JPH0846090A - 半導体チップパッケージ - Google Patents

半導体チップパッケージ

Info

Publication number
JPH0846090A
JPH0846090A JP7161857A JP16185795A JPH0846090A JP H0846090 A JPH0846090 A JP H0846090A JP 7161857 A JP7161857 A JP 7161857A JP 16185795 A JP16185795 A JP 16185795A JP H0846090 A JPH0846090 A JP H0846090A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
package
semiconductor
lead frame
semiconductor chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7161857A
Other languages
English (en)
Inventor
William R Hamburgen
リース ハンバーゲン ウィリアム
John S Fitch
スチュアート フィッチ ジョン
Yezdi N Dordi
ナヴァル ドーディー イェーズディー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Digital Equipment Corp
Original Assignee
Digital Equipment Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Digital Equipment Corp filed Critical Digital Equipment Corp
Publication of JPH0846090A publication Critical patent/JPH0846090A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W40/00—Arrangements for thermal protection or thermal control
    • H10W40/10—Arrangements for heating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W40/00—Arrangements for thermal protection or thermal control
    • H10W40/70—Fillings or auxiliary members in containers or in encapsulations for thermal protection or control
    • H10W40/77—Auxiliary members characterised by their shape
    • H10W40/778—Auxiliary members characterised by their shape in encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W44/00—Electrical arrangements for controlling or matching impedance
    • H10W44/601—Capacitive arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/01—Manufacture or treatment
    • H10W74/016—Manufacture or treatment using moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
    • H10W74/111—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being completely enclosed
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/40—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials
    • H10W74/47—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials comprising organic materials, e.g. plastics or resins
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
    • H10W76/10—Containers or parts thereof
    • H10W76/12—Containers or parts thereof characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
    • H10W76/40—Fillings or auxiliary members in containers, e.g. centering rings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/811—Multiple chips on leadframes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711—Apparatus therefor
    • H10W72/07178—Means for aligning
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07502—Connecting or disconnecting of bond wires using an auxiliary member
    • H10W72/07504—Connecting or disconnecting of bond wires using an auxiliary member the auxiliary member being temporary, e.g. a sacrificial coating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
    • H10W74/131—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being only partially enclosed
    • H10W74/142—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition the semiconductor body being only partially enclosed the encapsulations exposing the passive side of the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体チップの非アクティブな背面が外方を
向いて露出された成形プラスチックの半導体チップパッ
ケージを提供する。 【構成】 半導体チップのアクティブな前面とリードフ
レームのボンディングパッドとの間に延びるボンディン
グワイヤによってリードフレームの開口内に半導体チッ
プが取り付けられ、リードフレーム／チップの組立体
は、半導体チップの非アクティブな背面が露出されてパ
ッケージの外方を向くようにしてプラスチック成形本体
内に収容されるような半導体パッケージ及びその製造方
法。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体デバイスに係り、
より詳細には、半導体チップのパッケージングに係る。
【０００２】
【従来の技術】パッケージングは、半導体チップを製造
するプロセスの最終工程である。パッケージングにおい
て、製造された半導体チップは、保護ハウジング内に取
り付けられる。今日、半導体チップテクノロジーの技術
は、半導体チップをパッケージする集積関連テクノロジ
ーよりも遙に急速に進歩している。新規で、小型で、よ
り強力な半導体チップをパッケージする必要性は、慣例
的なパッケージングテクノロジーの能力を越えて急速に
進んでおり、現在利用できる従来の材料及び設計は、速
くも時代遅れになりつつある。新規な半導体のパッケー
ジ需要により、益々増加する電気的な相互接続部、サイ
ズの縮小によるスペースの制約、コストの削減、信頼性
の改善、及び増加する熱伝達能力を受け入れるための構
成が必要となっている。
【０００３】益々小さくなる半導体パッケージから充分
に熱を伝達する必要性は、新規なパッケージ材料及び更
に熱効率の良い構成を開発することに大きな関心を生み
出した。現在、半導体パッケージングは、半導体チップ
からそれ自体充分に熱を伝達しない多数のチップパッケ
ージの熱伝達特性を改善するために外部ヒートシンクを
取り付ける技術を用いている。しかしながら、新規な半
導体チップの熱の集中度が増すにつれて、外部ヒートシ
ンクを標準追加することでは、もはや、充分に熱効率が
良いとは言えない。
【０００４】パッケージングテクノロジーにおいて、２
つの最も重要な熱伝達モードは、熱伝導及び熱対流であ
る。媒体を通る又は媒体間の熱の除去は、温度差に基づ
いており、即ち平衡状態に到達するまで高温から低温へ
熱が流れることに基づいている。対流及び伝導の両方の
熱伝達モードは、半導体パッケージ及び／又は取り付け
られたヒートシンク部材の熱伝達特性を評価する上で最
も重要である。
【０００５】半導体パッケージの熱消散特性は、熱が流
れねばならない熱伝達通路のネットワークによって測定
される。熱は、チップから種々の熱流路を経て空気のよ
うな冷却流体に露出したパッケージの外面に到達するよ
う伝導しなければならない。次いで、流体が熱を対流す
る。
【０００６】各パッケージング材料は、それ自身の独特
の熱特性を有している。これら特性の１つは、熱伝導率
として知られている。材料の熱伝導率は、その材料を通
して伝導することのできる熱の量を決定する。ある材料
（金属のような）は、熱伝導率が高く、そして他の材料
（ゴムやガラスのような）は、熱伝導率が低い。容易に
製造できるガラスや、ガラスセラミック組成や、プラス
チックのような一般の半導体パッケージング材料は、不
都合なことに、熱伝導率が低く、熱の消散を妨げる。
【０００７】半導体パッケージの構造に基づき、パッケ
ージは、種々の熱伝導率の多数の種々の材料を有するこ
とができ、熱が冷却流体に到達するにはこれらを経て進
まねばならない。この経路は、熱伝導率の低い多数の材
料に遭遇するときに曲がりくねったものとなる。
【０００８】半導体チップからの熱がパッケージの種々
の材料を経て伝導しそしてパッケージの表面に到達する
と、空気のような冷却流体へと対流されねばならない。
【０００９】前記したように、半導体パッケージの外面
からの熱伝達は、通常、特別に構成されたヒートシンク
を取り付けることによって取り扱われ、これらヒートシ
ンクは、一般に、最も熱を発生する領域に取り付けられ
る。これは、通常熱伝導率が低いパッケージの表面か
ら、好ましくは熱伝導率が高く且つ表面積が大きいヒー
トシンクへと熱を伝導することができる。次いで、熱
は、周囲の空気へと対流される。ヒートシンクの形状
は、パッケージからの熱の対流を増大する大きな表面積
を考慮した構成にされる。半導体チップの発熱が中程度
である従来の用途においては、ヒートシンクをパッケー
ジに外部で接合することにより生じる付加的な熱伝達容
量で、チップにより発生した熱を伝達するのに充分であ
った。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、新規な
半導体では発熱量が増加したために、外部に取り付けら
れるヒートシンクの効果が低減している。パッケージの
熱流路及びヒートシンクは、発生した熱をもはや充分に
伝達することができず、従って、半導体内に機能不良を
生じることがある。
【００１１】多くの半導体パッケージに共通の重要な熱
伝達問題は、パッケージの構成と、半導体チップの取付
位置である。チップを効果的に配置すると、多数の熱的
境界を排除して熱伝達を改善することができる。チップ
は通常内部基板に取り付けられるので、チップから発生
した熱は、取付手段を経て基板へと通過した後に、パッ
ケージの外面に取り付けられたヒートシンクへ到達しな
ければならない。チップ−基板取付接合材料は、パッケ
ージに対して熱的なバリアを追加し、パッケージの最大
熱伝達容量を制限する。
【００１２】プラスチックパッケージは、１０年以上前
に導入され、現在では半導体チップ産業において大部分
の集積回路をパッケージするのに利用されている。プラ
スチックパッケージは、半導体チップパッケージの世界
的市場の約９５％（即ち１年当たり約４００億部品）に
達すると推定される。
【００１３】典型的なプラスチックパッケージング作業
は、次の一連のステップを含む。 １）チップを位置保持するために、先ず、一般的にエポ
キシを使用し、リードフレームの中心の「パドル」と一
般に称する平らな面にチップを接合する。 ２）パドルに位置保持されたチップをリードフレームに
ワイヤボンディングする。 ３）リードフレーム及びチップの組立体をトランシファ
モールド器具の空洞内にセットし、空洞を満たすように
プラスチック組成を移送して、チップ、エポキシ、パド
ル、ボンディングワイヤ及びリードフレームの一部分を
包囲する。 ４）包囲した組立体をトランスファモールド器具から取
り出し、ワイヤリードを切断し、メッキしそして特定の
所望の形状へと成形する。 ５）熱の消散にもし必要であれば、包囲された組立体に
ヒートシンクを接合する。
【００１４】標準的なプラスチックパッケージ組立体で
は、チップにより発生した熱は、プラスチックの外部に
到達するまでに、エポキシ、パドル、及びチップを包囲
するプラスチックを通過しなければならない。この構成
では、エポキシ及び包囲プラスチックが不良の熱伝導体
であるために、熱的性能が非常に悪い。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、パッケ
ージされた半導体チップの非アクティブな背面が露出さ
れパッケージの外方に向けらるような改良されたプラス
チックチップパッケージが開発される。これは、従来の
パッケージに勝る多数の効果を奏する。即ち、チップと
基板のエポキシ取付プロセスが排除される。パドル又は
エポキシがない状態で、チップがパッケージの片面に位
置され、ボンディングワイヤをループする充分な余裕が
考慮される一方、パッケージをより薄くすることができ
る。チップが露出され、ヒートシンクを直接取り付ける
ことができる。材料が少ないことは、材料特性の不整合
が少ないことを意味し、シリコンとは異なる熱膨張係数
及び強度をもつ材料が排除され、これにより、内部スト
レス及び付随する信頼性が改善される。そして材料が少
ないことは潜在的な製造問題が少なく且つ組立工程も少
ないことを意味するので、コストの節約が実現化され
る。このような構成体は、あまり高価でなく、より薄
く、そしてチップで発生した熱をプラスチックパッケー
ジを経て伝導しなければならない標準的構成に勝る顕著
な熱的性能の改善を達成する。
【００１６】本発明は、その広い態様において、請求項
１に記載した成形プラスチック半導体チップパッケージ
と、請求項１３に記載した成形プラスチック半導体チッ
プパッケージの成形方法とに関する。
【００１７】以下に述べるように、成形プラスチックの
半導体チップパッケージは、従来のリードフレーム部材
を備えているが、これは、通常パドル取付プラットホー
ムが設けられる場所に開口を有する。アクティブな前面
と非アクティブな背面とを有する半導体チップは、チッ
プの非アクティブな背面が上記リードフレームにより完
全に支持されない状態で上記開口内に配置される。ボン
ディングワイヤは、チップのアクティブな前面と、リー
ドフレームのボンディングパッドとの間に延びる。成形
プラスチック本体は、チップの非アクティブな背面が露
出されてパッケージの外方を向く状態で、リードフレー
ム、ボンディングワイヤ及び半導体チップを包囲する。
ヒートシンクが必要な場合には、効率的及び効果的に熱
を発散するようにチップの露出された背面にヒートシン
クを直接接触して取り付けることができる。
【００１８】本発明の改良されたパッケージは、従来の
成形プラスチックパッケージの組立に比して簡単化され
た工程を特徴とするプロセスにより作ることができる。
先ず初めに、半導体チップがリードフレームの開口に配
置される。リードフレームの開口は、その横方向寸法が
チップよりも大きい。製造中に、チップは最初に好まし
くは真空により器具に位置保持される。リードフレーム
は、真空手段又は他の従来の手段により同じ器具に保持
される。器具に保持されている間に、チップはリードフ
レームにワイヤボンディングされる。従来のボール又は
ステッチボンディングが使用される。
【００１９】チップをパドルに接合する全プロセスは、
パドルとチップの界面に伴う付随的な問題と共に排除さ
れる。
【００２０】ワイヤボンディングが行われた後に、チッ
プ及びリードフレームは、通常の取り扱いに充分耐える
構造完全性をもった部分的に完成した組立体を形成す
る。この組立体は、この時点で、チップがボンディング
ワイヤのみによって自由空間に支持された状態で、ワイ
ヤボンディング器具から取り外すことができる。
【００２１】次いで、チップ及びリードフレームの組立
体は、プラスチックパッケージ型に入れられ、プラスチ
ックが型に移送されるときに位置保持され、これによ
り、チップ、ボンディングワイヤ及びリードが包囲され
る。
【００２２】トランスファモールドプロセス中にチップ
及びリードフレームを型内に位置保持するために、チッ
プの背面を型においてペデスタルに配置するのが好まし
い。ペデスタルには、チップの位置保持を助成するため
に真空ポートが設けられるのが好ましい。型から部品を
取り出すときには、支持ペデスタルに接触しひいてはそ
れによりシールドされていたチップの背面の領域を除い
て、プラスチックがチップを包囲する。従って、チップ
の非アクティブな背面が露出されてパッケージの外方を
向く。ヒートシンクが必要とされる場合には、チップの
露出した背面に容易に直接取り付けることができる。
【００２３】
【実施例】本発明は、添付図面を参照して一例として述
べる好ましい実施例の以下の詳細な説明より更に理解さ
れよう。
【００２４】図１を参照すれば、半導体チップ２０は、
器具ペデスタル２１に配置されて示されており、このペ
デスタルには、ワイヤボンディング作業中にチップをし
っかりと位置保持するよう助成するための真空ポート２
２が設けられている。チップ２０及びリードフレーム２
３が器具に保持される間に、ボンディングワイヤ２４が
チップ２０のアクティブな面（２６）とリードフレーム
との間に適当なボール又はステッチボンディング装置
（図示せず）によって取り付けられる。ボンディングワ
イヤが配置されると、部分的に完成した組立体２５（図
２に示す）はワイヤボンディング器具から取り外され
る。ボンディングワイヤ２４のみにより支持されたチッ
プ２０は、部分的に完成した組立体のボンディング器具
からの取り外し及び取り扱いを行って、その後の次の処
理工程への搬送を受け入れるに充分な完全性を有する。
或いは又、チップとリードフレームの組立体を器具に保
持したまま次の工程へ移動してもよい。
【００２５】図３に示すように、リードフレーム２３に
ワイヤボンディングされたチップ２０は、型の下部３８
に配置され、チップ２０の非アクティブな背面２７が型
器具ペデスタル２８上に配置される。ペデスタルは、成
形プロセス中にチップの位置保持を助成するための真空
ポート２９を備えている。チップ及びリードフレームの
組立体が型の空洞内に位置設定されると、型の上部３０
が型に組み立てられ、従来のトランスファモールド装置
及び技術を用いて、プラスチック組成が型へ移送され、
型の空洞を満たすにつれて、チップ、ボンディングワイ
ヤ及びリードフレームのまわりに流れる。
【００２６】プラスチックが固定するや否や、型の上部
と下部を取り外すことができ、成形されたプラスチック
パッケージ（図４）を取り出すことができる。このプラ
スチックパッケージは、ボンディングワイヤ２４及びリ
ードフレーム２３により取り付けられたチップ２０を備
え、これらは全てプラスチック成形本体３２内に収容さ
れている。真空型ペデスタルに予め配置されたチップの
背面２７の部分はプラスチックによってカバーされない
ままであり、露出されてくぼみ３３内でパッケージの外
方を向いている。
【００２７】図５には、出来上がった成形プラスチック
パッケージが示されており、半導体チップ２０の露出し
た非アクティブな背面２７に直接熱接触してくぼみ３３
に取り付けられたヒートシンク３４を含んでいる。
【００２８】図６は、収容された半導体チップ２０の背
面２７が成形プラスチック本体３２内にくぼむのではな
く、その外面３５と平らになることを特徴とするパッケ
ージを形成するように設計された本発明の実施例を示し
ている。この実施例は、非常に薄くて軽量なパッケージ
にするという効果を奏し、種々のヒートシンク設計を受
け入れることができる。リードは、プラスチックの中央
面から出てもよいし、或いは製造工程又は使用目的を受
け入れるように調整することもできる。
【００２９】図７の実施例は、プラスチックとチップ２
０との間のストレス、ひいては、層分離を減少するため
に、成形本体３２のプラスチック材料の中に成形された
ストレス減少リング３６を備えている。このリングは、
その特定の機械的又は電気的特性に対して選択された適
当な材料のもので作ることができる。典型的に、リング
は、リードフレーム材料で構成される。リングは、チッ
プ２０の外縁を取り囲むがそれに接触しないように配置
される。リングは、成形作業中に別の真空ポートによっ
て位置保持され、この場合は、リングの一部分が露出さ
れる。又、リングは、リードフレームの一体的部分であ
ってもよく、即ちリードフレームとリングとの間の接着
剤によって位置保持されてもよい。
【００３０】異なるストレス減少特徴を有した第２の実
施例が図８に示されている。シリコン／プラスチック／
空気の界面３８では、プラスチックがシリコンから引っ
張られる傾向がある。というのは、その領域のプラスチ
ックは、トランスファモールド温度から冷却する間に収
縮し、そしてシリコン以上に収縮するからである。この
熱収縮の差により、シリコン／プラスチック／空気の界
面に張力が形成され、しばしば分離を招く。接合部を大
気からシールするような密接な接触を維持するために
は、この張力を減少する必要がある。従って、接合領域
からのプラスチック本体のほとんどの影響を分離するた
めにプラスチック成形本体３２にノッチ３７が作られ
る。このようなノッチは、例えば、型の下部の明確な特
徴部によって容易に形成することができ、種々の形状及
び構成の１つをとることができる。
【００３１】図９において、成形プラスチック本体の上
面には浮き彫りノッチ４１が設けられる。このような浮
き彫りノッチは、熱膨張係数の差及びチップのストレス
により生じるパッケージの曲がりを減少するように働
く。図１０は、同様のチップパッケージを示している
が、成形プラスチック本体の上面に組み込まれたストレ
ス緩和インサート４３を特徴とするものである。このイ
ンサートは、膨張率の低いシリコン、金属及びセラミッ
ク等の適当な材料又は材料の組合せで作られる。このイ
ンサートは、成形中に型の上半分の真空ポートでこれを
位置保持することにより配置される。或いは又、図１１
に示すように、インサートは、弾力性又は可塑性材料或
いは他の材料で作られた緩衝体４５によって位置保持さ
れてもよい。インサートは、ストレス緩和を与えると共
に、更に他の機能を果たすこともできる。例えば、イン
サート４７はチップキャパシタであって、緩衝体４５が
チップ２０への電気的接続部を形成し、電源の安定化を
与えるようにしてもよい。又、チップの熱冷却を向上す
ることもできる。インサート４３は、種々の厚み、長さ
又は巾をとることができ、穴や他の形状をもつように構
成することもできる。
【００３２】図１２は、熱膨張係数（ＴＣＥ）によって
生じる変形の制御を向上しそしてクラックや水分の侵入
を減少する別の解決策を示している。この実施例は、パ
ッケージの上面にカバー即ちホイル４９を備え、そして
底面にカバー即ちホイル５１を備えている。これは、成
形中に位置保持することもできるし、或いは後で追加す
ることもできる。
【００３３】図１３に示す実施例は、チップ２０のアク
ティブな前面５３及び非アクティブな背面２７の両方が
露出されるパッケージを特徴とする。このような構成
は、電気的接続、テスト、増強冷却、ストレス減少、光
学的相互接続及び／又は付加的なワイヤボンディングシ
ーケンス等を良好に受け入れることができる。
【００３４】以上、特定の実施例を参照して本発明を説
明したが、添付図面に示されて上記で説明された全ての
事柄は、単に本発明を解説するものに過ぎず、その特徴
を限定するものでないことが明らかであろう。ここに開
示した実施例の種々の変更や本発明の他の実施例は、上
記説明から当業者に明らかであろうし、或いは本発明の
範囲から逸脱せずに構成することができよう。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の好ましい実施例の成形プラスチック半
導体チップパッケージを形成するプロセスの工程を示す
断面図である。
【図２】本発明の好ましい実施例の成形プラスチック半
導体チップパッケージを形成するプロセスの工程を示す
断面図である。
【図３】本発明の好ましい実施例の成形プラスチック半
導体チップパッケージを形成するプロセスの工程を示す
断面図である。
【図４】本発明の好ましい実施例による半導体パッケー
ジの一実施例を示す断面図である。
【図５】ヒートシンク素子が取り付けられた本発明の好
ましい実施例による完全に組み立てられた半導体パッケ
ージの断面図である。
【図６】本発明の好ましい実施例による半導体パッケー
ジの付加的な実施例を示す断面図である。
【図７】本発明の好ましい実施例による半導体パッケー
ジの付加的な実施例を示す断面図である。
【図８】本発明の好ましい実施例による半導体パッケー
ジの付加的な実施例を示す断面図である。
【図９】本発明の好ましい実施例による半導体パッケー
ジの付加的な実施例を示す断面図である。
【図１０】本発明の好ましい実施例による半導体パッケ
ージの付加的な実施例を示す断面図である。
【図１１】本発明の好ましい実施例による半導体パッケ
ージの付加的な実施例を示す断面図である。
【図１２】本発明の好ましい実施例による半導体パッケ
ージの付加的な実施例を示す断面図である。
【図１３】本発明の好ましい実施例による半導体パッケ
ージの付加的な実施例を示す断面図である。
【符号の説明】
２０ 半導体チップ ２１ ペデスタル ２２ 真空ポート ２３ リードフレーム ２４ ボンディングワイヤ ２５ 部分的に完成した組立体 ２６ チップのアクティブな面 ２７ チップの非アクティブな背面 ２８ 型器具ペデスタル ２９ 真空ポート ３０ 型の上部 ３１ 成形プラスチックパッケージ ３２ プラスチック成形本体 ３３ くぼみ ３４ ヒートシンク ３８ 型の下部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジョン スチュアート フィッチ アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94560 ニューアーク セクオイアー コ ート 36640 (72)発明者 イェーズディー ナヴァル ドーディー アメリカ合衆国 マサチューセッツ州 02140ケンブリッジ アップランド ロー ド 55ビー

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体チップを含む成形プラスチック半
    導体チップパッケージにおいて、 開口を有するリードフレームと、 アクティブな前面と、非アクティブな背面とを有し、横
    方向寸法が上記リードフレームの開口よりも小さく、上
    記非アクティブな背面が上記リードフレームによって完
    全に支持されない状態で上記開口内に配置された半導体
    チップと、 上記チップのアクティブな前面と、上記リードフレーム
    に支持されたボンディングパッドとの間に延びるボンデ
    ィングワイヤと、 上記チップの非アクティブな背面が露出されて上記パッ
    ケージの外方を向いた状態で上記リードフレーム及び上
    記半導体チップを収容する成形プラスチックの本体と、 を備えたことを特徴とする半導体パッケージ。
  2. 【請求項２】 上記半導体チップの背面は、上記成形プ
    ラスチック本体の背面と平らにされる請求項１に記載の
    半導体パッケージ。
  3. 【請求項３】 上記半導体チップの露出した背面に密接
    接触して上記パッケージに取り付けられたヒートシンク
    を更に備えた請求項１に記載の半導体パッケージ。
  4. 【請求項４】 上記成形プラスチック本体は、ストレス
    緩和特徴部を含む請求項１に記載の半導体パッケージ。
  5. 【請求項５】 上記ストレス緩和特徴部は、リードフレ
    ーム材料のリングである請求項４に記載の半導体パッケ
    ージ。
  6. 【請求項６】 上記ストレス緩和特徴部は、プラスチッ
    ク本体の背面のノッチである請求項４に記載の半導体パ
    ッケージ。
  7. 【請求項７】 上記ストレス緩和特徴部は、プラスチッ
    ク本体の上面の浮き彫りノッチである請求項４に記載の
    半導体パッケージ。
  8. 【請求項８】 上記ストレス緩和特徴部は、プラスチッ
    ク本体の上面のインサートである請求項４に記載の半導
    体パッケージ。
  9. 【請求項９】 上記インサートは、シリコン、金属及び
    セラミックから選択される請求項８に記載の半導体パッ
    ケージ。
  10. 【請求項１０】 上記インサートは、半導体チップに電
    気的に接続されたキャパシタである請求項８に記載の半
    導体パッケージ。
  11. 【請求項１１】 上記ストレス緩和特徴部は、パッケー
    ジの少なくとも片側に接合されたカバーより成る請求項
    ４に記載の半導体パッケージ。
  12. 【請求項１２】 上記ストレス緩和特徴部は、半導体チ
    ップのアクティブな前面及び非アクティブな背面の両方
    を露出するようにプラスチック本体の上面及び背面の両
    方に作られた浮き彫りノッチより成る請求項４に記載の
    半導体パッケージ。
  13. 【請求項１３】 成形プラスチックの半導体チップパッ
    ケージを成形する方法において、 アクティブな前面及び非アクティブな背面を有する半導
    体チップをリードフレームの開口内に配置し、該開口
    は、その横方向寸法がチップよりも大きく、 上記チップのアクティブな前面と、リードフレームに支
    持されたボンディングパッドとの間にボンディングワイ
    ヤを取り付け、 上記チップの背面を支持することによりパッケージの型
    内に上記チップ及びリードフレームを保持し、そして上
    記チップの背面の実質的な部分を露出したままにし且つ
    パッケージの外方を向くようにして上記チップ及び上記
    リードフレームを収容するように上記型内にプラスチッ
    ク本体を成形する、 という段階を備えたことを特徴とする方法。
  14. 【請求項１４】 上記半導体チップは、これを真空ペデ
    スタル上に取り付けることによりリードフレームの開口
    内に配置される請求項１３に記載の方法。
  15. 【請求項１５】 上記チップの背面は、真空ペデスタル
    上にチップを支持することによりパッケージの型内に保
    持される請求項１３に記載の方法。
JP7161857A 1994-06-30 1995-06-28 半導体チップパッケージ Pending JPH0846090A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/269,294 US5604376A (en) 1994-06-30 1994-06-30 Paddleless molded plastic semiconductor chip package
US08/269294 1994-06-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0846090A true JPH0846090A (ja) 1996-02-16

Family

ID=23026648

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7161857A Pending JPH0846090A (ja) 1994-06-30 1995-06-28 半導体チップパッケージ

Country Status (4)

Country Link
US (2) US5604376A (ja)
JP (1) JPH0846090A (ja)
KR (1) KR960002782A (ja)
SG (1) SG38849A1 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003031765A (ja) * 2001-07-17 2003-01-31 Hitachi Ltd パワーモジュールおよびインバータ
JP2004297071A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Stmicroelectronics Inc 露出されているダイ表面及び補助アタッチメントを具備している集積回路パッケージ
JP2006523964A (ja) * 2003-04-18 2006-10-19 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド 少なくとも部分的にパッケージされた回路デバイスおよびその形成方法
JP2013089893A (ja) * 2011-10-21 2013-05-13 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置、半導体装置モジュールおよび半導体装置の製造方法
US8598693B2 (en) 2010-08-09 2013-12-03 Renesas Electronics Corporation Die pad package with a concave portion in the sealing resin
WO2021210344A1 (ja) * 2020-04-17 2021-10-21 株式会社デンソー 半導体装置および半導体モジュール
JP2021174982A (ja) * 2020-04-17 2021-11-01 株式会社デンソー 半導体装置および半導体モジュール

Families Citing this family (174)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2708191B2 (ja) 1988-09-20 1998-02-04 株式会社日立製作所 半導体装置
US5068712A (en) * 1988-09-20 1991-11-26 Hitachi, Ltd. Semiconductor device
US5953588A (en) * 1996-12-21 1999-09-14 Irvine Sensors Corporation Stackable layers containing encapsulated IC chips
US5894108A (en) * 1997-02-11 1999-04-13 National Semiconductor Corporation Plastic package with exposed die
US6001672A (en) 1997-02-25 1999-12-14 Micron Technology, Inc. Method for transfer molding encapsulation of a semiconductor die with attached heat sink
US6229200B1 (en) 1998-06-10 2001-05-08 Asat Limited Saw-singulated leadless plastic chip carrier
US8330270B1 (en) 1998-06-10 2012-12-11 Utac Hong Kong Limited Integrated circuit package having a plurality of spaced apart pad portions
US7270867B1 (en) 1998-06-10 2007-09-18 Asat Ltd. Leadless plastic chip carrier
US7071541B1 (en) 1998-06-24 2006-07-04 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit package and method and leadframe for making the package
US6893900B1 (en) 1998-06-24 2005-05-17 Amkor Technology, Inc. Method of making an integrated circuit package
US7005326B1 (en) 1998-06-24 2006-02-28 Amkor Technology, Inc. Method of making an integrated circuit package
US7332375B1 (en) 1998-06-24 2008-02-19 Amkor Technology, Inc. Method of making an integrated circuit package
US6143981A (en) 1998-06-24 2000-11-07 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit package and method and leadframe for making the package
US7030474B1 (en) 1998-06-24 2006-04-18 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit package and method and leadframe for making the package
US7112474B1 (en) 1998-06-24 2006-09-26 Amkor Technology, Inc. Method of making an integrated circuit package
US6137173A (en) * 1998-06-30 2000-10-24 Intel Corporation Preventing backside analysis of an integrated circuit
US6297960B1 (en) 1998-06-30 2001-10-02 Micron Technology, Inc. Heat sink with alignment and retaining features
US6297548B1 (en) 1998-06-30 2001-10-02 Micron Technology, Inc. Stackable ceramic FBGA for high thermal applications
US6261870B1 (en) * 1998-08-28 2001-07-17 Lsi Logic Corporation Backside failure analysis capable integrated circuit packaging
US6117797A (en) 1998-09-03 2000-09-12 Micron Technology, Inc. Attachment method for heat sinks and devices involving removal of misplaced encapsulant
US6194250B1 (en) * 1998-09-14 2001-02-27 Motorola, Inc. Low-profile microelectronic package
US6281568B1 (en) 1998-10-21 2001-08-28 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit device package and leadframe having partially undercut leads and die pad
US6448633B1 (en) 1998-11-20 2002-09-10 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package and method of making using leadframe having lead locks to secure leads to encapsulant
JP3575001B2 (ja) 1999-05-07 2004-10-06 アムコー テクノロジー コリア インコーポレーティド 半導体パッケージ及びその製造方法
USRE40112E1 (en) 1999-05-20 2008-02-26 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package and method for fabricating the same
JP3416737B2 (ja) * 1999-05-20 2003-06-16 アムコー テクノロジー コリア インコーポレーティド 半導体パッケージの製造方法
JP3398721B2 (ja) 1999-05-20 2003-04-21 アムコー テクノロジー コリア インコーポレーティド 半導体パッケージ及びその製造方法
JP3314304B2 (ja) 1999-06-07 2002-08-12 アムコー テクノロジー コリア インコーポレーティド 半導体パッケージ用の回路基板
TW417220B (en) * 1999-07-23 2001-01-01 Advanced Semiconductor Eng Packaging structure and method of semiconductor chip
US6258629B1 (en) 1999-08-09 2001-07-10 Amkor Technology, Inc. Electronic device package and leadframe and method for making the package
JP2001077301A (ja) * 1999-08-24 2001-03-23 Amkor Technology Korea Inc 半導体パッケージ及びその製造方法
US6573123B2 (en) 1999-09-07 2003-06-03 Sai Man Li Semiconductor chip package and manufacturing method thereof
KR100403142B1 (ko) 1999-10-15 2003-10-30 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지
KR20010037247A (ko) 1999-10-15 2001-05-07 마이클 디. 오브라이언 반도체패키지
KR100379089B1 (ko) 1999-10-15 2003-04-08 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지
US6580159B1 (en) 1999-11-05 2003-06-17 Amkor Technology, Inc. Integrated circuit device packages and substrates for making the packages
US6847103B1 (en) 1999-11-09 2005-01-25 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with exposed die pad and body-locking leadframe
US6476478B1 (en) 1999-11-12 2002-11-05 Amkor Technology, Inc. Cavity semiconductor package with exposed leads and die pad
US6329220B1 (en) * 1999-11-23 2001-12-11 Micron Technology, Inc. Packages for semiconductor die
KR100421774B1 (ko) * 1999-12-16 2004-03-10 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지 및 그 제조 방법
KR100583494B1 (ko) 2000-03-25 2006-05-24 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지
KR100559664B1 (ko) 2000-03-25 2006-03-10 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지
US7042068B2 (en) 2000-04-27 2006-05-09 Amkor Technology, Inc. Leadframe and semiconductor package made using the leadframe
US6452278B1 (en) 2000-06-30 2002-09-17 Amkor Technology, Inc. Low profile package for plural semiconductor dies
US7273769B1 (en) * 2000-08-16 2007-09-25 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for removing encapsulating material from a packaged microelectronic device
US6559537B1 (en) * 2000-08-31 2003-05-06 Micron Technology, Inc. Ball grid array packages with thermally conductive containers
US6818963B1 (en) * 2000-09-07 2004-11-16 Stmicroelectronics, Inc. Surface mount package for linear array sensors
KR20020058209A (ko) 2000-12-29 2002-07-12 마이클 디. 오브라이언 반도체패키지
KR100731007B1 (ko) * 2001-01-15 2007-06-22 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 적층형 반도체 패키지
KR100394030B1 (ko) * 2001-01-15 2003-08-06 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 적층형 반도체 패키지
US6605865B2 (en) 2001-03-19 2003-08-12 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with optimized leadframe bonding strength
US6486537B1 (en) 2001-03-19 2002-11-26 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with warpage resistant substrate
US6545345B1 (en) 2001-03-20 2003-04-08 Amkor Technology, Inc. Mounting for a package containing a chip
US6967395B1 (en) 2001-03-20 2005-11-22 Amkor Technology, Inc. Mounting for a package containing a chip
KR100369393B1 (ko) 2001-03-27 2003-02-05 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지와 그 제조 방법
KR100393448B1 (ko) * 2001-03-27 2003-08-02 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지 및 그 제조 방법
US7045883B1 (en) 2001-04-04 2006-05-16 Amkor Technology, Inc. Thermally enhanced chip scale lead on chip semiconductor package and method of making same
US7064009B1 (en) 2001-04-04 2006-06-20 Amkor Technology, Inc. Thermally enhanced chip scale lead on chip semiconductor package and method of making same
US6756658B1 (en) 2001-04-06 2004-06-29 Amkor Technology, Inc. Making two lead surface mounting high power microleadframe semiconductor packages
US6541856B2 (en) 2001-06-06 2003-04-01 Micron Technology, Inc. Thermally enhanced high density semiconductor package
US7220615B2 (en) * 2001-06-11 2007-05-22 Micron Technology, Inc. Alternative method used to package multimedia card by transfer molding
US6444501B1 (en) 2001-06-12 2002-09-03 Micron Technology, Inc. Two stage transfer molding method to encapsulate MMC module
KR100426330B1 (ko) 2001-07-16 2004-04-08 삼성전자주식회사 지지 테이프를 이용한 초박형 반도체 패키지 소자
US20030057544A1 (en) * 2001-09-13 2003-03-27 Nathan Richard J. Integrated assembly protocol
US7485952B1 (en) 2001-09-19 2009-02-03 Amkor Technology, Inc. Drop resistant bumpers for fully molded memory cards
US6900527B1 (en) 2001-09-19 2005-05-31 Amkor Technology, Inc. Lead-frame method and assembly for interconnecting circuits within a circuit module
US20030059976A1 (en) * 2001-09-24 2003-03-27 Nathan Richard J. Integrated package and methods for making same
JP2003110077A (ja) * 2001-10-02 2003-04-11 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US6611047B2 (en) 2001-10-12 2003-08-26 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with singulation crease
US6630726B1 (en) 2001-11-07 2003-10-07 Amkor Technology, Inc. Power semiconductor package with strap
US6798046B1 (en) 2002-01-22 2004-09-28 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package including ring structure connected to leads with vertically downset inner ends
US20030153119A1 (en) * 2002-02-14 2003-08-14 Nathan Richard J. Integrated circuit package and method for fabrication
US6885086B1 (en) 2002-03-05 2005-04-26 Amkor Technology, Inc. Reduced copper lead frame for saw-singulated chip package
US6608366B1 (en) 2002-04-15 2003-08-19 Harry J. Fogelson Lead frame with plated end leads
US6627977B1 (en) 2002-05-09 2003-09-30 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package including isolated ring structure
US6835592B2 (en) * 2002-05-24 2004-12-28 Micron Technology, Inc. Methods for molding a semiconductor die package with enhanced thermal conductivity
US6841414B1 (en) 2002-06-19 2005-01-11 Amkor Technology, Inc. Saw and etch singulation method for a chip package
US6903458B1 (en) 2002-06-20 2005-06-07 Richard J. Nathan Embedded carrier for an integrated circuit chip
US6867071B1 (en) 2002-07-12 2005-03-15 Amkor Technology, Inc. Leadframe including corner leads and semiconductor package using same
US7732914B1 (en) 2002-09-03 2010-06-08 Mclellan Neil Cavity-type integrated circuit package
US6818973B1 (en) 2002-09-09 2004-11-16 Amkor Technology, Inc. Exposed lead QFP package fabricated through the use of a partial saw process
US6919620B1 (en) 2002-09-17 2005-07-19 Amkor Technology, Inc. Compact flash memory card with clamshell leadframe
US7361533B1 (en) 2002-11-08 2008-04-22 Amkor Technology, Inc. Stacked embedded leadframe
US6905914B1 (en) 2002-11-08 2005-06-14 Amkor Technology, Inc. Wafer level package and fabrication method
US7723210B2 (en) 2002-11-08 2010-05-25 Amkor Technology, Inc. Direct-write wafer level chip scale package
US7190062B1 (en) 2004-06-15 2007-03-13 Amkor Technology, Inc. Embedded leadframe semiconductor package
US20040108580A1 (en) * 2002-12-09 2004-06-10 Advanpack Solutions Pte. Ltd. Leadless semiconductor packaging structure with inverted flip chip and methods of manufacture
US6798047B1 (en) 2002-12-26 2004-09-28 Amkor Technology, Inc. Pre-molded leadframe
US6847099B1 (en) 2003-02-05 2005-01-25 Amkor Technology Inc. Offset etched corner leads for semiconductor package
US6750545B1 (en) 2003-02-28 2004-06-15 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package capable of die stacking
US6927483B1 (en) 2003-03-07 2005-08-09 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package exhibiting efficient lead placement
US6794740B1 (en) 2003-03-13 2004-09-21 Amkor Technology, Inc. Leadframe package for semiconductor devices
US7001799B1 (en) 2003-03-13 2006-02-21 Amkor Technology, Inc. Method of making a leadframe for semiconductor devices
US6879034B1 (en) 2003-05-01 2005-04-12 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package including low temperature co-fired ceramic substrate
US7095103B1 (en) 2003-05-01 2006-08-22 Amkor Technology, Inc. Leadframe based memory card
US7008825B1 (en) 2003-05-27 2006-03-07 Amkor Technology, Inc. Leadframe strip having enhanced testability
US6897550B1 (en) 2003-06-11 2005-05-24 Amkor Technology, Inc. Fully-molded leadframe stand-off feature
US7033517B1 (en) 2003-09-15 2006-04-25 Asat Ltd. Method of fabricating a leadless plastic chip carrier
US7245007B1 (en) 2003-09-18 2007-07-17 Amkor Technology, Inc. Exposed lead interposer leadframe package
US7138707B1 (en) 2003-10-21 2006-11-21 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package including leads and conductive posts for providing increased functionality
US7144517B1 (en) 2003-11-07 2006-12-05 Amkor Technology, Inc. Manufacturing method for leadframe and for semiconductor package using the leadframe
US7211879B1 (en) 2003-11-12 2007-05-01 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with chamfered corners and method of manufacturing the same
US7057268B1 (en) 2004-01-27 2006-06-06 Amkor Technology, Inc. Cavity case with clip/plug for use on multi-media card
US7091594B1 (en) 2004-01-28 2006-08-15 Amkor Technology, Inc. Leadframe type semiconductor package having reduced inductance and its manufacturing method
US7091581B1 (en) 2004-06-14 2006-08-15 Asat Limited Integrated circuit package and process for fabricating the same
US7411289B1 (en) 2004-06-14 2008-08-12 Asat Ltd. Integrated circuit package with partially exposed contact pads and process for fabricating the same
US7202554B1 (en) 2004-08-19 2007-04-10 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package and its manufacturing method
US7595225B1 (en) 2004-10-05 2009-09-29 Chun Ho Fan Leadless plastic chip carrier with contact standoff
US7217991B1 (en) 2004-10-22 2007-05-15 Amkor Technology, Inc. Fan-in leadframe semiconductor package
US7358119B2 (en) * 2005-01-12 2008-04-15 Asat Ltd. Thin array plastic package without die attach pad and process for fabricating the same
US7348663B1 (en) 2005-07-15 2008-03-25 Asat Ltd. Integrated circuit package and method for fabricating same
US7410830B1 (en) 2005-09-26 2008-08-12 Asat Ltd Leadless plastic chip carrier and method of fabricating same
US7507603B1 (en) 2005-12-02 2009-03-24 Amkor Technology, Inc. Etch singulated semiconductor package
US7572681B1 (en) 2005-12-08 2009-08-11 Amkor Technology, Inc. Embedded electronic component package
US7615861B2 (en) * 2006-03-13 2009-11-10 Sandisk Corporation Methods of promoting adhesion between transfer molded IC packages and injection molded plastics for creating over-molded memory cards
US7902660B1 (en) 2006-05-24 2011-03-08 Amkor Technology, Inc. Substrate for semiconductor device and manufacturing method thereof
US7968998B1 (en) 2006-06-21 2011-06-28 Amkor Technology, Inc. Side leaded, bottom exposed pad and bottom exposed lead fusion quad flat semiconductor package
US8124460B2 (en) * 2006-07-17 2012-02-28 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system employing an exposed thermally conductive coating
US7687893B2 (en) 2006-12-27 2010-03-30 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package having leadframe with exposed anchor pads
US7829990B1 (en) 2007-01-18 2010-11-09 Amkor Technology, Inc. Stackable semiconductor package including laminate interposer
US9466545B1 (en) 2007-02-21 2016-10-11 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package in package
US7982297B1 (en) 2007-03-06 2011-07-19 Amkor Technology, Inc. Stackable semiconductor package having partially exposed semiconductor die and method of fabricating the same
US7977774B2 (en) 2007-07-10 2011-07-12 Amkor Technology, Inc. Fusion quad flat semiconductor package
US7687899B1 (en) 2007-08-07 2010-03-30 Amkor Technology, Inc. Dual laminate package structure with embedded elements
US8129827B2 (en) * 2007-09-13 2012-03-06 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with package encapsulation having recess
US8008787B2 (en) * 2007-09-18 2011-08-30 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with delamination prevention structure
US7777351B1 (en) 2007-10-01 2010-08-17 Amkor Technology, Inc. Thin stacked interposer package
US8089159B1 (en) 2007-10-03 2012-01-03 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with increased I/O density and method of making the same
US7847386B1 (en) 2007-11-05 2010-12-07 Amkor Technology, Inc. Reduced size stacked semiconductor package and method of making the same
US7956453B1 (en) 2008-01-16 2011-06-07 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with patterning layer and method of making same
US7723852B1 (en) 2008-01-21 2010-05-25 Amkor Technology, Inc. Stacked semiconductor package and method of making same
US8067821B1 (en) 2008-04-10 2011-11-29 Amkor Technology, Inc. Flat semiconductor package with half package molding
US7768135B1 (en) 2008-04-17 2010-08-03 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with fast power-up cycle and method of making same
SG142321A1 (en) 2008-04-24 2009-11-26 Micron Technology Inc Pre-encapsulated cavity interposer
US7808084B1 (en) 2008-05-06 2010-10-05 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with half-etched locking features
US8125064B1 (en) 2008-07-28 2012-02-28 Amkor Technology, Inc. Increased I/O semiconductor package and method of making same
US8184453B1 (en) 2008-07-31 2012-05-22 Amkor Technology, Inc. Increased capacity semiconductor package
US7847392B1 (en) 2008-09-30 2010-12-07 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe with increased I/O
US7989933B1 (en) 2008-10-06 2011-08-02 Amkor Technology, Inc. Increased I/O leadframe and semiconductor device including same
US8008758B1 (en) 2008-10-27 2011-08-30 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O leadframe
US8089145B1 (en) 2008-11-17 2012-01-03 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including increased capacity leadframe
US8072050B1 (en) 2008-11-18 2011-12-06 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O leadframe including passive device
US7875963B1 (en) 2008-11-21 2011-01-25 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe having power bars and increased I/O
US7982298B1 (en) 2008-12-03 2011-07-19 Amkor Technology, Inc. Package in package semiconductor device
US8487420B1 (en) 2008-12-08 2013-07-16 Amkor Technology, Inc. Package in package semiconductor device with film over wire
US20170117214A1 (en) 2009-01-05 2017-04-27 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with through-mold via
US8680656B1 (en) 2009-01-05 2014-03-25 Amkor Technology, Inc. Leadframe structure for concentrated photovoltaic receiver package
US8058715B1 (en) 2009-01-09 2011-11-15 Amkor Technology, Inc. Package in package device for RF transceiver module
US8026589B1 (en) 2009-02-23 2011-09-27 Amkor Technology, Inc. Reduced profile stackable semiconductor package
US7960818B1 (en) 2009-03-04 2011-06-14 Amkor Technology, Inc. Conformal shield on punch QFN semiconductor package
US8575742B1 (en) 2009-04-06 2013-11-05 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O leadframe including power bars
US8796561B1 (en) 2009-10-05 2014-08-05 Amkor Technology, Inc. Fan out build up substrate stackable package and method
US8937381B1 (en) 2009-12-03 2015-01-20 Amkor Technology, Inc. Thin stackable package and method
US9691734B1 (en) 2009-12-07 2017-06-27 Amkor Technology, Inc. Method of forming a plurality of electronic component packages
US8324511B1 (en) 2010-04-06 2012-12-04 Amkor Technology, Inc. Through via nub reveal method and structure
US8294276B1 (en) 2010-05-27 2012-10-23 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device and fabricating method thereof
US8440554B1 (en) 2010-08-02 2013-05-14 Amkor Technology, Inc. Through via connected backside embedded circuit features structure and method
US8487445B1 (en) 2010-10-05 2013-07-16 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device having through electrodes protruding from dielectric layer
US8791501B1 (en) 2010-12-03 2014-07-29 Amkor Technology, Inc. Integrated passive device structure and method
US8390130B1 (en) 2011-01-06 2013-03-05 Amkor Technology, Inc. Through via recessed reveal structure and method
TWI557183B (zh) 2015-12-16 2016-11-11 財團法人工業技術研究院 矽氧烷組成物、以及包含其之光電裝置
US8648450B1 (en) 2011-01-27 2014-02-11 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe with a combination of leads and lands
US8304871B2 (en) 2011-04-05 2012-11-06 Texas Instruments Incorporated Exposed die package for direct surface mounting
US8847370B2 (en) * 2011-10-10 2014-09-30 Texas Instruments Incorporated Exposed die package that helps protect the exposed die from damage
US8552548B1 (en) 2011-11-29 2013-10-08 Amkor Technology, Inc. Conductive pad on protruding through electrode semiconductor device
US9704725B1 (en) 2012-03-06 2017-07-11 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with leadframe configured to facilitate reduced burr formation
US9048298B1 (en) 2012-03-29 2015-06-02 Amkor Technology, Inc. Backside warpage control structure and fabrication method
US9129943B1 (en) 2012-03-29 2015-09-08 Amkor Technology, Inc. Embedded component package and fabrication method
JP6092645B2 (ja) * 2013-02-07 2017-03-08 エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 半導体装置
KR101486790B1 (ko) 2013-05-02 2015-01-28 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 강성보강부를 갖는 마이크로 리드프레임
KR101563911B1 (ko) 2013-10-24 2015-10-28 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지
TWI524482B (zh) * 2013-12-11 2016-03-01 南茂科技股份有限公司 晶片封裝結構及其製造方法
US9673122B2 (en) 2014-05-02 2017-06-06 Amkor Technology, Inc. Micro lead frame structure having reinforcing portions and method
US9917040B1 (en) * 2016-12-12 2018-03-13 Stmicroelectronics, Inc. Stress relieved thermal base for integrated circuit packaging

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01136356A (ja) * 1987-11-24 1989-05-29 Nec Corp 樹脂封止型半導体装置
JPH01241831A (ja) * 1988-03-23 1989-09-26 Nec Corp 半導体集積回路装置の樹脂封止方法
JPH0223640A (ja) * 1988-07-13 1990-01-25 Hitachi Ltd 樹脂封止型半導体装置
JP2855719B2 (ja) * 1989-03-20 1999-02-10 セイコーエプソン株式会社 半導体装置
JPH02268449A (ja) * 1989-04-10 1990-11-02 Nec Corp 樹脂封止型半導体装置
JPH02277259A (ja) * 1989-04-19 1990-11-13 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPH04241444A (ja) * 1991-01-16 1992-08-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US5130889A (en) * 1991-06-28 1992-07-14 Digital Equipment Corporation Integrated circuit protection by liquid encapsulation
JPH05144982A (ja) * 1991-11-19 1993-06-11 Nippon Precision Circuits Kk 集積回路装置
JPH06283650A (ja) * 1993-03-26 1994-10-07 Ibiden Co Ltd 半導体装置
US5474958A (en) * 1993-05-04 1995-12-12 Motorola, Inc. Method for making semiconductor device having no die supporting surface

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003031765A (ja) * 2001-07-17 2003-01-31 Hitachi Ltd パワーモジュールおよびインバータ
JP2004297071A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Stmicroelectronics Inc 露出されているダイ表面及び補助アタッチメントを具備している集積回路パッケージ
JP2006523964A (ja) * 2003-04-18 2006-10-19 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド 少なくとも部分的にパッケージされた回路デバイスおよびその形成方法
US8072062B2 (en) 2003-04-18 2011-12-06 Freescale Semiconductor, Inc. Circuit device with at least partial packaging and method for forming
US8598693B2 (en) 2010-08-09 2013-12-03 Renesas Electronics Corporation Die pad package with a concave portion in the sealing resin
JP2013089893A (ja) * 2011-10-21 2013-05-13 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置、半導体装置モジュールおよび半導体装置の製造方法
WO2021210344A1 (ja) * 2020-04-17 2021-10-21 株式会社デンソー 半導体装置および半導体モジュール
JP2021174982A (ja) * 2020-04-17 2021-11-01 株式会社デンソー 半導体装置および半導体モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
KR960002782A (ko) 1996-01-26
US5604376A (en) 1997-02-18
US5776800A (en) 1998-07-07
SG38849A1 (en) 1997-04-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0846090A (ja) 半導体チップパッケージ
US5777847A (en) Multichip module having a cover wtih support pillar
US7061080B2 (en) Power module package having improved heat dissipating capability
US20090174049A1 (en) Ultra thin image sensor package structure and method for fabrication
JP2702219B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP4571320B2 (ja) 半導体チップパッケージ
TW200834768A (en) Low profile ball grid array (BGA) package with exposed die and method of making same
JPH02130865A (ja) モールド型半導体パッケージ
KR960012647B1 (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
CN114649271A (zh) 半导体封装件及形成半导体封装件的方法
CN101015054A (zh) 用于封装集成电路晶片的封装和方法
KR100202760B1 (ko) 반도체장치
EP0690499A2 (en) Paddleless molded plastic semiconductor chip package
JP3226244B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH0384958A (ja) マルチチップパッケージの製造方法
CA2017080C (en) Semiconductor device package structure
JP2003347504A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP3528711B2 (ja) リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JPH07235633A (ja) マルチチップモジュール
JPH10294403A (ja) 半導体装置
JP2814006B2 (ja) 電子部品搭載用基板
JPH11214589A (ja) 半導体装置
TWI236123B (en) Semiconductor package with lead frame
JPH08306849A (ja) 放熱部材及び該放熱部材を備えた半導体装置
JP3541751B2 (ja) リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050104

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050331

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050627

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20051128