発明はこれに限定されるものではなく、拡声
器やブザー等による電子音での警告方法を用いても良い
。
の先入れ先出し方式のバツフアメモリを用いてもよい。 この場合には、Ｓ２において、半導体メモリ３０に蓄積
された画情報の量が、フロツピーデイスク４１の残り容
量を越えたかどうかを調べる方法としては、お互いの絶
対量の比較によるものとなる。また、前述の実施例では
、エラーを警告するために、表示部にメツセージを表示
したが、本発明はこれに限定されるものではなく、拡声
器やブザー等による電子音での警告方法を用いても良い
。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
第１の記憶媒体から第２の記憶媒体への転送中に、第２
の記憶媒体がメモリオーバとなることを防止したことに
より、装置全体の信頼性を向上させ、また、使用者に安
心感を与える効果がある。
第１の記憶媒体から第２の記憶媒体への転送中に、第２
の記憶媒体がメモリオーバとなることを防止したことに
より、装置全体の信頼性を向上させ、また、使用者に安
心感を与える効果がある。
【図１】本発明のフアクシミリ装置の一実施例を示すブ
ロツク図である。
ロツク図である。
【図２】本実施例における画情報の蓄積処理を説明する
フローチヤートである。
フローチヤートである。
【図３】本実施例において半導体メモリ３０からフロツ
ピーデイスク４１への転送処理を示すフローチヤートで
ある。
ピーデイスク４１への転送処理を示すフローチヤートで
ある。
【図４】本実施例による半導体メモリ３０の構成を示す
図である。
図である。
１ 主制御部
２０ 制御データ記憶用メモリ
２１ 画情報蓄積ポインタ
２２ 蓄積終了位置ポインタ
２３ 転送用ポインタ
４０ フロツピーデイスクドライブ
４１ フロツピーデイスク
Claims (4)
- 【請求項１】データを記憶する第１の記憶手段と、前記
第１の記憶手段より遅い記憶速度でデータを記憶する第
２の記憶手段と、前記第１の記憶手段で記憶したデータ
を前記第２の記憶手段に転送する転送手段と、前記転送
手段の転送前に前記第２の記憶手段の記憶状態を検出す
る検出手段と、前記検出手段で検出した記憶状態に基づ
いて前記第１の記憶手段を制御する制御手段とを備える
ことを特徴とするフアクシミリ装置。 - 【請求項２】前記制御手段は、前記検出手段で検出した
使用状態に従い前記第２の記憶手段の使用可否を判定す
る判定手段を含み、前記判定手段で使用可と判定したと
きには前記第１の記憶手段を実行し、前記判定手段で使
用不可と判定したときには前記第１の記憶手段を不実行
とすることを特徴とする請求項１記載のフアクシミリ装
置。 - 【請求項３】さらに、前記判定手段で使用不可と判定し
たときには使用不可の情報を出力する出力手段を備える
ことを特徴とする請求項２記載のフアクシミリ装置。 - 【請求項４】前記第２の記憶手段を外部記憶手段とした
ことを特徴とする請求項１記載のフアクシミリ装置。
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|---|---|---|---|
| JP3058459A JP2941076B2 (ja) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | フアクシミリ装置 |
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| JP3058459A JP2941076B2 (ja) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | フアクシミリ装置 |
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