JPH0229955A - 光ディスク製造方法 - Google Patents
光ディスク製造方法Info
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- JPH0229955A JPH0229955A JP17943688A JP17943688A JPH0229955A JP H0229955 A JPH0229955 A JP H0229955A JP 17943688 A JP17943688 A JP 17943688A JP 17943688 A JP17943688 A JP 17943688A JP H0229955 A JPH0229955 A JP H0229955A
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- photoresist
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 44
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 37
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光ディスク製造方法、特に、基板に深さの異
なるパターンを形成する光ディスク製造方法に関する。
なるパターンを形成する光ディスク製造方法に関する。
従来の光ディスク製造方法は、基板上にホトレッ
ジスト層を形成し、レーザー露光およい現像処理により
情報信号を基板上にパターンとして形成する工程におい
ては、第２図に示すごとく、単層ホットレジスト層６が
用いられ、深さの浅いパターン４と、深さの深いパター
ン５とが形成されている。
情報信号を基板上にパターンとして形成する工程におい
ては、第２図に示すごとく、単層ホットレジスト層６が
用いられ、深さの浅いパターン４と、深さの深いパター
ン５とが形成されている。
単層ホトレジスト６を用いてホトレジスト層に深さの異
なるパターンを形成する手段として、形成するパターン
の深さに応じて、レーザー光の強度を変えて露光を行っ
ている。
なるパターンを形成する手段として、形成するパターン
の深さに応じて、レーザー光の強度を変えて露光を行っ
ている。
すなわち、ホトレジスト層に浅い方のパターン４を形成
するときの深さの制御は、レーザー露光の強度を調節す
ることによって露光後の現像処理で除去されるホトレジ
スト層の深さを制御することによって行われ、深い方の
パターン形成での深さの制御はホトレジスト層゛が現像
処理において完全に除去されるに充分な強度で露光を行
い、深いパターンの深さが塗布された単層ホトレジスト
層６の膜厚に等しくなる方法で行われている。
するときの深さの制御は、レーザー露光の強度を調節す
ることによって露光後の現像処理で除去されるホトレジ
スト層の深さを制御することによって行われ、深い方の
パターン形成での深さの制御はホトレジスト層゛が現像
処理において完全に除去されるに充分な強度で露光を行
い、深いパターンの深さが塗布された単層ホトレジスト
層６の膜厚に等しくなる方法で行われている。
しかしながら、このような上述した従来の光ディスク製
造方法は、深さの異なるパターンを基板のほぼ全面にそ
れぞれの深さのバラツキが無いように形成することは難
しく、特に、レーザー露光強度の調節により現像処理に
よって除去されるホトレジスト層の深さで制御する、浅
いパターンの深さ制御は、レーザー露光強度のバラツキ
あるいはホトレジスト層の露光感度のバラツキがあるの
で基板面内での深さのバラツキを±５％以内に抑えるこ
とは極めて困難であるという欠点がある。
造方法は、深さの異なるパターンを基板のほぼ全面にそ
れぞれの深さのバラツキが無いように形成することは難
しく、特に、レーザー露光強度の調節により現像処理に
よって除去されるホトレジスト層の深さで制御する、浅
いパターンの深さ制御は、レーザー露光強度のバラツキ
あるいはホトレジスト層の露光感度のバラツキがあるの
で基板面内での深さのバラツキを±５％以内に抑えるこ
とは極めて困難であるという欠点がある。
本発明の光ディスク製造方法は、基板上のパターンを形
成するホトレジスト層として露光感度の異なる上下二層
のホトレジスト層を用い、上層には露光感度の高いホト
レジストを、下層には上層に比べて露光感度の低いホト
レジストを用いて構成される。
成するホトレジスト層として露光感度の異なる上下二層
のホトレジスト層を用い、上層には露光感度の高いホト
レジストを、下層には上層に比べて露光感度の低いホト
レジストを用いて構成される。
すなわち、本発明の光ディスク製造方法は、レーザー露
光によって基板に深さの異なるパターンを形成するため
に基板上に塗布するホトレジスト層が上層および下層の
二層からなり、上層ホトレジストの膜厚が深さの浅いパ
ターンの深さに対応し、下層ホトレジストリ膜厚は上層
ホトレジストと下層ホトレジストと膜厚の和が深いパタ
ーンの深さに対応した厚さであり、かつ、露光に用いる
レーザー光に対する上層ホトレジストの露光感度が下層
ホトレジストの露光感度の１．５倍以上である多層のホ
トレジスト層であるように構成される。
光によって基板に深さの異なるパターンを形成するため
に基板上に塗布するホトレジスト層が上層および下層の
二層からなり、上層ホトレジストの膜厚が深さの浅いパ
ターンの深さに対応し、下層ホトレジストリ膜厚は上層
ホトレジストと下層ホトレジストと膜厚の和が深いパタ
ーンの深さに対応した厚さであり、かつ、露光に用いる
レーザー光に対する上層ホトレジストの露光感度が下層
ホトレジストの露光感度の１．５倍以上である多層のホ
トレジスト層であるように構成される。
次に、本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図である。
第１図に示す光ディスク製造方法は、直径１３０閣の円
板状の基板１の表面に、下層ホトレジスト２を約７°０
０人形成し、次いで下層ホトレジスト２の約２倍の露光
感度を有する上層ホトレジスト３を約７００人形成し、
波長４５７０人のレーザー光を用いて、浅いパターン４
を形成する部分を露光するレーザー光強度として５ｍＷ
、深いパター７５を形成する部分を露光するレーザー光
強度を１５ｍＷにして露光し、次いで現像処理を行い、
パターンを形成した。
板状の基板１の表面に、下層ホトレジスト２を約７°０
０人形成し、次いで下層ホトレジスト２の約２倍の露光
感度を有する上層ホトレジスト３を約７００人形成し、
波長４５７０人のレーザー光を用いて、浅いパターン４
を形成する部分を露光するレーザー光強度として５ｍＷ
、深いパター７５を形成する部分を露光するレーザー光
強度を１５ｍＷにして露光し、次いで現像処理を行い、
パターンを形成した。
第１図に示す光ディスク製造方法で形成した深さ約７０
０人の浅いパターン４と、深さ約１４００人の深いパタ
ーン５の基板１０面内での深さのバラツキは各々約±３
％以内であった。
０人の浅いパターン４と、深さ約１４００人の深いパタ
ーン５の基板１０面内での深さのバラツキは各々約±３
％以内であった。
なお、上述の実施例では上層ホトレジストと下層ホトレ
ジストのレーザー露光感度の比を２倍とした例について
説明したが、このレーザー露光感度の比）よ２倍に限定
されるものではなく、実質的に本発明の効果が生じる感
度比である１、５以上であれば良い。
ジストのレーザー露光感度の比を２倍とした例について
説明したが、このレーザー露光感度の比）よ２倍に限定
されるものではなく、実質的に本発明の効果が生じる感
度比である１、５以上であれば良い。
本発明の光ディスク製造方法は、基板上に深さの異なる
パターンを形成する工程において、上層に浅いパターン
の深さに対応する膜厚のレーザー露光感度の高いホトレ
ジスト層を、下層には上層ホトレジストの膜厚と下層ホ
トレジストの膜厚との和が深いパターンの深さに対応す
る膜厚で、上層ホトレジストに比べて露光感度が１／２
以下のホトレジスト層で構成される多層ホトレジスト層
を用いることによって、浅いパターン形成部分に対する
レーザー露光強度に多少バラツキがあっても露光感度の
低い下層ホトレジストは、現像処理によってホトレジス
トが除去されるような実質的な露光はほとんど行われず
、浅いパターンの深さの制御は、レーザー露光強度に多
少バラツキがあっても上層ホトレジストの膜厚によって
ほぼ規定されてしまうという効果がある。
パターンを形成する工程において、上層に浅いパターン
の深さに対応する膜厚のレーザー露光感度の高いホトレ
ジスト層を、下層には上層ホトレジストの膜厚と下層ホ
トレジストの膜厚との和が深いパターンの深さに対応す
る膜厚で、上層ホトレジストに比べて露光感度が１／２
以下のホトレジスト層で構成される多層ホトレジスト層
を用いることによって、浅いパターン形成部分に対する
レーザー露光強度に多少バラツキがあっても露光感度の
低い下層ホトレジストは、現像処理によってホトレジス
トが除去されるような実質的な露光はほとんど行われず
、浅いパターンの深さの制御は、レーザー露光強度に多
少バラツキがあっても上層ホトレジストの膜厚によって
ほぼ規定されてしまうという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は従来
の一例を示す断面図である。 １・・・・・・基板、２．・・・・・・下層ホトレジス
ト、３・・・・・・上層ホトレジスト、４，５・・・・
・・パターン、６・・・・・・単層ホトレジスト。 代理人 弁理士 内 原 晋
の一例を示す断面図である。 １・・・・・・基板、２．・・・・・・下層ホトレジス
ト、３・・・・・・上層ホトレジスト、４，５・・・・
・・パターン、６・・・・・・単層ホトレジスト。 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- 基板に深さの深いパターンの深さと深さの浅いパターン
の深さとの差に相当する膜厚の下層ホトレジスト層を塗
布し、前記下層ホトレジスト層の上に露光感度がこの下
層ホトレジストの露光感度の１．５倍以上あり深さの浅
いパターンの深さに対応した膜厚の上層ホトレジストを
塗布することを特徴とする光ディスク製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17943688A JPH0229955A (ja) | 1988-07-18 | 1988-07-18 | 光ディスク製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17943688A JPH0229955A (ja) | 1988-07-18 | 1988-07-18 | 光ディスク製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0229955A true JPH0229955A (ja) | 1990-01-31 |
Family
ID=16065832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17943688A Pending JPH0229955A (ja) | 1988-07-18 | 1988-07-18 | 光ディスク製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0229955A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03248342A (ja) * | 1990-02-26 | 1991-11-06 | Nec Corp | 光ディスク基板の製造方法 |
| US5286583A (en) * | 1990-11-30 | 1994-02-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a photomask for an optical memory |
| EP0596439A3 (en) * | 1992-11-05 | 1995-02-08 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Method of making an original disk for manufacturing optical disks. |
| EP0708439A1 (en) * | 1994-10-21 | 1996-04-24 | Nec Corporation | Master disc for an optical disc and method for manufacturing the master disc |
| JPH08227538A (ja) * | 1994-10-21 | 1996-09-03 | Nec Corp | 光ディスクの露光原盤及びその製造方法 |
| WO2005055224A1 (ja) * | 2003-12-01 | 2005-06-16 | Sony Corporation | 光ディスク用原盤の製造方法および光ディスク用原盤 |
| JP2009146515A (ja) * | 2007-12-14 | 2009-07-02 | Sony Corp | 記憶媒体製造方法、情報記憶原盤製造装置 |
-
1988
- 1988-07-18 JP JP17943688A patent/JPH0229955A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03248342A (ja) * | 1990-02-26 | 1991-11-06 | Nec Corp | 光ディスク基板の製造方法 |
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| JPH08227538A (ja) * | 1994-10-21 | 1996-09-03 | Nec Corp | 光ディスクの露光原盤及びその製造方法 |
| WO2005055224A1 (ja) * | 2003-12-01 | 2005-06-16 | Sony Corporation | 光ディスク用原盤の製造方法および光ディスク用原盤 |
| JPWO2005055224A1 (ja) * | 2003-12-01 | 2007-06-28 | ソニー株式会社 | 光ディスク用原盤の製造方法および光ディスク用原盤 |
| EP1691362A4 (en) * | 2003-12-01 | 2008-10-29 | Sony Corp | PROCESS FOR PRODUCING AN ORIGINAL DATA CARRIER FOR AN OPTICAL DATA CARRIER AND ORIGINAL DATA CARRIER FOR AN OPTICAL DATA CARRIER |
| JP4655937B2 (ja) * | 2003-12-01 | 2011-03-23 | ソニー株式会社 | 光ディスク用原盤の製造方法 |
| CN1890733B (zh) | 2003-12-01 | 2011-09-14 | 索尼株式会社 | 光盘用母盘的制造方法以及光盘用母盘 |
| JP2009146515A (ja) * | 2007-12-14 | 2009-07-02 | Sony Corp | 記憶媒体製造方法、情報記憶原盤製造装置 |
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