JPH0430207B2 - - Google Patents
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- JPH0430207B2 JPH0430207B2 JP57100253A JP10025382A JPH0430207B2 JP H0430207 B2 JPH0430207 B2 JP H0430207B2 JP 57100253 A JP57100253 A JP 57100253A JP 10025382 A JP10025382 A JP 10025382A JP H0430207 B2 JPH0430207 B2 JP H0430207B2
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/01—Modifications for accelerating switching
- H03K19/017—Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits
- H03K19/01728—Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in synchronous circuits, i.e. by using clock signals
- H03K19/01735—Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in synchronous circuits, i.e. by using clock signals by bootstrapping, i.e. by positive feed-back
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電界効果トランジスタ(以下MOST
と称す)を用いた集積回路に関し、特に低消費電
力のドライバー回路に関するものである。[Detailed Description of the Invention] The present invention relates to a field effect transistor (hereinafter referred to as MOST).
The present invention relates to an integrated circuit using an integrated circuit (hereinafter referred to as ``integrated circuit''), and in particular to a driver circuit with low power consumption.
従来この種の回路として第1図に示す様なもの
(これは例えばUSP3506851号に開示されている)
があつた。 A conventional circuit of this type is shown in Figure 1 (this is disclosed in USP 3506851, for example).
It was hot.
図において、1はドライバー回路の入力端子、
2は出力端子、3は入力の状態に応じてON、
OFFする駆動MOST、4は負荷MOST、5は出
力負荷容量、6は出力端子2のレベル変化を
MOST4のゲートにフイードバツクする正帰還
容量、7はMOST4のゲートに電圧を供給する
充電MOST、9は電源端子である。 In the figure, 1 is the input terminal of the driver circuit,
2 is the output terminal, 3 is ON depending on the input state,
4 is the load MOST, 5 is the output load capacitance, and 6 is the level change of the output terminal 2.
A positive feedback capacitor feeds back to the gate of MOST4, 7 is a charging MOST that supplies voltage to the gate of MOST4, and 9 is a power supply terminal.
次に動作について説明するが、便宜上回路の説
明はすべてNチヤネルMOSTで行なう。しかし
回路的な意味はPチヤネルMOSTの場合でも本
質的に同一であり本発明はIGFET(絶縁ゲート型
電界効果トランジスタ)を用いた回路全般に実施
することができる。 Next, the operation will be explained, but for the sake of convenience, all the circuit explanations will be based on the N-channel MOST. However, the circuit meaning is essentially the same even in the case of a P-channel MOST, and the present invention can be implemented in general circuits using IGFETs (insulated gate field effect transistors).
第1図において、入力レベルが高レベルのとき
MOST3はONとなり、出力端子2の電圧は接地
レベルに近い低レベルになる。このレベルは
MOST3と4のON抵抗の比によつて決まる(通
常1対10程度にとられる)。 In Figure 1, when the input level is high
MOST3 turns ON, and the voltage at output terminal 2 becomes a low level close to the ground level. This level is
It is determined by the ratio of ON resistance of MOST3 and MOST4 (usually about 1:10).
次に入力レベルが低レベルに変化すると、
MOST3がOFFとなり、出力端子2のレベルは
低レベルから高レベルへ向つて変化する。この変
化は負荷容量5をMOST4によつて充電するこ
とによつて行なわれる。従つて高速に負荷容量5
を充電するためにはMOST4の充電電流を大き
くする必要がある。ところがこの様にすると、入
力レベルが高レベルのときはMOST4,3を流
れる電流が増え、ドライバー回路の消費電力が増
えることになる。 Next, when the input level changes to a low level,
MOST3 turns OFF, and the level of output terminal 2 changes from low level to high level. This change is performed by charging the load capacitor 5 with the MOST 4. Therefore, the load capacity 5 can be increased at high speed.
In order to charge the MOST4, it is necessary to increase the charging current of the MOST4. However, in this case, when the input level is high, the current flowing through the MOSTs 4 and 3 will increase, and the power consumption of the driver circuit will increase.
なお、第1図で帰還容量6は出力レベルが低レ
ベルから高レベルに変化するとき、その変化量を
MOST4のゲートに帰還させ、MOST4のゲー
ト電極であるノード8の電圧を上昇させ、
MOST4からの充電電流を増加させると同時に
MOST4のしきい電圧VTHによる出力電圧の低下
を防止するための容量である。この容量6により
出力端子2は高速に充電され、かつそのレベルは
電源電圧レベルまで上昇する。上記の回路動作を
第2図の波形図に示す。 In addition, in Figure 1, the feedback capacitor 6 changes the amount of change when the output level changes from a low level to a high level.
Feedback to the gate of MOST4 increases the voltage of node 8, which is the gate electrode of MOST4,
At the same time as increasing the charging current from MOST4
This is a capacitor to prevent the output voltage from decreasing due to the threshold voltage VTH of MOST4. This capacitor 6 charges the output terminal 2 at high speed, and its level rises to the power supply voltage level. The above circuit operation is shown in the waveform diagram of FIG.
第1図の回路の欠点である消費電力の問題を低
減したのが、第3図に示す回路である。これは第
1図の回路の出力と出力負荷容量との間にバツフ
アトランジスタ10,11を接続したもので、こ
の両MOST10,11により出力負荷容量5を
高速に充電するという回路である。この回路は次
の様に動作する。 The circuit shown in FIG. 3 reduces the problem of power consumption, which is a drawback of the circuit shown in FIG. 1. This is a circuit in which buffer transistors 10 and 11 are connected between the output of the circuit shown in FIG. This circuit operates as follows.
第3図と第4図の波形図に示すように、入力レ
ベルが高レベルのときは第1図と同じくノード1
3は接地レベルに近い低レベルになる。従つて
MOST11はOFF、一方MOST10はONして
いるので、出力端子2の電圧は完全な接地レベル
(低レベル)になる。次に入力レベルが低レベル
になると、第1図と同じ様に中間出力端子である
ノード13は低レベルから高レベルに向つて変化
する。ところが第3図の回路ではMOST4によ
つて充電すべき負荷容量は12である。容量12
は殆んどがMOST11のゲート容量であり、そ
の値は容量5に比べれば通常格段に小さい。従つ
て第1図と第3図のMOSTからの充電電流を同
じにした場合、第3図のノード13は第1図のノ
ード2よりも高速に充電されることになる。そし
てそのことによりノード13の電圧によつて駆動
されるMOST11も高速に容量5を充電するこ
とになる。すなわち第1図と第3図の回路におい
て負荷容量5の充電速度を同じにした場合、第3
図の回路の方が消費電力を小さくできるというこ
とになる。 As shown in the waveform diagrams in Figures 3 and 4, when the input level is high, node 1 is the same as in Figure 1.
3 is a low level close to the ground level. Accordingly
Since MOST11 is OFF and MOST10 is ON, the voltage at output terminal 2 becomes completely ground level (low level). Next, when the input level becomes low level, the node 13, which is the intermediate output terminal, changes from low level to high level as in FIG. However, in the circuit of FIG. 3, the load capacity to be charged by MOST4 is 12. Capacity 12
is mostly the gate capacitance of MOST11, and its value is usually much smaller than capacitance 5. Therefore, if the charging currents from the MOSTs in FIG. 1 and FIG. 3 are the same, node 13 in FIG. 3 will be charged faster than node 2 in FIG. 1. As a result, the MOST 11 driven by the voltage of the node 13 also charges the capacitor 5 at high speed. In other words, if the charging speed of the load capacitance 5 is made the same in the circuits of FIG. 1 and FIG.
This means that the circuit shown in the figure can consume less power.
ところが第3図の回路はMOST11のしきい
電圧によつて出力端子2の電圧はしきい電圧分だ
け低くなるので、この信号によつて駆動される回
路の電源電圧に対する動作余裕度が小さくなると
いう欠点がある。 However, in the circuit shown in Figure 3, the voltage at the output terminal 2 is lowered by the threshold voltage due to the threshold voltage of MOST 11, so the operating margin of the circuit driven by this signal with respect to the power supply voltage is reduced. There are drawbacks.
この発明は以上の点に鑑み、外部電源電圧が印
加され該外部電源電圧よりも高い電圧を発生する
昇圧回路と、一方の主電極が上記昇圧回路の電圧
出力端子の一方に、他方の主電極が中間出力端子
に接続された第1の電界効果トランジスタと、上
記中間出力端子と上記昇圧回路の電圧出力端子の
他方との間に接続され少なくとも1個の入力端子
をもち論理動作を行う少なくとも1個の第2の電
界効果トランジスタと、上記外部電源電圧端子と
出力端子間に接続されゲートが上記中間出力端子
に接続された第3の電界効果トランジスタとを備
え、上記第1、第2の電界効果トランジスタ間に
印加される電圧を、上記第3の電界効果トランジ
スタのしきい電圧と上記外部電源電圧との和より
も高くすることにより、低消費電力でかつ出力電
圧を電源電圧まで出すことのできるドライバー回
路を提供することを目的としている。 In view of the above points, the present invention provides a booster circuit to which an external power supply voltage is applied and generates a voltage higher than the external power supply voltage; one main electrode is connected to one of the voltage output terminals of the booster circuit; a first field effect transistor connected to an intermediate output terminal; and at least one field effect transistor connected between the intermediate output terminal and the other voltage output terminal of the booster circuit, having at least one input terminal and performing a logical operation. a third field effect transistor connected between the external power supply voltage terminal and the output terminal and having a gate connected to the intermediate output terminal; By making the voltage applied between the effect transistors higher than the sum of the threshold voltage of the third field effect transistor and the external power supply voltage, it is possible to reduce power consumption and output the output voltage up to the power supply voltage. The purpose is to provide a driver circuit that can.
以下この発明の一実施例を図について説明す
る。第5図において、1〜13は第3図の同一符
号のものと同一部分を表わしている。ただし
MOST4のドレインとMOST7のドレインおよ
びゲートはノード19に接続されている。そして
本回路の重要な構成要素は昇圧回路20と第1、
第2、第3のMOST4,3,11であり、第1
のMOST4は一方の主電極が昇圧回路20の電
圧出力端子の一方19に、他方の主電極が中間出
力端子13に接続されている。また第2の
MOST3は中間出力端子13と昇圧回路20の
電圧出力端子の他方である接地間に接続され、入
力端子1を持ち論理動作を行なうものである、ま
た第3のMOST11は外部電源電圧Vと出力端
子2間に接続されそのゲートの中間出力端子13
に接続されている。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In FIG. 5, numerals 1 to 13 represent the same parts as those with the same reference numerals in FIG. however
The drain of MOST4 and the drain and gate of MOST7 are connected to node 19. The important components of this circuit are the booster circuit 20 and the first,
2nd, 3rd MOST 4, 3, 11, and 1st
The MOST 4 has one main electrode connected to one of the voltage output terminals 19 of the booster circuit 20, and the other main electrode connected to the intermediate output terminal 13. Also the second
The MOST 3 is connected between the intermediate output terminal 13 and the ground, which is the other voltage output terminal of the booster circuit 20, and has an input terminal 1 and performs a logical operation.The third MOST 11 is connected between the external power supply voltage V and the output terminal. 2 and intermediate output terminal 13 of the gate.
It is connected to the.
また、14は低レベルと高レベルが周期的に繰
り返される交流信号の加わる端子で、この信号は
クロツクパルスφが加えられている。15はノー
ド19の電圧を昇圧するための容量、16はノー
ド19に電荷を供給するための充電MOST、1
7はクロツクφによつてノード19に充電された
電荷がノード18に戻らない様にするための整流
MOST、20はクロツクφおよび容量15、
MOST16,17から構成され、第6図に示す
ように動作初期を除き実質的に一定の電圧を発生
する昇圧回路、19は昇圧回路20の出力ノー
ド、21は後で説明する昇圧回路20の負荷電流
によるノード19の電圧変動を安定化するための
容量である。 Further, 14 is a terminal to which an alternating current signal whose low level and high level are periodically repeated is applied, and a clock pulse φ is applied to this signal. 15 is a capacitor for boosting the voltage of node 19; 16 is a charging MOST for supplying charge to node 19; 1
7 is a rectifier to prevent the charge charged in node 19 by clock φ from returning to node 18.
MOST, 20 is clock φ and capacity 15,
As shown in FIG. 6, the booster circuit is composed of MOSTs 16 and 17 and generates a substantially constant voltage except for the initial stage of operation, 19 is the output node of the booster circuit 20, and 21 is the load of the booster circuit 20, which will be explained later. This is a capacitor for stabilizing voltage fluctuations at node 19 due to current.
まず昇圧回路20の部分の動作を説明する。第
6図の波形図に示すように、集積回路上に設けら
れた発振回路により、あるいは外部から周期的に
クロツクφを端子14に加えると、クロツクの立
ち上がりで容量15を通してノード18が充電さ
れ、ノード18のレベルが上がる。このときノー
ド18はMOST17のドレインとゲートとして
働き、MOST17はONして、ノード19も充電
され、レベルが上がる。次にクロツクφの立ち下
がりで容量15を通してノード18から電荷が放
電してノード18のレベルが下がると、ノード1
8はMOST17のゲートとソースになるので
MOST17はOFFとなる。すなわちノード19
の電圧は変化しない。クロツクを何回が加える
と、上記のことを繰り返してノード19のレベル
は次第に上昇していくことになる。もしノード1
9に第5図に示す様なドライバ回路が接続されて
いない場合、そのレベルはほぼV19=2(V−
VTH)となる。しかし第5図の様に昇圧回路20
の負荷として図の様なドライバー回路が接続され
ている場合は、ドライバー回路の入力が高レベル
のとき、MOST3と4を通して電流Iが流れる
ので、ノード19の電圧は低下する。この様子を
第7図に示す。第7図ではドライバー回路に流れ
る電流(負荷電流)と昇圧回路20の出力電圧の
関係が示されている。図において、I=IBにおい
て特性が変わるのは、負荷電流が増えて出力電圧
がV−2VTHまで下がると、MOST16からの電
流供給分が加わるからである。 First, the operation of the booster circuit 20 will be explained. As shown in the waveform diagram of FIG. 6, when a clock φ is periodically applied to the terminal 14 by an oscillation circuit provided on the integrated circuit or from the outside, the node 18 is charged through the capacitor 15 at the rising edge of the clock. The level of node 18 increases. At this time, node 18 acts as the drain and gate of MOST 17, MOST 17 is turned on, node 19 is also charged, and the level increases. Next, at the falling edge of the clock φ, charges are discharged from the node 18 through the capacitor 15 and the level of the node 18 decreases.
8 is the gate and source of MOST17, so
MOST17 is turned OFF. i.e. node 19
voltage does not change. No matter how many times the clock is applied, the above process is repeated and the level of node 19 gradually rises. If node 1
9 is not connected to the driver circuit shown in FIG. 5, its level is approximately V 19 = 2 (V-
V TH ). However, as shown in Fig. 5, the booster circuit 20
When a driver circuit as shown in the figure is connected as a load, when the input of the driver circuit is at a high level, current I flows through MOSTs 3 and 4, so the voltage at node 19 decreases. This situation is shown in FIG. FIG. 7 shows the relationship between the current flowing through the driver circuit (load current) and the output voltage of the booster circuit 20. In the figure, the characteristic changes when I= IB because when the load current increases and the output voltage drops to V-2V TH , the current supplied from the MOST 16 is added.
第5図におけるドライバー回路部分の動作は第
3図の回路のものと同一である。いま、第5図に
おいてMOST3,4を流れる電流を第7図のIA
以下にしておき、入力が低レベルになつたとする
と、MOST4のドレイン電圧は第7図より明ら
かな様にV+VTH以上になるから、中間出力端子
であるノード13にはV+VTH以上の電圧が出る
ことになる。その結果MOST11のVTHによる低
下分が補償され、出力ノード2は電源電圧レベル
まで出ることになり、従来の回路における欠点が
改良されたことになる。なお上記実施例では中間
出力端子13と昇圧回路20の電圧出力端子の他
方である接地との間には論理動作を行なう第2の
MOST3を1個のみ接続したが、この第2の
MOSTは複数個直列または並列に、あるいはさ
らに直列、並列、組合わせて接続してもよい。 The operation of the driver circuit portion in FIG. 5 is the same as that of the circuit in FIG. Now, the current flowing through MOST3 and 4 in Figure 5 is expressed as I A in Figure 7.
Assuming that the input becomes low level, the drain voltage of MOST4 becomes more than V + V TH as shown in Figure 7, so a voltage of more than V + V TH appears at node 13, which is the intermediate output terminal. It turns out. As a result, the drop in MOST 11 due to V TH is compensated, and the output node 2 is brought up to the power supply voltage level, thus improving the drawbacks of the conventional circuit. In the above embodiment, there is a second terminal that performs a logical operation between the intermediate output terminal 13 and the ground, which is the other voltage output terminal of the booster circuit 20.
Although only one MOST3 was connected, this second
A plurality of MOSTs may be connected in series or parallel, or in series, parallel, or combinations.
第8図は本発明の他の実施例を示す回路図であ
る。 FIG. 8 is a circuit diagram showing another embodiment of the present invention.
第8図の回路と第5図の回路の違いはMOST
11のドレインが電源ではなく昇圧回路20の出
力に接続されていることである。この回路におい
ては、例えばノード19の電圧をV+2VTHに設
定した場合、ノード2の出力電圧がV+VTHまで
出るので、第5図の回路よりも一層電源電圧に対
する余裕度が大きくできる。 The difference between the circuit in Figure 8 and the circuit in Figure 5 is MOST
11 is connected to the output of the booster circuit 20 instead of the power supply. In this circuit, for example, when the voltage at node 19 is set to V+2V TH , the output voltage at node 2 reaches V+V TH , so that the margin for the power supply voltage can be greater than in the circuit of FIG.
第9図は本発明の他の実施例を示す回路図であ
る。第9図の回路と第8図の回路の違いは
MOST4のゲート電圧を昇圧するための容量6
が端子1を入力とするMOST22,23からな
るインバータの出力とMOST4のゲート電極
(ノード8)間に接続されていることである。こ
の回路の目的はMOST22,23からなるイン
バータの出力ノード25にはフイードバツク容量
6と寄生容量24以外には負荷がかからない様に
してノード25の立ち上がり速度を速くして容量
6によるノード8の昇圧を速くすることにある。
これによりノード13の立ち上がり速度が速くな
り、出力ノード2の立ち上がり速度も速くなる。 FIG. 9 is a circuit diagram showing another embodiment of the present invention. The difference between the circuit in Figure 9 and the circuit in Figure 8 is
Capacitor 6 for boosting the gate voltage of MOST4
is connected between the output of an inverter consisting of MOSTs 22 and 23 whose input is terminal 1 and the gate electrode (node 8) of MOST 4. The purpose of this circuit is to prevent the output node 25 of the inverter consisting of the MOSTs 22 and 23 from being loaded with anything other than the feedback capacitance 6 and the parasitic capacitance 24, thereby increasing the rising speed of the node 25 and boosting the voltage at the node 8 by the capacitance 6. The goal is to make it faster.
As a result, the rising speed of the node 13 becomes faster, and the rising speed of the output node 2 also becomes faster.
第10図は本発明の他の実施例を示す回路図で
ある。第10図と第9図の違いは、入力部に論理
回路が構成されていることで、出力ノードには入
力端子1a,1bへの入力のANDと入力端子1
cへの入力のNOR値が出てくる。第10図の様
に複数の入力が組み合わされた論理回路に本発明
が適用できることはこれまでの説明から容易に類
推できる。 FIG. 10 is a circuit diagram showing another embodiment of the present invention. The difference between FIG. 10 and FIG. 9 is that a logic circuit is configured in the input section, and the output node has the AND of the inputs to input terminals 1a and 1b and the input terminal 1.
The NOR value of the input to c comes out. It can be easily inferred from the above explanation that the present invention can be applied to a logic circuit in which a plurality of inputs are combined as shown in FIG.
第11図は本発明の他の実施例を示す回路図で
ある。第11図と第9図の違いはノード8を充電
するMOST7のゲードとドレインが電源端子9
に接続されていることである。 FIG. 11 is a circuit diagram showing another embodiment of the present invention. The difference between Figure 11 and Figure 9 is that the gate and drain of MOST7 that charges node 8 are connected to power supply terminal 9.
is connected to.
この場合、ノード8が昇圧される前の初期電圧
がV−VTHになつているだけで回路動作としては
ほぼ第9図のものと同じ結果が得られる。 In this case, substantially the same result as in FIG. 9 can be obtained in terms of circuit operation, only that the initial voltage before node 8 is boosted is V-V TH .
以上の様に、本発明によれば、電源電圧と
MOSTのしきい電圧の和以上に昇圧された電圧
をドライバーの電源電圧にすることにより、ドラ
イバーの出力電圧を電源電圧以上にすることがで
きるので、ドライバーの低消費電力化と電源電圧
に対する動作余裕度の増大ができるという効果が
ある。 As described above, according to the present invention, the power supply voltage and
By using a voltage boosted above the sum of the MOST threshold voltages as the driver power supply voltage, the driver output voltage can be made higher than the power supply voltage, resulting in lower power consumption and operating margin for the power supply voltage. It has the effect of increasing the degree of
第1図は従来のドライバー回路を示す回路図、
第2図は第1図の回路動作を説明するための波形
図、第3図は従来のドライバー回路を示す回路
図、第4図は第3図の回路動作を説明するための
波形図、第5図は本発明の一実施例を示す回路
図、第6図は第5図の回路動作を説明するための
波形図、第7図は第5図の回路動作を説明するた
めの特性図、第8図ないし第11図はすべて本発
明の実施例を示す回路図である。
V…外部電源電圧、4…第1のMOST、3…
第2のMOST、11…第3のMOST、20…昇
圧回路、15…容量、17…スイツチング素子、
φ…交流信号。
Figure 1 is a circuit diagram showing a conventional driver circuit.
2 is a waveform diagram for explaining the circuit operation of FIG. 1, FIG. 3 is a circuit diagram showing a conventional driver circuit, FIG. 4 is a waveform diagram for explaining the circuit operation of FIG. 5 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention, FIG. 6 is a waveform diagram for explaining the circuit operation of FIG. 5, and FIG. 7 is a characteristic diagram for explaining the circuit operation of FIG. 5. 8 to 11 are all circuit diagrams showing embodiments of the present invention. V...External power supply voltage, 4...First MOST, 3...
Second MOST, 11... Third MOST, 20... Boost circuit, 15... Capacitor, 17... Switching element,
φ…AC signal.
Claims (1)
受けて第1の外部電源電圧を該外部電源電圧より
も高い実質的に一定の電圧を発生する昇圧回路
と、 一方の主電極が上記昇圧回路の電圧出力端子
に、他方の主電極が中間出力端子に接続された第
1の電界効果トランジスタと、 上記中間出力端子と第2の外部電源電圧が与え
られる端子との間に接続され少なくとも1個の入
力端子をもち論理動作を行なう少なくとも1個の
第2の電界効果トランジスタと、 上記外部電源電圧端子と出力端子間に接続され
ゲートが上記中間出力端子に接続された第3の電
界効果トランジスタとを備え、 上記第1、第2の電界効果トランジスタ間に印
加される電圧を上記第3の電界効果トランジスタ
のしきい値電圧と上記外部電源電圧との和よりも
高くしたことを特徴とするドライバー回路。 2 容量とスイツチング素子とを含み交流信号を
受けて第1の外部電源電圧を該外部電源電圧より
も高い実質的に一定の電圧を発生する昇圧回路
と、 一方の主電極が上記昇圧回路の電圧出力端子
に、他方の主電極が中間出力端子に接続された第
1の電界効果トランジスタと、 上記中間出力端子と第2の外部電源電圧が与え
られる端子との間に接続され少なくとも1個の入
力端子をもち論理動作を行なう少なくとも1個の
第2の電界効果トランジスタと、 上記昇圧回路の電圧出力端子と出力端子間に接
続されゲートが上記中間出力端子に接続された第
3の電界効果トランジスタとを備え、 上記第1、第2の電界効果トランジスタ間に印
加される電圧を上記第3の電界効果トランジスタ
のしきい値電圧と上記外部電源電圧との和よりも
高くしたことを特徴とするドライバー回路。[Scope of Claims] 1. A step-up circuit that includes a capacitor and a switching element and generates a substantially constant voltage higher than a first external power supply voltage in response to an AC signal, and one main electrode. is connected to the voltage output terminal of the step-up circuit, and the other main electrode is connected to the intermediate output terminal, and the intermediate output terminal is connected between the intermediate output terminal and a terminal to which a second external power supply voltage is applied. at least one second field effect transistor having at least one input terminal and performing a logical operation; and a third field effect transistor connected between the external power supply voltage terminal and the output terminal and having a gate connected to the intermediate output terminal. a field effect transistor, and the voltage applied between the first and second field effect transistors is higher than the sum of the threshold voltage of the third field effect transistor and the external power supply voltage. Characteristic driver circuit. 2. A step-up circuit that includes a capacitor and a switching element and generates a substantially constant voltage higher than the first external power supply voltage by receiving an AC signal; one main electrode is connected to the voltage of the step-up circuit; a first field effect transistor whose other main electrode is connected to the intermediate output terminal; and at least one input terminal connected between the intermediate output terminal and a terminal to which a second external power supply voltage is applied. at least one second field effect transistor having a terminal and performing a logical operation; and a third field effect transistor connected between the voltage output terminal and the output terminal of the booster circuit and having a gate connected to the intermediate output terminal. A driver, characterized in that the voltage applied between the first and second field effect transistors is higher than the sum of the threshold voltage of the third field effect transistor and the external power supply voltage. circuit.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57100253A JPS58215823A (en) | 1982-06-09 | 1982-06-09 | Driver circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57100253A JPS58215823A (en) | 1982-06-09 | 1982-06-09 | Driver circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58215823A JPS58215823A (en) | 1983-12-15 |
| JPH0430207B2 true JPH0430207B2 (en) | 1992-05-21 |
Family
ID=14269053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57100253A Granted JPS58215823A (en) | 1982-06-09 | 1982-06-09 | Driver circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58215823A (en) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2541317B2 (en) * | 1988-11-25 | 1996-10-09 | 三菱電機株式会社 | Output circuit for semiconductor device |
| JP5048315B2 (en) * | 2006-12-08 | 2012-10-17 | 奇美電子股▲ふん▼有限公司 | Logic circuit and its application circuit |
| JP5106186B2 (en) | 2008-03-13 | 2012-12-26 | 三菱電機株式会社 | Driver circuit |
| JP5678730B2 (en) * | 2010-03-30 | 2015-03-04 | ソニー株式会社 | Inverter circuit and display device |
| US8300039B2 (en) * | 2010-03-30 | 2012-10-30 | Sony Corporation | Inverter circuit and display |
| JP5488817B2 (en) * | 2010-04-01 | 2014-05-14 | ソニー株式会社 | Inverter circuit and display device |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4071783A (en) * | 1976-11-29 | 1978-01-31 | International Business Machines Corporation | Enhancement/depletion mode field effect transistor driver |
-
1982
- 1982-06-09 JP JP57100253A patent/JPS58215823A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58215823A (en) | 1983-12-15 |
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