JPH04294009A - 電気接点材料 - Google Patents
電気接点材料Info
- Publication number
- JPH04294009A JPH04294009A JP3059004A JP5900491A JPH04294009A JP H04294009 A JPH04294009 A JP H04294009A JP 3059004 A JP3059004 A JP 3059004A JP 5900491 A JP5900491 A JP 5900491A JP H04294009 A JPH04294009 A JP H04294009A
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- Japan
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- nickel
- gold
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スイツチ、コネクタ端
子、電極等の電気接点材料に関する。
子、電極等の電気接点材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の電気接点材料の技術とし
ては、特開昭６１ ２９０２１号公報がある。この技
術は母材上に高耐食性のある非晶質合金層を設け、その
上に金メツキをほどこしている２層構造である。
ては、特開昭６１ ２９０２１号公報がある。この技
術は母材上に高耐食性のある非晶質合金層を設け、その
上に金メツキをほどこしている２層構造である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この技
術においては、最表面の金の標準電位は約＋１．５Ｖで
あり、又非晶質合金は結晶合金に比べ、標準電位が低く
、例えばニツケルとニツケル非晶質であるニツケル、リ
ンの場合、標準電位は前者では、−０．２５Ｖ、後者で
は、−０．２７〜−０．３Ｖであり、最表層の金との電
位差が大きくなり（ 気圧の、水素電極電位を標準と
する）、局部電池を作りやすく、腐食の進行を促進させ
、金のピンホールより、湿気中では水酸化物、水和物を
作りやすくしており、不導通等の故障の原因となる可能
性が高い。この技術は最表面メツキとその下の金属との
電位差の問題として考慮していなく、いくら高耐食性の
金属を金メツキの下地に使用しても、金メツキのピンホ
ール、キズから水酸化物、水和物を作りやすい性質をも
つてしまうという問題点を有していた。
術においては、最表面の金の標準電位は約＋１．５Ｖで
あり、又非晶質合金は結晶合金に比べ、標準電位が低く
、例えばニツケルとニツケル非晶質であるニツケル、リ
ンの場合、標準電位は前者では、−０．２５Ｖ、後者で
は、−０．２７〜−０．３Ｖであり、最表層の金との電
位差が大きくなり（ 気圧の、水素電極電位を標準と
する）、局部電池を作りやすく、腐食の進行を促進させ
、金のピンホールより、湿気中では水酸化物、水和物を
作りやすくしており、不導通等の故障の原因となる可能
性が高い。この技術は最表面メツキとその下の金属との
電位差の問題として考慮していなく、いくら高耐食性の
金属を金メツキの下地に使用しても、金メツキのピンホ
ール、キズから水酸化物、水和物を作りやすい性質をも
つてしまうという問題点を有していた。
【０００４】これは、いいかえると、上記の各層には、
必ず、微細なピンホールとよばれる穴が存在してしまう
が、電気接点の故障の大きな原因として、母材が黄銅の
場合、ピンホール、及びキズから母材中の亜鉛酸化物が
優先的に表面に上昇し、これが導通不良につながつてい
るということである。
必ず、微細なピンホールとよばれる穴が存在してしまう
が、電気接点の故障の大きな原因として、母材が黄銅の
場合、ピンホール、及びキズから母材中の亜鉛酸化物が
優先的に表面に上昇し、これが導通不良につながつてい
るということである。
【０００５】本発明は上記の問題点を解決するものであ
つて、金メツキのピンホール、キズによりできる局部電
池作用を小さくすることができ、水酸化物、水和物の様
な絶縁物の生成ができにくくするもので、導通不良の様
な故障を極力少なくした電気接点材料を提供するもので
ある。
つて、金メツキのピンホール、キズによりできる局部電
池作用を小さくすることができ、水酸化物、水和物の様
な絶縁物の生成ができにくくするもので、導通不良の様
な故障を極力少なくした電気接点材料を提供するもので
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の技術的手段は、電気接点基板である第１の層と、非晶
質合金、クロム、クロム合金、タングステン、タングス
テン合金、チタン、チタン合金、ニツケル、ニツケル合
金、コバルト、コバルト合金のうちからいずれか一つ選
ばれた第２の層と、ニツケルあるいはニツケル合金から
なる第３の層と、金あるいは金合金からなる第４の層か
らなる電気接点材料からなり、好ましくは、前記第３の
層がニツケル−スズ合金、あるいはニツケル−パラジウ
ム合金のうちからいずれか一つ選ばれたニツケル合金か
らなる電気接点材料である。
の技術的手段は、電気接点基板である第１の層と、非晶
質合金、クロム、クロム合金、タングステン、タングス
テン合金、チタン、チタン合金、ニツケル、ニツケル合
金、コバルト、コバルト合金のうちからいずれか一つ選
ばれた第２の層と、ニツケルあるいはニツケル合金から
なる第３の層と、金あるいは金合金からなる第４の層か
らなる電気接点材料からなり、好ましくは、前記第３の
層がニツケル−スズ合金、あるいはニツケル−パラジウ
ム合金のうちからいずれか一つ選ばれたニツケル合金か
らなる電気接点材料である。
【０００７】
【実施例】以下本発明の実施例について図１を参考にし
て説明する。
て説明する。
【０００８】第１の層１は電気接点基板であり、通常は
銅又は銅合金が多く使用されているが、金属、非金属い
ずれでも使用される。第２の層２は非晶質合金、クロム
、クロム合金、タングステン、タングステン合金、チタ
ン、チタン合金、ニツケル、ニツケル合金、コバルト、
コバルト合金系等の耐食性、耐摩耗性のある金属を用い
る。この第２の層２は、母材の防食、拡散防止、及び耐
摩耗性の作用を有するものである。第３の層３は最表面
にある第４の層４の金メツキとの標準電位差の小さいも
のがよく、ニツケル合金、例えば、ニツケル−スズ合金
、あるいはニツケル−パラジウム合金を用いる。第４の
層４は０．０１μｍ〜２（３）μｍの薄い金又は金合金
材料からなる。この層は耐食性及び低接触抵抗にするた
めの目的のものである。摺動性摩耗が激しい場合には、
金にコバルトを入れ耐摺動性摩耗性をもたせることが可
能となる。
銅又は銅合金が多く使用されているが、金属、非金属い
ずれでも使用される。第２の層２は非晶質合金、クロム
、クロム合金、タングステン、タングステン合金、チタ
ン、チタン合金、ニツケル、ニツケル合金、コバルト、
コバルト合金系等の耐食性、耐摩耗性のある金属を用い
る。この第２の層２は、母材の防食、拡散防止、及び耐
摩耗性の作用を有するものである。第３の層３は最表面
にある第４の層４の金メツキとの標準電位差の小さいも
のがよく、ニツケル合金、例えば、ニツケル−スズ合金
、あるいはニツケル−パラジウム合金を用いる。第４の
層４は０．０１μｍ〜２（３）μｍの薄い金又は金合金
材料からなる。この層は耐食性及び低接触抵抗にするた
めの目的のものである。摺動性摩耗が激しい場合には、
金にコバルトを入れ耐摺動性摩耗性をもたせることが可
能となる。
【０００９】各層の作成方法はスパツタ法、真空蒸着法
、イオンプレーテイング法、ＣＶＤ法、メツキ法等があ
るが、量産性、コストメリツトの点からメツキ法が好ま
しい。なお、各２〜４層は厚さ０．０１μｍ〜５μｍの
範囲の薄膜からなる。
、イオンプレーテイング法、ＣＶＤ法、メツキ法等があ
るが、量産性、コストメリツトの点からメツキ法が好ま
しい。なお、各２〜４層は厚さ０．０１μｍ〜５μｍの
範囲の薄膜からなる。
【００１０】本発明から構成される電気接点材料を使用
した結果、電位差を小さく抑えることができるため、金
メツキのピンホール、キズによりできる局部電池作用を
小さくすることができ、水酸化物、水和物の様な絶縁物
の生成ができにくくなり、従来の電気接点材料と比較し
て、導通不良の様な故障を極力少なくできた。
した結果、電位差を小さく抑えることができるため、金
メツキのピンホール、キズによりできる局部電池作用を
小さくすることができ、水酸化物、水和物の様な絶縁物
の生成ができにくくなり、従来の電気接点材料と比較し
て、導通不良の様な故障を極力少なくできた。
【００１１】
【発明の効果】以上のとおり、本発明は、最表面層の金
メツキと接する下地メツキをニツケル−スズあるいはニ
ツケル−パラジウム合金としたため、電位差を小さく抑
えることができるため、金メツキのピンホール、キズに
よりできる局部電池作用を小さくすることができ、水酸
化物、水和物の様な絶縁物の生成ができにくくするもの
で、導通不良の様な故障を極力少なくした電気接点材料
である。
メツキと接する下地メツキをニツケル−スズあるいはニ
ツケル−パラジウム合金としたため、電位差を小さく抑
えることができるため、金メツキのピンホール、キズに
よりできる局部電池作用を小さくすることができ、水酸
化物、水和物の様な絶縁物の生成ができにくくするもの
で、導通不良の様な故障を極力少なくした電気接点材料
である。
【図１】本発明の各層からなる電気接点材料の断面図。
１ 第１層
２ 第２層
３ 第３層
４ 第４層
Claims (2)
- 【請求項１】 電気接点基板である第１の層と、非晶
質合金、クロム、クロム合金、タングステン、タングス
テン合金、チタン、チタン合金、ニツケル、ニツケル合
金、コバルト、コバルト合金のうちからいずれか一つ選
ばれた第２の層と、ニツケルあるいはニツケル合金から
なる第３の層と、金あるいは金合金からなる第４の層か
らなる電気接点材料。 - 【請求項２】 前記第３の層がニツケル−スズ合金、
あるいはニツケル−パラジウム合金のうちからいずれか
一つ選ばれたニツケル合金からなることを特徴とする請
求項１記載の電気接点材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3059004A JPH04294009A (ja) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | 電気接点材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3059004A JPH04294009A (ja) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | 電気接点材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04294009A true JPH04294009A (ja) | 1992-10-19 |
Family
ID=13100710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3059004A Pending JPH04294009A (ja) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | 電気接点材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04294009A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0773769A (ja) * | 1993-09-03 | 1995-03-17 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 半導体パッケージの外部接続端子及びその製造方法 |
| WO2018123380A1 (ja) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | デンカ株式会社 | 半導体素子用放熱部品 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS644071A (en) * | 1987-06-26 | 1989-01-09 | Nippon Telegraph & Telephone | Thin film transistor and manufacture thereof |
| JPH02260460A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-23 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
-
1991
- 1991-03-22 JP JP3059004A patent/JPH04294009A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS644071A (en) * | 1987-06-26 | 1989-01-09 | Nippon Telegraph & Telephone | Thin film transistor and manufacture thereof |
| JPH02260460A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-23 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0773769A (ja) * | 1993-09-03 | 1995-03-17 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 半導体パッケージの外部接続端子及びその製造方法 |
| US5583379A (en) * | 1993-09-03 | 1996-12-10 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Outer lead for a semiconductor IC package having individually annealed plated layers |
| US5668060A (en) * | 1993-09-03 | 1997-09-16 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Outer lead for a semiconductor IC package and a method of fabricating the same |
| WO2018123380A1 (ja) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | デンカ株式会社 | 半導体素子用放熱部品 |
| JPWO2018123380A1 (ja) * | 2016-12-28 | 2019-11-21 | デンカ株式会社 | 半導体素子用放熱部品 |
| US10541189B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-01-21 | Denka Company Limited | Heat dissipation component for semiconductor element |
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