JPH0430456B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0430456B2 JPH0430456B2 JP13462486A JP13462486A JPH0430456B2 JP H0430456 B2 JPH0430456 B2 JP H0430456B2 JP 13462486 A JP13462486 A JP 13462486A JP 13462486 A JP13462486 A JP 13462486A JP H0430456 B2 JPH0430456 B2 JP H0430456B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- furnace
- gas
- ore
- blown
- tuyere
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
本発明は、酸素高炉によるフエロニツケルの製
造方法に関する。 （従来技術及びその問題点） ニツケル原料鉱石は、ニツケルが約２％と品位
が低く、付着水及び結晶水が約30％と多く、通常
乾燥、ペレタイジング等の予備処理が必要であ
る。従来は一般にニツケル鉱石をキルン又はシヤ
フト炉で還元し、電気炉で溶解して製造されてお
り、溶鉱炉を用いる方法は、一部しか行われてい
ない。しかし溶鉱炉を用いた場合、フエロニツケ
ルの原料中に水分が多いため、水分の蒸発に多く
の燃料を食い、コークス比の上昇、炉頂温度の上
昇、生産性の低下などの問題がある。 （発明が解決しようとする技術的課題） 本発明は、コークス比を下げ、炉頂ガス温度を
下げ、生産性を向上できるフエロニツケルの製造
方法を提供することを目的とする。 （技術的課題を解決する手段） 本発明は、フエロニツケル鉱石を炉上部から挿
入し、羽口から酸素を吹込むとともに炉中段のシ
ヤフト部から予熱ガスを吹込むことを特徴とする
フエロニツケルの製造方法である。 （実施例） 以下本発明の実施例を図面を参照して説明す
る。第１図に示すように、ニツケル鉱石を乾燥後
篩分けし、塊鉱石はそのまま高炉１の炉頂から挿
入し、粉鉱石は造粒してグリーンボールとして高
炉１に挿入し、あるいは造粒後コールドボンドと
して高炉１に挿入する。炉頂からは同時に石灰石
及びコークスを挿入する。羽口２からは酸素、微
粉炭及び羽口先温度調整用の炉頂ガスを吹込む。
更に炉中段３から予熱ガスを吹込む。予熱ガスは
炉頂ガスの一部をバーナーに導入してこれを燃焼
することにより得られ、その温度は約500℃〜
1300℃である。予熱ガスは、 鉱石中に含まれる多量の水分の蒸発を助けるた
めに行う。 このような操業によりニツケル鉱石の還元が進
行し、炉底部でFeNi及びスラグが得られる。 この方法によれば、炉中段から予熱ガスを吹込
んでいるので鉱石に含まれる多量の水分の蒸発を
促進し、コークス比を減少することができる。し
かもボツシユガス量を下げて生産性を向上するこ
とができ、高炉によるフエロニツケル製造の操業
を安定して行うことができる。 次に本発明の酸素操業の特徴を示すために、熱
風操業と対比して、高炉操業における物質及び熱
収支につき説明する。 その計算条件を表１に示す。
造方法に関する。 （従来技術及びその問題点） ニツケル原料鉱石は、ニツケルが約２％と品位
が低く、付着水及び結晶水が約30％と多く、通常
乾燥、ペレタイジング等の予備処理が必要であ
る。従来は一般にニツケル鉱石をキルン又はシヤ
フト炉で還元し、電気炉で溶解して製造されてお
り、溶鉱炉を用いる方法は、一部しか行われてい
ない。しかし溶鉱炉を用いた場合、フエロニツケ
ルの原料中に水分が多いため、水分の蒸発に多く
の燃料を食い、コークス比の上昇、炉頂温度の上
昇、生産性の低下などの問題がある。 （発明が解決しようとする技術的課題） 本発明は、コークス比を下げ、炉頂ガス温度を
下げ、生産性を向上できるフエロニツケルの製造
方法を提供することを目的とする。 （技術的課題を解決する手段） 本発明は、フエロニツケル鉱石を炉上部から挿
入し、羽口から酸素を吹込むとともに炉中段のシ
ヤフト部から予熱ガスを吹込むことを特徴とする
フエロニツケルの製造方法である。 （実施例） 以下本発明の実施例を図面を参照して説明す
る。第１図に示すように、ニツケル鉱石を乾燥後
篩分けし、塊鉱石はそのまま高炉１の炉頂から挿
入し、粉鉱石は造粒してグリーンボールとして高
炉１に挿入し、あるいは造粒後コールドボンドと
して高炉１に挿入する。炉頂からは同時に石灰石
及びコークスを挿入する。羽口２からは酸素、微
粉炭及び羽口先温度調整用の炉頂ガスを吹込む。
更に炉中段３から予熱ガスを吹込む。予熱ガスは
炉頂ガスの一部をバーナーに導入してこれを燃焼
することにより得られ、その温度は約500℃〜
1300℃である。予熱ガスは、 鉱石中に含まれる多量の水分の蒸発を助けるた
めに行う。 このような操業によりニツケル鉱石の還元が進
行し、炉底部でFeNi及びスラグが得られる。 この方法によれば、炉中段から予熱ガスを吹込
んでいるので鉱石に含まれる多量の水分の蒸発を
促進し、コークス比を減少することができる。し
かもボツシユガス量を下げて生産性を向上するこ
とができ、高炉によるフエロニツケル製造の操業
を安定して行うことができる。 次に本発明の酸素操業の特徴を示すために、熱
風操業と対比して、高炉操業における物質及び熱
収支につき説明する。 その計算条件を表１に示す。
【表】
計算結果を第２図及び表２に示す。第２図は熱
線図で、この図からフエロニツケル鉱石の場合、
スラグ量が過大で（7000Kg／Ｔ）、その持出し顕
熱が大きいが鉱石水分の蒸発潜熱が非常に大き
く、炉下部よりも炉上部で熱が不足気味で燃料比
が高くなつている。熱風操業で、CRが2500Kg／
Ｔの場合、炉頂温度は583℃と高く、持出し炉頂
ガス顕熱も多い。計算上は、CRが2000Kg／Ｔで
も操業できると考えられるが、炉内で、挿入物が
不均一に分布する可能性があり、乾燥不十分の鉱
石が炉下部に降下するおそれがあつて、実際には
困難である。 この実施例では、水分の蒸発を目的として、予
熱ガスを吹込んでいるので、コークス比が1600
Kg／Ｔと低くても、炉上部の熱収支を満たすこと
ができ、操業可能である。 また表２は主要な原単位の項目と熱収支、ガス
量を示す。
線図で、この図からフエロニツケル鉱石の場合、
スラグ量が過大で（7000Kg／Ｔ）、その持出し顕
熱が大きいが鉱石水分の蒸発潜熱が非常に大き
く、炉下部よりも炉上部で熱が不足気味で燃料比
が高くなつている。熱風操業で、CRが2500Kg／
Ｔの場合、炉頂温度は583℃と高く、持出し炉頂
ガス顕熱も多い。計算上は、CRが2000Kg／Ｔで
も操業できると考えられるが、炉内で、挿入物が
不均一に分布する可能性があり、乾燥不十分の鉱
石が炉下部に降下するおそれがあつて、実際には
困難である。 この実施例では、水分の蒸発を目的として、予
熱ガスを吹込んでいるので、コークス比が1600
Kg／Ｔと低くても、炉上部の熱収支を満たすこと
ができ、操業可能である。 また表２は主要な原単位の項目と熱収支、ガス
量を示す。
【表】
【表】
表２から、水分の蒸発に必要とするエネルギー
を羽口先からのガスで満たそうとすると（比較方
法）、必要ボツシユガス量、即ち燃料比FRが高く
なる。燃料比FRが高くなると排ガス潜熱及び顕
熱が大きくなり、所要熱量が増加する。本実施例
では、予熱ガスを吹込むことにより、低い温度レ
ベルのガスを多量に吹込むことにより熱収支を満
たしている。即ち、実施例では燃料比が低くくし
かも羽口から酸素を吹き込んでいるので、ボツシ
ユガス量を低くできることがわかる。フエロニツ
ケル鉱石はスラグ量が非常に多く＜フラツデイン
グ限界に近いので、ボツシユガス量を低くするこ
とにより、生産性を上げることができる。 （発明の効果） 本発明によれば、炉中段から予熱ガスを吹込ん
でいるので、水分の蒸発を助け、コークス比を減
少し、炉頂ガス温度を下げ、しかも予熱ガスの吹
き込みと酸素ガスの吹き込みにより、ボツシユガ
ス量を著しく下げて、生産性の向上及び操業の安
定を図ることができる。また酸素を羽口から吹き
込むので羽口から微粉炭を多量に吹き込むことが
でき、コークス比を低下できる。
を羽口先からのガスで満たそうとすると（比較方
法）、必要ボツシユガス量、即ち燃料比FRが高く
なる。燃料比FRが高くなると排ガス潜熱及び顕
熱が大きくなり、所要熱量が増加する。本実施例
では、予熱ガスを吹込むことにより、低い温度レ
ベルのガスを多量に吹込むことにより熱収支を満
たしている。即ち、実施例では燃料比が低くくし
かも羽口から酸素を吹き込んでいるので、ボツシ
ユガス量を低くできることがわかる。フエロニツ
ケル鉱石はスラグ量が非常に多く＜フラツデイン
グ限界に近いので、ボツシユガス量を低くするこ
とにより、生産性を上げることができる。 （発明の効果） 本発明によれば、炉中段から予熱ガスを吹込ん
でいるので、水分の蒸発を助け、コークス比を減
少し、炉頂ガス温度を下げ、しかも予熱ガスの吹
き込みと酸素ガスの吹き込みにより、ボツシユガ
ス量を著しく下げて、生産性の向上及び操業の安
定を図ることができる。また酸素を羽口から吹き
込むので羽口から微粉炭を多量に吹き込むことが
でき、コークス比を低下できる。
第１図は本発明の一実施例を示す高炉操業方法
の説明図、第２図は温度と熱量との関係を示す図
である。 １…高炉、２…羽口、３…炉中段。
の説明図、第２図は温度と熱量との関係を示す図
である。 １…高炉、２…羽口、３…炉中段。
Claims (1)
- １ ニツケル鉱石を炉上部から挿入し、羽口から
酸素を吹込むとともに炉中段のシヤフト部から予
熱ガスを吹込むことを特徴とするフエロニツケル
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13462486A JPS62290843A (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | フェロニッケルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13462486A JPS62290843A (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | フェロニッケルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62290843A JPS62290843A (ja) | 1987-12-17 |
| JPH0430456B2 true JPH0430456B2 (ja) | 1992-05-21 |
Family
ID=15132726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13462486A Granted JPS62290843A (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | フェロニッケルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62290843A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6975035B2 (en) | 2002-03-04 | 2005-12-13 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for dielectric filling of flip chip on interposer assembly |
| US7087460B2 (en) | 2002-03-04 | 2006-08-08 | Micron Technology, Inc. | Methods for assembly and packaging of flip chip configured dice with interposer |
| US7112520B2 (en) | 2002-03-04 | 2006-09-26 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor die packages with recessed interconnecting structures and methods for assembling the same |
| US7115986B2 (en) | 2001-05-02 | 2006-10-03 | Micron Technology, Inc. | Flexible ball grid array chip scale packages |
| US7129584B2 (en) | 2002-01-09 | 2006-10-31 | Micron Technology, Inc. | Elimination of RDL using tape base flip chip on flex for die stacking |
| US7145225B2 (en) | 2002-03-04 | 2006-12-05 | Micron Technology, Inc. | Interposer configured to reduce the profiles of semiconductor device assemblies and packages including the same and methods |
| US7161237B2 (en) | 2002-03-04 | 2007-01-09 | Micron Technology, Inc. | Flip chip packaging using recessed interposer terminals |
| US7320933B2 (en) | 2002-08-20 | 2008-01-22 | Micron Technology, Inc. | Double bumping of flexible substrate for first and second level interconnects |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1300352C (zh) * | 2005-09-16 | 2007-02-14 | 刘沈杰 | 含结晶水的氧化镍矿经高炉冶炼镍铁工艺 |
| CN1306049C (zh) * | 2005-09-16 | 2007-03-21 | 刘沈杰 | 不含结晶水的氧化镍矿经高炉冶炼镍铁工艺 |
-
1986
- 1986-06-10 JP JP13462486A patent/JPS62290843A/ja active Granted
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7115986B2 (en) | 2001-05-02 | 2006-10-03 | Micron Technology, Inc. | Flexible ball grid array chip scale packages |
| US7189593B2 (en) | 2002-01-09 | 2007-03-13 | Micron Technology, Inc. | Elimination of RDL using tape base flip chip on flex for die stacking |
| US7129584B2 (en) | 2002-01-09 | 2006-10-31 | Micron Technology, Inc. | Elimination of RDL using tape base flip chip on flex for die stacking |
| US7145225B2 (en) | 2002-03-04 | 2006-12-05 | Micron Technology, Inc. | Interposer configured to reduce the profiles of semiconductor device assemblies and packages including the same and methods |
| US7122907B2 (en) | 2002-03-04 | 2006-10-17 | Micron Technology, Inc. | Interposer substrate and wafer scale interposer substrate member for use with flip-chip configured semiconductor dice |
| US7112520B2 (en) | 2002-03-04 | 2006-09-26 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor die packages with recessed interconnecting structures and methods for assembling the same |
| US6975035B2 (en) | 2002-03-04 | 2005-12-13 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for dielectric filling of flip chip on interposer assembly |
| US7161237B2 (en) | 2002-03-04 | 2007-01-09 | Micron Technology, Inc. | Flip chip packaging using recessed interposer terminals |
| US7087460B2 (en) | 2002-03-04 | 2006-08-08 | Micron Technology, Inc. | Methods for assembly and packaging of flip chip configured dice with interposer |
| US7230330B2 (en) | 2002-03-04 | 2007-06-12 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor die packages with recessed interconnecting structures |
| US7348215B2 (en) | 2002-03-04 | 2008-03-25 | Micron Technology, Inc. | Methods for assembly and packaging of flip chip configured dice with interposer |
| US7531906B2 (en) | 2002-03-04 | 2009-05-12 | Micron Technology, Inc. | Flip chip packaging using recessed interposer terminals |
| US7534660B2 (en) | 2002-03-04 | 2009-05-19 | Micron Technology, Inc. | Methods for assembly and packaging of flip chip configured dice with interposer |
| US7569473B2 (en) | 2002-03-04 | 2009-08-04 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming semiconductor assemblies |
| US7320933B2 (en) | 2002-08-20 | 2008-01-22 | Micron Technology, Inc. | Double bumping of flexible substrate for first and second level interconnects |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62290843A (ja) | 1987-12-17 |
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