JPH04299848A - 半導体装置とその製造方法 - Google Patents
半導体装置とその製造方法Info
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- JPH04299848A JPH04299848A JP3064829A JP6482991A JPH04299848A JP H04299848 A JPH04299848 A JP H04299848A JP 3064829 A JP3064829 A JP 3064829A JP 6482991 A JP6482991 A JP 6482991A JP H04299848 A JPH04299848 A JP H04299848A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- resin
- lead frame
- die stage
- semiconductor device
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関する。詳
しくは、放熱ブロックを用いた低熱抵抗のプラスチック
パッケージに関する。
しくは、放熱ブロックを用いた低熱抵抗のプラスチック
パッケージに関する。
【０００２】近年、ＩＣ等の半導体集積回路は、ハイパ
ワー及びハイスピード化してきており、それに伴って多
量の熱を発生するようになってきている。従って熱抵抗
の低いパッケージが要求されている。
ワー及びハイスピード化してきており、それに伴って多
量の熱を発生するようになってきている。従って熱抵抗
の低いパッケージが要求されている。
【０００３】従来、低熱抵抗のパッケージには主として
熱伝導の良いセラミックパッケージが用いられている。 しかしセラミックパッケージは高価であるため、低価格
のプラスチックパッケージで低熱抵抗とすることが要求
されている。
熱伝導の良いセラミックパッケージが用いられている。 しかしセラミックパッケージは高価であるため、低価格
のプラスチックパッケージで低熱抵抗とすることが要求
されている。
【０００４】
【従来の技術】図３に従来の低熱抵抗のプラスチックパ
ッケージを示す。これはダイステージ部１とインナーリ
ード部２とアウターリード部３とを有するリードフレー
ムの、ダイステージ部１に半導体素子４が搭載され、該
半導体素子４の電極とインナーリード部２間がワイヤ５
でワイヤボンディングされ、さらに該半導体素子４とダ
イステージ部１及びインナーリード部２が樹脂６でモー
ルドされ、その一方の面に放熱ブロック７が接合されて
いる。
ッケージを示す。これはダイステージ部１とインナーリ
ード部２とアウターリード部３とを有するリードフレー
ムの、ダイステージ部１に半導体素子４が搭載され、該
半導体素子４の電極とインナーリード部２間がワイヤ５
でワイヤボンディングされ、さらに該半導体素子４とダ
イステージ部１及びインナーリード部２が樹脂６でモー
ルドされ、その一方の面に放熱ブロック７が接合されて
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の低熱抵抗の
プラスチックパッケージでは半導体素子４と放熱ブロッ
ク７との間に樹脂６が介在するため放熱効率は良好とは
言い難い。そこで放熱効率を向上するため、図４に示す
ように半導体素子４を搭載したダイステージ部１の裏面
に直接接触するように放熱ブロック７を設けることが考
えられる。
プラスチックパッケージでは半導体素子４と放熱ブロッ
ク７との間に樹脂６が介在するため放熱効率は良好とは
言い難い。そこで放熱効率を向上するため、図４に示す
ように半導体素子４を搭載したダイステージ部１の裏面
に直接接触するように放熱ブロック７を設けることが考
えられる。
【０００６】ところが上記方式では放熱ブロック７の周
囲側面と樹脂６が密着しているため、半導体素子４が発
熱した場合、両者の熱膨張率の差による応力が生じ、樹
脂６にクラックが発生するという問題が生ずる。
囲側面と樹脂６が密着しているため、半導体素子４が発
熱した場合、両者の熱膨張率の差による応力が生じ、樹
脂６にクラックが発生するという問題が生ずる。
【０００７】また上記方式の半導体装置の製造方法とし
ては、■リードフレームのダイステージ部１の一方の面
に半導体素子４を、他方の面に放熱ブロック７を接着し
、次いで半導体素子４とリードフレームのインナーリー
ド２間をワイヤボンディングし、その後樹脂モールドす
る方法と、■リードフレームのダイステージ部１に半導
体素子４を搭載し、次いでワイヤボンディングした後に
、ダイステージ部１の裏面に放熱ブロック７を接着し、
その後樹脂モールドする方法とが考えられる。
ては、■リードフレームのダイステージ部１の一方の面
に半導体素子４を、他方の面に放熱ブロック７を接着し
、次いで半導体素子４とリードフレームのインナーリー
ド２間をワイヤボンディングし、その後樹脂モールドす
る方法と、■リードフレームのダイステージ部１に半導
体素子４を搭載し、次いでワイヤボンディングした後に
、ダイステージ部１の裏面に放熱ブロック７を接着し、
その後樹脂モールドする方法とが考えられる。
【０００８】ところか上記製造方法において、■のワイ
ヤボンディング前に放熱ブロック７を接着しておく方法
は、ワイヤボンディング時にリードフレームを加熱する
ための熱が放熱ブロック７に遮ぎられるため、リードフ
レームに伝わりにくく、ワイヤボンディングが困難にな
るという問題が生ずる。
ヤボンディング前に放熱ブロック７を接着しておく方法
は、ワイヤボンディング時にリードフレームを加熱する
ための熱が放熱ブロック７に遮ぎられるため、リードフ
レームに伝わりにくく、ワイヤボンディングが困難にな
るという問題が生ずる。
【０００９】また■のワイヤボンディング後に放熱ブロ
ック７を接着する方法は、ダイステージ部１に放熱ブロ
ック７を接着するとき、リードフレームにサポートバー
で支持されているダイステージ部１が動き、半導体素子
４の電極にボンディングされている２５〜３８μｍ程度
の細い金のワイヤ５のネック部に力がかかり、そこが切
断し、歩留りが低下するという問題が生ずる。
ック７を接着する方法は、ダイステージ部１に放熱ブロ
ック７を接着するとき、リードフレームにサポートバー
で支持されているダイステージ部１が動き、半導体素子
４の電極にボンディングされている２５〜３８μｍ程度
の細い金のワイヤ５のネック部に力がかかり、そこが切
断し、歩留りが低下するという問題が生ずる。
【００１０】本発明は、ローコストで、且つモールド樹
脂にクラックが発生しないようにした低熱抵抗の半導体
装置を実現しようとする。
脂にクラックが発生しないようにした低熱抵抗の半導体
装置を実現しようとする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置にお
いては、半導体素子を搭載するダイステージ部と、イン
ナーリード部及びアウターリード部を有するリードフレ
ームの、該ダイステージ部に半導体素子が搭載され、該
半導体素子とリードフレームのインナーリード部が樹脂
にてモールドされて成る半導体装置において、上記リー
ドフレームのダイステージ部の半導体素子が搭載された
面の裏面に接して放熱ブロックが接合され、且つ該放熱
ブロックの外周側面と樹脂との間に間隙が設けられて成
ることを特徴とする。
いては、半導体素子を搭載するダイステージ部と、イン
ナーリード部及びアウターリード部を有するリードフレ
ームの、該ダイステージ部に半導体素子が搭載され、該
半導体素子とリードフレームのインナーリード部が樹脂
にてモールドされて成る半導体装置において、上記リー
ドフレームのダイステージ部の半導体素子が搭載された
面の裏面に接して放熱ブロックが接合され、且つ該放熱
ブロックの外周側面と樹脂との間に間隙が設けられて成
ることを特徴とする。
【００１２】また、それに加えて上記放熱ブロックと樹
脂との間隙が５０μｍ乃至 ５００μｍであることを特
徴とする。
脂との間隙が５０μｍ乃至 ５００μｍであることを特
徴とする。
【００１３】また、本発明の半導体装置の製造方法にお
いては、リードフレームのダイステージ部の一方の面に
半導体素子をダイボンディングし、さらに該半導体素子
の電極とリードフレームのインナーリード部との間をワ
イヤボンディングする工程と、上型と下型とよりなる金
型のキャビティ内に、前記リードフレームのダイステー
ジ部を支承する突起と、該突起の表面に開口する真空吸
引孔とが形成された金型を用いて、前記半導体素子及び
リードフレームのインナーリード部を樹脂にてモールド
する工程と、ダイステージ部の半導体素子搭載面の反対
面に、放熱ブロックを、その外周側面と樹脂との間に間
隙ができるように接着する工程とよりなることを特徴と
する。この構成を採ることに依り、ローコストで、且つ
モールド樹脂にクラックが発生しない低熱抵抗の半導体
装置が得られる。
いては、リードフレームのダイステージ部の一方の面に
半導体素子をダイボンディングし、さらに該半導体素子
の電極とリードフレームのインナーリード部との間をワ
イヤボンディングする工程と、上型と下型とよりなる金
型のキャビティ内に、前記リードフレームのダイステー
ジ部を支承する突起と、該突起の表面に開口する真空吸
引孔とが形成された金型を用いて、前記半導体素子及び
リードフレームのインナーリード部を樹脂にてモールド
する工程と、ダイステージ部の半導体素子搭載面の反対
面に、放熱ブロックを、その外周側面と樹脂との間に間
隙ができるように接着する工程とよりなることを特徴と
する。この構成を採ることに依り、ローコストで、且つ
モールド樹脂にクラックが発生しない低熱抵抗の半導体
装置が得られる。
【００１４】
【作用】半導体素子４を封止したモールド樹脂６と放熱
ブロック７の外周側面との間に間隙８を設けたことによ
り、放熱ブロック７と樹脂６との熱膨張率の差により樹
脂６内に生ずる応力を緩和し、クラックの発生を防止す
ることができる。
ブロック７の外周側面との間に間隙８を設けたことによ
り、放熱ブロック７と樹脂６との熱膨張率の差により樹
脂６内に生ずる応力を緩和し、クラックの発生を防止す
ることができる。
【００１５】また製造時には樹脂モールド後に放熱ブロ
ック７をダイステージ部に接合するようにしたことによ
り、モールド樹脂のポストキュアと放熱ブロックを接着
した接着剤のキュアを同時に行なうことができ、工数が
節減され、またボンディングワイヤの切断もなく、歩留
りが向上し低コストとなる。
ック７をダイステージ部に接合するようにしたことによ
り、モールド樹脂のポストキュアと放熱ブロックを接着
した接着剤のキュアを同時に行なうことができ、工数が
節減され、またボンディングワイヤの切断もなく、歩留
りが向上し低コストとなる。
【００１６】
【実施例】図１は本発明の半導体装置の実施例を示す図
である。同図において、１はリードフレームのダイステ
ージ部であり、該ダイステージ部１の一方の面には半導
体素子４がダイボンディングされ、他方の面には放熱ブ
ロック７が接合されている。２はリードフレームのイン
ナーリード部で、該インナーリード部２と半導体素子４
の電極との間は金線等のワイヤ５でワイヤボンディング
されている。３はリードフレームのインナーリード２に
接続しているアウターリードである。
である。同図において、１はリードフレームのダイステ
ージ部であり、該ダイステージ部１の一方の面には半導
体素子４がダイボンディングされ、他方の面には放熱ブ
ロック７が接合されている。２はリードフレームのイン
ナーリード部で、該インナーリード部２と半導体素子４
の電極との間は金線等のワイヤ５でワイヤボンディング
されている。３はリードフレームのインナーリード２に
接続しているアウターリードである。
【００１７】そして半導体素子４及びダイステージ部１
とインナーリード部２は樹脂６でモールドされているが
、該樹脂６と放熱ブロック７の外周側面との間には間隙
８が設けられている。なお放熱ブロック７としては熱伝
導の良いＡｌ ，Ｃｕ 等の金属又はセラミック等が用
いられる。
とインナーリード部２は樹脂６でモールドされているが
、該樹脂６と放熱ブロック７の外周側面との間には間隙
８が設けられている。なお放熱ブロック７としては熱伝
導の良いＡｌ ，Ｃｕ 等の金属又はセラミック等が用
いられる。
【００１８】このように構成された本実施例は、半導体
素子４からの発熱があった場合、放熱ブロック７と樹脂
６との間に熱膨張率の差があっても、該放熱ブロック７
と樹脂６との間には間隙８があるため、樹脂６は発生す
る応力は緩和される。従って樹脂６おけるクラックの発
生は防止される。
素子４からの発熱があった場合、放熱ブロック７と樹脂
６との間に熱膨張率の差があっても、該放熱ブロック７
と樹脂６との間には間隙８があるため、樹脂６は発生す
る応力は緩和される。従って樹脂６おけるクラックの発
生は防止される。
【００１９】次に本発明の半導体装置の製造方法の実施
例を図２により説明する。本実施例の製造方法は、先ず
図２（ａ）の如くリードフレームのダイステージ部１に
半導体素子４をダイボンディングし、次いで該半導体素
子４の電極とリードフレームのインナーリード部２との
間をワイヤ５でワイヤボンディングする。
例を図２により説明する。本実施例の製造方法は、先ず
図２（ａ）の如くリードフレームのダイステージ部１に
半導体素子４をダイボンディングし、次いで該半導体素
子４の電極とリードフレームのインナーリード部２との
間をワイヤ５でワイヤボンディングする。
【００２０】次に図２（ｂ）に示すように半導体素子４
とダイステージ部１及びインナーリード部２を樹脂にて
モールドする。このとき用いるモールド金型９は上型９
ａと下型９ｂとよりなり、キャビティ９ｃと下型９ｂ側
にはリードフレームのダイステージ部１を支承できる突
起１０と、該突起１０の表面に開口し、ダイステージ部
１を吸着できる真空吸引孔１１とが設けられ、該真空吸
引孔１１は真空ポンプ１２に接続されている。そして突
起１０にダイステージ部１を吸着した状態で半導体素子
４及びインナーリード２と共に樹脂モールドするのであ
る。
とダイステージ部１及びインナーリード部２を樹脂にて
モールドする。このとき用いるモールド金型９は上型９
ａと下型９ｂとよりなり、キャビティ９ｃと下型９ｂ側
にはリードフレームのダイステージ部１を支承できる突
起１０と、該突起１０の表面に開口し、ダイステージ部
１を吸着できる真空吸引孔１１とが設けられ、該真空吸
引孔１１は真空ポンプ１２に接続されている。そして突
起１０にダイステージ部１を吸着した状態で半導体素子
４及びインナーリード２と共に樹脂モールドするのであ
る。
【００２１】次に図２（ｃ）の如く樹脂モールドした半
成品１３を金型９より取り出し、次いで図２（ｄ）の如
く放熱ブロック７を用意し、この放熱ブロック７を図２
（ｅ）を示す如く、金型９の突起１０により形成された
凹部に接着剤を用いて接着し、最後に加熱処理して樹脂
６及び接着剤を硬化させて完成するのである。
成品１３を金型９より取り出し、次いで図２（ｄ）の如
く放熱ブロック７を用意し、この放熱ブロック７を図２
（ｅ）を示す如く、金型９の突起１０により形成された
凹部に接着剤を用いて接着し、最後に加熱処理して樹脂
６及び接着剤を硬化させて完成するのである。
【００２２】なお放熱ブロックの位置決めのためと、接
着剤が外部から見えない様にするため、該放熱ブロック
７の外周側面と樹脂６の凹部側壁との間の間隙は５０〜
５００μｍ程度とすることが好ましい。
着剤が外部から見えない様にするため、該放熱ブロック
７の外周側面と樹脂６の凹部側壁との間の間隙は５０〜
５００μｍ程度とすることが好ましい。
【００２３】本実施例によれば、ダイステージ部１に放
熱ブロック７を接合する前にワイヤボンディングを行な
うため、リードフレームの加熱を充分に行なうことがで
き、ワイヤボンディングが容易となり、またハンドリン
グも容易となり、ワイヤの切断も発生しない。またモー
ルド樹脂６のポストキュアと、放熱ブロック７を接着し
た接着剤の硬化とを同時に行なうことができるので従来
に比して工数の節減ができる。
熱ブロック７を接合する前にワイヤボンディングを行な
うため、リードフレームの加熱を充分に行なうことがで
き、ワイヤボンディングが容易となり、またハンドリン
グも容易となり、ワイヤの切断も発生しない。またモー
ルド樹脂６のポストキュアと、放熱ブロック７を接着し
た接着剤の硬化とを同時に行なうことができるので従来
に比して工数の節減ができる。
【００２４】
【発明の効果】本発明に依れば、放熱ブロックを直接ダ
イステージ部に接合することにより、低熱抵抗の半導体
装置が実現できる。また放熱ブロックの周囲側面とモー
ルド樹脂との間に間隙を設けることにより、放熱ブロッ
クと樹脂との熱膨張率の差に起因して樹脂に生ずるクラ
ックの発生を防止することができる。さらにプラスチッ
クパッケージであること、及び製造段階での歩留りの向
上、工数の節減等によりローコスト化が実現できる。
イステージ部に接合することにより、低熱抵抗の半導体
装置が実現できる。また放熱ブロックの周囲側面とモー
ルド樹脂との間に間隙を設けることにより、放熱ブロッ
クと樹脂との熱膨張率の差に起因して樹脂に生ずるクラ
ックの発生を防止することができる。さらにプラスチッ
クパッケージであること、及び製造段階での歩留りの向
上、工数の節減等によりローコスト化が実現できる。
【図１】本発明の半導体装置の実施例を示す図である。
【図２】本発明の半導体装置の製造方法の実施例を説明
するための図である。
するための図である。
【図３】従来の低熱抵抗のプラスチックパッケージを示
す図である。
す図である。
【図４】発明が解決しようとする課題を説明するための
図である。
図である。
１…ダイステージ部
２…インナーリード部
３…アウターリード部
４…半導体素子
５…ワイヤ
６…樹脂
７…放熱ブロック
８…隙間
９…モールド金型
１０…突起
１１…真空吸引孔
１２…真空ポンプ
１３…半成品
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体素子を搭載するダイステージ部
（１）と、インナーリード部（２）及びアウターリード
部（３）を有するリードフレームの、該ダイステージ部
（１）に半導体素子（４）が搭載され、該半導体素子（
４）とリードフレームのインナーリード部（２）が樹脂
（６）にてモールドされて成る半導体装置において、上
記リードフレームのダイステージ部（１）の半導体素子
（４）が搭載された面の裏面に接して放熱ブロック（７
）が接合され、且つ該放熱ブロック（７）の外周側面と
樹脂（６）との間に間隙（８）が設けられて成ることを
特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 上記放熱ブロック（７）と樹脂（６）
との間隙（８）が５０μｍ乃至 ５００μｍであること
を特徴とする請求項１の半導体装置。 - 【請求項３】 リードフレームのダイステージ部（１
）の一方の面に半導体素子（４）をダイボンディングし
、さらに該半導体素子（４）の電極とリードフレームの
インナーリード部（２）との間をワイヤボンディングす
る工程と、上型（９ａ）と下型（９ｂ）とよりなる金型
のキャビティ（９ｃ）内に、前記リードフレームのダイ
ステージ部（１）を支承する突起（１０）と、該突起（
１０）の表面に開口する真空吸引孔（１１）とが形成さ
れた金型（９）を用いて、前記半導体素子（４）及びリ
ードフレームのインナーリード部（２）を樹脂（６）に
てモールドする工程と、ダイステージ部（１）の半導体
素子搭載面の反対面に、放熱ブロック（７）を、その外
周側面と樹脂（６）との間に間隙（８）ができるように
接着する工程とによりなることを特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3064829A JPH04299848A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 半導体装置とその製造方法 |
| EP91310135A EP0484180A1 (en) | 1990-11-01 | 1991-11-01 | Packaged semiconductor device having an optimized heat dissipation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3064829A JPH04299848A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 半導体装置とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04299848A true JPH04299848A (ja) | 1992-10-23 |
Family
ID=13269529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3064829A Pending JPH04299848A (ja) | 1990-11-01 | 1991-03-28 | 半導体装置とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04299848A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002110713A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-12 | Toppan Forms Co Ltd | Ｉｃチップ保護部とその形成方法 |
| JP2012222000A (ja) * | 2011-04-04 | 2012-11-12 | Toyota Motor Corp | 半導体モジュール及びその製造方法 |
| JP2013070026A (ja) * | 2011-09-08 | 2013-04-18 | Rohm Co Ltd | 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体装置の実装構造、およびパワー用半導体装置 |
| JPWO2012137760A1 (ja) * | 2011-04-04 | 2014-07-28 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| US20150102479A1 (en) * | 2013-10-15 | 2015-04-16 | Infineon Technologies Ag | Electrically insulating thermal interface on the discontinuity of an encapsulation structure |
-
1991
- 1991-03-28 JP JP3064829A patent/JPH04299848A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002110713A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-12 | Toppan Forms Co Ltd | Ｉｃチップ保護部とその形成方法 |
| JP2012222000A (ja) * | 2011-04-04 | 2012-11-12 | Toyota Motor Corp | 半導体モジュール及びその製造方法 |
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| US10290565B2 (en) | 2011-04-04 | 2019-05-14 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| US10573584B2 (en) | 2011-04-04 | 2020-02-25 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| US10770380B2 (en) | 2011-04-04 | 2020-09-08 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| JP2013070026A (ja) * | 2011-09-08 | 2013-04-18 | Rohm Co Ltd | 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体装置の実装構造、およびパワー用半導体装置 |
| US20150102479A1 (en) * | 2013-10-15 | 2015-04-16 | Infineon Technologies Ag | Electrically insulating thermal interface on the discontinuity of an encapsulation structure |
| US9437513B2 (en) * | 2013-10-15 | 2016-09-06 | Infineon Technologies Ag | Electrically insulating thermal interface on the discontinuity of an encapsulation structure |
| US20160372399A1 (en) * | 2013-10-15 | 2016-12-22 | Infineon Technologies Ag | Electrically insulating thermal interface on the discontinuity of an encapsulation structure |
| US11049790B2 (en) * | 2013-10-15 | 2021-06-29 | Infineon Technologies Ag | Electrically insulating thermal interface on the discontinuity of an encapsulation structure |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990413 |