JPH0430470A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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Publication number
JPH0430470A
JPH0430470A JP13648790A JP13648790A JPH0430470A JP H0430470 A JPH0430470 A JP H0430470A JP 13648790 A JP13648790 A JP 13648790A JP 13648790 A JP13648790 A JP 13648790A JP H0430470 A JPH0430470 A JP H0430470A
Authority
JP
Japan
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circuit
circuits
analog
noise
digital
Prior art date
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Pending
Application number
JP13648790A
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English (en)
Inventor
Shingo Yamamoto
真吾 山本
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH0430470A publication Critical patent/JPH0430470A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はビルディングブロック方式あるいはマスタース
ライス方式などのカスタム型の半導体集積回路に利用さ
れ、特に、アナログ回路とディジタル回路とが混在する
半導体集積回路に関する。
〔概要〕
本発明は、アナログ回路とディジタル回路とが混在する
カスタム型の半導体集積回路において、雑音の影響を受
けやすいアナログ回路と雑音源となるディジタル回路と
を電気的に分離するシールドブロックを備えることによ
り、 アナログ回路に対するディジタル回路からの雑音の影響
を防止できるようにしたものである。
〔従来の技術〕
ビルディングブロック方式あるいはマスタースライス方
式などのカスタム型の半導体集積回路においては、短い
開発期間を達成するために、内部回路の配置およびそれ
らの相互配線はコンピュータ等を使用して自動的に行わ
れる。このような場合、配置や配線は個々の集積回路に
より異なり、おうおうにして冗長で不合理な配置や配線
となることが多々ある。特に、自動配置配線においては
、集積回路内部の雑音を考慮することは難しく、内部の
雑音は誤動作の原因となる。
例えば、第7図に示すアナログ回路(A)4とディジタ
ル回路(D)5をともに含む半導体集積回路においては
、アナログ回路4が雑音に敏感であり、かつディジタル
回路5が雑音源となりやすいため、自動配置配線により
アナログ回路4とディジタル回路5とが混在した場合、
ディジタル回路5の雑音により、アナログ回路4の特性
が劣化したりアナログ回路4が誤動作することがあった
そのため、第7図に示すように、アナログ回路4の配置
場所とディジタル回路5の配置場所を分離したり、アナ
ログ回路4の端子2aとディジタル回路5の端子2dと
を分離し、その間に追加電源端子3aおよび3bを設け
ることで、ディジタル回路5の雑音によるアナログ回路
4への影響を少なくするこころみかなされている。ただ
し、単に配置を遠ざけただけではその効果は十分といい
きれなかった。
〔発明が解決しようとする課題〕 前述した従来のビルディングブロック方式あるいはマス
タースライス方式などのカスタム型の半導体集積回路に
おいては、そのアナログ信号などの微少な信号を取り扱
う回路のレイアウト設計において、自動配置配線による
配置では、他の回路からの雑音の流入を防止する手段が
ない欠点があった。
本発明の目的は、前記の欠点を除去することにより、ア
ナログ回路に対するディジタル回路からの雑音の影響を
防止できるカスタム型の半導体集積回路を提供すること
にある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、アナログ回路とディジタル回路とを備えたカ
スタム型の半導体集積回路において、電気的に等価な複
数の入出力端子を有し、これらの入出力端子を多層配線
により電源電位または基板電位に接続可能に構成され、
雑音源となる回路と雑音の影響を受けやすい回路とを電
気的に分離するように設けられたシールドブロックを備
えたことを特徴とする。
〔作用〕
シールドブロックは、電気的に等価な複数の入出力端子
を有し、かつ多層配線構造で多層配線間はスルーホール
を介して接続される。そして前記入出力端子を介して例
えばチップの追加電源端子あるいは基板電位に接続され
、回路としての最低の電位に保たれる。
すなわち、シールドブロックは、低電位でかつ低インピ
ーダンスであり、雑音源となるディジタル回路からの雑
音を吸収し、雑音の影響を受けやすいアナログ回路への
雑音の浸入を防止する。
また、多層配線構造であるため、雑音源となる回路間の
配線、および雑音の影響を受けやすい回路間の配線とは
、ともにシールドブロックを横切ることができないので
、接することなく配線による雑音の浸入も防止できる。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
第1図は本発明の第一実施例を示すチップのパターンレ
イアウト図、第2図はそのシールドブロックの等価回路
図、および第3はそのシールドブロックの一例を示すパ
ターンレイアウト図である。
第1図によると、本第−実施例は、アナログ回路(A)
4a 、4bおよび4cと、ディジタル回路(D)5a
 、5bおよび5cと、アナログ回路の端子2aと、デ
ィジタル回路の端子2dと、電源端子3と、追加電源端
子3aと、電源端子3に配線9により接続された追加電
源端子3bとを備えたチップ1において、 本発明の特徴とするところの、 第3図に示すように、電気的に等価な3個の入出力端子
としてのコンタク)23a 、23bおよび23Cを、
スルーホール24を介して接続された第−層配線21お
よび第二層配線22により電源電位または基板電位に接
続可能に構成され、アナログ回路4a、4bおよび4C
をテ゛イジタル回路5a 、5bおよび5cとを電気的
に分離するように、コンタクト23aが配線lOにより
追加電源端子3aに接続され、コンタク) 23bが配
線11により追加電源端子3bに接続され、コンタク)
 23cが基板電位に接続されたシールドブロック8を
備えている。
本第一実施例において、チップ1上にパターンレイアウ
トを行う場合に、自動配置配線のだ必の回路接続情報に
第2図のようなシールドブロックを含む回路を証述して
おき、雑音源となるディジタル回路5a 、5bおよび
5Cの配置場所と、アナログ回路4a、4bおよび4C
の配置場所との間にシールドブロック8を強制配置する
これにより、ディジタル回路5a 、5bおよび5Cで
発生した雑音は、チップを通じてアナログ回路4a 、
4bおよび4Cの方へ伝わるが、その途中で大部分がよ
り低電位、低インピーダンスのシールドブロック8に吸
収され、アナログ回路4a。
4bおよび4Cへの影響は殆どなくなる。
また、シールドブロック8は第−層配線21と第二層配
線22とにより構成されるため、ディジタル回路5a、
5bおよび5Cの回路量配線7と、アナログ回路4a 
、4bおよび4Cの回路量配線6とはこのシールドブロ
ック8間を横切ることができないため、回路量配線6と
回路量配線7とは接近することがなく、配線間の雑音も
なくすことができる。
第4図は本発明の第二実施例のチップの要部を示すパタ
ーンレイアウト図、および第5図はそのシールドブロッ
クの等価回路図である。なお、第4図においては雑音源
となるディジタル回路は省略しである。
本第二実施例は、アナログ回路(A)4dを囲んで、本
発明の特徴とするところのシールドブロック8a〜8e
を設け、シールドブロック間および追加電源端子3aお
よび3bとを配線12で接続したものである。
すなわち、本第二実施例は、シールドブロックを第1図
の第一実施例のように大きなものとせずに、小さな複数
のブロックとし必要に応じてそれらを接続して、雑音の
影響を受けやすいアナログ回路を囲んで雑音源となるデ
ィジタル回路から電気的に分離できるようにしたもので
ある。
第4図のように、雑音の影響を受けやすいアナログ回路
4dがチップlに対し小さいときに、第1図のシールド
ブロック8のような大きなシールドブロックで回りを囲
むと回路のない余分な部分ができてしまうという問題が
ある。また、チップの大きさが異なれば異なるシールド
ブロックを作成しなければならない。本第二実施例によ
れば、小さなシールドブロック8a〜8eをアナログ回
路4dをとり囲むように配置し、それらを配線で接続ス
ることで、シールドブロックで囲む範囲や形状を任意に
設定できる。
第6図は本発明の第三実施例のチップの要部を示すパタ
ーンレイアウト図で、雑音源となるディジタル回路は省
略しである。
本第三実施例は、雑音の影響を受けやすいアナログ回路
が、チップ1の左上隅にアナログ回路(A)4eが、右
下隅にアナログ回路(A)4fが離れて配置された場合
を示す。
そして、本発明の特徴とするところの、シールドブロッ
ク8a+〜8e+がアナログ回路4eを囲んで、配線1
2aにより、各シールドブロック8a+〜8e+間と追
加電源端子3atおよび3b、とが接続され、一方、シ
ールドブロック8a2〜8e2がアナログ回路4fを囲
んで、配線12bにより、各シールドブロック8a2〜
gea間と追加電源端子3a2および3bzとが接続さ
れる。
アナログ回路の配置がはなれている場合や、各アナログ
回路間の雑音が問題となる場合は、本第二実施例のよう
に各アナログ回路ごとにシールドブロックで回りを囲む
ことにより、雑音の影響をなくすことができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明は、ビルディングブロック
方式あるいはマスタースライス方式などのカスタム型の
半導体集積回路において、雑音源となる回路と雑音の影
響を受けやすい回路とを電気的に分離するシールドブロ
ックを設けることにより、同一基板内にディジタル回路
のような雑音源と、アナログ回路のような雑音の影響を
受けやすい回路とがともに存在しても、雑音の影響を減
少させることができ、アナログディジタル混在LSIの
高性能化および設計期間の短縮化を図ることができる効
果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第一実施例のチップのパターンレイア
ウト図。 第2図はそのシールドブロックの等価回路図。 第3図はそのシールドブロックの一例を示すパターンレ
イアウト図。 第4図は本発明の第二実施例のチップの要部を示スパタ
ーンレイアウト図。 第5図はそのシールドブロックの等価回路図。 第6図は本発明の第三実施例のチップの要部を示スパタ
ーンレイアウト図。 第7図は従来例のチップを示すパターンレイアウト図。 1・・・チップ、2a、2d・・・端子、3・・・電源
端子、3a 、 3a+、3a2.3b 、 3b+、
3b2”’追加電源端子、4.4a 〜4f −アナロ
グ回路(A) 、5.5a〜5C・・・ディジタル回路
(D) 、6.7・・・回路量配線、8.8 a 〜8
 e 、 8 a I〜8 e +、8a2〜8e2・
・・シールドブロック、9.10.11.12.12a
112b・・・配線、21・・・第−層配線、22・・
・第二層配線、3a 〜23C ・・・コンタク ト、24・・・スルーホール。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、アナログ回路とディジタル回路とを備えたカスタム
    型の半導体集積回路において、 電気的に等価な複数の入出力端子を有し、これらの入出
    力端子を多層配線により電源電位または基板電位に接続
    可能に構成され、雑音源となる回路と雑音の影響を受け
    やすい回路とを電気的に分離するように設けられたシー
    ルドブロック を備えたことを特徴とする半導体集積回路。
JP13648790A 1990-05-25 1990-05-25 半導体集積回路 Pending JPH0430470A (ja)

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JP13648790A JPH0430470A (ja) 1990-05-25 1990-05-25 半導体集積回路

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JPH0430470A true JPH0430470A (ja) 1992-02-03

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ID=15176295

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0661420A (ja) * 1992-08-05 1994-03-04 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 半導体装置
JPH07193500A (ja) * 1993-11-05 1995-07-28 Goldstar Electron Co Ltd ビデオデジタル/アナログ変換器
US5475255A (en) * 1994-06-30 1995-12-12 Motorola Inc. Circuit die having improved substrate noise isolation
US5986293A (en) * 1994-01-28 1999-11-16 Fujitsu Limited Semiconductor integrated circuit device with voltage patterns
JP2011003570A (ja) * 2009-06-16 2011-01-06 Renesas Electronics Corp 半導体装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0661420A (ja) * 1992-08-05 1994-03-04 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 半導体装置
JPH07193500A (ja) * 1993-11-05 1995-07-28 Goldstar Electron Co Ltd ビデオデジタル/アナログ変換器
US5986293A (en) * 1994-01-28 1999-11-16 Fujitsu Limited Semiconductor integrated circuit device with voltage patterns
US5475255A (en) * 1994-06-30 1995-12-12 Motorola Inc. Circuit die having improved substrate noise isolation
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