JPH04304697A - セラミック多層配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はセラミック多層配線基板
の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】相互に接続された配線パターン層の３次
元的な配列を内部に有するセラミック多層配線基板は、
以下に述べるような方法によって製造される。

【０００３】第１の方法は、いわゆるグリーンシート多
層法と呼ばれる方法であって、セラミックグリーンシー
ト上に導電体パターンが形成されたものに適当に貫通孔
を穿孔し、この孔に導電体を充填してビアホールとした
ものを位置合わせして何枚か重ね、加圧して一体化させ
た後、脱バインダ，焼成などの熱処理を施して緻密化さ
せるというプロセスに従う製造方法である（特公昭４０
−８４５８号公報，特公昭５５−７７２０号公報，特公
昭５５−８８３７号公報，特公昭６１−４５８７６号公
報参照）。この方法では材料の焼結時に成形体の３次元
的な収縮が起こる。

【０００４】第２の方法は、一般に厚膜印刷法と呼ばれ
る方法であって、焼結された基板上に導電体ペーストや
絶縁体ペーストを印刷，乾燥，焼成するというプロセス
を繰り返すことによって多層化を行うというものである
（特公昭５７−１９５９９号公報参照）。ビアホールの
形成は、絶縁体ペーストのパターン状印刷やフォトプロ
セス，レーザーの照射などによって行われる（特公昭５
９−２９１６０号公報参照）。これらの他、上記二者の
組合せによるものなど、多くの製造方法が提案されてい
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】前述のように、グリー
ンシート多層法においては焼成時に収縮が起こるため、
意図したパターンの配置を崩すことなく製造するために
は、グリーンシートを作成するためのスラリー組成や粉
体の分散状態、あるいはシートの厚み，加圧条件などが
極めて精密に制御されなければならない。これが実現さ
れないと、焼成体にそりやうねりが生じ、さらに大きな
問題として各層間の位置ずれによるビアホールの導通不
良が起こる。また、実装密度を向上させるためにより微
細な回路パターンが要求される場合に、このような焼成
による収縮は生産歩留まり上致命的な問題点となる。

【０００６】一方、厚膜印刷法は、このようなグリーン
シート多層法の問題点を解決することができる。何故な
らば、この工法によれば焼成時の２次元方向における成
形体の寸法変化がなく、パターンの配置やビアホールの
位置がずれることがないからである。しかしながら、こ
の方法では導電体パターンの逆パターンを絶縁体ペース
トで形成するというやり方（特公昭５７−５４９５６号
公報，特公昭５８−２６６８０号公報）を行った上で、
さらに導電体パターン上に絶縁層を複数回印刷しなけれ
ば、表面が平坦で信頼性のある多層基板は得られない。 さらに、必要な層数だけ焼成を繰り返すということは、
導電体および絶縁体にそれらの焼成と同様な条件の熱履
歴を繰り返し与えなければならないという不都合を生じ
る。すなわち、導電体材料の絶縁層への拡散による絶縁
抵抗の劣化，熱による変質など、信頼性の観点から極め
て好ましくないという問題点を有する。

【０００７】また、厚膜印刷法の利点、つまりパターン
のずれが起こらないということを生かしながら、その欠
点を改善する方法として、焼結基板上に導電体パターン
を形成した後に絶縁体グリーンシートを重ねて圧着し、
さらに導電体パターンを印刷した後、前記絶縁体グリー
ンシートを重ねて圧着するという工程を繰り返して積層
体を形成し、その後熱処理を行うというプロセスが、特
開平１−１００９９７号公報に示されている。しかしな
がら、この方法には、導電体パターン層によって生じる
絶縁体層上の段差をなくすことができず、積層数が多く
なったときに導電体パターンの印刷に支障をきたすだけ
でなく、例えば、非常に平滑な表面が要求されるセラミ
ック多層基板を製造することができないという問題点が
ある。

【０００８】本発明は、上記従来の課題を解決し、表面
の平坦性に優れたセラミック多層基板を生産性良く提供
すること及び、極めて精巧なビアホール形成方法を歩留
まり良く安価に作成できるセラミック多層配線基板の製
造方法を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明は、ベースフィルム上に導電体ペーストをパター
ン状に印刷，乾燥して導電体パターンを形成した後それ
を覆うように絶縁体ペーストを印刷または塗布し乾燥し
て絶縁層を形成することにより転写シートを構成し、耐
熱性基板上に前記転写シートを配置し加熱圧着して前記
導電体パターン及び絶縁層を転写した後に前記ベースフ
ィルムを剥離する工程を繰り返し、前記導電体パターン
及び絶縁層を複数層積層するセラミック多層配線基板の
製造方法を提供するものである。

【００１０】また、本発明は上記方法において、転写シ
ートの所定の位置に貫通孔を形成し、かつ圧着された転
写シートのベースフィルム裏面側から貫通孔内に導電体
ペーストもしくは導電体粉末を充填し、ベースフィルム
を剥離することでビアホールを形成するものである。

【００１１】

【作用】本発明は、転写シートを製造する際に導電体パ
ターンを絶縁体層が覆うように形成されるため、絶縁体
ペーストの流動によって導電体パターンの凹凸が平滑化
され、さらにこれを熱転写してベースフィルムを剥離し
た面が積層体の表面を構成するので、得られるセラミッ
ク多層配線基板の表面平坦性が極めて向上する。また、
ビアホールを充填する工程が熱転写工程の一部として構
成されているため工程の短縮を行うことができる。

【００１２】

【実施例】以下、本発明の一実施例のセラミック多層配
線基板について説明する。

【００１３】（実施例１）本発明によるセラミック多層
配線基板製造の第１の実施例を図１（ａ）〜（ｅ）、図
２（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。図１（ａ）〜（
ｅ）は、各工程におけるセラミック多層配線基板の断面
図、図２（ａ）〜（ｃ）は転写シートの製造工程を示す
断面図である。

【００１４】まず、転写シート９の製造工程について、
図２（ａ）〜（ｃ）を参照しながら説明する。ベースフ
ィルム３上に銀ペーストをパターン状にスクリーン印刷
し、乾燥して膜厚１５〜２０μｍの導電体パターン４を
形成した（図２（ａ）参照）。本実施例ではベースフィ
ルムとして、寸法精度がよく安価なＰＥＴフィルム（東
レ製、厚み７５μｍ）を用いた。また本実施例では、導
電体として市販の銀ペースト（昭栄化学製、Ｈ−４５６
６）、絶縁体ペーストとしてアルミナを主成分とするガ
ラス−セラミック粉末を、ブチラール樹脂とフタル酸ジ
オクチルおよびブチルカルビトールを相溶させたビヒク
ルに分散させたものを用いた。この導電体パターン４を
覆うように９８×９８ｍｍの大きさで前述の絶縁体ペー
ストをスクリーン印刷し、乾燥を行って絶縁体層５を形
成した。絶縁体層５の膜厚および導電体パターン４のあ
る部分とない部分の段差は、絶縁体ペーストの粘度や印
刷条件に依存するが、本実施例ではスクリーン印刷版，
スキージ形状および硬度，スキージ速度などを調節する
ことにより、一回の印刷でそれぞれ約５５μｍ，約５μ
ｍとなるようにした。ピンホールの発生による絶縁体の
絶縁劣化を避けるために印刷，乾燥は二回行った。この
ようにして絶縁体層５の厚み約１００μｍ、前述の段差
が約３μｍである転写シート９が得られた（図２（ｂ）
参照）。この転写シート９の導電体パターン４のランド
部分に、炭酸ガスレーザーを用いて貫通孔６ａをあけ、
図２（ｃ）に示す転写シート９が得られた。本実施例で
はレーザーのパワーと照射条件を適当に調節して貫通孔
６ａ径を約０．２ｍｍとしたが、本発明者等の実験によ
れば約０．０５ｍｍ程度の大きさの孔径を得ることも可
能あった。言うまでもなく、貫通孔６ａをあけるにはそ
の他の種々な穿孔方法、例えばパンチング，ドリルなど
を利用してもよい。

【００１５】次に図１（ａ）〜（ｅ）を用いて説明する
。まず１００×１００ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの９６％ア
ルミナ基板１上に、前述のベースフィルム３と導電体パ
ターン４と絶縁体層５とからなり、これに貫通孔６ａを
形成した転写シート９を配置し、４０ｋｇ／ｃｍ２、１
００℃、１０秒の条件で熱圧着する。絶縁体層５の大き
さは９８×９８ｍｍであった（図１（ｂ）参照）。次に
、転写シート９の貫通孔６ａに前述と同様な銀ペースト
を用いてスクリーン印刷と同じ要領でスキージによって
充填し、ビア導体６とする。すなわち、この際にベース
フィルム３がマスクの代用としての働きを行うわけであ
る。 このときのスキージング動作は、一方向だけでも十分で
あるが、逆向きの二方向、好ましくは四方向にわたって
繰り返すと、より完全に充填が行える。このようにして
ビア導体６の充填を行った後、ベースフィルム３を剥離
した状態が図２（ｃ）である。ベースフィルム３の剥離
は、前述のような市販の厚膜導体ペーストを用いた場合
には、ビア導体６の充填後ペーストが乾燥しないうちに
行ったほうがよいが、導電体粉末を別の方法で充填する
場合にはこの限りではない。

【００１６】さらに、転写シート９の配置，熱圧着，ビ
ア導体６の充填およびベースフィルム３の剥離を前述と
同様に４回繰り返すことによって、図１（ｅ）に示す積
層体が得られた。この状態での積層体表面の平坦性は±
５μｍであった。これを大気中で、常温から１００℃ま
で約１５分、その後昇温速度３０℃／ｈで５２０℃まで
昇温、その温度で３時間保持した後放冷するというプロ
ファイルで脱バインダを行った後、大気中、ベルト炉で
ピーク温度８９０℃、保持時間１０分の熱処理を施した
。これらの熱処理により得られたセラミック多層配線基
板の表面平坦性は±３μｍであって絶縁層５の亀裂や導
電体パターン４の断線および導電体パターン４間の導通
不良などは認められなかった。

【００１７】以上のように本実施例によれば９６％アル
ミナ基板１の片方の面に、表面平滑性に優れた内層導体
４層，表層導体１層のセラミック多層配線基板を形成す
ることができる。このセラミック多層配線基板は、従来
の厚膜多層法によるセラミック多層配線基板と同様な特
性、すなわち高強度，高放熱性などを有していることは
言うまでもない。また、容易に類推できるように、より
高密度の実装という要請から導体層数を増加させること
は、絶縁体ペーストおよび導電体ペースト中の無機粉体
の性質や有機バインダおよび可塑剤の性質、それらの配
合比を考慮することにより行うことができる。本実施例
で作成した導電体パターン４は最小線幅が１００μｍ、
線間が１２５μｍであったので前述のようにスクリーン
印刷を適用したが、さらに精密なパターンが必要な場合
にはオフセット印刷やフォトリソグラフィーの技術が適
用できる。

【００１８】（実施例２）本発明の第２の実施例を図３
（ａ）〜（ｅ）を参照しながら説明する。図３（ａ）〜
（ｅ）は、図１（ａ）〜（ｅ）と同様、各工程における
セラミック多層配線基板の断面図を示す。

【００１９】まず、本実施例に用いる転写シート９の製
造について述べる。本実施例の導電体は酸化銅ペースト
であって、実施例１で使用した銀と同程度の抵抗値（２
〜３ｍΩ／□）を得るためには乾燥膜厚を４０μｍと厚
くしなければならないため、転写シート９を作るために
次のような方法を用いた。つまり、本実施例の転写シー
ト９では、導電体ペーストとして酸化銅粉末（試薬、半
井化学製）を前述と同様のビヒクルに分散させたものを
用いて、膜厚４０μｍの導電体パターン４を形成した後
、このパターンの逆パターンのスクリーン印刷版で絶縁
体ペーストを印刷して、その後実施例１と同様に絶縁体
ペーストの印刷を行い、絶縁体層５の厚み約１３０μｍ
、導電体パターンのある部分とない部分の段差が約３μ
ｍである転写シート９を得た。次に、この転写シート９
の導電体パターン４のランド部分に、実施例１と同様の
方法で貫通孔６ａをあけ、転写シート９を得た。

【００２０】まず１００×１００ｍｍ、厚さ０．８ｍｍ
の９９％アルミナ基板１上に、アルミナを主成分とする
ガラス−セラミック粉末を、ブチラール樹脂とアジピン
酸ジオクチルおよびブチルカルビトールを相溶させたビ
ヒクルに分散させた絶縁体ペーストを９８×９８ｍｍの
大きさにスクリーン印刷して乾燥し、膜厚３０μｍの絶
縁体層２を設けた（図３（ａ））。この上に前述の絶縁
体層５の大きさが９８×９８ｍｍの転写シート９を配置
し、４０ｋｇ／ｃｍ２、１００℃、３秒の条件で熱圧着
した（図３（ｂ））。

【００２１】次に、転写シート９の貫通孔６ａに前述と
同じ酸化銅ペーストを用いて実施例１と同じ要領で充填
する（図３（ｃ））。このようにしてビア導体６の充填
を行った後、ベースフィルム３を剥離した状態が図３（
ｄ）である。

【００２２】さらに、転写シート９の配置，熱圧着，ビ
アの充填およびベースフィルムの剥離を前述と同様に４
回繰り返すことによって、図３（ｅ）に示す積層体が得
られた。この状態での積層体表面の平坦性は±３μｍで
あった。これを実施例１と同様なプロファイルで脱バイ
ンダを行った後、水素気流中３５０℃で３時間の還元を
行って酸化銅を銅に変化させた。この後、窒素中、ベル
ト炉でピーク温度８９０℃、保持時間１０分の熱処理を
施した。これらの熱処理により得られたセラミック多層
配線基板の表面平坦性は±１．５μｍであって絶縁層の
亀裂や配線パターンの断線および配線層間の導通不良な
どは認められなかった。

【００２３】以上のように、本実施例によれば、導電体
パターン４の膜厚が大きい場合においても、実施例１と
同様、表面の平坦性に優れたセラミック多層配線基板を
製造できることがわかる。このセラミック多層配線基板
もまた従来の厚膜多層法によるセラミック多層配線基板
と同様な特性、すなわち高強度，高放熱性などを有して
いることは言うまでもない。また、容易に類推できるよ
うに、より高密度の実装という要請から導体層数を増加
させることは、絶縁体ペーストおよび導電体ペースト中
の無機粉体の性質や有機バインダおよび可塑剤の性質、
それらの配合比を考慮することにより行うことができる
。本実施例で作成した導電体パターン４は最小線幅が１
００μｍ、線間が１２５μｍであったので前述のように
スクリーン印刷を適用したが、さらに精密なパターンが
必要な場合にはオフセット印刷やフォトリソグラフィの
技術が適用できる。

【００２４】（実施例３）本発明の第３の実施例を図４
（ａ）〜（ｈ）を参照して説明する。図４（ａ）〜（ｈ
）は、各工程におけるセラミック多層配線基板の断面図
を示す。まず１００×１００ｍｍ、厚さ０．８ｍｍのス
テアタイト基板１０上に実施例２と同じ絶縁体ペースト
で同様な絶縁体層２を形成した（図４（ａ））。次に、
（ｂ）において基板１および絶縁体層２を貫通する貫通
孔７ａを炭酸ガスレーザーを用いて穿孔した後、従来の
真空吸着を利用したビア充填装置（岩谷産業（株））を
用いて実施例２に示した酸化銅ペーストを貫通孔７ａに
充填し、ビア導体７とした（図４（ｃ））。これの径は
０．３ｍｍとなるようにレーザーの条件を設定した。充
填された酸化銅ペーストを乾燥した後、ビア導体７と位
置合わせを行って実施例２と同様な転写シート９を配置
し同様の条件で熱転写した（図４（ｄ））。その後、図
４（ｅ），（ｆ）に示すように実施例２と同じプロセス
を経て、図４（ｇ）に示す積層体を得た。さらに、ステ
アタイト基板１０の裏面にビア導体７に位置合わせして
導電体パターン８を印刷形成し、図４（ｈ）に示す積層
体とした。導電体パターン８のペーストは、市販の酸化
銅ペースト（京都エレックス製、ＤＤ−３１００）に硼
硅酸ガラス粉末（日本電気ガラス製、ＧＡ−１）を酸化
銅に対して２．５ｗｔ％添加したものを用いた。ガラス
の添加は、導電体パターン８のステアタイト基板１０に
対する接着力を考慮した措置である。この後、実施例２
と同じプロセスで熱処理を行い、前記二つの実施例と同
様表面平坦性に優れたセラミック多層配線基板が得られ
た。 言うまでもなく、本実施例のセラミック多層配線基板も
、絶縁層５の亀裂，欠陥、あるいは導電体パターン４の
間の導通不良などは全く認められなかった。

【００２５】本実施例では、基板裏面の導電体パターン
８として酸化銅ペーストを用いて熱処理を一括で行った
が、このステアタイト基板１０に対する密着力が不十分
である場合には、図４（ｇ）の段階で上記一連の熱処理
を行い、その後市販の銅ペーストで導電体パターン８を
形成し窒素中で焼成するというプロセスを行うこともで
きる。この時、必要に応じてソルダーレジストあるいは
保護材としてのガラスペーストを施しておいてもよい。

【００２６】本実施例の（ｄ）の工程において、ビアホ
ールの個数が多く、その径が小さいため位置合わせ精度
が要求されるような場合には、図６（ａ）〜（ｈ）に示
した製造方法を適用して行うことができる。すなわち、
図６（ａ）において、ステアタイト基板１上に配線とラ
ンドを兼ねた導電体パターン４′を形成した後、これの
逆パターンを絶縁体ペーストで形成して絶縁体層２とす
る。次に図６（ｂ）で導電体パターン４′の指定された
位置に炭酸ガスレーザーで貫通孔７ａを形成し、その後
図６（ｃ）以下に示すように、本実施例と同様な方法で
製造する。このようにすれば、転写シート９との位置合
わせ時のズレによるビア導体７の導通不良が防止できる
。ここで、容易に考えられるように、導電体パターン４
′の膜厚が大きくない場合には、前述のような絶縁体ペ
ーストによる逆パターン印刷は必要なく、導電体パター
ン４′の印刷乾燥後直ちに転写シート９の熱圧着を行っ
てもよい。

【００２７】以上のように本実施例によればステアタイ
ト基板１０の両方の面に表面平滑性に優れた内層導体４
層，表層導体２層のセラミック多層配線基板を形成する
ことができる。この多層配線基板は、従来の厚膜多層法
によるセラミック多層配線基板と同様な特性、すなわち
高強度，高放熱性などを有していることは言うまでもな
い。また、容易に類推できるように、より高密度の実装
という要請から導体層数を増加させることは、絶縁体ペ
ーストおよび導電体ペースト中の無機粉体の性質や有機
バインダおよび可塑剤の性質、それらの配合比を考慮す
ることにより行うことができる。本実施例で作成した導
電体パターン４は最小線幅が１００μｍ、線間が１２５
μｍであったので前述のようにスクリーン印刷を適用し
たが、さらに精密なパターンが必要な場合にはオフセッ
ト印刷やフォトリソグラフィーの技術が適用できる。

【００２８】（実施例４）本発明の第４の実施例を図５
（ａ）〜（ｈ）を参照しながら説明する。図５（ａ）〜
（ｈ）は、図１（ａ）〜（ｅ）と同様、各工程における
セラミック多層配線基板の断面図を示す。まず１００×
１００ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの９６％アルミナ基板１に
、アルミナを主成分とするガラス−セラミック粉末を、
ブチラール樹脂とアジピン酸ジオクチルおよびブチルカ
ルビト−ルを相溶させたヒビクルに分散させた絶縁体ペ
ースト９８×９８ｍｍの大きさにスクリーン印刷して乾
燥する工程を２回、表と裏に施すことにより、膜厚２０
μｍの絶縁体層２を設けた（図５（ａ））。言うまでも
なく、この工程において図６（ａ）に示すような絶縁体
層２と導電体層の組合せを設けてもよい。次に、実施例
３と同様に９６％アルミナ基板１と絶縁体層２を貫通す
る貫通孔７ａを炭酸ガスレーザーで穿孔し、同様な方法
で酸化銅ペーストを充填してビア導体７とした（図５（
ｂ））。以下、実施例３と同様に転写シート９の熱圧着
，ビアの充填，ベースフィルム３の剥離を繰り返すこと
により図５（ｆ）に示す積層体を得た。さらに、以上の
プロセスを９６％アルミナ基板１の裏面に対して繰り返
し行い、図５（ｇ）に示す積層体を得た。これを実施例
２と同じ方法で熱処理し、前記実施例１〜３と同様表面
平坦性に優れたセラミック多層配線基板が得られた。 言うまでもなく、本実施例のセラミック多層配線基板も
、絶縁層５の亀裂，欠陥あるいは導電体パターン４間の
導通不良などは全く認められなかった。

【００２９】本実施例では、転写シート９の積層工程図
５（ｄ），（ｃ），（ｆ）の繰り返しを９６％アルミナ
基板１の片面ごとに行っているが、容易に考えられるよ
うに両面一層ずつ同時に行ってもなんら差し支えない。 また、本実施例および実施例３では耐熱性基板の穿孔を
レーザーを用いて行っているが、あらかじめグリーンシ
ートに穿孔した後焼成された基板を用いてもよい。この
場合には、孔中にペーストが流れこまないような印刷版
を使用する。

【００３０】以上のように本実施例によれば９６％アル
ミナ基板１の両方の面に表面平滑性に優れた内層導体８
層、表層導体２層のセラミック多層配線基板を形成する
ことができる。この多層配線基板は、従来の厚膜多層法
によるセラミック多層配線基板と同様な特性、すなわち
高強度，高放熱性などを有していることは言うまでもな
い。また、容易に類推できるように、より高密度の実装
という要請から導体層数を増加させることは、前述の実
施例と同様に行うことができる。

【００３１】以上の実施例に対する比較として、図１（
ｅ）に示した構造のものを実施例１で使用したのと同様
のペーストを用いてスクリーン印刷法でアルミナ基板上
に形成したビア導体６を形成するのが困難で、絶縁体ペ
ーストによって孔が塞がれてしまうというケースが多発
した。また、積層数が増えるにつれ内部導体のある部分
とない部分の段差が非常に大きくなり、４層目の導電体
パターン４を印刷する際にはこの段差による印刷障害の
ためかすれや断線が発生した。熱処理を行ったものにつ
いては、段差のある部分での絶縁層５や導電体パターン
４の裂断が多く、ビア導体６の導通不良も多発していた
。

【００３２】上記実施例中では、転写シートがすべて図
２（ｃ）に示した形のものを使用したが、必要によって
は図２（ｂ）に示したタイプも使用してよい。例えば、
とりたててビア導体６の必要がない図１（ｄ）に示す積
層体の第１層や、図３（ｃ）に示す積層体の第１層など
はこのタイプを使用できる一例である。ただし、図１（
ｃ）あるいは図３（ｄ）におけるビア導体６が、基板へ
の熱放散を目的とする場合にはこの限りではない。また
、図２（ｃ）に示したタイプで導電体パターン４のない
もの、すなわち絶縁体層５のみで構成された転写シート
９も本発明で使用して差し支えない。これは、例えば図
１（ｅ），図３（ｃ），図４（ｇ）などにおいて最上層
にビア孔だけを形成する必要のある場合などに利用でき
るものである。

【００３３】なお本発明で使用できる各種の材料につい
て、上記実施例中に示されたものはほんの一例に過ぎな
い。例えば、転写シート９のベースフィルム３としては
、寸法精度や表面の平滑さなどの観点からＰＥＴ以外に
もポリイミドやその他の有機フィルムが支障なく利用で
きる。絶縁層５としては、通常市販されているガラスセ
ラミックや、従来絶縁物として多用されるフォルステラ
イト，エンスタタイト，ドロマイトなどの粉末を使用す
ることができる。また、ペーストを作るためのビヒクル
成分は、熱転写性を損なわない限り通常のセラミック粉
末のプロセッシングや厚膜印刷ペーストで多用される樹
脂，可塑剤および溶剤を使用して差し支えない。基板は
上記実施例中では９６％アルミナ板とステアタイト板を
用いたが、積層体部分を構成する材料の熱処理条件など
によってこの他にも炭化ケイ素板，石英ガラス板，フォ
ルステライト板，窒化アルミニウム板およびホーロー鋼
板など広汎な耐熱性基板を使用することができる。

【００３４】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、耐熱性基
板上に平坦性に極めて優れたセラミック多層配線基板を
生産性良く製造する方法と極めて位置合わせ精度の高い
ビアホール形成方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例におけるセ
ラミック多層配線基板の製造工程を示す断面図

【図２】
（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例における転写シート
の製造工程を示す断面図

【図３】（ａ）〜（ｅ）は本発明の第２の実施例におけ
るセラミック多層配線基板の製造工程を示す断面図

【図
４】（ａ）〜（ｈ）は本発明の第３の実施例におけるセ
ラミック多層配線基板の製造工程を示す断面図

【図５】
（ａ）〜（ｈ）は本発明の第４の実施例におけるセラミ
ック多層配線基板の製造工程を示す断面図

【図６】（ａ
）〜（ｈ）は本発明の第３の実施例におけるセラミック
多層配線基板の製造工程を示す断面図

【符号の説明】

１　　９６％アルミナ基板 ２　　絶縁体層 ３　　ベースフィルム ４，４′，８　　導電体パターン ５　　絶縁体層 ６，７　　ビア導体 ６ａ，７ａ　　貫通孔 ９　　転写シート １０　　ステアタイト基板

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ベースフィルム上に導電体ペーストをパタ
   ーン状に印刷，乾燥して導電体パターンを形成した後そ
   れを覆うように絶縁体ペーストを印刷または塗布し乾燥
   して絶縁層を形成することにより転写シートを構成し、
   耐熱性基板上に前記転写シートを配置し、加熱圧着して
   前記導電体パターン及び絶縁層を転写した後に前記ベー
   スフィルムを剥離する工程を繰り返し、前記導電体パタ
   ーン及び絶縁層を複数層積層するセラミック多層配線基
   板の製造方法。
2. 【請求項２】転写シートの所定の位置に貫通孔を形成し
   ていることを特徴とする請求項１記載のセラミック多層
   配線基板の製造方法。
3. 【請求項３】耐熱性基板上にあらかじめ絶縁体ペースト
   と導電体ペーストを印刷または塗布し、乾燥した厚膜層
   を形成することを特徴とする請求項１記載のセラミック
   多層配線基板の製造方法。
4. 【請求項４】圧着された転写シートのベースフィルム裏
   面側から貫通孔内に導電体ペーストもしくは導電体粉末
   を充填し、ベースフィルムを剥離することでビアホール
   を形成することを特徴とする請求項２記載のセラミック
   多層配線基板の製造方法。