JPH04298106A - マイクロ波混成集積回路 - Google Patents
マイクロ波混成集積回路Info
- Publication number
- JPH04298106A JPH04298106A JP3063302A JP6330291A JPH04298106A JP H04298106 A JPH04298106 A JP H04298106A JP 3063302 A JP3063302 A JP 3063302A JP 6330291 A JP6330291 A JP 6330291A JP H04298106 A JPH04298106 A JP H04298106A
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- JP
- Japan
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- resistor
- ground electrode
- emitter
- insulating substrate
- throughhole
- Prior art date
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- Pending
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- Waveguides (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】〔発明の目的〕
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明はマイクロストリップライ
ン構造の基板を有するマイクロ波混成集積回路に係り、
特に、スルーホールを改良することにより高周波特性等
を改善したマイクロ波混成集積回路に関する。
ン構造の基板を有するマイクロ波混成集積回路に係り、
特に、スルーホールを改良することにより高周波特性等
を改善したマイクロ波混成集積回路に関する。
【０００３】
【従来の技術】従来、この種のマイクロ波混成集積回路
の一例としては図３に示すように構成されたものがあり
、このマイクロ波混成集積回路１は、セラミックス製等
の絶縁基板２の表面上に、図４で示すローパスフィルタ
３等の回路パターンをスクリーン印刷等により形成する
一方、その裏面に接地電極を形成してマイクロストリッ
プライン構造に構成している。
の一例としては図３に示すように構成されたものがあり
、このマイクロ波混成集積回路１は、セラミックス製等
の絶縁基板２の表面上に、図４で示すローパスフィルタ
３等の回路パターンをスクリーン印刷等により形成する
一方、その裏面に接地電極を形成してマイクロストリッ
プライン構造に構成している。
【０００４】つまり、絶縁基板２の表面上に、左右一対
のマイクロストリップライン４ａ，４ｂを所要の間隔を
置いて対向配置するように形成し、その一方４ａの内端
には、３端子マイクロ波半導体素子のトランジスタ５の
ベースを、また、そのコレクタを他方のマイクロストリ
ップライン４ｂの内端に、さらに、そのエミッタをエミ
ッタ接地電極６に、ボンディングワイヤ７によりそれぞ
れ接続し、ベース電極バイアス線路８とコレクタ電極バ
イアス回路９とに直流電圧を印加するようになっている
。
のマイクロストリップライン４ａ，４ｂを所要の間隔を
置いて対向配置するように形成し、その一方４ａの内端
には、３端子マイクロ波半導体素子のトランジスタ５の
ベースを、また、そのコレクタを他方のマイクロストリ
ップライン４ｂの内端に、さらに、そのエミッタをエミ
ッタ接地電極６に、ボンディングワイヤ７によりそれぞ
れ接続し、ベース電極バイアス線路８とコレクタ電極バ
イアス回路９とに直流電圧を印加するようになっている
。
【０００５】そして、絶縁基板２上には、チップ抵抗１
０を実装し、そのチップ抵抗１０の一端をエミッタ接地
電極６に、その他端を抵抗端接地電極１１に電気的に接
続し、この抵抗端接地電極１１にはスルーホール１２を
穿設し、このスルーホール１２を介して抵抗端接地電極
１１を裏面の接地電極に電気的に接続している。
０を実装し、そのチップ抵抗１０の一端をエミッタ接地
電極６に、その他端を抵抗端接地電極１１に電気的に接
続し、この抵抗端接地電極１１にはスルーホール１２を
穿設し、このスルーホール１２を介して抵抗端接地電極
１１を裏面の接地電極に電気的に接続している。
【０００６】そして、ベース電極バイアス線路８とコレ
クタ電極バイアス線路９との間に直流電圧が印加される
と、チップ抵抗１０はエミッタ抵抗として作用し、トラ
ンジスタ５はエミッタ電流帰還型のマイクロ波増幅器と
して動作する。
クタ電極バイアス線路９との間に直流電圧が印加される
と、チップ抵抗１０はエミッタ抵抗として作用し、トラ
ンジスタ５はエミッタ電流帰還型のマイクロ波増幅器と
して動作する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなマイクロ波混成集積回路１では、一般的に図５に示
すようにチップ抵抗１０より成るエミッタ抵抗に寄生イ
ンダクタンスＬが直列に加わる。
うなマイクロ波混成集積回路１では、一般的に図５に示
すようにチップ抵抗１０より成るエミッタ抵抗に寄生イ
ンダクタンスＬが直列に加わる。
【０００８】これは、チップ抵抗１０が比較的大型であ
り、このチップ抵抗１０から接地電極１３までのパスが
長いので、このエミッタ抵抗１０に寄生するインダクタ
ンスＬが増大して高周波特性が悪化するという欠点があ
る。
り、このチップ抵抗１０から接地電極１３までのパスが
長いので、このエミッタ抵抗１０に寄生するインダクタ
ンスＬが増大して高周波特性が悪化するという欠点があ
る。
【０００９】また、チップ抵抗１０が絶縁基板２上を占
有する面積が比較的大きいために高密度実装が図り難い
。
有する面積が比較的大きいために高密度実装が図り難い
。
【００１０】さらに、チップ抵抗１０は半田付け等によ
り絶縁基板２上に取り付けるので、その取付作業が簡単
でない上に煩雑であり、また、ボンディング工程におい
ても、基板上に突出しており、障害となる。よって、そ
の作業性が必ずしも良好ではない。
り絶縁基板２上に取り付けるので、その取付作業が簡単
でない上に煩雑であり、また、ボンディング工程におい
ても、基板上に突出しており、障害となる。よって、そ
の作業性が必ずしも良好ではない。
【００１１】そこで、本発明はこのような事情を考慮し
てなされたもので、その目的は高周波特性を改善すると
共に、製造作業性および信頼性を高めることができるマ
イクロ波混成集積回路を提供することにある。 〔発明の構成〕
てなされたもので、その目的は高周波特性を改善すると
共に、製造作業性および信頼性を高めることができるマ
イクロ波混成集積回路を提供することにある。 〔発明の構成〕
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は前記課題を解決
するために次のように構成される。
するために次のように構成される。
【００１３】つまり本発明は、絶縁基板の一面に回路パ
ターンを形成する一方、この基板の裏面にはアースされ
る接地電極を形成し、前記一面を抵抗を介して前記裏面
に電気的に接続してなるマイクロ波混成集積回路におい
て、前記絶縁基板にその一面から裏面に貫通するスルー
ホールを穿設し、このスルーホール内に前記抵抗を形成
したことを特徴とする。
ターンを形成する一方、この基板の裏面にはアースされ
る接地電極を形成し、前記一面を抵抗を介して前記裏面
に電気的に接続してなるマイクロ波混成集積回路におい
て、前記絶縁基板にその一面から裏面に貫通するスルー
ホールを穿設し、このスルーホール内に前記抵抗を形成
したことを特徴とする。
【００１４】
【作用】絶縁基板はその回路パターンを形成している一
面を、スルーホール内の抵抗を介して絶縁基板の裏面に
電気的に接続している。この抵抗は、絶縁基板の一面か
ら裏面へ貫通するスルーホール内に形成されているので
、この抵抗から裏面の接地電極までのパスの長さを短か
くすることができる。このために、この抵抗から接地電
極までのパスの長さに比例して増大する寄生インダクタ
ンスを低減して高周波特性を改善することができる。
面を、スルーホール内の抵抗を介して絶縁基板の裏面に
電気的に接続している。この抵抗は、絶縁基板の一面か
ら裏面へ貫通するスルーホール内に形成されているので
、この抵抗から裏面の接地電極までのパスの長さを短か
くすることができる。このために、この抵抗から接地電
極までのパスの長さに比例して増大する寄生インダクタ
ンスを低減して高周波特性を改善することができる。
【００１５】また、比較的占有面積の大きいチップ抵抗
を絶縁基板上から省略できるので、その分、高密度実装
を図ることができる上に、チップ抵抗を基板上に半田付
けする等の煩雑な作業を省略して作業工程数を低減する
ことにより、その作業性および信頼性を高めることがで
きる。
を絶縁基板上から省略できるので、その分、高密度実装
を図ることができる上に、チップ抵抗を基板上に半田付
けする等の煩雑な作業を省略して作業工程数を低減する
ことにより、その作業性および信頼性を高めることがで
きる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
する。
【００１７】図１は本発明の一実施例の平面図であり、
図において、マイクロ波混成集積回路２１はセラミック
ス製等の絶縁基板２２の表面上に所要の回路、例えば図
４で示すマイクロ波増幅回路３等の回路パターンをスク
リーン印刷等により形成する一方、絶縁基板２２の裏面
には接地電極２３をスクリーン印刷等により印刷してお
り、マイクロストリップライン構造に構成している。
図において、マイクロ波混成集積回路２１はセラミック
ス製等の絶縁基板２２の表面上に所要の回路、例えば図
４で示すマイクロ波増幅回路３等の回路パターンをスク
リーン印刷等により形成する一方、絶縁基板２２の裏面
には接地電極２３をスクリーン印刷等により印刷してお
り、マイクロストリップライン構造に構成している。
【００１８】つまり、絶縁基板２２の一面、すなわち表
面上には左右一対のマイクロストリップライン２４ａ，
２４ｂを所要の間隔を置いて対向するように形成し、そ
の一方、例えば２４ｂの内端部上にトランジスタ２５を
装着し、両マイクロストリップライン２４ａ，２４ｂ間
の間隙上には逆コの字状のエミッタ接地電極２６を形成
している。
面上には左右一対のマイクロストリップライン２４ａ，
２４ｂを所要の間隔を置いて対向するように形成し、そ
の一方、例えば２４ｂの内端部上にトランジスタ２５を
装着し、両マイクロストリップライン２４ａ，２４ｂ間
の間隙上には逆コの字状のエミッタ接地電極２６を形成
している。
【００１９】トランジスタ２５はそのベースを、一方の
マイクロストリップライン２４ａの内端部に、また、コ
レクタを他方のマイクロストリップライン２４ｂの内端
部に、さらに、エミッタをエミッタ接地電極２６に各ボ
ンディングワイヤ２７によりそれぞれ接続している。
マイクロストリップライン２４ａの内端部に、また、コ
レクタを他方のマイクロストリップライン２４ｂの内端
部に、さらに、エミッタをエミッタ接地電極２６に各ボ
ンディングワイヤ２７によりそれぞれ接続している。
【００２０】また、絶縁基板２２の表面上にはベース電
極バイアス線路２８と、コレクタ電極バイアス線路２９
とを形成し、これら２８，２９をマイクロストリップラ
イン２４ａ，２４ｂの途中にそれぞれ個々に接続してい
る。
極バイアス線路２８と、コレクタ電極バイアス線路２９
とを形成し、これら２８，２９をマイクロストリップラ
イン２４ａ，２４ｂの途中にそれぞれ個々に接続してい
る。
【００２１】そして、エミッタ接地電極２６はその逆コ
の字状の一方もしくは双方の水平部の長手方向中間部に
て、例えば円形のスルーホール３０を穿設している。こ
のスルーホール３０は図２に示すように絶縁基板２２の
板厚方向に貫通し、その内部には従来の導体ペーストに
代えて、抵抗体ペーストをスクリーン印刷により鳩目状
に形成してエミッタ抵抗３１を構成し、このエミッタ抵
抗３１を介してエミッタ接地電極２６と接地電極２３と
を電気的に接続している。
の字状の一方もしくは双方の水平部の長手方向中間部に
て、例えば円形のスルーホール３０を穿設している。こ
のスルーホール３０は図２に示すように絶縁基板２２の
板厚方向に貫通し、その内部には従来の導体ペーストに
代えて、抵抗体ペーストをスクリーン印刷により鳩目状
に形成してエミッタ抵抗３１を構成し、このエミッタ抵
抗３１を介してエミッタ接地電極２６と接地電極２３と
を電気的に接続している。
【００２２】そして、ベース電極バイアス線路２８とコ
レクタ電極バイアス線路２９との間に所定の直流電圧を
印加すると、このトランジスタ２５がエミッタ電流帰還
型マイクロ波増幅器として動作する。
レクタ電極バイアス線路２９との間に所定の直流電圧を
印加すると、このトランジスタ２５がエミッタ電流帰還
型マイクロ波増幅器として動作する。
【００２３】つまり、直流的にはエミッタ電位Ｖｅはト
ランジスタ２５のコレクタとエミッタ間電流Ｉｃｅと、
エミッタ抵抗３１の抵抗値Ｒｅの積（Ｖｅ＝Ｉｃｅ×Ｒ
ｅ）だけ接地電位より高くなり、この電位が電流帰還と
して作用し、トランジスタ２５がエミッタ電流帰還型マ
イクロ波増幅器として動作する。
ランジスタ２５のコレクタとエミッタ間電流Ｉｃｅと、
エミッタ抵抗３１の抵抗値Ｒｅの積（Ｖｅ＝Ｉｃｅ×Ｒ
ｅ）だけ接地電位より高くなり、この電位が電流帰還と
して作用し、トランジスタ２５がエミッタ電流帰還型マ
イクロ波増幅器として動作する。
【００２４】したがって、本実施例によれば、エミッタ
抵抗３１をスルーホール３０内に形成するので、従来の
チップ抵抗１０を絶縁基板２２から省略することができ
る。
抵抗３１をスルーホール３０内に形成するので、従来の
チップ抵抗１０を絶縁基板２２から省略することができ
る。
【００２５】このために、部品点数を低減できる上に、
チップ抵抗１０を基板３１上に半田付けする作業を省略
して作業工程数を削減することができるので、その作業
性を高める上に、コスト低減と信頼性向上とを図ること
ができる。また、チップ抵抗がなくなるため、基板上へ
の突出部がなくなるので、ボンディング工程の作業性が
向上する。
チップ抵抗１０を基板３１上に半田付けする作業を省略
して作業工程数を削減することができるので、その作業
性を高める上に、コスト低減と信頼性向上とを図ること
ができる。また、チップ抵抗がなくなるため、基板上へ
の突出部がなくなるので、ボンディング工程の作業性が
向上する。
【００２６】また、エミッタ抵抗３１をスルーホール３
０内に形成するので、このエミッタ抵抗３１から接地電
極２３までのパスの長さを短かくすることができる。
０内に形成するので、このエミッタ抵抗３１から接地電
極２３までのパスの長さを短かくすることができる。
【００２７】その結果、このエミッタ抵抗３１から接地
電極２３までのパスの長さに比例して増大する寄生イン
ダクタンスを低減することができ、高周波特性を高める
ことができる。
電極２３までのパスの長さに比例して増大する寄生イン
ダクタンスを低減することができ、高周波特性を高める
ことができる。
【００２８】さらに、絶縁基板２２上からチップ抵抗１
０を省略できるので、その分高密度実装を図ることがで
きる。
０を省略できるので、その分高密度実装を図ることがで
きる。
【００２９】しかも、スルーホール３０内にエミッタ抵
抗３１を形成することはスクリーン印刷技術により容易
に行なうことができるので、その実用性が高い。なお、
前記実施例では、絶縁基板２２上にマイクロ波増幅回路
３の回路パターンを形成する場合について述べたが、本
発明はこれに限定されるものではなく、その回路パター
ンはいずれでもよく、スルーホール３０内に抵抗を形成
する場合に適用される。
抗３１を形成することはスクリーン印刷技術により容易
に行なうことができるので、その実用性が高い。なお、
前記実施例では、絶縁基板２２上にマイクロ波増幅回路
３の回路パターンを形成する場合について述べたが、本
発明はこれに限定されるものではなく、その回路パター
ンはいずれでもよく、スルーホール３０内に抵抗を形成
する場合に適用される。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、マイクロ
ストリップライン構造の基板のスルーホール内に、抵抗
を形成するので、この抵抗から接地電極までのパスの長
さを短かくすることができる。このために、この抵抗か
ら接地電極までのパスの長さに比例して増大する寄生イ
ンダクタンスを低減することができ、高周波特性を高め
ることができる。
ストリップライン構造の基板のスルーホール内に、抵抗
を形成するので、この抵抗から接地電極までのパスの長
さを短かくすることができる。このために、この抵抗か
ら接地電極までのパスの長さに比例して増大する寄生イ
ンダクタンスを低減することができ、高周波特性を高め
ることができる。
【００３１】また、絶縁基板上から比較的大形のチップ
抵抗を省略できるので、その分、高密度実装を図ること
ができ、また、ボンディングの作業性が向上する。
抵抗を省略できるので、その分、高密度実装を図ること
ができ、また、ボンディングの作業性が向上する。
【００３２】さらに、絶縁基板上からこのチップ抵抗を
絶縁基板上に半田付けする等の作業を省略できるので、
作業性を高めると共に、コスト低減を図ることができる
。
絶縁基板上に半田付けする等の作業を省略できるので、
作業性を高めると共に、コスト低減を図ることができる
。
【００３３】しかも、スルーホール内に抵抗を形成する
ことはスクリーン印刷技術により容易に行なうことがで
きるので、その実用性が高い。
ことはスクリーン印刷技術により容易に行なうことがで
きるので、その実用性が高い。
【図１】本発明に係るマイクロ波混成集積回路の一実施
例の平面図。
例の平面図。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線断面図。
【図３】従来例の平面図。
【図４】図３で示す絶縁基板上に形成されるローパスフ
ィルタ回路の一例を示す等価回路図。
ィルタ回路の一例を示す等価回路図。
【図５】図３で示すチップ抵抗に直列に加わるインダク
タンスを示す図。
タンスを示す図。
２１ マイクロ波混成集積回路
２２ 絶縁基板
２３ 接地電極
２４ａ，２４ｂ マイクロストリップライン２５
トランジスタ ３０ スルーホール ３１ エミッタ抵抗
トランジスタ ３０ スルーホール ３１ エミッタ抵抗
Claims (1)
- 【請求項１】 絶縁基板の一面に回路パターンを形成
する一方、この基板の裏面にはアースされる接地電極を
形成し、前記一面を抵抗を介して前記裏面に電気的に接
続してなるマイクロ波混成集積回路において、前記絶縁
基板にその一面から裏面に貫通するスルーホールを穿設
し、このスルーホール内に前記抵抗を形成したことを特
徴とするマイクロ波混成集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3063302A JPH04298106A (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | マイクロ波混成集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3063302A JPH04298106A (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | マイクロ波混成集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04298106A true JPH04298106A (ja) | 1992-10-21 |
Family
ID=13225378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3063302A Pending JPH04298106A (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | マイクロ波混成集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04298106A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06204276A (ja) * | 1992-08-31 | 1994-07-22 | Hewlett Packard Co <Hp> | 集積回路実装システム |
| JPH0746007A (ja) * | 1993-07-28 | 1995-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電力用基板および高周波用電力増幅器 |
| JP2019525556A (ja) * | 2016-07-05 | 2019-09-05 | レイセオン カンパニー | 抵抗性ビアを備えたデキューイングセクションを有しながら増幅されるマイクロ波モノリシック集積回路（ｍｍｉｃ） |
| US12562548B2 (en) | 2020-10-20 | 2026-02-24 | Mitsubishi Electric Corporation | Optical semiconductor device |
-
1991
- 1991-03-27 JP JP3063302A patent/JPH04298106A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06204276A (ja) * | 1992-08-31 | 1994-07-22 | Hewlett Packard Co <Hp> | 集積回路実装システム |
| JPH0746007A (ja) * | 1993-07-28 | 1995-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電力用基板および高周波用電力増幅器 |
| JP2019525556A (ja) * | 2016-07-05 | 2019-09-05 | レイセオン カンパニー | 抵抗性ビアを備えたデキューイングセクションを有しながら増幅されるマイクロ波モノリシック集積回路（ｍｍｉｃ） |
| US12562548B2 (en) | 2020-10-20 | 2026-02-24 | Mitsubishi Electric Corporation | Optical semiconductor device |
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