JPH04299561A - リードフレームおよびこれを用いた半導体装置 - Google Patents
リードフレームおよびこれを用いた半導体装置Info
- Publication number
- JPH04299561A JPH04299561A JP3063553A JP6355391A JPH04299561A JP H04299561 A JPH04299561 A JP H04299561A JP 3063553 A JP3063553 A JP 3063553A JP 6355391 A JP6355391 A JP 6355391A JP H04299561 A JPH04299561 A JP H04299561A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- die pad
- lead frame
- semiconductor device
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームおよび
これを用いた半導体装置に係り、特に半導体チップを支
持するダイパッドの構造に関する。
これを用いた半導体装置に係り、特に半導体チップを支
持するダイパッドの構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の分野では、パッケー
ジサイズの小形化と薄形化が進められてきている。一方
、半導体装置の高機能化への要求に応じて高集積化は進
む一方であり、半導体チップも大形化の傾向にある。 このような状況の中で、ダイパッドの面積に占める半導
体チップの面積は大きくなってきており、また、パッケ
ージサイズに対するダイパッドのサイズも大きくなって
いる。
ジサイズの小形化と薄形化が進められてきている。一方
、半導体装置の高機能化への要求に応じて高集積化は進
む一方であり、半導体チップも大形化の傾向にある。 このような状況の中で、ダイパッドの面積に占める半導
体チップの面積は大きくなってきており、また、パッケ
ージサイズに対するダイパッドのサイズも大きくなって
いる。
【０００３】ところで、従来から樹脂封止型半導体装置
の問題点として、ダイパッドと半導体チップの熱膨張率
の違いに因って生じる半導体チップの割れ（チップクラ
ック）が生じたり、パッケージの反りによるアウターリ
ードのコープラナリティ（平坦性）が悪くなり、外部回
路との接続に際し、接続不良を生じるというような問題
があった。
の問題点として、ダイパッドと半導体チップの熱膨張率
の違いに因って生じる半導体チップの割れ（チップクラ
ック）が生じたり、パッケージの反りによるアウターリ
ードのコープラナリティ（平坦性）が悪くなり、外部回
路との接続に際し、接続不良を生じるというような問題
があった。
【０００４】このような問題は、上述したようなパッケ
ージサイズに対するダイパッドサイズの増大に伴い、益
々深刻な問題となっている。
ージサイズに対するダイパッドサイズの増大に伴い、益
々深刻な問題となっている。
【０００５】この問題を解決するため、図５に示すよう
に、ダイパッド１１の裏面側に凹部や長溝（スリット）
を形成してモールド樹脂１９とダイパッドとの密着性を
高め、ダイパッドの熱膨張を周りの樹脂で強制的に拘束
する方法、あるいは、半導体装置の組み立て工程におけ
るモールド時間やモールド後のキュア時間の調整など、
極めて厳密な製造環境管理が行われている。
に、ダイパッド１１の裏面側に凹部や長溝（スリット）
を形成してモールド樹脂１９とダイパッドとの密着性を
高め、ダイパッドの熱膨張を周りの樹脂で強制的に拘束
する方法、あるいは、半導体装置の組み立て工程におけ
るモールド時間やモールド後のキュア時間の調整など、
極めて厳密な製造環境管理が行われている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の方法ではリードフレームの成型工程が複雑となったり
、熱膨張を強制的に拘束しているため、発生するストレ
スにより信頼性が低下するという問題があった。また、
製造環境管理設備を充実させなければならないという問
題もあった。
の方法ではリードフレームの成型工程が複雑となったり
、熱膨張を強制的に拘束しているため、発生するストレ
スにより信頼性が低下するという問題があった。また、
製造環境管理設備を充実させなければならないという問
題もあった。
【０００７】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもの
で、半導体チップの大型化に際しても、チップクラック
の発生を低減し、製造が容易で信頼性の高い半導体装置
を提供することを目的とする。
で、半導体チップの大型化に際しても、チップクラック
の発生を低減し、製造が容易で信頼性の高い半導体装置
を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】そこで本発明では、リー
ドフレームのダイパッドの中央部に開口を設け、半導体
チップを周縁部のみで支持するようにしている。
ドフレームのダイパッドの中央部に開口を設け、半導体
チップを周縁部のみで支持するようにしている。
【０００９】望ましくは、ダイパッドの半導体チップ搭
載領域を肉薄領域とし、半導体チップの周縁に沿って段
差を形成する。
載領域を肉薄領域とし、半導体チップの周縁に沿って段
差を形成する。
【００１０】さらに望ましくは、段差はテーパ状をなす
ように構成する。
ように構成する。
【００１１】また本発明の半導体装置では、リードフレ
ームのダイパッドの中央部に開口を設け、周縁部のみで
半導体チップを支持するようにし、半導体チップとダイ
パッドとの接触面積を低減するようにしている。
ームのダイパッドの中央部に開口を設け、周縁部のみで
半導体チップを支持するようにし、半導体チップとダイ
パッドとの接触面積を低減するようにしている。
【００１２】
【作用】上記構成によれば、ダイパッドの中央部に開口
を設け、半導体チップを周縁部のみで支持するようにし
ているため、半導体チップとダイパッドとの接触面積が
極めて小さいため、チップクラックの発生もなく、信頼
性の高い半導体装置を得ることができる。
を設け、半導体チップを周縁部のみで支持するようにし
ているため、半導体チップとダイパッドとの接触面積が
極めて小さいため、チップクラックの発生もなく、信頼
性の高い半導体装置を得ることができる。
【００１３】ダイパッド表面が、半導体チップの周縁に
沿って段差をなすように構成すれば、この段差がストッ
パとなり半導体チップの位置ずれを防止することができ
る。
沿って段差をなすように構成すれば、この段差がストッ
パとなり半導体チップの位置ずれを防止することができ
る。
【００１４】さらにまたこの段差をテーパ状に形成すれ
ば、ダイボンディングに際して位置決めが容易となる。
ば、ダイボンディングに際して位置決めが容易となる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
しつつ詳細に説明する。
しつつ詳細に説明する。
【００１６】本発明実施例のリ―ドフレ―ムは、図１（
ａ） および（ｂ） に示す如く、ダイパッド１１を中
央に開口部Ｈを有するリング状体で構成したことを特徴
とするものである。図１（ｂ） は図１（ａ） の要部
斜視図である。
ａ） および（ｂ） に示す如く、ダイパッド１１を中
央に開口部Ｈを有するリング状体で構成したことを特徴
とするものである。図１（ｂ） は図１（ａ） の要部
斜視図である。
【００１７】すなわち、このリードフレームは、ダイパ
ッド１１のまわりにインナーリード１２が放射状に配列
され、タイバー１３で一体的に連結されると共に、各イ
ンナーリードにアウターリード１４が連設されて、サイ
ドバー１５，１６によって先端を支持せしめられている
。ここで１７はダイパッドを支持するためのサポートバ
ーである。
ッド１１のまわりにインナーリード１２が放射状に配列
され、タイバー１３で一体的に連結されると共に、各イ
ンナーリードにアウターリード１４が連設されて、サイ
ドバー１５，１６によって先端を支持せしめられている
。ここで１７はダイパッドを支持するためのサポートバ
ーである。
【００１８】このリ―ドフレ―ムのダイパッド１１上に
半導体チップ１を接続し、ワイヤ１８を用いて半導体チ
ップとインナーリードとを接続するワイヤボンディング
工程を経て樹脂封止を行い、サイドバー１５，１６を切
除し、面実装用にアウターリードを折り曲げ、図２に断
面図を示すように、半導体装置が完成する。１９は封止
樹脂である。
半導体チップ１を接続し、ワイヤ１８を用いて半導体チ
ップとインナーリードとを接続するワイヤボンディング
工程を経て樹脂封止を行い、サイドバー１５，１６を切
除し、面実装用にアウターリードを折り曲げ、図２に断
面図を示すように、半導体装置が完成する。１９は封止
樹脂である。
【００１９】なお、ダイパッド１１上への半導体チップ
１の接続は、通常のシリンジ法や印刷法などで形成した
導電性接着剤を介してなされる。
１の接続は、通常のシリンジ法や印刷法などで形成した
導電性接着剤を介してなされる。
【００２０】このリードフレームによれば、モールド工
程やモールド後のキュア工程はいうまでもなく、使用に
際しての加熱によっても、チップクラックが発生したり
することはなく、信頼性の高い半導体装置を得ることが
できる。
程やモールド後のキュア工程はいうまでもなく、使用に
際しての加熱によっても、チップクラックが発生したり
することはなく、信頼性の高い半導体装置を得ることが
できる。
【００２１】また、半導体チップの表面および裏面のほ
とんどの領域がモールド樹脂と接触しているため、表面
と裏面とでの熱膨張率収縮率の違いがなくなり、チップ
クラック、パッケージクラックやパッケージの反り等は
大幅に低減される。
とんどの領域がモールド樹脂と接触しているため、表面
と裏面とでの熱膨張率収縮率の違いがなくなり、チップ
クラック、パッケージクラックやパッケージの反り等は
大幅に低減される。
【００２２】さらに、このリードフレームは実装用基板
の配線パターン上に位置決めを行い、実装用基板側を加
熱することにより固着されるが、アウターリードの反り
がなくなるため、配線基板との接触不良もなく良好な実
装を行うことができる。
の配線パターン上に位置決めを行い、実装用基板側を加
熱することにより固着されるが、アウターリードの反り
がなくなるため、配線基板との接触不良もなく良好な実
装を行うことができる。
【００２３】このようにして、高集積化がなされた大型
の半導体チップを用いた半導体装置も、何等特別の製造
設備を必要とすることなく、極めて容易に信頼性よく実
装することが可能である。
の半導体チップを用いた半導体装置も、何等特別の製造
設備を必要とすることなく、極めて容易に信頼性よく実
装することが可能である。
【００２４】なお、リードフレーム素材としては、アロ
イ４２に限定されることなく、銅等他の材料を用いるよ
うにしてもよい。
イ４２に限定されることなく、銅等他の材料を用いるよ
うにしてもよい。
【００２５】また、前記実施例では、ダイパッド１１は
インナーリード等のリード部と一体的に形成したが、同
一素材または別素材で厚さの異なるものを用いるなど、
別に形成し、接続するようにしてもよい。この場合例え
ばダイパッドをモールド樹脂に近い熱膨張率を有する樹
脂で形成するようにしてもよく、これによりさらなる信
頼性の向上をはかることができる。さらに、チップサイ
ズに応じてダイパッドのみを複数種用意し組み合わせる
ようにしてもよい。さらにまた、前記実施例では、ダイ
パッドを半導体チップの周縁部全体で支持するようにリ
ング状体としたが、必ずしも半導体チップの周縁部全体
で支持する必要はなく、周縁部の３点または４点で支持
するなど、一部を支持するようにしても良い。
インナーリード等のリード部と一体的に形成したが、同
一素材または別素材で厚さの異なるものを用いるなど、
別に形成し、接続するようにしてもよい。この場合例え
ばダイパッドをモールド樹脂に近い熱膨張率を有する樹
脂で形成するようにしてもよく、これによりさらなる信
頼性の向上をはかることができる。さらに、チップサイ
ズに応じてダイパッドのみを複数種用意し組み合わせる
ようにしてもよい。さらにまた、前記実施例では、ダイ
パッドを半導体チップの周縁部全体で支持するようにリ
ング状体としたが、必ずしも半導体チップの周縁部全体
で支持する必要はなく、周縁部の３点または４点で支持
するなど、一部を支持するようにしても良い。
【００２６】さらにまた、図３に示すように、ダイパッ
ド１１の半導体チップの周縁に沿って段差を形成し、半
導体チップの搭載領域は肉薄領域１１ｓとなるようにし
てもよい。
ド１１の半導体チップの周縁に沿って段差を形成し、半
導体チップの搭載領域は肉薄領域１１ｓとなるようにし
てもよい。
【００２７】これにより、半導体チップの位置ずれを防
止することができる。
止することができる。
【００２８】また、図４に示すようにこのダイパッドの
段差をテーパ状に形成するようにすれば、半導体チップ
の位置決めを容易にすることができる。
段差をテーパ状に形成するようにすれば、半導体チップ
の位置決めを容易にすることができる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、ダイパッドの中央部に開口を設け、半導体チップを
周縁部のみで支持するようにしているため、半導体チッ
プとダイパッドとの接触面積が極めて小さいため、チッ
プクラックの発生もなく、信頼性の高い半導体装置を得
ることができる。
ば、ダイパッドの中央部に開口を設け、半導体チップを
周縁部のみで支持するようにしているため、半導体チッ
プとダイパッドとの接触面積が極めて小さいため、チッ
プクラックの発生もなく、信頼性の高い半導体装置を得
ることができる。
【図１】本発明実施例のリードフレームを示す図
【図２
】本発明実施例のリードフレームを用いた半導体装置を
示す図
】本発明実施例のリードフレームを用いた半導体装置を
示す図
【図３】本発明の他の実施例のリードフレームを用いた
半導体装置を示す図
半導体装置を示す図
【図４】本発明の他の実施例のリードフレームを用いた
半導体装置を示す図
半導体装置を示す図
【図５】従来例のリードフレームを用いた半導体装置を
示す図
示す図
１１ ダイパッド
１２ インナーリード
１３ タイバー
１４ アウターリード
１５ サイドバー
１６ サイドバー
１７ サポートバー
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体チップを支持するためのダイパ
ッドと、前記ダイパッドの周辺から伸長する複数のイン
ナーリードを具備してなるリードフレームにおいて、前
記ダイパッドは、中央に開口部を有するリング状体から
なり前記半導体チップを周縁部で支持するように構成さ
れていることを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】 前記ダイパッドの前記半導体チップ搭
載領域は肉薄領域であり前記半導体チップの周縁に沿っ
て段差が形成されていることを特徴とする請求項（１）
記載のリードフレーム。 - 【請求項３】 前記段差はテーパ状をなすように構成
されていることを特徴とする請求項（１） 記載のリー
ドフレーム。 - 【請求項４】 ダイパッド上に半導体チップが搭載さ
れ、前記半導体チップの周りに伸長するリードを具備し
、樹脂封止のなされた半導体装置において、前記ダイパ
ッドが、中央に開口部を有するリング状体からなり、前
記半導体チップの周縁部を支持するように構成されてい
ることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3063553A JP2628412B2 (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | リードフレームおよびこれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3063553A JP2628412B2 (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | リードフレームおよびこれを用いた半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04299561A true JPH04299561A (ja) | 1992-10-22 |
| JP2628412B2 JP2628412B2 (ja) | 1997-07-09 |
Family
ID=13232535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3063553A Expired - Fee Related JP2628412B2 (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | リードフレームおよびこれを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2628412B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009260367A (ja) * | 2009-06-29 | 2009-11-05 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59167689A (ja) * | 1983-03-15 | 1984-09-21 | 川崎製鉄株式会社 | 窯炉の炉内圧力制御方法 |
| JPH0236557A (ja) * | 1988-07-27 | 1990-02-06 | Hitachi Ltd | リードフレームおよびそれを用いた半導体装置 |
| JPH0294463A (ja) * | 1988-09-29 | 1990-04-05 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置 |
| JPH02155260A (ja) * | 1988-12-07 | 1990-06-14 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止型半導体装置のリードフレーム |
-
1991
- 1991-03-27 JP JP3063553A patent/JP2628412B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59167689A (ja) * | 1983-03-15 | 1984-09-21 | 川崎製鉄株式会社 | 窯炉の炉内圧力制御方法 |
| JPH0236557A (ja) * | 1988-07-27 | 1990-02-06 | Hitachi Ltd | リードフレームおよびそれを用いた半導体装置 |
| JPH0294463A (ja) * | 1988-09-29 | 1990-04-05 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置 |
| JPH02155260A (ja) * | 1988-12-07 | 1990-06-14 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止型半導体装置のリードフレーム |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009260367A (ja) * | 2009-06-29 | 2009-11-05 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2628412B2 (ja) | 1997-07-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3491003B2 (ja) | チップサイズパッケージ半導体 | |
| JP2602076B2 (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JP3619773B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3332516B2 (ja) | 露出裏面を有する熱強化型半導体デバイスと、その製造方法 | |
| US6677665B2 (en) | Dual-die integrated circuit package | |
| US6642082B2 (en) | Method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device | |
| US6313519B1 (en) | Support for semiconductor bond wires | |
| JP2501953B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US10049966B2 (en) | Semiconductor device and corresponding method | |
| JPH04299561A (ja) | リードフレームおよびこれを用いた半導体装置 | |
| US6737737B1 (en) | Semiconductor package with chip supporting member | |
| JP3454192B2 (ja) | リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| JP4677152B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3013810B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2679664B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0738036A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100225237B1 (ko) | 반도체 패키지 | |
| JP3541751B2 (ja) | リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| KR0155441B1 (ko) | 지지바를 이용한 다이패드구조로 이루어지는 반도체패키지 | |
| JPS59175753A (ja) | 半導体装置およびリ−ドフレ−ム | |
| JP2008147267A (ja) | 半導体装置とその製造方法、および放熱板付きリードフレーム | |
| JPH04168759A (ja) | 半導体装置及びリードフレームとその製造方法 | |
| JPH0493052A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH05251619A (ja) | 樹脂封止半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH03255655A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090418 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090418 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100418 Year of fee payment: 13 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |