JPH0429653U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0429653U JPH0429653U JP6839990U JP6839990U JPH0429653U JP H0429653 U JPH0429653 U JP H0429653U JP 6839990 U JP6839990 U JP 6839990U JP 6839990 U JP6839990 U JP 6839990U JP H0429653 U JPH0429653 U JP H0429653U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shutter
- heater
- ion implanter
- embedded
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
第１図ａ及びｂ本考案の一実施例を示すイオン
注入装置のシヤツタの側面図及び正面図、第２図
ａ及びｂは従来のイオン注入装置のシヤツタの一
例を示す側面図及び正面図である。 １，１ａ……本体、２……プレート、３……透
過穴、４……取手、５……ヒータ。
注入装置のシヤツタの側面図及び正面図、第２図
ａ及びｂは従来のイオン注入装置のシヤツタの一
例を示す側面図及び正面図である。 １，１ａ……本体、２……プレート、３……透
過穴、４……取手、５……ヒータ。
Claims (1)
- 半導体基板に照射されるイオンを遮蔽するイオ
ン注入装置のシヤツタにおいて、このシヤツタ本
体にヒータが埋め込まれていることを特徴とする
イオン注入装置のシヤツタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6839990U JPH0429653U (ja) | 1990-06-27 | 1990-06-27 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6839990U JPH0429653U (ja) | 1990-06-27 | 1990-06-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0429653U true JPH0429653U (ja) | 1992-03-10 |
Family
ID=31602808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6839990U Pending JPH0429653U (ja) | 1990-06-27 | 1990-06-27 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0429653U (ja) |
-
1990
- 1990-06-27 JP JP6839990U patent/JPH0429653U/ja active Pending