JPH04299561A - Lead frame and semiconductor device using the same - Google Patents

Lead frame and semiconductor device using the same

Info

Publication number
JPH04299561A
JPH04299561A JP3063553A JP6355391A JPH04299561A JP H04299561 A JPH04299561 A JP H04299561A JP 3063553 A JP3063553 A JP 3063553A JP 6355391 A JP6355391 A JP 6355391A JP H04299561 A JPH04299561 A JP H04299561A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor chip
die pad
lead frame
semiconductor device
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP3063553A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2628412B2 (en
Inventor
Shigeaki Kubota
久保田 恵彬
Keiichi Tsujimoto
圭一 辻本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui High Tec Inc
Original Assignee
Mitsui High Tec Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsui High Tec Inc filed Critical Mitsui High Tec Inc
Priority to JP3063553A priority Critical patent/JP2628412B2/en
Publication of JPH04299561A publication Critical patent/JPH04299561A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2628412B2 publication Critical patent/JP2628412B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Die Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To obtain a semiconductor device of high reliability wherein the generation of chip cracks is reduced in the case of a large-sized semiconductor chip, and manufacture is facilitated. CONSTITUTION:An aperture is formed in the central part of a die pad 11 of a lead frame, and a semiconductor chip is retained only by the peripheral part. In the title semiconductor device, an aperture is formed in the central part, and the semiconductor chip is retained only by the peripheral part, thereby reducing the contact area of the semiconductor chip and the die pad 11.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームおよび
これを用いた半導体装置に係り、特に半導体チップを支
持するダイパッドの構造に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lead frame and a semiconductor device using the lead frame, and more particularly to the structure of a die pad that supports a semiconductor chip.

【0002】0002

【従来の技術】近年、半導体装置の分野では、パッケー
ジサイズの小形化と薄形化が進められてきている。一方
、半導体装置の高機能化への要求に応じて高集積化は進
む一方であり、半導体チップも大形化の傾向にある。 このような状況の中で、ダイパッドの面積に占める半導
体チップの面積は大きくなってきており、また、パッケ
ージサイズに対するダイパッドのサイズも大きくなって
いる。
2. Description of the Related Art In recent years, in the field of semiconductor devices, the size and thickness of packages have been reduced. On the other hand, in response to the demand for higher functionality of semiconductor devices, higher integration is progressing, and semiconductor chips are also becoming larger. Under these circumstances, the area of the semiconductor chip relative to the area of the die pad is increasing, and the size of the die pad relative to the package size is also increasing.

【0003】ところで、従来から樹脂封止型半導体装置
の問題点として、ダイパッドと半導体チップの熱膨張率
の違いに因って生じる半導体チップの割れ(チップクラ
ック)が生じたり、パッケージの反りによるアウターリ
ードのコープラナリティ(平坦性)が悪くなり、外部回
路との接続に際し、接続不良を生じるというような問題
があった。
By the way, conventional problems with resin-sealed semiconductor devices include cracks in the semiconductor chip (chip cracks) caused by the difference in coefficient of thermal expansion between the die pad and the semiconductor chip, and the warpage of the outer package due to warping of the package. There has been a problem in that the coplanarity (flatness) of the leads deteriorates, resulting in poor connection when connecting to an external circuit.

【0004】このような問題は、上述したようなパッケ
ージサイズに対するダイパッドサイズの増大に伴い、益
々深刻な問題となっている。
[0004] Such problems have become increasingly serious as the die pad size increases relative to the package size as described above.

【0005】この問題を解決するため、図5に示すよう
に、ダイパッド11の裏面側に凹部や長溝(スリット)
を形成してモールド樹脂19とダイパッドとの密着性を
高め、ダイパッドの熱膨張を周りの樹脂で強制的に拘束
する方法、あるいは、半導体装置の組み立て工程におけ
るモールド時間やモールド後のキュア時間の調整など、
極めて厳密な製造環境管理が行われている。
In order to solve this problem, as shown in FIG.
to improve the adhesion between the mold resin 19 and the die pad, and forcibly restrain the thermal expansion of the die pad with the surrounding resin, or adjust the mold time and post-mold curing time in the semiconductor device assembly process. Such,
Extremely strict manufacturing environment management is in place.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の方法ではリードフレームの成型工程が複雑となったり
、熱膨張を強制的に拘束しているため、発生するストレ
スにより信頼性が低下するという問題があった。また、
製造環境管理設備を充実させなければならないという問
題もあった。
[Problems to be Solved by the Invention] However, these methods have the problem that the molding process of the lead frame is complicated and that thermal expansion is forcibly restrained, resulting in reduced reliability due to the stress generated. there were. Also,
Another issue was the need to improve manufacturing environment control equipment.

【0007】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもの
で、半導体チップの大型化に際しても、チップクラック
の発生を低減し、製造が容易で信頼性の高い半導体装置
を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and an object of the present invention is to provide a semiconductor device that is easy to manufacture and highly reliable, reducing the occurrence of chip cracks even when semiconductor chips are increased in size. do.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】そこで本発明では、リー
ドフレームのダイパッドの中央部に開口を設け、半導体
チップを周縁部のみで支持するようにしている。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, in the present invention, an opening is provided in the center of the die pad of a lead frame so that the semiconductor chip is supported only at the peripheral edge.

【0009】望ましくは、ダイパッドの半導体チップ搭
載領域を肉薄領域とし、半導体チップの周縁に沿って段
差を形成する。
Preferably, the semiconductor chip mounting area of the die pad is a thin area, and a step is formed along the periphery of the semiconductor chip.

【0010】さらに望ましくは、段差はテーパ状をなす
ように構成する。
[0010] More preferably, the step is configured to have a tapered shape.

【0011】また本発明の半導体装置では、リードフレ
ームのダイパッドの中央部に開口を設け、周縁部のみで
半導体チップを支持するようにし、半導体チップとダイ
パッドとの接触面積を低減するようにしている。
Further, in the semiconductor device of the present invention, an opening is provided in the center of the die pad of the lead frame so that the semiconductor chip is supported only at the peripheral edge, thereby reducing the contact area between the semiconductor chip and the die pad. .

【0012】0012

【作用】上記構成によれば、ダイパッドの中央部に開口
を設け、半導体チップを周縁部のみで支持するようにし
ているため、半導体チップとダイパッドとの接触面積が
極めて小さいため、チップクラックの発生もなく、信頼
性の高い半導体装置を得ることができる。
[Function] According to the above structure, an opening is provided in the center of the die pad and the semiconductor chip is supported only at the peripheral edge, so the contact area between the semiconductor chip and the die pad is extremely small, resulting in chip cracking. Therefore, a highly reliable semiconductor device can be obtained.

【0013】ダイパッド表面が、半導体チップの周縁に
沿って段差をなすように構成すれば、この段差がストッ
パとなり半導体チップの位置ずれを防止することができ
る。
If the die pad surface is configured to have a step along the periphery of the semiconductor chip, this step will act as a stopper and can prevent the semiconductor chip from shifting.

【0014】さらにまたこの段差をテーパ状に形成すれ
ば、ダイボンディングに際して位置決めが容易となる。
Furthermore, if the step is formed into a tapered shape, positioning during die bonding becomes easier.

【0015】[0015]

【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
しつつ詳細に説明する。
Embodiments Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【0016】本発明実施例のリ―ドフレ―ムは、図1(
a) および(b) に示す如く、ダイパッド11を中
央に開口部Hを有するリング状体で構成したことを特徴
とするものである。図1(b) は図1(a) の要部
斜視図である。
The lead frame of the embodiment of the present invention is shown in FIG.
As shown in (a) and (b), the die pad 11 is characterized by being constructed as a ring-shaped body having an opening H in the center. FIG. 1(b) is a perspective view of the main part of FIG. 1(a).

【0017】すなわち、このリードフレームは、ダイパ
ッド11のまわりにインナーリード12が放射状に配列
され、タイバー13で一体的に連結されると共に、各イ
ンナーリードにアウターリード14が連設されて、サイ
ドバー15,16によって先端を支持せしめられている
。ここで17はダイパッドを支持するためのサポートバ
ーである。
That is, in this lead frame, inner leads 12 are arranged radially around a die pad 11 and are integrally connected by tie bars 13, and an outer lead 14 is connected to each inner lead to form a side bar. The tip is supported by 15 and 16. Here, 17 is a support bar for supporting the die pad.

【0018】このリ―ドフレ―ムのダイパッド11上に
半導体チップ1を接続し、ワイヤ18を用いて半導体チ
ップとインナーリードとを接続するワイヤボンディング
工程を経て樹脂封止を行い、サイドバー15,16を切
除し、面実装用にアウターリードを折り曲げ、図2に断
面図を示すように、半導体装置が完成する。19は封止
樹脂である。
The semiconductor chip 1 is connected onto the die pad 11 of this lead frame, and resin sealing is performed through a wire bonding process in which the semiconductor chip and the inner leads are connected using wires 18, and the side bars 15, 16 is removed and the outer leads are bent for surface mounting, and the semiconductor device is completed as shown in the cross-sectional view of FIG. 19 is a sealing resin.

【0019】なお、ダイパッド11上への半導体チップ
1の接続は、通常のシリンジ法や印刷法などで形成した
導電性接着剤を介してなされる。
Note that the semiconductor chip 1 is connected to the die pad 11 through a conductive adhesive formed by a conventional syringe method, printing method, or the like.

【0020】このリードフレームによれば、モールド工
程やモールド後のキュア工程はいうまでもなく、使用に
際しての加熱によっても、チップクラックが発生したり
することはなく、信頼性の高い半導体装置を得ることが
できる。
According to this lead frame, chip cracks do not occur even during the molding process and post-molding curing process, as well as during heating during use, and a highly reliable semiconductor device can be obtained. be able to.

【0021】また、半導体チップの表面および裏面のほ
とんどの領域がモールド樹脂と接触しているため、表面
と裏面とでの熱膨張率収縮率の違いがなくなり、チップ
クラック、パッケージクラックやパッケージの反り等は
大幅に低減される。
Furthermore, since most of the front and back surfaces of the semiconductor chip are in contact with the molding resin, there is no difference in coefficient of thermal expansion and contraction between the front and back surfaces, which prevents chip cracks, package cracks, and package warping. etc. are significantly reduced.

【0022】さらに、このリードフレームは実装用基板
の配線パターン上に位置決めを行い、実装用基板側を加
熱することにより固着されるが、アウターリードの反り
がなくなるため、配線基板との接触不良もなく良好な実
装を行うことができる。
Furthermore, this lead frame is positioned on the wiring pattern of the mounting board and fixed by heating the mounting board side, but since there is no warping of the outer leads, there is no possibility of poor contact with the wiring board. It is possible to perform a good implementation without any problems.

【0023】このようにして、高集積化がなされた大型
の半導体チップを用いた半導体装置も、何等特別の製造
設備を必要とすることなく、極めて容易に信頼性よく実
装することが可能である。
[0023] In this way, it is possible to extremely easily and reliably mount a semiconductor device using a large, highly integrated semiconductor chip without requiring any special manufacturing equipment. .

【0024】なお、リードフレーム素材としては、アロ
イ42に限定されることなく、銅等他の材料を用いるよ
うにしてもよい。
Note that the lead frame material is not limited to the alloy 42, and other materials such as copper may be used.

【0025】また、前記実施例では、ダイパッド11は
インナーリード等のリード部と一体的に形成したが、同
一素材または別素材で厚さの異なるものを用いるなど、
別に形成し、接続するようにしてもよい。この場合例え
ばダイパッドをモールド樹脂に近い熱膨張率を有する樹
脂で形成するようにしてもよく、これによりさらなる信
頼性の向上をはかることができる。さらに、チップサイ
ズに応じてダイパッドのみを複数種用意し組み合わせる
ようにしてもよい。さらにまた、前記実施例では、ダイ
パッドを半導体チップの周縁部全体で支持するようにリ
ング状体としたが、必ずしも半導体チップの周縁部全体
で支持する必要はなく、周縁部の3点または4点で支持
するなど、一部を支持するようにしても良い。
Further, in the above embodiment, the die pad 11 is formed integrally with the lead portion such as the inner lead, but it may be possible to use the same material or different materials with different thicknesses, etc.
They may be formed separately and connected. In this case, for example, the die pad may be formed of a resin having a coefficient of thermal expansion close to that of the molding resin, thereby further improving reliability. Furthermore, a plurality of types of die pads may be prepared and combined depending on the chip size. Furthermore, in the above embodiment, the die pad is formed into a ring-shaped body so as to be supported by the entire periphery of the semiconductor chip, but it is not necessarily necessary to support the die pad by the entire periphery of the semiconductor chip, but at three or four points on the periphery. It is also possible to support a part of it, such as by supporting it.

【0026】さらにまた、図3に示すように、ダイパッ
ド11の半導体チップの周縁に沿って段差を形成し、半
導体チップの搭載領域は肉薄領域11sとなるようにし
てもよい。
Furthermore, as shown in FIG. 3, a step may be formed along the periphery of the semiconductor chip on the die pad 11 so that the semiconductor chip mounting area becomes a thin area 11s.

【0027】これにより、半導体チップの位置ずれを防
止することができる。
[0027] This makes it possible to prevent the semiconductor chip from being misaligned.

【0028】また、図4に示すようにこのダイパッドの
段差をテーパ状に形成するようにすれば、半導体チップ
の位置決めを容易にすることができる。
Furthermore, if the step of the die pad is formed in a tapered shape as shown in FIG. 4, the positioning of the semiconductor chip can be facilitated.

【0029】[0029]

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、ダイパッドの中央部に開口を設け、半導体チップを
周縁部のみで支持するようにしているため、半導体チッ
プとダイパッドとの接触面積が極めて小さいため、チッ
プクラックの発生もなく、信頼性の高い半導体装置を得
ることができる。
As explained above, according to the present invention, since the opening is provided in the center of the die pad and the semiconductor chip is supported only at the peripheral edge, the contact area between the semiconductor chip and the die pad is reduced. Since it is extremely small, a highly reliable semiconductor device can be obtained without chip cracking.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

【図1】本発明実施例のリードフレームを示す図[Fig. 1] A diagram showing a lead frame according to an embodiment of the present invention.

【図2
】本発明実施例のリードフレームを用いた半導体装置を
示す図
[Figure 2
] A diagram showing a semiconductor device using a lead frame according to an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の他の実施例のリードフレームを用いた
半導体装置を示す図
FIG. 3 is a diagram showing a semiconductor device using a lead frame according to another embodiment of the present invention.

【図4】本発明の他の実施例のリードフレームを用いた
半導体装置を示す図
FIG. 4 is a diagram showing a semiconductor device using a lead frame according to another embodiment of the present invention.

【図5】従来例のリードフレームを用いた半導体装置を
示す図
[Fig. 5] A diagram showing a semiconductor device using a conventional lead frame.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11  ダイパッド 12  インナーリード 13  タイバー 14  アウターリード 15  サイドバー 16  サイドバー 17  サポートバー 11 Die pad 12 Inner lead 13 Tie bar 14 Outer lead 15 Sidebar 16 Sidebar 17 Support bar

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  半導体チップを支持するためのダイパ
ッドと、前記ダイパッドの周辺から伸長する複数のイン
ナーリードを具備してなるリードフレームにおいて、前
記ダイパッドは、中央に開口部を有するリング状体から
なり前記半導体チップを周縁部で支持するように構成さ
れていることを特徴とするリードフレーム。
1. A lead frame comprising a die pad for supporting a semiconductor chip and a plurality of inner leads extending from the periphery of the die pad, wherein the die pad is formed of a ring-shaped body having an opening in the center. A lead frame configured to support the semiconductor chip at a peripheral portion.
【請求項2】  前記ダイパッドの前記半導体チップ搭
載領域は肉薄領域であり前記半導体チップの周縁に沿っ
て段差が形成されていることを特徴とする請求項(1)
 記載のリードフレーム。
2. Claim (1), wherein the semiconductor chip mounting area of the die pad is a thin area, and a step is formed along a periphery of the semiconductor chip.
Lead frame listed.
【請求項3】  前記段差はテーパ状をなすように構成
されていることを特徴とする請求項(1) 記載のリー
ドフレーム。
3. The lead frame according to claim 1, wherein the step is configured to have a tapered shape.
【請求項4】  ダイパッド上に半導体チップが搭載さ
れ、前記半導体チップの周りに伸長するリードを具備し
、樹脂封止のなされた半導体装置において、前記ダイパ
ッドが、中央に開口部を有するリング状体からなり、前
記半導体チップの周縁部を支持するように構成されてい
ることを特徴とする半導体装置。
4. A semiconductor device in which a semiconductor chip is mounted on a die pad, has leads extending around the semiconductor chip, and is sealed with resin, wherein the die pad is a ring-shaped body having an opening in the center. A semiconductor device comprising: a semiconductor device configured to support a peripheral portion of the semiconductor chip.
JP3063553A 1991-03-27 1991-03-27 Lead frame and semiconductor device using the same Expired - Fee Related JP2628412B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3063553A JP2628412B2 (en) 1991-03-27 1991-03-27 Lead frame and semiconductor device using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3063553A JP2628412B2 (en) 1991-03-27 1991-03-27 Lead frame and semiconductor device using the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04299561A true JPH04299561A (en) 1992-10-22
JP2628412B2 JP2628412B2 (en) 1997-07-09

Family

ID=13232535

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3063553A Expired - Fee Related JP2628412B2 (en) 1991-03-27 1991-03-27 Lead frame and semiconductor device using the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2628412B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009260367A (en) * 2009-06-29 2009-11-05 Renesas Technology Corp Semiconductor device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59167689A (en) * 1983-03-15 1984-09-21 川崎製鉄株式会社 Method of controlling pressure in kiln
JPH0236557A (en) * 1988-07-27 1990-02-06 Hitachi Ltd Lead frame and semiconductor device using it
JPH0294463A (en) * 1988-09-29 1990-04-05 Matsushita Electron Corp Semiconductor device
JPH02155260A (en) * 1988-12-07 1990-06-14 Mitsubishi Electric Corp Lead frame for resin sealed type semiconductor device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59167689A (en) * 1983-03-15 1984-09-21 川崎製鉄株式会社 Method of controlling pressure in kiln
JPH0236557A (en) * 1988-07-27 1990-02-06 Hitachi Ltd Lead frame and semiconductor device using it
JPH0294463A (en) * 1988-09-29 1990-04-05 Matsushita Electron Corp Semiconductor device
JPH02155260A (en) * 1988-12-07 1990-06-14 Mitsubishi Electric Corp Lead frame for resin sealed type semiconductor device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009260367A (en) * 2009-06-29 2009-11-05 Renesas Technology Corp Semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2628412B2 (en) 1997-07-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3491003B2 (en) Chip size package semiconductor
JP2602076B2 (en) Lead frame for semiconductor device
JP3619773B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JP3332516B2 (en) Thermally enhanced semiconductor device having exposed back surface and method of manufacturing the same
US6677665B2 (en) Dual-die integrated circuit package
US6642082B2 (en) Method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device
US6313519B1 (en) Support for semiconductor bond wires
JP2501953B2 (en) Semiconductor device
US10049966B2 (en) Semiconductor device and corresponding method
JPH04299561A (en) Lead frame and semiconductor device using the same
US6737737B1 (en) Semiconductor package with chip supporting member
JP3454192B2 (en) Lead frame, resin-sealed semiconductor device using the same, and method of manufacturing the same
JP4677152B2 (en) Semiconductor device
JP3013810B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device
JP2679664B2 (en) Resin-sealed semiconductor device
JPH0738036A (en) Method for manufacturing semiconductor device
KR100225237B1 (en) Semiconductor package
JP3541751B2 (en) Lead frame, resin-sealed semiconductor device using the same, and method of manufacturing the same
KR0155441B1 (en) Semiconductor package
JPS59175753A (en) Semiconductor device and lead frame
JP2008147267A (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof, and lead frame with heat sink
JPH04168759A (en) Semiconductor device, lead frame and fabrication thereof
JPH0493052A (en) Semiconductor integrated circuit device
JPH05251619A (en) Resin seal semiconductor device and manufacture thereof
JPH03255655A (en) Semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090418

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090418

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100418

Year of fee payment: 13

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees