JPH04305831A - 光ディスク原盤の作製方法 - Google Patents
光ディスク原盤の作製方法Info
- Publication number
- JPH04305831A JPH04305831A JP6979391A JP6979391A JPH04305831A JP H04305831 A JPH04305831 A JP H04305831A JP 6979391 A JP6979391 A JP 6979391A JP 6979391 A JP6979391 A JP 6979391A JP H04305831 A JPH04305831 A JP H04305831A
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- JP
- Japan
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- photoresist layer
- wavelength
- resist layers
- optical disc
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- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ディスク原盤を作製
する方法に関する。
する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ディスク原盤には、周方向に情報を凹
凸パターンとして記録する情報ピットが形成されており
、情報ピットの両側にはこれをトラッキングするときに
案内するための案内溝が形成されている。図２は従来の
光ディスク原盤の作製の過程を示す断面構造図であり、
この図に基づいて従来の作製方法を説明する。図中１は
ガラス基板であり、ガラス基板１の上にフォトレジスト
層６を形成する（図２（イ））。次に、フォトレジスト
層６の上方からレーザビーム７ａを照射して、フォトレ
ジスト層６をガラス基板１との境界面まで感光し、レー
ザビーム７ａの照射位置の両側にレーザビーム７ｂ，７
ｂを照射して、フォトレジスト層６をその厚み方向中央
部まで感光させる（図２（ロ））。現像を行い、レーザ
ビーム７ａを照射した部分にガラス基板１の上面に達す
る情報ピット５ａを形成し、レーザビーム７ｂ，７ｂを
照射した部分にフォトレジスト層６の厚み方向中央に達
する案内溝５ｂ，５ｂを形成し、光ディスク原盤１１を
得る（図２（ハ））。
凸パターンとして記録する情報ピットが形成されており
、情報ピットの両側にはこれをトラッキングするときに
案内するための案内溝が形成されている。図２は従来の
光ディスク原盤の作製の過程を示す断面構造図であり、
この図に基づいて従来の作製方法を説明する。図中１は
ガラス基板であり、ガラス基板１の上にフォトレジスト
層６を形成する（図２（イ））。次に、フォトレジスト
層６の上方からレーザビーム７ａを照射して、フォトレ
ジスト層６をガラス基板１との境界面まで感光し、レー
ザビーム７ａの照射位置の両側にレーザビーム７ｂ，７
ｂを照射して、フォトレジスト層６をその厚み方向中央
部まで感光させる（図２（ロ））。現像を行い、レーザ
ビーム７ａを照射した部分にガラス基板１の上面に達す
る情報ピット５ａを形成し、レーザビーム７ｂ，７ｂを
照射した部分にフォトレジスト層６の厚み方向中央に達
する案内溝５ｂ，５ｂを形成し、光ディスク原盤１１を
得る（図２（ハ））。
【０００３】案内溝の深さは案内用光ビームの波長の１
／８に設定しているが、従来の方法で形成された案内溝
５ｂ，５ｂは底の中心が深い断面Ｖ字型の溝であり、溝
の幅方向の深さが異なるのでトラッキングが不安定にな
るという問題があった。
／８に設定しているが、従来の方法で形成された案内溝
５ｂ，５ｂは底の中心が深い断面Ｖ字型の溝であり、溝
の幅方向の深さが異なるのでトラッキングが不安定にな
るという問題があった。
【０００４】この問題を解決するために感度が異なる２
層レジストを用いる方法が提案された（特開昭５９−１
８０８３９号公報）。図３は特開昭５９−１８０８３９
号公報の発明に係る光ディスク原盤の作製の過程を示す
断面構造図であり、図中１はガラス基板である。まず、
ガラス基板１の上にフォトレジスト層８を形成する（図
３（イ））。フォトレジスト層８の上にこれより感度が
高いフォトレジスト層９を積層形成する（図３（ロ））
。次に、フォトレジスト層９の上方から露光パワーが大
きいレーザビーム１０ａを照射して、フォトレジスト層
８及び９を感光させ、レーザビーム１０ａの照射位置の
両側にレーザビーム１０ａより露光パワーが小さいレー
ザビーム１０ｂ，１０ｂを照射して、フォトレジスト層
９を感光させる（図３（ハ））。現像を行い、レーザビ
ーム１０ａを照射した部分にガラス基板１の上面に達す
る情報ピット５ａを形成し、レーザビーム１０ｂ，１０
ｂを照射した部分にフォトレジスト層８の上面に達する
案内溝５ｂ，５ｂを形成し、光ディスク原盤１１を得る
（図３（ニ））。
層レジストを用いる方法が提案された（特開昭５９−１
８０８３９号公報）。図３は特開昭５９−１８０８３９
号公報の発明に係る光ディスク原盤の作製の過程を示す
断面構造図であり、図中１はガラス基板である。まず、
ガラス基板１の上にフォトレジスト層８を形成する（図
３（イ））。フォトレジスト層８の上にこれより感度が
高いフォトレジスト層９を積層形成する（図３（ロ））
。次に、フォトレジスト層９の上方から露光パワーが大
きいレーザビーム１０ａを照射して、フォトレジスト層
８及び９を感光させ、レーザビーム１０ａの照射位置の
両側にレーザビーム１０ａより露光パワーが小さいレー
ザビーム１０ｂ，１０ｂを照射して、フォトレジスト層
９を感光させる（図３（ハ））。現像を行い、レーザビ
ーム１０ａを照射した部分にガラス基板１の上面に達す
る情報ピット５ａを形成し、レーザビーム１０ｂ，１０
ｂを照射した部分にフォトレジスト層８の上面に達する
案内溝５ｂ，５ｂを形成し、光ディスク原盤１１を得る
（図３（ニ））。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図３に示し
た方法により製造される光ディスク原盤は、フォトレジ
スト層８とフォトレジスト層９との感度が異なるため、
情報ピット５ａを形成するときにフォトレジスト層８と
フォトレジスト層９との境界部で段差が生じ、この段差
が信号特性に悪影響を及ぼすという問題があった。そし
てこの段差を小さくするために、フォトレジスト層８と
フォトレジスト層９との感度差を小さくすると、レーザ
ビーム１０ｂ，１０ｂを照射するときにフォトレジスト
層８が幾分露光され、案内溝５ｂ，５ｂがＶ字型になる
という問題があった。
た方法により製造される光ディスク原盤は、フォトレジ
スト層８とフォトレジスト層９との感度が異なるため、
情報ピット５ａを形成するときにフォトレジスト層８と
フォトレジスト層９との境界部で段差が生じ、この段差
が信号特性に悪影響を及ぼすという問題があった。そし
てこの段差を小さくするために、フォトレジスト層８と
フォトレジスト層９との感度差を小さくすると、レーザ
ビーム１０ｂ，１０ｂを照射するときにフォトレジスト
層８が幾分露光され、案内溝５ｂ，５ｂがＶ字型になる
という問題があった。
【０００６】本発明は斯かる事情に鑑みなされたもので
あり、感光波長領域が異なる複数のレジスト層を基板上
に積層形成し、異なる波長の光を照射することにより、
レジスト層の境界部で段差が生じることなく情報ピット
を形成し、断面が台形の案内溝を形成して高品質の信号
が得られる光ディスク原盤の作製方法を提供することを
目的とする。
あり、感光波長領域が異なる複数のレジスト層を基板上
に積層形成し、異なる波長の光を照射することにより、
レジスト層の境界部で段差が生じることなく情報ピット
を形成し、断面が台形の案内溝を形成して高品質の信号
が得られる光ディスク原盤の作製方法を提供することを
目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る光ディスク
原盤の作製方法は、基板上に、感光波長領域が部分的に
異なる複数のレジスト層を積層形成し、積層したレジス
ト層が共通して感光する波長の光及び積層した一部のレ
ジスト層が感光する波長の光を照射し、現像して案内溝
及び情報ピットを形成し、光ディスク原盤を作製するも
のである。
原盤の作製方法は、基板上に、感光波長領域が部分的に
異なる複数のレジスト層を積層形成し、積層したレジス
ト層が共通して感光する波長の光及び積層した一部のレ
ジスト層が感光する波長の光を照射し、現像して案内溝
及び情報ピットを形成し、光ディスク原盤を作製するも
のである。
【０００８】
【作用】本発明においては、感光波長領域が異なるレジ
スト層を順次積層形成し、上層のレジスト層のみ感光さ
せ、下層のレジスト層は感光させない波長のレーザ光を
用いて案内溝を形成するので、案内溝の深さをレジスト
層の厚みで規定することができ、底が平坦である断面が
台形の案内溝を形成することができる。また、情報ピッ
トを形成するときには上下のレジスト層が共に感光する
波長のレーザ光を照射することにし、その波長における
上下のレジスト層の感度を予め同一にしておく場合は、
上下のレジスト層の境界部に段差がない情報ピットが得
られる。以上の如く案内溝及び情報ピットを形成するの
で、高品質の信号が得られる光ディスク原盤を製造する
ことができる。
スト層を順次積層形成し、上層のレジスト層のみ感光さ
せ、下層のレジスト層は感光させない波長のレーザ光を
用いて案内溝を形成するので、案内溝の深さをレジスト
層の厚みで規定することができ、底が平坦である断面が
台形の案内溝を形成することができる。また、情報ピッ
トを形成するときには上下のレジスト層が共に感光する
波長のレーザ光を照射することにし、その波長における
上下のレジスト層の感度を予め同一にしておく場合は、
上下のレジスト層の境界部に段差がない情報ピットが得
られる。以上の如く案内溝及び情報ピットを形成するの
で、高品質の信号が得られる光ディスク原盤を製造する
ことができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図面に基づ
き具体的に説明する。図１は本発明に係る光ディスク原
盤の作製の過程を示す断面構造図であり、図中１はガラ
ス基板である。まず、ガラス基板１上に所定厚さに色素
入りポリジメチルグルタルイミド（ＰＭＧＩ）レジスト
層２を形成する（図１（イ））。
き具体的に説明する。図１は本発明に係る光ディスク原
盤の作製の過程を示す断面構造図であり、図中１はガラ
ス基板である。まず、ガラス基板１上に所定厚さに色素
入りポリジメチルグルタルイミド（ＰＭＧＩ）レジスト
層２を形成する（図１（イ））。
【００１０】色素入りＰＭＧＩレジスト層２の上に案内
溝の深さに相当する厚さにジアゾケトンポジ型フォトレ
ジスト層３を形成する（図１（ロ））。このときジアゾ
ケトンポジ型フォトレジスト層３は酢酸セルソルブに溶
解させて色素入りＰＭＧＩレジスト層２上に形成させる
が、色素入りＰＭＧＩレジスト層２は酢酸セルソルブに
溶解しないので、色素入りＰＭＧＩレジスト層２とジア
ゾケトンポジ型フォトレジスト層３との間には混合層が
形成されない。色素入りＰＭＧＩレジスト層２とジアゾ
ケトンポジ型フォトレジスト層３との厚みの和が情報ピ
ットの深さに相当する。
溝の深さに相当する厚さにジアゾケトンポジ型フォトレ
ジスト層３を形成する（図１（ロ））。このときジアゾ
ケトンポジ型フォトレジスト層３は酢酸セルソルブに溶
解させて色素入りＰＭＧＩレジスト層２上に形成させる
が、色素入りＰＭＧＩレジスト層２は酢酸セルソルブに
溶解しないので、色素入りＰＭＧＩレジスト層２とジア
ゾケトンポジ型フォトレジスト層３との間には混合層が
形成されない。色素入りＰＭＧＩレジスト層２とジアゾ
ケトンポジ型フォトレジスト層３との厚みの和が情報ピ
ットの深さに相当する。
【００１１】次にジアゾケトンポジ型フォトレジスト層
３の上方から情報ピットを形成すべき位置に波長３０５
．５ｎｍのＡｒイオンレーザ光４ａを照射し、Ａｒイオ
ンレーザ光４ａの照射位置の両側の案内溝を形成すべき
位置に波長４５７．９ｎｍのＡｒイオンレーザ光４ｂ，
４ｂを照射する（図１（ハ））。このとき波長３０５．
５ｎｍのＡｒイオンレーザ光４ａによりガラス基板１の
上面に到達する深さまでジアゾケトンポジ型フォトレジ
スト層３及び色素入りＰＭＧＩレジスト層２が感光され
、波長４５７．９ｎｍのＡｒイオンレーザ光４ｂ，４ｂ
により色素入りＰＭＧＩレジスト層２の上面に達するま
でジアゾケトンポジ型フォトレジスト層３が感光される
。なお、色素入りＰＭＧＩレジスト層２が含有する色素
によって、波長３０５．５ｎｍのＡｒイオンレーザ光４
ａに対する感度がジアゾケトンポジ型フォトレジスト層
３の感度と一致させてあるので、ジアゾケトンポジ型フ
ォトレジスト層３と色素入りＰＭＧＩレジスト層２との
境界部には段差が生じない。
３の上方から情報ピットを形成すべき位置に波長３０５
．５ｎｍのＡｒイオンレーザ光４ａを照射し、Ａｒイオ
ンレーザ光４ａの照射位置の両側の案内溝を形成すべき
位置に波長４５７．９ｎｍのＡｒイオンレーザ光４ｂ，
４ｂを照射する（図１（ハ））。このとき波長３０５．
５ｎｍのＡｒイオンレーザ光４ａによりガラス基板１の
上面に到達する深さまでジアゾケトンポジ型フォトレジ
スト層３及び色素入りＰＭＧＩレジスト層２が感光され
、波長４５７．９ｎｍのＡｒイオンレーザ光４ｂ，４ｂ
により色素入りＰＭＧＩレジスト層２の上面に達するま
でジアゾケトンポジ型フォトレジスト層３が感光される
。なお、色素入りＰＭＧＩレジスト層２が含有する色素
によって、波長３０５．５ｎｍのＡｒイオンレーザ光４
ａに対する感度がジアゾケトンポジ型フォトレジスト層
３の感度と一致させてあるので、ジアゾケトンポジ型フ
ォトレジスト層３と色素入りＰＭＧＩレジスト層２との
境界部には段差が生じない。
【００１２】アルカリ現像液により現像を行う。その結
果、Ａｒイオンレーザ光４ｂ，４ｂを照射した部分にジ
アゾケトンポジ型フォトレジスト層３の厚みに相当する
深さの案内溝５ｂ，５ｂが形成され、Ａｒイオンレーザ
光４ａを照射した部分にジアゾケトンポジ型フォトレジ
スト層３及び色素入りＰＭＧＩレジスト層２の厚みの和
に相当する深さの情報ピット５ａが形成され、光ディス
ク原盤１１が得られる（図１（ニ））。このときジアゾ
ケトンポジ型フォトレジスト層３及び色素入りＰＭＧＩ
レジスト層２は感光により共にアルカリ可溶になるので
、従来のアルカリ現像方法を適用することにより、一度
に現像することができる。このようにしてレジスト層の
境界部に段差がない情報ピット及び台形溝の案内溝が形
成される。
果、Ａｒイオンレーザ光４ｂ，４ｂを照射した部分にジ
アゾケトンポジ型フォトレジスト層３の厚みに相当する
深さの案内溝５ｂ，５ｂが形成され、Ａｒイオンレーザ
光４ａを照射した部分にジアゾケトンポジ型フォトレジ
スト層３及び色素入りＰＭＧＩレジスト層２の厚みの和
に相当する深さの情報ピット５ａが形成され、光ディス
ク原盤１１が得られる（図１（ニ））。このときジアゾ
ケトンポジ型フォトレジスト層３及び色素入りＰＭＧＩ
レジスト層２は感光により共にアルカリ可溶になるので
、従来のアルカリ現像方法を適用することにより、一度
に現像することができる。このようにしてレジスト層の
境界部に段差がない情報ピット及び台形溝の案内溝が形
成される。
【００１３】なお、本発明の実施例においては、ガラス
基板１の上にレジスト層を２層形成する場合につき説明
している何らこれに限定されるものではなく、３層以上
形成することにしてもよい。さらに、本発明の実施例に
おいては、波長３０５．５ｎｍ及び波長４５７．９ｎｍ
のＡｒイオンレーザ光を照射する場合につき説明してい
るが何らこれに限定されるものではない。
基板１の上にレジスト層を２層形成する場合につき説明
している何らこれに限定されるものではなく、３層以上
形成することにしてもよい。さらに、本発明の実施例に
おいては、波長３０５．５ｎｍ及び波長４５７．９ｎｍ
のＡｒイオンレーザ光を照射する場合につき説明してい
るが何らこれに限定されるものではない。
【００１４】
【発明の効果】以上の如く本発明においては、感光波長
領域が部分的に異なる複数のレジスト層を基板上に積層
形成し、積層したレジスト層が共通して感光する波長の
光及び積層した一部のレジスト層が感光する波長の光を
照射するので、情報ピット及び案内溝の深さをレジスト
層の厚みで規定することができる。情報ピットを形成す
るときにはレジスト層を共通して感光させる波長の光を
照射することにし、その波長におけるレジスト層間の感
度を予め同一にしておく場合は、レジスト層の境界部に
段差がない情報ピットが得られる。案内溝を形成すると
きには上層のレジスト層を感光させる波長の光を照射す
るので、底が平坦である断面が台形の案内溝が得られる
。従って、高品質の信号が得られる光ディスク原盤が得
られる等、本発明は優れた効果を奏するものである。
領域が部分的に異なる複数のレジスト層を基板上に積層
形成し、積層したレジスト層が共通して感光する波長の
光及び積層した一部のレジスト層が感光する波長の光を
照射するので、情報ピット及び案内溝の深さをレジスト
層の厚みで規定することができる。情報ピットを形成す
るときにはレジスト層を共通して感光させる波長の光を
照射することにし、その波長におけるレジスト層間の感
度を予め同一にしておく場合は、レジスト層の境界部に
段差がない情報ピットが得られる。案内溝を形成すると
きには上層のレジスト層を感光させる波長の光を照射す
るので、底が平坦である断面が台形の案内溝が得られる
。従って、高品質の信号が得られる光ディスク原盤が得
られる等、本発明は優れた効果を奏するものである。
【図１】本発明に係る光ディスク原盤の作製の過程を示
す断面構造図である。
す断面構造図である。
【図２】従来の光ディスク原盤の作製の過程を示す断面
構造図である。
構造図である。
【図３】特開昭５９−１８０８３９号公報の発明に係る
光ディスク原盤の作製の過程を示す断面構造図である。
光ディスク原盤の作製の過程を示す断面構造図である。
１ ガラス基板
２ 色素入りＰＭＧＩレジスト層
３ ジアゾケトンポジ型フォトレジスト層４ａ Ａ
ｒイオンレーザ光 ４ｂ Ａｒイオンレーザ光 ５ａ 情報ピット ５ｂ 案内溝 １１ 光ディスク原盤
ｒイオンレーザ光 ４ｂ Ａｒイオンレーザ光 ５ａ 情報ピット ５ｂ 案内溝 １１ 光ディスク原盤
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上にレジスト層を形成し、該レジ
スト層にこれが感光する波長の光を照射して、情報ピッ
ト及び該情報ピットと深さが異なる案内溝を形成する光
ディスク原盤の作製方法において、複数のレジスト層を
基板上に積層形成し、積層したレジスト層が共通して感
光する波長の光及び積層した一部のレジスト層が感光す
る波長の光を照射し、情報ピット及び案内溝を形成する
ことを特徴とする光ディスク原盤の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6979391A JPH04305831A (ja) | 1991-04-02 | 1991-04-02 | 光ディスク原盤の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6979391A JPH04305831A (ja) | 1991-04-02 | 1991-04-02 | 光ディスク原盤の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04305831A true JPH04305831A (ja) | 1992-10-28 |
Family
ID=13412984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6979391A Pending JPH04305831A (ja) | 1991-04-02 | 1991-04-02 | 光ディスク原盤の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04305831A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08227538A (ja) * | 1994-10-21 | 1996-09-03 | Nec Corp | 光ディスクの露光原盤及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-04-02 JP JP6979391A patent/JPH04305831A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08227538A (ja) * | 1994-10-21 | 1996-09-03 | Nec Corp | 光ディスクの露光原盤及びその製造方法 |
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