JPH04296103A - 高周波半導体混成集積回路装置 - Google Patents
高周波半導体混成集積回路装置Info
- Publication number
- JPH04296103A JPH04296103A JP3087726A JP8772691A JPH04296103A JP H04296103 A JPH04296103 A JP H04296103A JP 3087726 A JP3087726 A JP 3087726A JP 8772691 A JP8772691 A JP 8772691A JP H04296103 A JPH04296103 A JP H04296103A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric substrate
- high frequency
- integrated circuit
- circuit device
- conductor film
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0058—Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates
- H05K3/0061—Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates onto a metallic substrate, e.g. a heat sink
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は高周波電力を増幅する
トランジスタとその整合回路等を備えた高周波半導体混
成集積回路装置に関し、特に、浮遊容量が減少し高周波
特性が向上した高周波半導体混成集積回路装置に関する
ものである。
トランジスタとその整合回路等を備えた高周波半導体混
成集積回路装置に関し、特に、浮遊容量が減少し高周波
特性が向上した高周波半導体混成集積回路装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の高周波半導体混成集積回路
装置を示す斜視図である。図において、一部に図示しな
い回路が実装された誘電体基板２が放熱板１上に融着さ
れ、更に、ＭＯＳ型コンデンサ４，トランジスタチップ
５，接地用導体ブリッジ１０が搭載された低熱抵抗の絶
縁体で形成されたヒートシンク１１が前記誘電体基板２
の空欠部２ａに配設されている。そして、誘電体基板２
とヒートシンク１１上には入力用導体膜６ａ，入力用導
体膜６ｂ，出力用導体膜７ａ，トランジスタチップ５の
バイアス線も兼ねた出力用導体膜７ｂ，接地用導体膜８
ｅがそれぞれ印刷されている。そして、入力用導体膜６
ａと入力用導体膜６ｂ、出力用導体膜７ａと出力用導体
膜７ｂは入力用リード１２と出力用リード１３によって
それぞれハンダ付けして接続されている。また、入力用
導体膜６ｂ，ＭＯＳ型コンデンサ４，トランジスタチッ
プ５は金線等のボンディングワイヤ９ａによって接続さ
れ、同様にＭＯＳ型コンデンサ４，トランジスタチップ
５，接地用導体ブリッジ１０は金線等のボンディングワ
イヤ９ａによって接続されている。
装置を示す斜視図である。図において、一部に図示しな
い回路が実装された誘電体基板２が放熱板１上に融着さ
れ、更に、ＭＯＳ型コンデンサ４，トランジスタチップ
５，接地用導体ブリッジ１０が搭載された低熱抵抗の絶
縁体で形成されたヒートシンク１１が前記誘電体基板２
の空欠部２ａに配設されている。そして、誘電体基板２
とヒートシンク１１上には入力用導体膜６ａ，入力用導
体膜６ｂ，出力用導体膜７ａ，トランジスタチップ５の
バイアス線も兼ねた出力用導体膜７ｂ，接地用導体膜８
ｅがそれぞれ印刷されている。そして、入力用導体膜６
ａと入力用導体膜６ｂ、出力用導体膜７ａと出力用導体
膜７ｂは入力用リード１２と出力用リード１３によって
それぞれハンダ付けして接続されている。また、入力用
導体膜６ｂ，ＭＯＳ型コンデンサ４，トランジスタチッ
プ５は金線等のボンディングワイヤ９ａによって接続さ
れ、同様にＭＯＳ型コンデンサ４，トランジスタチップ
５，接地用導体ブリッジ１０は金線等のボンディングワ
イヤ９ａによって接続されている。
【０００３】次に上記の高周波半導体混成集積回路装置
の動作について説明する。入力用導体膜６ａを通じ入力
用リード１２，入力用導体膜６ｂ，ボンディングワイヤ
９ａ，ＭＯＳ型コンデンサ４を経て、トランジスタチッ
プ５に高周波電力が入力される。そして、トランジスタ
チップ５に入力された高周波電力は増幅され、増幅され
た高周波電力は出力用導体膜７ｂ，出力用リード１３，
出力用導体膜７ａを通じて出力される。そして、この増
幅作用の際に発生した熱はヒートシンク１１と放熱板１
を通して放出される。
の動作について説明する。入力用導体膜６ａを通じ入力
用リード１２，入力用導体膜６ｂ，ボンディングワイヤ
９ａ，ＭＯＳ型コンデンサ４を経て、トランジスタチッ
プ５に高周波電力が入力される。そして、トランジスタ
チップ５に入力された高周波電力は増幅され、増幅され
た高周波電力は出力用導体膜７ｂ，出力用リード１３，
出力用導体膜７ａを通じて出力される。そして、この増
幅作用の際に発生した熱はヒートシンク１１と放熱板１
を通して放出される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来の高周波半
導体混成集積回路装置では図にしめすように誘電体基板
２とヒートシンク１１にそれぞれに印刷された入力用導
体膜６ａと入力用導体膜６ｂ，出力用導体膜７ｂと出力
用導体膜７ａにそれぞれ入力用リード１２と出力用リー
ド１３をハンダ付けすることにより各々の接続が取られ
ている。
導体混成集積回路装置では図にしめすように誘電体基板
２とヒートシンク１１にそれぞれに印刷された入力用導
体膜６ａと入力用導体膜６ｂ，出力用導体膜７ｂと出力
用導体膜７ａにそれぞれ入力用リード１２と出力用リー
ド１３をハンダ付けすることにより各々の接続が取られ
ている。
【０００５】しかしながら、このリード１２，１３によ
る接続は浮遊容量が大きくなるため高周波特性に悪影響
を与えていた。また、製造工程において入出力リード１
２，１３の取付けが必要なため、製造時の工程数がおの
ずと増えて省力化を図ることが困難であった。更に、ヒ
ートシンク１１の形状が方形であるため、ヒートシンク
１１が嵌め込まれる誘電体基板２の空欠部２ａも方形状
にする必要があり、空欠部２ａの角に応力が集中して基
板割れを発生することがあった。
る接続は浮遊容量が大きくなるため高周波特性に悪影響
を与えていた。また、製造工程において入出力リード１
２，１３の取付けが必要なため、製造時の工程数がおの
ずと増えて省力化を図ることが困難であった。更に、ヒ
ートシンク１１の形状が方形であるため、ヒートシンク
１１が嵌め込まれる誘電体基板２の空欠部２ａも方形状
にする必要があり、空欠部２ａの角に応力が集中して基
板割れを発生することがあった。
【０００６】この発明は上記の問題点を解消するために
なされたもので、入出力用のリードが不要で製造時の省
力化が図られるとともに、浮遊容量が小さく高周波特性
に優れた高周波半導体混成集積回路装置を得ることを目
的とする。
なされたもので、入出力用のリードが不要で製造時の省
力化が図られるとともに、浮遊容量が小さく高周波特性
に優れた高周波半導体混成集積回路装置を得ることを目
的とする。
【０００７】更に、この発明の他の目的は、基板割れが
なく耐久性に優れた高周波半導体混成集積回路装置を得
ることにある。
なく耐久性に優れた高周波半導体混成集積回路装置を得
ることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明に係る高周波半
導体混成集積回路装置は、基板表面に回路が実装され一
部に空欠部を形成した第１の誘電体基板を放熱板上に融
着し、ＭＯＳ型コンデンサとトランジスタチップを実装
した熱抵抗の低い第２の誘電体基板を前記第１の誘電体
基板の空欠部に嵌合するとともに、第１と第２の誘電体
基板の双方に印刷された入出力用導体膜を融着して接続
した構造からなる。
導体混成集積回路装置は、基板表面に回路が実装され一
部に空欠部を形成した第１の誘電体基板を放熱板上に融
着し、ＭＯＳ型コンデンサとトランジスタチップを実装
した熱抵抗の低い第２の誘電体基板を前記第１の誘電体
基板の空欠部に嵌合するとともに、第１と第２の誘電体
基板の双方に印刷された入出力用導体膜を融着して接続
した構造からなる。
【０００９】また、この発明に係る高周波半導体混成集
積回路装置は第１の誘電体基板と第２の誘電体基板の嵌
合部を角を持たない構造としている。
積回路装置は第１の誘電体基板と第２の誘電体基板の嵌
合部を角を持たない構造としている。
【００１０】
【作用】この発明によれば、熱抵抗の低い誘電体基板を
ヒートシンクとし、入出力用導体膜の接合をリードを用
いることなくマイクロストリップ線路を形成したため、
リードとグランドとの浮遊容量を低減して高周波特性を
向上することができる。
ヒートシンクとし、入出力用導体膜の接合をリードを用
いることなくマイクロストリップ線路を形成したため、
リードとグランドとの浮遊容量を低減して高周波特性を
向上することができる。
【００１１】また、この発明によれば、第１の誘電体基
板と第２の誘電体基板（ヒートシンク）を嵌合する第１
の誘電体基板の空欠部を角を持たない構造としているの
で基板割れが防止できる。
板と第２の誘電体基板（ヒートシンク）を嵌合する第１
の誘電体基板の空欠部を角を持たない構造としているの
で基板割れが防止できる。
【００１２】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１はこの発明の高周波半導体混成集積回路装置
の斜視図である。図２は図１の高周波半導体混成集積回
路装置の第１の誘電体基板と第２の誘電体基板を分離し
た状態を表す斜視図である。なお、図１，２において図
３と同一符号は同一または相当部分である。
する。図１はこの発明の高周波半導体混成集積回路装置
の斜視図である。図２は図１の高周波半導体混成集積回
路装置の第１の誘電体基板と第２の誘電体基板を分離し
た状態を表す斜視図である。なお、図１，２において図
３と同一符号は同一または相当部分である。
【００１３】図２において放熱板１上には図示しない部
分に整合回路等の回路が実装され角のない半楕円形状の
空欠部２ａが形成された第１の誘電体基板２が融着し、
次いで、上面にＭＯＳ型コンデンサ４，トランジスタチ
ップ５，接地用導体ブリッジ１０を搭載し突部３ａを有
する熱抵抗の低い誘電体（例えば窒化アルミ）からなる
第２の誘電体基板（ヒートシンク）３が前記空欠部２ａ
に嵌合し、前記第１の誘電体基板２上に該第２の誘電体
基板３を融着することで第１図に示す高周波半導体混成
集積回路装置が構成される。そして、この時第１の誘電
体基板２に印刷された入力用導体膜６ａと第２の誘電体
基板３に印刷された入力用導体膜６ｂ，第１の誘電体基
板２に印刷された出力用導体膜７ａと第２の誘電体基板
３上に印刷された出力用導体膜７ｂとの重ね合う部分が
ハンダ付けによって融着され、マイクロストリップ線路
が形成されている。一方、第１の誘電体基板上には接地
用導体膜８ａ，８ｂ，８ｃが印刷されており、また、第
２の誘電体基板上に搭載された入力用導体膜６ｂ，ＭＯ
Ｓ型コンデンサ４，トランジスタチップ５はボンディグ
ワイヤ９ａによって接続され、ＭＯＳ型コンデンサ４，
トランジスタチップ５，接地用導体ブリッジ１０はボン
ディグワイヤ９ｂにより接続されている。また、第２の
誘電体基板上には接地用導体膜８ｄが形成されている。 また、ボンディグワイヤ９ｂによってトランジスタチッ
プ５は接地用導体ブリッジ１０接続されて接地されてい
る。
分に整合回路等の回路が実装され角のない半楕円形状の
空欠部２ａが形成された第１の誘電体基板２が融着し、
次いで、上面にＭＯＳ型コンデンサ４，トランジスタチ
ップ５，接地用導体ブリッジ１０を搭載し突部３ａを有
する熱抵抗の低い誘電体（例えば窒化アルミ）からなる
第２の誘電体基板（ヒートシンク）３が前記空欠部２ａ
に嵌合し、前記第１の誘電体基板２上に該第２の誘電体
基板３を融着することで第１図に示す高周波半導体混成
集積回路装置が構成される。そして、この時第１の誘電
体基板２に印刷された入力用導体膜６ａと第２の誘電体
基板３に印刷された入力用導体膜６ｂ，第１の誘電体基
板２に印刷された出力用導体膜７ａと第２の誘電体基板
３上に印刷された出力用導体膜７ｂとの重ね合う部分が
ハンダ付けによって融着され、マイクロストリップ線路
が形成されている。一方、第１の誘電体基板上には接地
用導体膜８ａ，８ｂ，８ｃが印刷されており、また、第
２の誘電体基板上に搭載された入力用導体膜６ｂ，ＭＯ
Ｓ型コンデンサ４，トランジスタチップ５はボンディグ
ワイヤ９ａによって接続され、ＭＯＳ型コンデンサ４，
トランジスタチップ５，接地用導体ブリッジ１０はボン
ディグワイヤ９ｂにより接続されている。また、第２の
誘電体基板上には接地用導体膜８ｄが形成されている。 また、ボンディグワイヤ９ｂによってトランジスタチッ
プ５は接地用導体ブリッジ１０接続されて接地されてい
る。
【００１４】次に、動作について説明する。高周波電力
は入力用導体膜６ａと入力用導体膜６ｂをハンダ付けし
て形成されたマイクロストリップ線路を通じ、ボンディ
ングワイヤ９ａ，ＭＯＳ型コンデンサ４を通じてトラン
ジスタチップ５に入力される。次いで、トランジスタチ
ップ５で高周波電力は増幅され、出力用導体膜７ａと出
力用導体膜７ｂをハンダ付けして形成されたマイクロス
トリップ線路を通じて出力される。また、この高周波電
力増幅の際にトランジスタチップ５において発生する熱
は、熱抵抗の低い誘電体で形成された誘電体基板２，３
と放熱板１を通じて効率よく放出される。
は入力用導体膜６ａと入力用導体膜６ｂをハンダ付けし
て形成されたマイクロストリップ線路を通じ、ボンディ
ングワイヤ９ａ，ＭＯＳ型コンデンサ４を通じてトラン
ジスタチップ５に入力される。次いで、トランジスタチ
ップ５で高周波電力は増幅され、出力用導体膜７ａと出
力用導体膜７ｂをハンダ付けして形成されたマイクロス
トリップ線路を通じて出力される。また、この高周波電
力増幅の際にトランジスタチップ５において発生する熱
は、熱抵抗の低い誘電体で形成された誘電体基板２，３
と放熱板１を通じて効率よく放出される。
【００１５】このように本実施例では、第１と第２の誘
電体基板に印刷された各々の入力用導体膜と出力用導体
膜の接続がマイクロストリップ線路を形成しているため
高周波特性が向上し、更に、第１と第２の誘電体基板の
嵌合部に角がないため、基板の割れや破損が防止できる
。
電体基板に印刷された各々の入力用導体膜と出力用導体
膜の接続がマイクロストリップ線路を形成しているため
高周波特性が向上し、更に、第１と第２の誘電体基板の
嵌合部に角がないため、基板の割れや破損が防止できる
。
【００１６】なお、上記実施例では第２の誘電体基板（
ヒートシンク）３が嵌合される穴部を第１の誘電体基板
２の端に設けているが、第１の誘電体基板２の中央部に
設けてもよい。
ヒートシンク）３が嵌合される穴部を第１の誘電体基板
２の端に設けているが、第１の誘電体基板２の中央部に
設けてもよい。
【００１７】また、上記実施例では第２の誘電体基板（
ヒートシンク）３が嵌合される第１の誘電体基板の空欠
部２ａの形状を半楕円型としたが、この空欠部の形状は
角のない形状であればよい。
ヒートシンク）３が嵌合される第１の誘電体基板の空欠
部２ａの形状を半楕円型としたが、この空欠部の形状は
角のない形状であればよい。
【００１８】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、放熱
板上に基板表面に回路が実装され一部に空欠部を形成し
た第１の誘電体基板を融着し、該第１の誘電体基板の空
欠部にＭＯＳ型コンデンサとトランジスタチップを実装
した熱抵抗の低い第２の誘電体基板を嵌合するとともに
、第１と第２の誘電体基板の双方に印刷された入出力用
導体膜を融着してマイクロストリップ線路を形成したた
め、浮遊容量が少なく高周波特性に優れ、しかも部品点
数の削減された高周波半導体混成集積回路装置を実現で
きる効果がある。
板上に基板表面に回路が実装され一部に空欠部を形成し
た第１の誘電体基板を融着し、該第１の誘電体基板の空
欠部にＭＯＳ型コンデンサとトランジスタチップを実装
した熱抵抗の低い第２の誘電体基板を嵌合するとともに
、第１と第２の誘電体基板の双方に印刷された入出力用
導体膜を融着してマイクロストリップ線路を形成したた
め、浮遊容量が少なく高周波特性に優れ、しかも部品点
数の削減された高周波半導体混成集積回路装置を実現で
きる効果がある。
【００１９】また、この発明によれば、ヒートシンク搭
載用の誘電体基板の空欠部を角を持たない穴構造として
いるため、基板割れが防止でき耐久性に優れた高周波半
導体混成集積回路装置を実現できる効果がある。
載用の誘電体基板の空欠部を角を持たない穴構造として
いるため、基板割れが防止でき耐久性に優れた高周波半
導体混成集積回路装置を実現できる効果がある。
【００２０】また、この発明によれば、リードの取り付
けが不要となるので部品点数を少なくすることができ、
生産性や生産コストの改善が期待できる効果がある。
けが不要となるので部品点数を少なくすることができ、
生産性や生産コストの改善が期待できる効果がある。
【図１】この発明の一実施例による高周波半導体混成集
積回路装置を示す斜視図である。
積回路装置を示す斜視図である。
【図２】図１の高周波半導体混成集積回路装置の第１の
誘電体基板と第２の誘電体基板を分離した状態を表す斜
視図である。
誘電体基板と第２の誘電体基板を分離した状態を表す斜
視図である。
【図３】従来の高周波半導体混成集積回路装置を示す斜
視図である。
視図である。
１ 放熱板
２ 第１の誘電体基板
２ａ 第１の誘電体基板の空欠部
３ 第２の誘電体基板（ヒートシンク）３ａ
第２の誘電体基板の突部 ４ ＭＯＳ型コンデンサ ５ トランジスタチップ ６ａ 入力用導体膜 ６ｂ 入力用導体膜 ７ａ 出力用導体膜 ７ｂ 出力用導体膜 ８ａ 接地用導体膜 ８ｂ 接地用導体膜 ８ｃ 接地用導体膜 ８ｄ 接地用導体膜 ８ｅ 接地用導体膜 ９ａ ボンディングワイヤ ９ｂ ボンディングワイヤ １０ 導体ブリッジ １１ ヒートシンク １２ 入力用リード １３ 出力用リード
第２の誘電体基板の突部 ４ ＭＯＳ型コンデンサ ５ トランジスタチップ ６ａ 入力用導体膜 ６ｂ 入力用導体膜 ７ａ 出力用導体膜 ７ｂ 出力用導体膜 ８ａ 接地用導体膜 ８ｂ 接地用導体膜 ８ｃ 接地用導体膜 ８ｄ 接地用導体膜 ８ｅ 接地用導体膜 ９ａ ボンディングワイヤ ９ｂ ボンディングワイヤ １０ 導体ブリッジ １１ ヒートシンク １２ 入力用リード １３ 出力用リード
Claims (2)
- 【請求項１】 放熱板と、該放熱板上に重ねて配設し
表面に回路を実装するとともに一部に空欠部を形成した
第１の誘電体基板と、前記第１の誘電体基板の空欠部に
嵌合し表面にＭＯＳ型コンデンサとトランジスタチップ
を実装した熱抵抗の低い第２の誘電体基板とを備え、前
記第１と第２の誘電体基板の双方に印刷した入出力用導
体膜の重接部をハンダ付けにより融着したことを特徴と
する高周波半導体混成集積回路装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の高周波半導体混成集
積回路装置において、第１の誘電体基板と第２の誘電体
基板との嵌合部が角を持たない構造であることを特徴と
する高周波半導体混成集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3087726A JPH04296103A (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 高周波半導体混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3087726A JPH04296103A (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 高周波半導体混成集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04296103A true JPH04296103A (ja) | 1992-10-20 |
Family
ID=13922920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3087726A Pending JPH04296103A (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 高周波半導体混成集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04296103A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5508666A (en) * | 1993-11-15 | 1996-04-16 | Hughes Aircraft Company | Rf feedthrough |
| KR20010055094A (ko) * | 1999-12-09 | 2001-07-02 | 조덕수 | 단말기용 고출력 하이브리드 증폭기 모듈 및 그 제조 방법 |
| JP2013531389A (ja) * | 2010-07-16 | 2013-08-01 | エンブレーション リミテッド | サーマルインターフェースをとるための装置及び方法 |
| JP2017093123A (ja) * | 2015-11-09 | 2017-05-25 | 住友電気工業株式会社 | 無線電力受電装置 |
-
1991
- 1991-03-25 JP JP3087726A patent/JPH04296103A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5508666A (en) * | 1993-11-15 | 1996-04-16 | Hughes Aircraft Company | Rf feedthrough |
| KR20010055094A (ko) * | 1999-12-09 | 2001-07-02 | 조덕수 | 단말기용 고출력 하이브리드 증폭기 모듈 및 그 제조 방법 |
| JP2013531389A (ja) * | 2010-07-16 | 2013-08-01 | エンブレーション リミテッド | サーマルインターフェースをとるための装置及び方法 |
| US9054659B2 (en) | 2010-07-16 | 2015-06-09 | Emblation Limited | Apparatus and method for thermal interfacing |
| JP2017093123A (ja) * | 2015-11-09 | 2017-05-25 | 住友電気工業株式会社 | 無線電力受電装置 |
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