JPH04302420A - 半導体基板処理装置および半導体基板処理方法 - Google Patents
半導体基板処理装置および半導体基板処理方法Info
- Publication number
- JPH04302420A JPH04302420A JP9143191A JP9143191A JPH04302420A JP H04302420 A JPH04302420 A JP H04302420A JP 9143191 A JP9143191 A JP 9143191A JP 9143191 A JP9143191 A JP 9143191A JP H04302420 A JPH04302420 A JP H04302420A
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- JP
- Japan
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- semiconductor substrate
- processing chamber
- ionizer
- lower electrode
- processing
- Prior art date
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- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体基板処理装置に関
し、特に半導体基板の静電吸着機能を有するドライエッ
チングもしくはＣＶＤ装置に関する。
し、特に半導体基板の静電吸着機能を有するドライエッ
チングもしくはＣＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】処理室内での半導体基板の下部電極への
固定方法の中に静電吸着方法がある。
固定方法の中に静電吸着方法がある。
【０００３】半導体基板の静電吸着とは、前記半導体基
板が処理中に帯電することを利用し、その逆の電圧を絶
縁体を挾んで下部電極へ印加することにより、半導体基
板を下部電極へ引き寄せることをいう。これはクローン
の法則より明らかである。
板が処理中に帯電することを利用し、その逆の電圧を絶
縁体を挾んで下部電極へ印加することにより、半導体基
板を下部電極へ引き寄せることをいう。これはクローン
の法則より明らかである。
【０００４】従来、この種の装置は図３に示すように、
マスフローコントローラー２と、ガスバルブ３と、処理
室４と、絶縁体６と、下部電極７と、真空ポンプ８と、
高周波電源９と、直流電源１０とを備えており、マスフ
ローコントローラー２、ガスバルブ３を介して、プロセ
スガスを処理室４に導入し、直流電源１０をもって下部
電極７に直流電圧を印加した状態で、下部電極７と処理
室４間に高周波電圧を印加し、プラズマを発生させ、処
理を行っていた。プラズマにより半導体基板５は帯電し
、下部電極７へ絶縁体６を挾んで吸着される。ただし、
処理終了後、半導体基板５に帯電した電荷を消失させる
機構は有していなかった。
マスフローコントローラー２と、ガスバルブ３と、処理
室４と、絶縁体６と、下部電極７と、真空ポンプ８と、
高周波電源９と、直流電源１０とを備えており、マスフ
ローコントローラー２、ガスバルブ３を介して、プロセ
スガスを処理室４に導入し、直流電源１０をもって下部
電極７に直流電圧を印加した状態で、下部電極７と処理
室４間に高周波電圧を印加し、プラズマを発生させ、処
理を行っていた。プラズマにより半導体基板５は帯電し
、下部電極７へ絶縁体６を挾んで吸着される。ただし、
処理終了後、半導体基板５に帯電した電荷を消失させる
機構は有していなかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
基板処理装置では、処理終了後、直流電源の印加を停止
しても、半導体基板には、帯電した電荷が残っているた
め、静電吸着状態が保持され、半導体基板上の電荷が自
然放電するまで半導体基板を移動することができないと
いう問題点があった。
基板処理装置では、処理終了後、直流電源の印加を停止
しても、半導体基板には、帯電した電荷が残っているた
め、静電吸着状態が保持され、半導体基板上の電荷が自
然放電するまで半導体基板を移動することができないと
いう問題点があった。
【０００６】本発明の目的は、帯電した電荷を短時間に
消失させる半導体基板処理装置を提供することにある。
消失させる半導体基板処理装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
、本発明に係る半導体基板処理装置においては、処理室
と、電極と、イオナイザーとを有する半導体基板処理装
置であって、処理室は、処理対象の半導体基板を収容す
るものであり、電極は、半導体基板を処理室内に保持す
るものであり、イオナイザーは、不活性ガスをイオン化
し、半導体基板の帯電電荷を消失させるガスを処理室内
に導入するものである。
、本発明に係る半導体基板処理装置においては、処理室
と、電極と、イオナイザーとを有する半導体基板処理装
置であって、処理室は、処理対象の半導体基板を収容す
るものであり、電極は、半導体基板を処理室内に保持す
るものであり、イオナイザーは、不活性ガスをイオン化
し、半導体基板の帯電電荷を消失させるガスを処理室内
に導入するものである。
【０００８】
【作用】イオナイザー１を通して不活性ガスを処理室４
内に導入し、これにより処理室４内の半導体基板５に帯
電した電荷を消失するようにしたものである。
内に導入し、これにより処理室４内の半導体基板５に帯
電した電荷を消失するようにしたものである。
【０００９】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１０】
【実施例】（実施例１）図１は、本発明の実施例１に係
るドライエッチング装置を示すブロック図である。
るドライエッチング装置を示すブロック図である。
【００１１】図１に示すように本実施例は、プロセスガ
スの流量を調節するためのマスフローコントローラー２
と、ガスバルブ３と、不活性ガスをイオン化するための
イオナイザー１と、半導体基板５を載置するための下部
電極７と、半導体基板５と下部電極７との絶縁を保つた
めの絶縁体６と、処理室４内のプロセスガスを排気する
ための真空ポンプ８と、処理室４内にプラズマを発生さ
せるための高周波電源９と、静電吸着を行うための直流
電源１０とを有している。
スの流量を調節するためのマスフローコントローラー２
と、ガスバルブ３と、不活性ガスをイオン化するための
イオナイザー１と、半導体基板５を載置するための下部
電極７と、半導体基板５と下部電極７との絶縁を保つた
めの絶縁体６と、処理室４内のプロセスガスを排気する
ための真空ポンプ８と、処理室４内にプラズマを発生さ
せるための高周波電源９と、静電吸着を行うための直流
電源１０とを有している。
【００１２】このように構成された本実施例によれば、
処理終了後、半導体基板５に帯電した電荷は自然放電を
持たなくとも、イオナイザー１を介して不活性ガスをイ
オン化して処理室４内に導入し、イオン化された不活性
ガスを半導体基板５に接触させて帯電電荷を消失する。
処理終了後、半導体基板５に帯電した電荷は自然放電を
持たなくとも、イオナイザー１を介して不活性ガスをイ
オン化して処理室４内に導入し、イオン化された不活性
ガスを半導体基板５に接触させて帯電電荷を消失する。
【００１３】（実施例２）図２は、本発明の実施例２に
係るマイクロ波エッチング装置を示すブロック図である
。
係るマイクロ波エッチング装置を示すブロック図である
。
【００１４】図２に示すように、本実施例は実施例１と
同様な働きをもつ、イオナイザー１と、マスフローコン
トローラー２と、ガスバルブ３と、処理室４と、絶縁体
６と、下部電極７と、真空ポンプ８と、直流電源１０と
を有しており、さらに処理室４内にプラズマを発生させ
るためのマイクロ波発振器１１と、マイクロ波を処理室
へ導入するための導波管１２とを有している。
同様な働きをもつ、イオナイザー１と、マスフローコン
トローラー２と、ガスバルブ３と、処理室４と、絶縁体
６と、下部電極７と、真空ポンプ８と、直流電源１０と
を有しており、さらに処理室４内にプラズマを発生させ
るためのマイクロ波発振器１１と、マイクロ波を処理室
へ導入するための導波管１２とを有している。
【００１５】本実施例によれば、実施例１と同様に処理
終了後、半導体基板５に帯電した電荷は、自然放電を待
たなくても、イオナイザー１を介して不活性ガスを処理
室４内に導入することにより消失してしまう。
終了後、半導体基板５に帯電した電荷は、自然放電を待
たなくても、イオナイザー１を介して不活性ガスを処理
室４内に導入することにより消失してしまう。
【００１６】本実施例からも明らかなように、本発明は
処理室４内でプラズマを発生させ処理を行う装置には、
実施が可能である。
処理室４内でプラズマを発生させ処理を行う装置には、
実施が可能である。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、不活性ガ
スをイオナイザーを介して処理室内に導入する構成を有
しているため、処理終了後、半導体基板に帯電した電荷
を容易に消失させることができる効果がある。従って、
半導体基板の移動を自然放電が終わるまで待つ必要がな
くなる。
スをイオナイザーを介して処理室内に導入する構成を有
しているため、処理終了後、半導体基板に帯電した電荷
を容易に消失させることができる効果がある。従って、
半導体基板の移動を自然放電が終わるまで待つ必要がな
くなる。
【図１】本発明の実施例１を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施例２を示すブロック図である。
【図３】従来例を示すブロック図である。
１ イオナイザー
２ マスフローコントローラー
３ ガスバルブ
４ 処理室
５ 半導体基板
６ 絶縁体
７ 下部電極
８ 真空ポンプ
９ 高周波電源
１０ 直流電源
１１ マイクロ波発振器
１２ 導波管
Claims (1)
- 【請求項１】 処理室と、電極と、イオナイザーとを
有する半導体基板処理装置であって、処理室は、処理対
象の半導体基板を収容するものであり、電極は、半導体
基板を処理室内に保持するものであり、イオナイザーは
、不活性ガスをイオン化し、半導体基板の帯電電荷を消
失させるガスを処理室内に導入するものであることを特
徴とする半導体基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9143191A JPH04302420A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 半導体基板処理装置および半導体基板処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9143191A JPH04302420A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 半導体基板処理装置および半導体基板処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04302420A true JPH04302420A (ja) | 1992-10-26 |
Family
ID=14026183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9143191A Pending JPH04302420A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 半導体基板処理装置および半導体基板処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04302420A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020092088A (ko) * | 2001-06-02 | 2002-12-11 | 삼성전자 주식회사 | 이오나이저가 구비된 진공챔버 |
| KR100479986B1 (ko) * | 1996-09-06 | 2005-07-28 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 막두께측정장치 |
-
1991
- 1991-03-29 JP JP9143191A patent/JPH04302420A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100479986B1 (ko) * | 1996-09-06 | 2005-07-28 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 막두께측정장치 |
| KR20020092088A (ko) * | 2001-06-02 | 2002-12-11 | 삼성전자 주식회사 | 이오나이저가 구비된 진공챔버 |
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