JPH0429843A - 磁性積層体 - Google Patents
磁性積層体Info
- Publication number
- JPH0429843A JPH0429843A JP2136753A JP13675390A JPH0429843A JP H0429843 A JPH0429843 A JP H0429843A JP 2136753 A JP2136753 A JP 2136753A JP 13675390 A JP13675390 A JP 13675390A JP H0429843 A JPH0429843 A JP H0429843A
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- Japan
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- film
- magnetic
- alloy
- laminate
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- Pending
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- Laminated Bodies (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は磁性積層体に係り、特にカー効果を利用した光
磁気記録媒体に関する。
磁気記録媒体に関する。
［従来の技術］
磁性膜を取着したため照射した光の反射角が変化する性
質を備えた積層体は、光磁気記録媒体、光磁気アイソレ
ータ、特定波長磁気フィルター光磁気スイッチ素子等に
用いられている。このうち光磁気記録媒体は、レーザ光
等のエネルギービームを記録層に照射することにより情
報の記録を行ったり再生したり、また記録の書換えがで
きるものであって、コンパクトディスク（ＣＤ）やＣＤ
−ＲＯＭ等がある。これらの光磁気記録媒体の記録層は
膜面に対して垂直な方向に一軸磁気異方性を有する光磁
気記録媒体や非結晶−結晶の相変化を生じる相変化記録
媒体等から成るものが開発されている。
質を備えた積層体は、光磁気記録媒体、光磁気アイソレ
ータ、特定波長磁気フィルター光磁気スイッチ素子等に
用いられている。このうち光磁気記録媒体は、レーザ光
等のエネルギービームを記録層に照射することにより情
報の記録を行ったり再生したり、また記録の書換えがで
きるものであって、コンパクトディスク（ＣＤ）やＣＤ
−ＲＯＭ等がある。これらの光磁気記録媒体の記録層は
膜面に対して垂直な方向に一軸磁気異方性を有する光磁
気記録媒体や非結晶−結晶の相変化を生じる相変化記録
媒体等から成るものが開発されている。
光磁気記録媒体は膜面に垂直な方向に磁化容易性のある
磁性薄膜（垂直磁化膜）が用いられ、光ビームによって
任意の位置に反転磁区を作ることによりそれらの磁化の
向きに対応して“１”“′０”の２情報が記録される。
磁性薄膜（垂直磁化膜）が用いられ、光ビームによって
任意の位置に反転磁区を作ることによりそれらの磁化の
向きに対応して“１”“′０”の２情報が記録される。
一方、このように記録された情報の読み出しは反転磁区
に対応した情報にレーザ光を照射するとファラデー効果
や力効果により透過光もしくは反射光の偏光面が回転す
ることを利用しているが、情報再生装置のコンパクト化
を図るためカー効果を利用した反射光の偏光面の回転角
（カー回転角）を検出して再生を行っている。カー効果
を利用した再生においては再生読み出しエラーを少なく
するためカー回転角（θＫ）を増大させるための種々の
試みがなされている。
に対応した情報にレーザ光を照射するとファラデー効果
や力効果により透過光もしくは反射光の偏光面が回転す
ることを利用しているが、情報再生装置のコンパクト化
を図るためカー効果を利用した反射光の偏光面の回転角
（カー回転角）を検出して再生を行っている。カー効果
を利用した再生においては再生読み出しエラーを少なく
するためカー回転角（θＫ）を増大させるための種々の
試みがなされている。
カー回転角（θＫ）の大きな光磁気記録媒体としては、
結晶粒界がないため媒体ノイズが小さく、大面積膜作製
が容易なことから、現在では希土類−遷移金属系非晶質
薄膜が主流となっている。これらの希土類−遷移金属系
非晶質薄膜としてＧｄ−Ｃｏ系、Ｔｂ−Ｆｅ系、Ｇｄ−
Ｆｅ系、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ系等種々のものが報告されて
いる。
結晶粒界がないため媒体ノイズが小さく、大面積膜作製
が容易なことから、現在では希土類−遷移金属系非晶質
薄膜が主流となっている。これらの希土類−遷移金属系
非晶質薄膜としてＧｄ−Ｃｏ系、Ｔｂ−Ｆｅ系、Ｇｄ−
Ｆｅ系、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ系等種々のものが報告されて
いる。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、これらの非晶質薄膜は経時変化が大きく熱安定
性や、耐食性等に問題があり寿命も短かかった。また、
これらの希土類−遷移金属系非品薄膜では記録のために
照射されるビームが６３３ｎｍや７９９ｎｍ等の長波長
のもので行なうため、記錫層の記録密度は粗くなってし
まった。
性や、耐食性等に問題があり寿命も短かかった。また、
これらの希土類−遷移金属系非品薄膜では記録のために
照射されるビームが６３３ｎｍや７９９ｎｍ等の長波長
のもので行なうため、記錫層の記録密度は粗くなってし
まった。
ところで、ＣｕＳＡｇ、Ａｕのうちの１つの元素の単体
膜と、ＦｅあるいはＣｏから成る薄膜との積層体は積層
体を構成するＣｕＸＡｇあるいはＡｕそれぞれの単体の
光吸収端において（Ｃｕは５６０ｎｍＳＡｇは３１０ｎ
ｍ、Ａｕは５００ ｎｍ）、θＫが最大値をとることが
見出されたことが報告されている（■に、 ５ａｔｏＳ
Ｈ，ＫｉｄａＳＴ、 Ｋａｔａｙａｍａ：Ｊｐｎ、 Ｊ
、 Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、、 ２７ （１９８８）
Ｌ２３７；■Ｔ。
膜と、ＦｅあるいはＣｏから成る薄膜との積層体は積層
体を構成するＣｕＸＡｇあるいはＡｕそれぞれの単体の
光吸収端において（Ｃｕは５６０ｎｍＳＡｇは３１０ｎ
ｍ、Ａｕは５００ ｎｍ）、θＫが最大値をとることが
見出されたことが報告されている（■に、 ５ａｔｏＳ
Ｈ，ＫｉｄａＳＴ、 Ｋａｔａｙａｍａ：Ｊｐｎ、 Ｊ
、 Ａｐｐｌ、 Ｐｈｙｓ、、 ２７ （１９８８）
Ｌ２３７；■Ｔ。
Ｋａｔａｙａｍａ、 Ｈ，Ａｗａｎｏ、ｅｔ、ａｌ、：
Ｐｈｙｓ、 Ｒｅｖ、 Ｌｅｔ、。
Ｐｈｙｓ、 Ｒｅｖ、 Ｌｅｔ、。
６６、（１９８８） １４２６）。つまりこれらの報告
によれば、第５図に示すようにＡｇ単体の膜厚８３人、
３４人、９人の各単体膜と、ｃｏの膜厚２５人、１４人
、４人の各薄膜との積層体（表面がＣｏ）のθには、Ａ
ｇの光吸収端３１０ｎｍでＣＯ単体膜よりもエンハンス
されたθにの最大値をとる。また第６図に示すようにＣ
ｕの単体の膜厚１１３人、１７１人、２４５人の各単体
膜とＦｅの膜厚７０人、１０８人、１５０人各薄膜との
積層体（表面がＣＵ及びＦｅのそれぞれの場合における
）のθには、Ｃｕの光吸収端５６０ｎｍでＦｅ単体膜よ
りもエンハンスされたθにの最大値をとる。
によれば、第５図に示すようにＡｇ単体の膜厚８３人、
３４人、９人の各単体膜と、ｃｏの膜厚２５人、１４人
、４人の各薄膜との積層体（表面がＣｏ）のθには、Ａ
ｇの光吸収端３１０ｎｍでＣＯ単体膜よりもエンハンス
されたθにの最大値をとる。また第６図に示すようにＣ
ｕの単体の膜厚１１３人、１７１人、２４５人の各単体
膜とＦｅの膜厚７０人、１０８人、１５０人各薄膜との
積層体（表面がＣＵ及びＦｅのそれぞれの場合における
）のθには、Ｃｕの光吸収端５６０ｎｍでＦｅ単体膜よ
りもエンハンスされたθにの最大値をとる。
しかし、この報告の限りにおいては、Ｃｕ。
ＡｇあるいはＡｕの単体膜とＦｅ、、Ｃｏ薄膜の積層体
のθには、従来の希土類−遷移金属系非晶質薄膜のもの
より短波長でエンハンスされたピーク値をとるが、この
ような単体膜では構成体ＣｕｌＡｇあるいはＡｕの光吸
収端の波長付近のみでエンハンスされたピークである最
大値をとり、最大値をとるのは構成体Ｃｕ、Ａｇあるい
はＡｕの光吸収端の波長付近１カ所に限定されてしまう
。
のθには、従来の希土類−遷移金属系非晶質薄膜のもの
より短波長でエンハンスされたピーク値をとるが、この
ような単体膜では構成体ＣｕｌＡｇあるいはＡｕの光吸
収端の波長付近のみでエンハンスされたピークである最
大値をとり、最大値をとるのは構成体Ｃｕ、Ａｇあるい
はＡｕの光吸収端の波長付近１カ所に限定されてしまう
。
本発明は、上記欠点を解消するためになされたものであ
って、θＫが可視光領域において、エンハンスされ、し
かも３１０〜５６０ｎｍの任意の波長で最大値をとるこ
とができる磁性積層体を提供することを目的とする。
って、θＫが可視光領域において、エンハンスされ、し
かも３１０〜５６０ｎｍの任意の波長で最大値をとるこ
とができる磁性積層体を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
上記の目的を達成するため本発明の磁性積層体は、Ｃｕ
及びＡｇを含む薄膜と、磁性膜とを積層して成るもので
ある。
及びＡｇを含む薄膜と、磁性膜とを積層して成るもので
ある。
そして前記薄膜はＣｕ １−ｘＡ ｇ、で表わした時０
〈Ｘく１で示される組成であってもよい。
〈Ｘく１で示される組成であってもよい。
また、前記磁性膜は希土類及び／または遷移金属を含む
薄膜から成るものであってよい。
薄膜から成るものであってよい。
前記の本発明の磁性積層体は例えば光磁気記録媒体とし
て好ましく用いることができる。
て好ましく用いることができる。
光磁気記録□媒体として用いられ場合に好ましい本発明
の磁性積層体はＣｕと、Ａｇとの合金膜或いは、Ｃｕ化
合物または合金及びＡｇ化合物または合金を含む薄膜と
、Ｆｅ５Ｃｏ等から成る遷移金属や希土類等から成る磁
性膜との積層体から成り、この積層体をさらに多重させ
た積層体であっても良い。Ｃｕ、Ａｇの合金膜の組成は
Ｃｕｌ−ｘＡｇ８で表した場合０＜ｘ＜１で示される。
の磁性積層体はＣｕと、Ａｇとの合金膜或いは、Ｃｕ化
合物または合金及びＡｇ化合物または合金を含む薄膜と
、Ｆｅ５Ｃｏ等から成る遷移金属や希土類等から成る磁
性膜との積層体から成り、この積層体をさらに多重させ
た積層体であっても良い。Ｃｕ、Ａｇの合金膜の組成は
Ｃｕｌ−ｘＡｇ８で表した場合０＜ｘ＜１で示される。
またＣｕ化合物及びＡｇ化合物を含む薄膜としては、Ｃ
ｕ合金またはＣｕ化合物としてＰｄ５Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕ
、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｍｎ。
ｕ合金またはＣｕ化合物としてＰｄ５Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕ
、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｍｎ。
ＡＩ、Ｇａ、Ｉｎ、５ｂＳＳｎ、Ｂｉ、Ｎｂ、ＯｌＰ、
Ｓ等とＣｕとの化合物または合金と、Ａｇ合金または化
合物としてＰｄ５Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕ。
Ｓ等とＣｕとの化合物または合金と、Ａｇ合金または化
合物としてＰｄ５Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕ。
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｍｎ、ＡＩ、Ｇａ、Ｉｎ、５
ｂＸＳｎ、Ｂ １ＳＮｂ、Ｏ，Ｐ、Ｓ等とＡｇとの化合
物または合金とがＣｕ、Ａｇの原子数の組成比でＣｕ
、−ｘ Ａ ｇ ｘ （但しＯ＜ｘ＜１）で含まれるも
のである。 本発明のＣｕ、Ａｇの合金膜は通常のスパ
ッタ法、あるいは蒸着法で容易に製造することができる
。即ち、所望のＣｕ、Ａｇの組成比が得られるよう組成
比に相応する面積比でＣｕ及びＡｇを配置した複合ター
ゲットを用いてマグネトロンスパッタ法や一２０Ｖ〜−
１５０Ｖの負バイヤス電圧をかけたバイアススパッタ法
あるいはＲＦスパッタ法でスパッタしたり、電子ビーム
蒸着等で合金膜を製造することができる。
ｂＸＳｎ、Ｂ １ＳＮｂ、Ｏ，Ｐ、Ｓ等とＡｇとの化合
物または合金とがＣｕ、Ａｇの原子数の組成比でＣｕ
、−ｘ Ａ ｇ ｘ （但しＯ＜ｘ＜１）で含まれるも
のである。 本発明のＣｕ、Ａｇの合金膜は通常のスパ
ッタ法、あるいは蒸着法で容易に製造することができる
。即ち、所望のＣｕ、Ａｇの組成比が得られるよう組成
比に相応する面積比でＣｕ及びＡｇを配置した複合ター
ゲットを用いてマグネトロンスパッタ法や一２０Ｖ〜−
１５０Ｖの負バイヤス電圧をかけたバイアススパッタ法
あるいはＲＦスパッタ法でスパッタしたり、電子ビーム
蒸着等で合金膜を製造することができる。
得られた合金膜の格子定数は第１図に示すようにＣｕ（
あるいはＡｇ）の原子数パーセントをパラメータとして
Ｃｕ単体の３６２人からＡｇ単体の４．０９人まで連続
的に変化する。第２図に示すように、ＣｕＡｇ合金膜の
θにのピークはこの格子定数に非常によく対応してＣｕ
（あるいはＡｇ）の原子数パーセントをパラメータとし
てＡｇ単体の光吸収端の３１０ｎｍからＣｕ単体の光吸
収端５６０ｎｍまで連続的に変化させることができる。
あるいはＡｇ）の原子数パーセントをパラメータとして
Ｃｕ単体の３６２人からＡｇ単体の４．０９人まで連続
的に変化する。第２図に示すように、ＣｕＡｇ合金膜の
θにのピークはこの格子定数に非常によく対応してＣｕ
（あるいはＡｇ）の原子数パーセントをパラメータとし
てＡｇ単体の光吸収端の３１０ｎｍからＣｕ単体の光吸
収端５６０ｎｍまで連続的に変化させることができる。
このようなＣｕ−Ａｇ合金膜をＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉの単体
膜や、あるいはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉの少なくとも一種類と
Ｓｃ、Ｔｉ、ＶＳＣｒ、Ｍｎ等の遷移金属やＹやＬａ５
Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ。
膜や、あるいはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉの少なくとも一種類と
Ｓｃ、Ｔｉ、ＶＳＣｒ、Ｍｎ等の遷移金属やＹやＬａ５
Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ。
Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙ
ｂ５Ｌｕ等のランタン系列元素や、Ａｃ。
ｂ５Ｌｕ等のランタン系列元素や、Ａｃ。
Ｔｈ、Ｐａ、Ｕ、Ｎｐ、Ｐｕ、ＡｍＳＣｍ、Ｂｋ。
Ｃｆ５Ｅｓ、ＦｍＳＭｄ、Ｎｏ等のアクチニウム系列元
素等の希土類等の金属の種々の組成比の合金膜から成る
薄膜との積層体とすることでθにの大きい垂直磁気異方
性エネルギーの大きい積層体を得ることができる。
素等の希土類等の金属の種々の組成比の合金膜から成る
薄膜との積層体とすることでθにの大きい垂直磁気異方
性エネルギーの大きい積層体を得ることができる。
第３図に示すように、Ｃｕ、−８Ａｇ、の合金膜とＦｅ
の薄膜から成る薄膜の垂直磁気異方性エネルギーＫｕは
膜厚の薄い部分では正となるが、２０Å以上で負となる
。このような積層体は光磁気素子として好適に用いるこ
とができる。そしてこの積層体を１単位とし、この積層
体を多重層積層することにより所望の波長のビームによ
り大きなθにのエンハンスピークを有する光磁気記録媒
体を得ることができ、短波長領域で密度を高く記録する
ことができる。
の薄膜から成る薄膜の垂直磁気異方性エネルギーＫｕは
膜厚の薄い部分では正となるが、２０Å以上で負となる
。このような積層体は光磁気素子として好適に用いるこ
とができる。そしてこの積層体を１単位とし、この積層
体を多重層積層することにより所望の波長のビームによ
り大きなθにのエンハンスピークを有する光磁気記録媒
体を得ることができ、短波長領域で密度を高く記録する
ことができる。
また、本発明のＣｕ化合物とＡｇ化合物とから成る薄膜
は上記合金膜の項で示した遷移金属や希土類から成る薄
膜に反応性スパッタ、反応性蒸着等の方法により積層さ
れ、Ｃｕ、Ａｇの原子数比がＣｕｔ−ｘＡｇｘ（但しＯ
＜ｘ＜１）で示される所望の組成比になるよう積層体と
して形成される。
は上記合金膜の項で示した遷移金属や希土類から成る薄
膜に反応性スパッタ、反応性蒸着等の方法により積層さ
れ、Ｃｕ、Ａｇの原子数比がＣｕｔ−ｘＡｇｘ（但しＯ
＜ｘ＜１）で示される所望の組成比になるよう積層体と
して形成される。
本発明の磁性積層体は、上記の光磁気記録媒体に限定さ
れず、光磁気アイソレータ、特定波長磁気フィルター、
光磁気スイッチ素子等に適用できる。
れず、光磁気アイソレータ、特定波長磁気フィルター、
光磁気スイッチ素子等に適用できる。
［実施例］
ＣｕとＡｇの面積比１／２複合ターゲットを用いて基板
上に蒸着によりＣｕＡｇの１：１の原子数比（Ｃｕｏ、
ｓＡｇｏ、ｓ）の膜厚２５０人の合金膜を形成した。こ
の合金膜に膜厚１５０人のＦｅ膜を積層した。この積層
体は第４図に示すように４４０ｎｍ付近の波長のビーム
でθに最大値を取った。
上に蒸着によりＣｕＡｇの１：１の原子数比（Ｃｕｏ、
ｓＡｇｏ、ｓ）の膜厚２５０人の合金膜を形成した。こ
の合金膜に膜厚１５０人のＦｅ膜を積層した。この積層
体は第４図に示すように４４０ｎｍ付近の波長のビーム
でθに最大値を取った。
また、上記実施例では合金膜とＦｅ膜との積層体につい
て述べたが、Ｃｏ膜との積層体であってもまたＴｂＣｏ
、ＴｂＦｅ、ＦｅＣｏ。
て述べたが、Ｃｏ膜との積層体であってもまたＴｂＣｏ
、ＴｂＦｅ、ＦｅＣｏ。
ＴｂＦｅＣｏ等から成る薄膜との積層体であっても好適
な光磁気記録媒体を得ることができる。
な光磁気記録媒体を得ることができる。
［発明の効果］
以上の説明からも明らかなように、本発明の磁性積層体
は、Ｃｕ 、−、Ａ ｇ、で表わされる組成式のうちＯ
＜ｘ＜１で示されるようにＣｕとＡｇの組成を変化させ
ることによりカー回転角のピークをＡｇの光吸収端３１
０ｎｍからＣｕの光吸収端５６０ｎｍに連続的に変化さ
せることができる。そのため、所望の波長の光ビームに
応じたカー回転角のピークを有する磁性体が得られる。
は、Ｃｕ 、−、Ａ ｇ、で表わされる組成式のうちＯ
＜ｘ＜１で示されるようにＣｕとＡｇの組成を変化させ
ることによりカー回転角のピークをＡｇの光吸収端３１
０ｎｍからＣｕの光吸収端５６０ｎｍに連続的に変化さ
せることができる。そのため、所望の波長の光ビームに
応じたカー回転角のピークを有する磁性体が得られる。
しかもカー回転角のピークは組成を選択することで短波
長側に移行させることができので密度の高い光磁気記録
媒体性を製造することができ、これらを用いた機器のコ
ンパクト化を図ることができる。
長側に移行させることができので密度の高い光磁気記録
媒体性を製造することができ、これらを用いた機器のコ
ンパクト化を図ることができる。
第１図、第２図、第３図及び第４図は本発明の磁性積層
体の一実施例に係るＣｕ、−１Ａｇ、合金膜の性質を示
す図、第５図及び第６図は従来例を示す図である。
体の一実施例に係るＣｕ、−１Ａｇ、合金膜の性質を示
す図、第５図及び第６図は従来例を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ｃｕ及びＡｇを含む薄膜と、磁性膜とを積層して成
ることを特徴とする磁性積層体。２、前記薄膜はＣｕ＿
１＿−＿ｘＡｇ＿ｘで表わした時０＜ｘ＜１で示される
組成であることを特徴とする第１項記載の磁性積層体。 ３、前記磁性膜は希土類及び／または遷移金属を含む薄
膜から成ることを特徴とする磁性積層体。 ４、前記磁性積層体が光磁気記録媒体であることを特徴
とする第１項、第２項または第３項記載の磁性積層体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2136753A JPH0429843A (ja) | 1990-05-25 | 1990-05-25 | 磁性積層体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2136753A JPH0429843A (ja) | 1990-05-25 | 1990-05-25 | 磁性積層体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0429843A true JPH0429843A (ja) | 1992-01-31 |
Family
ID=15182698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2136753A Pending JPH0429843A (ja) | 1990-05-25 | 1990-05-25 | 磁性積層体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0429843A (ja) |
-
1990
- 1990-05-25 JP JP2136753A patent/JPH0429843A/ja active Pending
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