JPH04294518A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH04294518A JPH04294518A JP3059277A JP5927791A JPH04294518A JP H04294518 A JPH04294518 A JP H04294518A JP 3059277 A JP3059277 A JP 3059277A JP 5927791 A JP5927791 A JP 5927791A JP H04294518 A JPH04294518 A JP H04294518A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- focus measurement
- focus
- wafer
- area
- measurement points
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7026—Focusing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Lasers (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
係り，特にウエハー露光面のフォーカス調整方法に関す
る。
係り，特にウエハー露光面のフォーカス調整方法に関す
る。
【０００２】近年のＩＣはチップサイズが大きい上に，
非常に微細なパターンをウエハー上に形成するため，パ
ターン露光に際してはウエハーの平坦度測定を正確に行
い，それに基づいてフォーカス調整を行う必要がある。
非常に微細なパターンをウエハー上に形成するため，パ
ターン露光に際してはウエハーの平坦度測定を正確に行
い，それに基づいてフォーカス調整を行う必要がある。
【０００３】
【従来の技術】露光装置，主にステッパーにおいては，
正確なパターン転写を行うため露光に先立ちウエハー上
の露光領域の平坦度を測定する。
正確なパターン転写を行うため露光に先立ちウエハー上
の露光領域の平坦度を測定する。
【０００４】図２はフォーカス測定を説明するための図
で，露光装置にウエハーを配置した状態を示し，１１は
検査光， １２はウエハー， １３はチャック， １４
はステージ， １５は光源， １６は受光センサ， １
７はレチクル， １８はレンズ系， １９はミラーを表
す。
で，露光装置にウエハーを配置した状態を示し，１１は
検査光， １２はウエハー， １３はチャック， １４
はステージ， １５は光源， １６は受光センサ， １
７はレチクル， １８はレンズ系， １９はミラーを表
す。
【０００５】ステージ１４はウエハー１２を搭載したま
ま前後左右，また上下方向に移動することができ，さら
に，チャック１３はウエハー１２を搭載したまま二つの
軸の周りに回転することができる。
ま前後左右，また上下方向に移動することができ，さら
に，チャック１３はウエハー１２を搭載したまま二つの
軸の周りに回転することができる。
【０００６】従来，ウエハー１２を露光装置に配置し，
ウエハー１２の素子領域あるいは素子領域を含む領域に
複数のフォーカス測定箇所を設け，フォーカス測定箇所
にレーザ光を照射し，反射光を受光センサで受け，その
強度分布及び位置から平坦度を求めていた。即ち，ウエ
ハー１２を上下に移動して，受光量の最も多い高さ位置
（フォーカス測定箇所を含みレンズ系１８の光軸に垂直
な面の高さ） を求めていた。
ウエハー１２の素子領域あるいは素子領域を含む領域に
複数のフォーカス測定箇所を設け，フォーカス測定箇所
にレーザ光を照射し，反射光を受光センサで受け，その
強度分布及び位置から平坦度を求めていた。即ち，ウエ
ハー１２を上下に移動して，受光量の最も多い高さ位置
（フォーカス測定箇所を含みレンズ系１８の光軸に垂直
な面の高さ） を求めていた。
【０００７】また，別法として露光領域のほぼ全面にわ
たって光束をあて，平均化された情報をもとに高さ位置
を求めていた。ところが，種々のプロセスを経た素子領
域は凹凸があって場所により高さが異なり，したがって
，露光領域の正確な高さ位置の測定が困難となり，露光
装置の持つ焦点深度をオーバーした状態で露光が行われ
てしまい，正確なパターン転写ができず，不良を引き起
こすことがあった。
たって光束をあて，平均化された情報をもとに高さ位置
を求めていた。ところが，種々のプロセスを経た素子領
域は凹凸があって場所により高さが異なり，したがって
，露光領域の正確な高さ位置の測定が困難となり，露光
装置の持つ焦点深度をオーバーした状態で露光が行われ
てしまい，正確なパターン転写ができず，不良を引き起
こすことがあった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題に
鑑み，正確にパターン転写を行って最良像を得るように
露光面のフォーカス調整を行う方法を提供することを目
的とする。
鑑み，正確にパターン転写を行って最良像を得るように
露光面のフォーカス調整を行う方法を提供することを目
的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】図１は本発明によるフォ
ーカス測定箇所を示す図である。上記課題は，複数のチ
ップを含むウエハーの露光に際し，素子領域を除く同等
の高さを有する領域に，同一直線上にない３点を含む複
数のフォーカス測定箇所１〜４，５〜８を定め，露光装
置に該ウエハーを配置して該複数のフォーカス測定箇所
１〜４，５〜８の高さを測定し，その測定結果に基づい
て該ウエハーを傾斜させ，該複数のフォーカス測定箇所
１〜４，５〜８の高さがほぼ等しくなるように調整する
半導体装置の製造方法によって解決される。
ーカス測定箇所を示す図である。上記課題は，複数のチ
ップを含むウエハーの露光に際し，素子領域を除く同等
の高さを有する領域に，同一直線上にない３点を含む複
数のフォーカス測定箇所１〜４，５〜８を定め，露光装
置に該ウエハーを配置して該複数のフォーカス測定箇所
１〜４，５〜８の高さを測定し，その測定結果に基づい
て該ウエハーを傾斜させ，該複数のフォーカス測定箇所
１〜４，５〜８の高さがほぼ等しくなるように調整する
半導体装置の製造方法によって解決される。
【００１０】また，前記複数のフォーカス測定箇所１〜
４はウエハーのスクライブ領域１０にある半導体装置の
製造方法によって解決される。また，前記複数のフォー
カス測定箇所５〜８はチップ９内の素子領域９ａを除く
周縁領域９ｂにある半導体装置の製造方法によって解決
される。
４はウエハーのスクライブ領域１０にある半導体装置の
製造方法によって解決される。また，前記複数のフォー
カス測定箇所５〜８はチップ９内の素子領域９ａを除く
周縁領域９ｂにある半導体装置の製造方法によって解決
される。
【００１１】
【作用】本発明ではフォーカス測定箇所を素子領域を除
く同等の高さを有する領域に定めている。素子領域は種
々のプロセスを経た後凹凸が大きくなるが，チップ９間
のスクライブ領域１０は平坦であってかつ同等の高さを
持ち，また，チップ９内の素子領域９ａを除く周縁領域
９ｂもほぼ同等の高さを持つ。したがって，そのような
領域にフォーカス測定箇所を設ければ，正確に高さ測定
ができる。
く同等の高さを有する領域に定めている。素子領域は種
々のプロセスを経た後凹凸が大きくなるが，チップ９間
のスクライブ領域１０は平坦であってかつ同等の高さを
持ち，また，チップ９内の素子領域９ａを除く周縁領域
９ｂもほぼ同等の高さを持つ。したがって，そのような
領域にフォーカス測定箇所を設ければ，正確に高さ測定
ができる。
【００１２】露光装置のチャック１３上にウエハー１２
を配置した時，露光面は必ずにも露光光学系の光軸に垂
直になるとは限らないが，同一直線上にない３点を含む
複数のフォーカス測定箇所を定めれば，それらの高さ測
定から露光面の傾きがわかり，その傾きを補正して露光
面を露光光学系の光軸に垂直にすることができる。
を配置した時，露光面は必ずにも露光光学系の光軸に垂
直になるとは限らないが，同一直線上にない３点を含む
複数のフォーカス測定箇所を定めれば，それらの高さ測
定から露光面の傾きがわかり，その傾きを補正して露光
面を露光光学系の光軸に垂直にすることができる。
【００１３】
【実施例】図１はフォーカス測定箇所を示す図である。
チップ９は，例えば１０ｍｍ□で，素子領域９ａとその
周縁に周縁領域９ｂを持つ。周縁領域９ｂは幅が， 例
えば１００ μｍで，パッドが形成される領域である。
周縁に周縁領域９ｂを持つ。周縁領域９ｂは幅が， 例
えば１００ μｍで，パッドが形成される領域である。
【００１４】各チップ９間には幅が，例えば２００ μ
ｍのスクライブ領域１０がある。図１において，１〜４
はスクライブ領域のフォーカス測定箇所，５〜８はチッ
プの周縁領域のフォーカス測定箇所である。
ｍのスクライブ領域１０がある。図１において，１〜４
はスクライブ領域のフォーカス測定箇所，５〜８はチッ
プの周縁領域のフォーカス測定箇所である。
【００１５】このようなウエハー１２を図２に示したよ
うに露光装置のチャック１３上に配置して，スクライブ
領域１０のフォーカス測定箇所１〜４のフォーカス測定
を行う。フォーカス測定箇所１〜４は，露光を行おうと
するチップ９周囲のスクライブ領域１０に定めておく。
うに露光装置のチャック１３上に配置して，スクライブ
領域１０のフォーカス測定箇所１〜４のフォーカス測定
を行う。フォーカス測定箇所１〜４は，露光を行おうと
するチップ９周囲のスクライブ領域１０に定めておく。
【００１６】検査光１１はレーザ光であってもブロード
な波長帯を含む光でもよい。また， 測定箇所に集光す
るようレンズ系を通してもよい。ステージ１４を前後左
右に駆動してフォーカス測定箇所１をレンズ系１８の光
軸下にもってくる。次にステージ１４を上下に駆動して
フォーカス測定箇所１の高さを測定する。同様にして，
フォーカス測定箇所２，３，４の高さを測定する。
な波長帯を含む光でもよい。また， 測定箇所に集光す
るようレンズ系を通してもよい。ステージ１４を前後左
右に駆動してフォーカス測定箇所１をレンズ系１８の光
軸下にもってくる。次にステージ１４を上下に駆動して
フォーカス測定箇所１の高さを測定する。同様にして，
フォーカス測定箇所２，３，４の高さを測定する。
【００１７】次に，測定されたフォーカス測定箇所１〜
４の高さの値に基づいて，チャック１３を回転させ，フ
ォーカス測定箇所１〜４の高さがほぼ等しい高さになる
ように調整する。この状態でチップ領域９にパターン転
写の露光を行う。素子領域９ａに凹凸があっても焦点深
度内におさまり， 正確なパターン転写ができる。
４の高さの値に基づいて，チャック１３を回転させ，フ
ォーカス測定箇所１〜４の高さがほぼ等しい高さになる
ように調整する。この状態でチップ領域９にパターン転
写の露光を行う。素子領域９ａに凹凸があっても焦点深
度内におさまり， 正確なパターン転写ができる。
【００１８】同様にして，次々に隣のチップ領域のパタ
ーン転写の露光を行う。このようにして，ウエハー全面
にパターン転写の露光を行う。スクライブ領域１０にフ
ォーカス測定箇所１〜４を定めるのに替えて，チップ９
の素子領域９ａを除く周縁領域９ｂにフォーカス測定箇
所５〜８を定めてもよい。周縁領域９ｂはパッドを形成
するところで平坦性がよいから，この場合も正確なパタ
ーン転写ができる。
ーン転写の露光を行う。このようにして，ウエハー全面
にパターン転写の露光を行う。スクライブ領域１０にフ
ォーカス測定箇所１〜４を定めるのに替えて，チップ９
の素子領域９ａを除く周縁領域９ｂにフォーカス測定箇
所５〜８を定めてもよい。周縁領域９ｂはパッドを形成
するところで平坦性がよいから，この場合も正確なパタ
ーン転写ができる。
【００１９】従来法では素子領域にフォーカス測定点を
設けており，露光領域が焦点深度内におさまらないこと
があったが，本発明の方法によれば，いつでも露光領域
の全域にわたって良好なフォーカスを得ることができる
。
設けており，露光領域が焦点深度内におさまらないこと
があったが，本発明の方法によれば，いつでも露光領域
の全域にわたって良好なフォーカスを得ることができる
。
【００２０】なお，フォーカス測定箇所１〜４，５〜８
の高さ位置測定にあたっては，ステージ１４を上下させ
ずに測定することもできる。また，フォーカス測定箇所
は光軸下でなくても高さ測定が可能である。
の高さ位置測定にあたっては，ステージ１４を上下させ
ずに測定することもできる。また，フォーカス測定箇所
は光軸下でなくても高さ測定が可能である。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば，
ウエハーのチップに正確にパターン転写するためのベス
トフォーカスを得るように露光面のフォーカス調整を行
うことができる。
ウエハーのチップに正確にパターン転写するためのベス
トフォーカスを得るように露光面のフォーカス調整を行
うことができる。
【００２２】本発明は寸法精度よく微細パターンを形成
する効果を奏し，半導体装置の高密度化に寄与するもの
である。
する効果を奏し，半導体装置の高密度化に寄与するもの
である。
【図１】フォーカス測定箇所を示す図である。
【図２】フォーカス測定を説明するための図である。
１〜４はフォーカス測定箇所であってスクライブ領域の
フォーカス測定箇所 ５〜８はフォーカス測定箇所であってチップの周縁領域
のフォーカス測定箇所 ９はチップ ９ａはチップの素子領域 ９ｂはチップの周縁領域 １０はスクライブ領域 １１は検査光 １２はウエハー １３はチャック １４はステージ １５は光源 １６は受光センサ １７はレチクル １８はレンズ系 １９はミラー
フォーカス測定箇所 ５〜８はフォーカス測定箇所であってチップの周縁領域
のフォーカス測定箇所 ９はチップ ９ａはチップの素子領域 ９ｂはチップの周縁領域 １０はスクライブ領域 １１は検査光 １２はウエハー １３はチャック １４はステージ １５は光源 １６は受光センサ １７はレチクル １８はレンズ系 １９はミラー
Claims (3)
- 【請求項１】 複数のチップを含むウエハーの露光に
際し，素子領域を除く同等の高さを有する領域に，同一
直線上にない３点を含む複数のフォーカス測定箇所（１
〜４， ５〜８）を定め，露光装置に該ウエハーを配置
して該複数のフォーカス測定箇所（１〜４， ５〜８）
の高さを測定し，その測定結果に基づいて該ウエハーを
傾斜させ，該複数のフォーカス測定箇所（１〜４， ５
〜８）の高さがほぼ等しくなるように調整することを特
徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記複数のフォーカス測定箇所（１〜
４）はウエハーのスクライブ領域（１０）にあることを
特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記複数のフォーカス測定箇所（５〜
８）はチップ（９） 内の素子領域（９ａ）を除く周縁
領域（９ｂ）にあることを特徴とする請求項１記載の半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3059277A JPH04294518A (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3059277A JPH04294518A (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04294518A true JPH04294518A (ja) | 1992-10-19 |
Family
ID=13108731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3059277A Withdrawn JPH04294518A (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04294518A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19521390A1 (de) * | 1994-08-05 | 1996-02-08 | Mitsubishi Electric Corp | Fokussierungsverfahren in der Photolithographie |
| JP2002334826A (ja) * | 2001-05-09 | 2002-11-22 | Canon Inc | 露光方法、面位置合わせ方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
| WO2005124832A1 (ja) * | 2004-06-17 | 2005-12-29 | Nikon Corporation | 露光装置 |
-
1991
- 1991-03-25 JP JP3059277A patent/JPH04294518A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19521390A1 (de) * | 1994-08-05 | 1996-02-08 | Mitsubishi Electric Corp | Fokussierungsverfahren in der Photolithographie |
| DE19521390C2 (de) * | 1994-08-05 | 1999-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | Fokussierungsverfahren in der Photolithographie |
| JP2002334826A (ja) * | 2001-05-09 | 2002-11-22 | Canon Inc | 露光方法、面位置合わせ方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
| WO2005124832A1 (ja) * | 2004-06-17 | 2005-12-29 | Nikon Corporation | 露光装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980514 |