JPH0430478A - 半導体圧力センサのスパン電圧温度補償方法 - Google Patents
半導体圧力センサのスパン電圧温度補償方法Info
- Publication number
- JPH0430478A JPH0430478A JP13570890A JP13570890A JPH0430478A JP H0430478 A JPH0430478 A JP H0430478A JP 13570890 A JP13570890 A JP 13570890A JP 13570890 A JP13570890 A JP 13570890A JP H0430478 A JPH0430478 A JP H0430478A
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- Japan
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- pressure sensor
- span voltage
- resistor
- resistance
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体圧力センサのスパン電圧温度補償方法
に関するものである。
に関するものである。
従来の圧力センサのスパン電圧補償方法の一例を説明す
るための回路図を第２図に示し説明する。
るための回路図を第２図に示し説明する。
図において、１１は圧カセンサ累子、１２はオペアンプ
、１３は厚膜抵抗１３ａ（Ｒｅ）と拡散抵抗１３ｂ（Ｒ
ｂ）との合成であるフィードバック抵抗（Ｒｒ）である
。
、１３は厚膜抵抗１３ａ（Ｒｅ）と拡散抵抗１３ｂ（Ｒ
ｂ）との合成であるフィードバック抵抗（Ｒｒ）である
。
そして、圧力センサのスパン電圧は負の温度特性を持っ
ておシ、下記α）式のように表わされる。
ておシ、下記α）式のように表わされる。
第３図にスパン電圧の温度特性を示す。
ただし、Ｋｏ ：定数、Ｖｌ ニブリッジ電圧。
Ｐ：圧力、β：温度係数、Ｔ：温度
また、厚膜抵抗１３＆（Ｒｅ）とオペアンプ２内の拡散
抵抗１３ｂ（Ｒｂ）との合成であるフィードバック抵抗
（合成抵抗） ｔ ３ （Ｒｆ）は下記（２）式のよう
に表わされる。拡散抵抗Ｒｂ２合成抵抗Ｒｆ、厚膜抵抗
Ｒｅの温度特性を第４図に示す。
抵抗１３ｂ（Ｒｂ）との合成であるフィードバック抵抗
（合成抵抗） ｔ ３ （Ｒｆ）は下記（２）式のよう
に表わされる。拡散抵抗Ｒｂ２合成抵抗Ｒｆ、厚膜抵抗
Ｒｅの温度特性を第４図に示す。
・・・（２）
ただし、ＲｃミｎＲ１）６
Ｒｂ＝ Ｒｂ ６ （１＋αＴ）
ここで、第２図に示すオペアンプ２のゲインは下記（３
）式のように表わされ、この（３）式を０）式に掛ける
と（４）式となる。
）式のように表わされ、この（３）式を０）式に掛ける
と（４）式となる。
・・・（４）
この■）式および第４図よシ合成抵抗Ｒｆは正の温度係
数を持っており、β＝α′ にすることによりスパン電
圧の温度補償ができる。
数を持っており、β＝α′ にすることによりスパン電
圧の温度補償ができる。
そこで、ロッド毎に拡散抵抗１３ｂ（Ｒｂ）の温度特性
の先行評価を行い、拡散抵抗１ａｂ（Ｒｂ）の抵抗値お
よび温度係数を算出する。そして、この拡散抵抗１３ｂ
（Ｒｂ）の温度係数を使い、拡散抵抗Ｒｂと厚膜抵抗Ｒ
ｃの合成抵抗Ｒｆの温度係数α′がβと等しくなるよう
に厚膜抵抗Ｒｃの抵抗値を算出する。
の先行評価を行い、拡散抵抗１ａｂ（Ｒｂ）の抵抗値お
よび温度係数を算出する。そして、この拡散抵抗１３ｂ
（Ｒｂ）の温度係数を使い、拡散抵抗Ｒｂと厚膜抵抗Ｒ
ｃの合成抵抗Ｒｆの温度係数α′がβと等しくなるよう
に厚膜抵抗Ｒｃの抵抗値を算出する。
これによす厚膜抵抗Ｒｃの抵抗値を決定する。
上述した従来の圧力センサのスパン電圧温度補償方法で
は、温度補償用の厚膜抵抗Ｒｅを拡散抵抗Ｊ、のロット
毎に先行評価により決定しておシ、ロット内の拡散抵抗
ＩＪ、の値が変化した場合最適な温度補償が行えないと
いう課題があった。
は、温度補償用の厚膜抵抗Ｒｅを拡散抵抗Ｊ、のロット
毎に先行評価により決定しておシ、ロット内の拡散抵抗
ＩＪ、の値が変化した場合最適な温度補償が行えないと
いう課題があった。
この発明はかかる課題を解決するためになされたもので
、より精度良くスパン電圧温度補償を行うことができる
半導体圧力センサのスパン電圧補償方法を得ることを目
的とする。
、より精度良くスパン電圧温度補償を行うことができる
半導体圧力センサのスパン電圧補償方法を得ることを目
的とする。
この発明による半導体圧力センサのスパン電圧温度補償
方法は、圧力センサのスパン電圧温度補償用抵抗を、フ
ァンクショントリミングにより各センサ毎に調整し、ス
パン電圧の温度補償を高精度に行うようにしたものであ
る。
方法は、圧力センサのスパン電圧温度補償用抵抗を、フ
ァンクショントリミングにより各センサ毎に調整し、ス
パン電圧の温度補償を高精度に行うようにしたものであ
る。
この発明においては、各センサ毎の厚膜抵抗値を拡散抵
抗Ｒ１，に対応する抵抗値に設定することにより、補償
がより高精度になる。
抗Ｒ１，に対応する抵抗値に設定することにより、補償
がより高精度になる。
以下、図面に基づきこの発明の実施例を詳細に説明する
。
。
第１図はこの発明による半導体圧力センサのスパン電圧
温度補償方法の一実施例を説明するための回路図である
。
温度補償方法の一実施例を説明するための回路図である
。
この第１図において、１は圧カセンサ累子、２祉オペア
ンプ、３は既知の厚膜抵抗３ ａ （Ｒａ）と拡散抵抗
３ｂ（Ｒｂ）の合成であるフィードバック抵抗（ＲＸ）
である。
ンプ、３は既知の厚膜抵抗３ ａ （Ｒａ）と拡散抵抗
３ｂ（Ｒｂ）の合成であるフィードバック抵抗（ＲＸ）
である。
つぎにこの第１図に示す実施例のスパン電圧温度補償方
法について説明する。
法について説明する。
まず、各センサ毎に既知の厚膜抵抗３ａ（Ｒ１）とオペ
アンプ２内の拡散抵抗３ｂ（Ｒｂ）の合成であるフィー
ドバック抵抗（合成抵抗）３（ＲＸ）の抵抗値を測定し
、拡散抵抗３ｂ（Ｒｂ）の温度係数および抵抗値を算出
する。
アンプ２内の拡散抵抗３ｂ（Ｒｂ）の合成であるフィー
ドバック抵抗（合成抵抗）３（ＲＸ）の抵抗値を測定し
、拡散抵抗３ｂ（Ｒｂ）の温度係数および抵抗値を算出
する。
つぎに、この拡散抵抗３ｂ（Ｒｂ）の温度係数および抵
抗値を用い、厚膜抵抗ａ ｍ （Ｒａ）と拡散抵抗３ｂ
（Ｒｂ）の合成であるフィードバック抵抗（合成抵抗）
３（ＲＸ）の温度係数がβと等しくなるように厚膜抵抗
３ａ（ｕａ）の最適値を算出する。
抗値を用い、厚膜抵抗ａ ｍ （Ｒａ）と拡散抵抗３ｂ
（Ｒｂ）の合成であるフィードバック抵抗（合成抵抗）
３（ＲＸ）の温度係数がβと等しくなるように厚膜抵抗
３ａ（ｕａ）の最適値を算出する。
そして、既知の厚膜抵抗３ａ（Ｒ，）をファンクション
トリミングし最適値にする。
トリミングし最適値にする。
このように、この発明は、圧力センサのスパン電圧温度
補償用抵抗を、ファンクショントリミングにより各セン
サ毎に調整し、スパン電圧の温度補償を高精度に行うよ
うに構成されている。
補償用抵抗を、ファンクショントリミングにより各セン
サ毎に調整し、スパン電圧の温度補償を高精度に行うよ
うに構成されている。
この発明は以上説明したとおシ、各センサ毎にオペアン
プ内の拡散抵抗Ｒｂを測定し、その抵抗値に対応した厚
膜抵抗を決定するように構成したので、各センサ毎に厚
膜抵抗Ｒａを最適値にすることでよル精度良く圧力セン
サのスパン電圧温度補償を行うことができる効果がある
。
プ内の拡散抵抗Ｒｂを測定し、その抵抗値に対応した厚
膜抵抗を決定するように構成したので、各センサ毎に厚
膜抵抗Ｒａを最適値にすることでよル精度良く圧力セン
サのスパン電圧温度補償を行うことができる効果がある
。
第１図はこの発明による半導体圧力センサのスパン電圧
温度補償方法の一実施例を説明するための回路図、第２
図は従来の圧力センサのスパン電圧温度補償方法の一例
を説明するための回路図、第３図はスパン電圧の温度特
性を示す図、第４図は拡散抵抗１合成抵抗、厚膜抵抗の
温度特性を示す図である。 １・・・・圧力センサ素子、３・・・・フィードバック
抵抗、３ｍ ・・・・厚膜抵抗、３ｂ・・・拡散抵抗。
温度補償方法の一実施例を説明するための回路図、第２
図は従来の圧力センサのスパン電圧温度補償方法の一例
を説明するための回路図、第３図はスパン電圧の温度特
性を示す図、第４図は拡散抵抗１合成抵抗、厚膜抵抗の
温度特性を示す図である。 １・・・・圧力センサ素子、３・・・・フィードバック
抵抗、３ｍ ・・・・厚膜抵抗、３ｂ・・・拡散抵抗。
Claims (1)
- 圧力センサのスパン電圧温度補償用抵抗を、ファンク
ショントリミングにより各センサ毎に調整し、スパン電
圧の温度補償を高精度に行うようにしたことを特徴とす
る半導体圧力センサのスパン電圧温度補償方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13570890A JPH0430478A (ja) | 1990-05-25 | 1990-05-25 | 半導体圧力センサのスパン電圧温度補償方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13570890A JPH0430478A (ja) | 1990-05-25 | 1990-05-25 | 半導体圧力センサのスパン電圧温度補償方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0430478A true JPH0430478A (ja) | 1992-02-03 |
Family
ID=15158030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13570890A Pending JPH0430478A (ja) | 1990-05-25 | 1990-05-25 | 半導体圧力センサのスパン電圧温度補償方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0430478A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0856726A1 (de) * | 1997-01-30 | 1998-08-05 | TEMIC TELEFUNKEN microelectronic GmbH | Verfahren zur Temperaturkompensation bei Messsystemen |
| JP2002148131A (ja) * | 2000-11-10 | 2002-05-22 | Denso Corp | 物理量検出装置 |
-
1990
- 1990-05-25 JP JP13570890A patent/JPH0430478A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0856726A1 (de) * | 1997-01-30 | 1998-08-05 | TEMIC TELEFUNKEN microelectronic GmbH | Verfahren zur Temperaturkompensation bei Messsystemen |
| US5926778A (en) * | 1997-01-30 | 1999-07-20 | Temic Telefunken Microelectronic Gmbh | Method for temperature compensation in measuring systems |
| JP2002148131A (ja) * | 2000-11-10 | 2002-05-22 | Denso Corp | 物理量検出装置 |
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