JPH04296088A - 厚膜混成集積回路体 - Google Patents
厚膜混成集積回路体Info
- Publication number
- JPH04296088A JPH04296088A JP10502791A JP10502791A JPH04296088A JP H04296088 A JPH04296088 A JP H04296088A JP 10502791 A JP10502791 A JP 10502791A JP 10502791 A JP10502791 A JP 10502791A JP H04296088 A JPH04296088 A JP H04296088A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- thick film
- integrated circuit
- hybrid integrated
- screen printing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 25
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- IHWJXGQYRBHUIF-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Pt] Chemical compound [Ag].[Pt] IHWJXGQYRBHUIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 abstract description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 abstract description 3
- 238000009966 trimming Methods 0.000 abstract description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 abstract description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 abstract description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 abstract description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 abstract description 2
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 abstract 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、厚膜混成集積回路体に
関し、特に、最上層に保護層を形成した厚膜混成集積回
路体に関する。
関し、特に、最上層に保護層を形成した厚膜混成集積回
路体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の一般的なスクリーン印刷法を用い
た厚膜混成集積回路体の製造方法を図２（（ａ）〜（ｆ
））を用いて説明する。
た厚膜混成集積回路体の製造方法を図２（（ａ）〜（ｆ
））を用いて説明する。
【０００３】まず、９６％アルミナセラミック基板１（
ａ）上に、スクリーン印刷法によって金属導体配線２を
形成し（ｂ）、その後、同様の方法により、厚膜抵抗体
３を形成し（ｃ）、保護ガラス４等を形成する（ｄ）。
ａ）上に、スクリーン印刷法によって金属導体配線２を
形成し（ｂ）、その後、同様の方法により、厚膜抵抗体
３を形成し（ｃ）、保護ガラス４等を形成する（ｄ）。
【０００４】次に、抵抗体トリミングを行い、抵抗値を
調整したのち、部品６の搭載および端子７の取り付けを
行う（ｅ）。
調整したのち、部品６の搭載および端子７の取り付けを
行う（ｅ）。
【０００５】そして、最後に、有機樹脂中に厚膜印刷基
板全体を浸漬し、保護コーティング５を行い（ｆ）厚膜
混成集積回路体を製造する。
板全体を浸漬し、保護コーティング５を行い（ｆ）厚膜
混成集積回路体を製造する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の厚膜混成集積回路体では、有機樹脂の保護コート５
を浸漬法により形成するため、有機樹脂を大量に使用し
なければならないことになり、それだけコスト高になっ
ているという問題点があった。
来の厚膜混成集積回路体では、有機樹脂の保護コート５
を浸漬法により形成するため、有機樹脂を大量に使用し
なければならないことになり、それだけコスト高になっ
ているという問題点があった。
【０００７】本発明は、上記の問題点にかんがみてなさ
れたもので、有機樹脂を大量に使用しなくても保護層を
形成することができるようにした厚膜混成集積回路体の
提供を目的とする。
れたもので、有機樹脂を大量に使用しなくても保護層を
形成することができるようにした厚膜混成集積回路体の
提供を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の厚膜混成集積回路は、最上層にスクリーン印刷
法を用いて形成した有機樹脂の保護層を有するものであ
る。
本発明の厚膜混成集積回路は、最上層にスクリーン印刷
法を用いて形成した有機樹脂の保護層を有するものであ
る。
【０００９】
【作用】上記構成からなる厚膜混成集積回路体によれば
、有機樹脂の保護層はスクリーン印刷法により形成され
るので、不必要な有機樹脂の使用がなくなる。
、有機樹脂の保護層はスクリーン印刷法により形成され
るので、不必要な有機樹脂の使用がなくなる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１１】図１（（ａ）〜（ｆ））は本発明の一実施
例に係る厚膜混成集積回路体の製造工程を示す図である
。
例に係る厚膜混成集積回路体の製造工程を示す図である
。
【００１２】実施例に係る厚膜混成集積回路体は、図１
の（ｆ）に示すように、セラミック基板１上に金属導体
配線２，厚膜抵抗体３および保護ガラス４を設け、これ
らの上に有機樹脂５の保護層を設けてある。この有機樹
脂５は、スクリーン印刷法により形成されている。
の（ｆ）に示すように、セラミック基板１上に金属導体
配線２，厚膜抵抗体３および保護ガラス４を設け、これ
らの上に有機樹脂５の保護層を設けてある。この有機樹
脂５は、スクリーン印刷法により形成されている。
【００１３】この厚膜混成集積回路体は以下のようにし
て製造される。
て製造される。
【００１４】まず、９６％アルミナセラミック基板１（
ａ）上にスクリーン印刷法により金属導体配線２を形成
する（ｂ）。この金属導体の材料としては、金，銀，銀
−パラジウム，銀−白金，銅，ニッケル等があるが、本
実施例では銀−白金（Ａｇ−Ｐｔ）導体を使用している
。
ａ）上にスクリーン印刷法により金属導体配線２を形成
する（ｂ）。この金属導体の材料としては、金，銀，銀
−パラジウム，銀−白金，銅，ニッケル等があるが、本
実施例では銀−白金（Ａｇ−Ｐｔ）導体を使用している
。
【００１５】次に、厚膜抵抗体３および保護ガラス４を
同様の方法により形成する（ｃ）（ｄ）。このとき、厚
膜抵抗体３の抵抗値は目標値の７０％程度に設計してお
き、残りの３０％程度はレーザートリミング法により調
整する。
同様の方法により形成する（ｃ）（ｄ）。このとき、厚
膜抵抗体３の抵抗値は目標値の７０％程度に設計してお
き、残りの３０％程度はレーザートリミング法により調
整する。
【００１６】次に、有機樹脂５を同様のスクリーン印刷
法により形成する（ｅ）。有機樹脂５の材料としては、
エポキシ樹脂，ウレタン樹脂，シリコン樹脂，フェノー
ル樹脂，ポリエステル樹脂等があり、用途に応じて使い
分けることができる。本実施例では、エポキシ系樹脂を
使用している。
法により形成する（ｅ）。有機樹脂５の材料としては、
エポキシ樹脂，ウレタン樹脂，シリコン樹脂，フェノー
ル樹脂，ポリエステル樹脂等があり、用途に応じて使い
分けることができる。本実施例では、エポキシ系樹脂を
使用している。
【００１７】最後に部品６搭載および端子７取り付けを
行い、厚膜混成集積回路を製造する。この厚膜混成集積
回路は、有機樹脂５の保護層をスクリーン印刷法で形成
してあるので、有機樹脂５の層厚が例えば３０μｍ程度
に薄くなっており、樹脂の材料費が従来方法に比較して
半分以下に低減されている。
行い、厚膜混成集積回路を製造する。この厚膜混成集積
回路は、有機樹脂５の保護層をスクリーン印刷法で形成
してあるので、有機樹脂５の層厚が例えば３０μｍ程度
に薄くなっており、樹脂の材料費が従来方法に比較して
半分以下に低減されている。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明の厚膜混成集
積回路体によれば、スクリーン印刷法を用いて形成した
有機樹脂の保護層を設けたので、簡素化でき、樹脂の使
用量を大幅に削減でき、樹脂材料費を半分以下に低減す
ることができるという効果がある。
積回路体によれば、スクリーン印刷法を用いて形成した
有機樹脂の保護層を設けたので、簡素化でき、樹脂の使
用量を大幅に削減でき、樹脂材料費を半分以下に低減す
ることができるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例に係る厚膜混成集積回路体の
製造工程を示す図である。
製造工程を示す図である。
【図２】従来の厚膜混成集積回路体の製造工程を示す図
である。
である。
１ セラミック基板
２ 金属導体配線
３ 厚膜抵抗体
４ 保護ガラス
５ 有機樹脂
６ 実装部品
７ 入出力端子
Claims (1)
- 【請求項１】 金属導体配線や厚膜抵抗体を有する厚
膜印刷配線基板を使用した厚膜混成集積回路体において
、最上層にスクリーン印刷法を用いて有機樹脂の保護層
を形成したことを特徴とする厚膜混成集積回路体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10502791A JPH04296088A (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 厚膜混成集積回路体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10502791A JPH04296088A (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 厚膜混成集積回路体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04296088A true JPH04296088A (ja) | 1992-10-20 |
Family
ID=14396556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10502791A Pending JPH04296088A (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 厚膜混成集積回路体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04296088A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5996219A (en) * | 1997-01-31 | 1999-12-07 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Method for embedding electric or optical components in high-temperature metals |
| WO2006032836A1 (en) * | 2004-09-22 | 2006-03-30 | Vetco Gray Controls Limited | Thick-film hybrid production process |
| WO2012167009A1 (en) * | 2011-06-03 | 2012-12-06 | Cree, Inc. | Thin film resistor and method for its production |
-
1991
- 1991-03-25 JP JP10502791A patent/JPH04296088A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5996219A (en) * | 1997-01-31 | 1999-12-07 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Method for embedding electric or optical components in high-temperature metals |
| WO2006032836A1 (en) * | 2004-09-22 | 2006-03-30 | Vetco Gray Controls Limited | Thick-film hybrid production process |
| GB2432978A (en) * | 2004-09-22 | 2007-06-06 | Vetco Gray Controls Ltd | Thick-film hybrid production process |
| WO2012167009A1 (en) * | 2011-06-03 | 2012-12-06 | Cree, Inc. | Thin film resistor and method for its production |
| US8570140B2 (en) | 2011-06-03 | 2013-10-29 | Cree, Inc. | Thin film resistor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS62216259A (ja) | 混成集積回路の製造方法および構造 | |
| JPH07106729A (ja) | 厚膜回路部品の製造方法 | |
| JPS61188957A (ja) | 回路モジユ−ルの製造方法 | |
| JP3086081B2 (ja) | 配線基板とその製造方法 | |
| JP2703756B2 (ja) | 混成集積回路基板上に薄膜および厚膜抵抗を同時に形成する方法 | |
| JPS63253659A (ja) | 厚膜混成集積回路装置 | |
| JPS56140633A (en) | Electronic device | |
| JPS61156792A (ja) | 回路モジユ−ルの製造方法 | |
| JPH10189306A (ja) | チップ抵抗器 | |
| JPH0730242A (ja) | 薄膜回路基板 | |
| JPH0541542A (ja) | 半導体デバイス基板の製造方法 | |
| JPH10284814A (ja) | 回路パターン及びその形成方法 | |
| JPS6165465A (ja) | 厚膜多層基板における膜抵抗体の製造方法 | |
| JPH0740497A (ja) | 膜構造 | |
| JPH02141262A (ja) | サーマルヘッド及びその製造方法 | |
| JPS62265751A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JPS5680152A (en) | Thin-film type integrated circuit device | |
| US20020081779A1 (en) | Device comprising an electrical circuit carried by a carrier element and method for the manufacture of such a device | |
| JPS63155688A (ja) | 混成集積回路の抵抗体保護膜の形成方法 | |
| JPS6059765A (ja) | 混成集積回路基板の製造方法 | |
| JPH0445263Y2 (ja) | ||
| JPH0221688A (ja) | 導体形成プラスチック樹脂基板 | |
| Miura et al. | Electroless Nickel Resistors Formed on IMST Substrate | |
| JPH04199754A (ja) | Ｌｅｄ表示装置の製造方法 | |
| JPS63107566A (ja) | サ−マルヘツド |