JPH08227538A - 光ディスクの露光原盤及びその製造方法 - Google Patents
光ディスクの露光原盤及びその製造方法Info
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- JPH08227538A JPH08227538A JP29784895A JP29784895A JPH08227538A JP H08227538 A JPH08227538 A JP H08227538A JP 29784895 A JP29784895 A JP 29784895A JP 29784895 A JP29784895 A JP 29784895A JP H08227538 A JPH08227538 A JP H08227538A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 深さが異なる複数種類のピットを簡単な方法
で精度良く形成する。 【解決手段】 露光原盤１０は、平坦な表面５２ａを有
する基板５２と、基板５２の表面５２ａに被着されたフ
ォトレジスト膜１２と、露光及び現像によりこのフォト
レジスト膜１２に穿設された多数のピット１４とを備え
ている。フォトレジスト膜１２は、フォトレジスト膜１
２１、１２２の二層からなる。ピット１４は、フォトレ
ジスト膜１２の表面１２ａからフォトレジスト層１２１
までの深さｄ１を有するＰ１1 、Ｐ１2 、…と、フォト
レジスト膜１２の表面１２ａからフォトレジスト層１２
２までの深さｄ２を有するピットＰ２1 、Ｐ２2 、…と
の二種類がある。光ディスクに、深さが異なる２種類の
ピットを簡易に形成して、３値データを書き込み、その
記録密度の高密度化を図る。
で精度良く形成する。 【解決手段】 露光原盤１０は、平坦な表面５２ａを有
する基板５２と、基板５２の表面５２ａに被着されたフ
ォトレジスト膜１２と、露光及び現像によりこのフォト
レジスト膜１２に穿設された多数のピット１４とを備え
ている。フォトレジスト膜１２は、フォトレジスト膜１
２１、１２２の二層からなる。ピット１４は、フォトレ
ジスト膜１２の表面１２ａからフォトレジスト層１２１
までの深さｄ１を有するＰ１1 、Ｐ１2 、…と、フォト
レジスト膜１２の表面１２ａからフォトレジスト層１２
２までの深さｄ２を有するピットＰ２1 、Ｐ２2 、…と
の二種類がある。光ディスクに、深さが異なる２種類の
ピットを簡易に形成して、３値データを書き込み、その
記録密度の高密度化を図る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク生産用
のニッケルスタンパの元となる露光原盤の製造方法に関
し、詳しくは、ＣＤ−ＲＯＭ等の光ディスクの高密度化
に適した露光原盤の製造方法に関する。
のニッケルスタンパの元となる露光原盤の製造方法に関
し、詳しくは、ＣＤ−ＲＯＭ等の光ディスクの高密度化
に適した露光原盤の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図６は、従来の露光原盤を示す断面図で
ある。従来の露光原盤５０は、平坦な表面５２ａを有す
る基板５２と、基板５２の表面５２ａに被着されたフォ
トレジスト膜５４と、露光及び現像によりフォトレジス
ト膜５４に穿設された多数のピット５６とを備えたもの
である。
ある。従来の露光原盤５０は、平坦な表面５２ａを有す
る基板５２と、基板５２の表面５２ａに被着されたフォ
トレジスト膜５４と、露光及び現像によりフォトレジス
ト膜５４に穿設された多数のピット５６とを備えたもの
である。
【０００３】図７は、露光原盤５０の製造方法を示す断
面図である。まず、基板５２の平坦な表面５２ａにフォ
トレジストを塗布することによりフォトレジスト膜５４
を形成する（図７（１））。次に、フォトレジスト膜５
４をレーザ光Ｌで露光する。これにより、フォトレジス
ト膜５４のうちレーザ光Ｌが照射された部分は、光化学
反応により感光部５４ａとなる（図７（２））。最後
に、フォトレジスト膜５４を現像することにより、感光
部５４ａを除去してピット５６を穿設する（図６）。
面図である。まず、基板５２の平坦な表面５２ａにフォ
トレジストを塗布することによりフォトレジスト膜５４
を形成する（図７（１））。次に、フォトレジスト膜５
４をレーザ光Ｌで露光する。これにより、フォトレジス
ト膜５４のうちレーザ光Ｌが照射された部分は、光化学
反応により感光部５４ａとなる（図７（２））。最後
に、フォトレジスト膜５４を現像することにより、感光
部５４ａを除去してピット５６を穿設する（図６）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近年、光ディスクの高
密度化がますます要請されてきている。その高密度化の
一手段として、深さが異なる複数種類のピットを設ける
ことにより、記憶密度を上げることが考えられる。
密度化がますます要請されてきている。その高密度化の
一手段として、深さが異なる複数種類のピットを設ける
ことにより、記憶密度を上げることが考えられる。
【０００５】しかしながら、従来技術により、深さが異
なるピットを複数種類設けるためには、フォトレジスト
の塗布・露光・現像等の工程を複数回繰り返すことによ
り、露光原盤を作製しなければならない。そのため、工
程がきわめて複雑化するばかりか、工程数の増加に伴う
累積誤差やフォトレジストの劣化等により、所望の加工
精度を出すことが困難である。
なるピットを複数種類設けるためには、フォトレジスト
の塗布・露光・現像等の工程を複数回繰り返すことによ
り、露光原盤を作製しなければならない。そのため、工
程がきわめて複雑化するばかりか、工程数の増加に伴う
累積誤差やフォトレジストの劣化等により、所望の加工
精度を出すことが困難である。
【０００６】そこで、本発明の目的は、簡単な方法によ
り且つ精度良く、深さの異なるピットを複数種類形成で
きる露光原盤及びその製造方法を提供することにある。
り且つ精度良く、深さの異なるピットを複数種類形成で
きる露光原盤及びその製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る露光原盤
は、平坦な表面を有する基板と、この基板の表面に被着
されたフォトレジスト膜と、露光及び現像によりこのフ
ォトレジスト膜に穿設された多数のピットとを備えた光
ディスクの露光原盤において、 前記フォトレジスト膜
が、露光用光源の波長に対する感度の異なる複数のフォ
トレジスト層からなり、該複数のフォトレジスト層が前
記感度の低い順に積み重ねられており、前記ピットが前
記フォトレジスト膜の表面から前記複数のフォトレジス
ト層のいずれかまでの深さを有することを特徴とするも
のである。
は、平坦な表面を有する基板と、この基板の表面に被着
されたフォトレジスト膜と、露光及び現像によりこのフ
ォトレジスト膜に穿設された多数のピットとを備えた光
ディスクの露光原盤において、 前記フォトレジスト膜
が、露光用光源の波長に対する感度の異なる複数のフォ
トレジスト層からなり、該複数のフォトレジスト層が前
記感度の低い順に積み重ねられており、前記ピットが前
記フォトレジスト膜の表面から前記複数のフォトレジス
ト層のいずれかまでの深さを有することを特徴とするも
のである。
【０００８】ここで、前記複数のフォトレジスト層は相
互に、好ましくは、所定の露光光源波長に対する感度と
して約５倍以上の、更に好ましくは１０倍以上の感度の
違いを有するように構成する。
互に、好ましくは、所定の露光光源波長に対する感度と
して約５倍以上の、更に好ましくは１０倍以上の感度の
違いを有するように構成する。
【０００９】また、本発明に係る露光原盤の製造方法
は、基板の平坦な表面にフォトレジスト膜を被着し、こ
のフォトレジスト膜をレーザ光で露光し、このフォトレ
ジスト膜を現像することにより多数のピットを穿設する
光ディスクの露光原盤の製造方法において、前記レーザ
光の波長に対する感度の異なる複数のフォトレジスト層
を該感度が低い順から順次に積み重ねることにより、前
記フォトレジスト膜を形成し、このフォトレジスト膜の
表面から前記複数のフォトレジスト層のいずれかまでを
露光可能とする複数の露光量を選択して露光することを
特徴とするものである。
は、基板の平坦な表面にフォトレジスト膜を被着し、こ
のフォトレジスト膜をレーザ光で露光し、このフォトレ
ジスト膜を現像することにより多数のピットを穿設する
光ディスクの露光原盤の製造方法において、前記レーザ
光の波長に対する感度の異なる複数のフォトレジスト層
を該感度が低い順から順次に積み重ねることにより、前
記フォトレジスト膜を形成し、このフォトレジスト膜の
表面から前記複数のフォトレジスト層のいずれかまでを
露光可能とする複数の露光量を選択して露光することを
特徴とするものである。
【００１０】ここで、好ましくは、前記複数のフォトレ
ジスト層が相互に、所定の露光光源波長に対する感度と
して約５倍以上の、更に好ましくは約１桁以上の感度の
違いを有するように構成する。
ジスト層が相互に、所定の露光光源波長に対する感度と
して約５倍以上の、更に好ましくは約１桁以上の感度の
違いを有するように構成する。
【００１１】感度の異なる複数のフォトレジスト層が積
層されてなるフォトレジスト膜を露光すると、その露光
量に応じて、露光されるフォトレジスト層と露光されな
いフォトレジスト層とが形成される。この場合、基板側
から感度の低い順にフォトレジスト層が積層されている
ため、あるフォトレジスト層より上が露光され、そのフ
ォトレジスト層より下が露光されないこととなる。
層されてなるフォトレジスト膜を露光すると、その露光
量に応じて、露光されるフォトレジスト層と露光されな
いフォトレジスト層とが形成される。この場合、基板側
から感度の低い順にフォトレジスト層が積層されている
ため、あるフォトレジスト層より上が露光され、そのフ
ォトレジスト層より下が露光されないこととなる。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１は、本発明に係る露光原盤の
１つの実施形態を示す断面図である。以下、この図面に
基づき本実施形態について説明する。ただし、図６と同
一部分には同一符号を付し説明を省略する。なお、図示
の都合上、フォトレジスト膜１２は、基板５２に比べて
拡大して示している。
１つの実施形態を示す断面図である。以下、この図面に
基づき本実施形態について説明する。ただし、図６と同
一部分には同一符号を付し説明を省略する。なお、図示
の都合上、フォトレジスト膜１２は、基板５２に比べて
拡大して示している。
【００１３】本発明に係る露光原盤１０は、平坦な表面
５２ａを有する基板５２と、基板５２の表面５２ａに被
着されたフォトレジスト膜１２と、露光及び現像により
このフォトレジスト膜１２に穿設された多数のピット１
４とを備えている。
５２ａを有する基板５２と、基板５２の表面５２ａに被
着されたフォトレジスト膜１２と、露光及び現像により
このフォトレジスト膜１２に穿設された多数のピット１
４とを備えている。
【００１４】フォトレジスト膜１２は、フォトレジスト
層１２１、１２２の二層構造を有する。ピット１４は、
フォトレジスト膜１２の表面１２ａからフォトレジスト
層１２１までの深さｄ１を有するピットＰ１1 、Ｐ１
2 、…と、フォトレジスト膜１２の表面１２ａからフォ
トレジスト層１２２までの深さｄ２を有するピットＰ２
1 、Ｐ２2 、…との二種類がある。したがって、露光原
盤１０には、ピット無し、深さｄ１のピット、及び、深
さｄ２のピットと、三値のデータが書き込まれているこ
とになる。
層１２１、１２２の二層構造を有する。ピット１４は、
フォトレジスト膜１２の表面１２ａからフォトレジスト
層１２１までの深さｄ１を有するピットＰ１1 、Ｐ１
2 、…と、フォトレジスト膜１２の表面１２ａからフォ
トレジスト層１２２までの深さｄ２を有するピットＰ２
1 、Ｐ２2 、…との二種類がある。したがって、露光原
盤１０には、ピット無し、深さｄ１のピット、及び、深
さｄ２のピットと、三値のデータが書き込まれているこ
とになる。
【００１５】フォトレジスト層１２２は、例えばｇ線仕
様のフォトレジストである、フォトレジスト＃１（仮
称、以下同様）又は＃２からなり、また、フォトレジス
ト層１２１は、例えばｉ線仕様のフォトレジストであ
る、フォトレジスト＃３又は＃４からなる。各フォトレ
ジスト＃１〜＃４は、以下に示すように、何れもポジ型
のレジストで、レジン、感光剤、及び、溶剤の混合物か
ら成る。
様のフォトレジストである、フォトレジスト＃１（仮
称、以下同様）又は＃２からなり、また、フォトレジス
ト層１２１は、例えばｉ線仕様のフォトレジストであ
る、フォトレジスト＃３又は＃４からなる。各フォトレ
ジスト＃１〜＃４は、以下に示すように、何れもポジ型
のレジストで、レジン、感光剤、及び、溶剤の混合物か
ら成る。
【００１６】レジンには、例えばノボラックを主成分と
した樹脂が、感光剤には、例えばナフトキノンジアジド
を主成分とした化合物が、夫々用いられる。ノボラック
樹脂としては、ｏ−クレゾールノボラック、ｍ−クレゾ
ールノボラック、ｐ−クレゾールノボラック、或いは、
ポリ（４−ヒドキシスチレン），ポリビニルフェノール
等が用いられる。また、感光剤には、２−ジアゾケト
ン、オルソジアゾベンゾキノン、オルソジアゾナフトキ
ノン等が用いられる。
した樹脂が、感光剤には、例えばナフトキノンジアジド
を主成分とした化合物が、夫々用いられる。ノボラック
樹脂としては、ｏ−クレゾールノボラック、ｍ−クレゾ
ールノボラック、ｐ−クレゾールノボラック、或いは、
ポリ（４−ヒドキシスチレン），ポリビニルフェノール
等が用いられる。また、感光剤には、２−ジアゾケト
ン、オルソジアゾベンゾキノン、オルソジアゾナフトキ
ノン等が用いられる。
【００１７】上記ノボラック樹脂や感光剤の分子量、分
子量分布、及び、総重量に占める比率等により、フォト
レジストの特性が異なる。各フォトレジスト＃１〜＃４
の分子量等のデータを表１に例示する。
子量分布、及び、総重量に占める比率等により、フォト
レジストの特性が異なる。各フォトレジスト＃１〜＃４
の分子量等のデータを表１に例示する。
【００１８】
【表１】
【００１９】なお、上表において、レジン含量は、フォ
トレジストの総重量に対する比率を、感光剤含量は、レ
ジン重量に対する比率を夫々示している。また、上表に
おいて、メタリッチとは、例えばメタ異性体が総量の７
０％以上含まれる旨を示し、メタリッチ＋αとは、例え
ばメタ異性体が総量の６０％以上含まれる旨を示す。
トレジストの総重量に対する比率を、感光剤含量は、レ
ジン重量に対する比率を夫々示している。また、上表に
おいて、メタリッチとは、例えばメタ異性体が総量の７
０％以上含まれる旨を示し、メタリッチ＋αとは、例え
ばメタ異性体が総量の６０％以上含まれる旨を示す。
【００２０】以下、上記フォトレジスト＃１、＃２、＃
３、＃４の光学的特性について説明する。図２は、基
板、ｇ線仕様のフォトレジスト＃１、及び、ｉ線仕様の
フォトレジスト＃３の夫々について測定した、露光用光
源の波長（nm）に依存して露光によりフォトレジストの
透過率（％）が変化する様子を示すグラフである。この
ような透過率の測定結果から、各フォトレジスト＃１、
＃２、＃３、＃４のパラメータＡ、Ｂ が求められる。
パラメータＡは、フォトレジストの露光による単位膜厚
当たりの光学濃度変化量（Change value of optical de
nsity for a photoresist thickness unit）であり、パ
ラメータＢは、その露光後の単位膜厚当りの光学濃度
（Optical density of bleached resin and photo-acti
vity-compound）である。パラメータＡ、Ｂ の算出は、
一般的に、次式による。
３、＃４の光学的特性について説明する。図２は、基
板、ｇ線仕様のフォトレジスト＃１、及び、ｉ線仕様の
フォトレジスト＃３の夫々について測定した、露光用光
源の波長（nm）に依存して露光によりフォトレジストの
透過率（％）が変化する様子を示すグラフである。この
ような透過率の測定結果から、各フォトレジスト＃１、
＃２、＃３、＃４のパラメータＡ、Ｂ が求められる。
パラメータＡは、フォトレジストの露光による単位膜厚
当たりの光学濃度変化量（Change value of optical de
nsity for a photoresist thickness unit）であり、パ
ラメータＢは、その露光後の単位膜厚当りの光学濃度
（Optical density of bleached resin and photo-acti
vity-compound）である。パラメータＡ、Ｂ の算出は、
一般的に、次式による。
【００２１】 Ａ＝（１／ｄ）・ｌｎ〔Ｔ（∞）／Ｔ（０）〕 ・・・ Ｂ＝−（１／ｄ）・ｌｎ〔Ｔ（∞）〕 ・・・
【００２２】ここで、ｄはフォトレジストの膜厚、Ｔ
（０）は露光前の透過率（Unbleachedtransmision）、
Ｔ（∞）は露光飽和後の透過率（Saturation bleached
transmision ）である。
（０）は露光前の透過率（Unbleachedtransmision）、
Ｔ（∞）は露光飽和後の透過率（Saturation bleached
transmision ）である。
【００２３】式、及び図２に示したような各フォト
レジストの透過率の測定結果から、各フォトレジスト＃
１、＃２、＃３、及び、＃４のｉ線におけるパラメータ
Ａ／Ｂ を求めた。その値は、夫々、1.23/0.31、1.22/
0.13、0.74/0.07、及び、0.94/0.12 であった。なお、
透過率の測定に用いた基板は厚さ0.5mm の溶融シリカガ
ラスであり、各フォトレジストの膜厚は100nmである。
レジストの透過率の測定結果から、各フォトレジスト＃
１、＃２、＃３、及び、＃４のｉ線におけるパラメータ
Ａ／Ｂ を求めた。その値は、夫々、1.23/0.31、1.22/
0.13、0.74/0.07、及び、0.94/0.12 であった。なお、
透過率の測定に用いた基板は厚さ0.5mm の溶融シリカガ
ラスであり、各フォトレジストの膜厚は100nmである。
【００２４】図３は、露光量（mJ2）とレジスト残膜
（％）との関係を各フォトレジスト毎に測定した結果を
示すもので、各フォトレジストのγ値特性カーブを示し
ている。このグラフでは、急峻なカーブがフォトレジス
トの切れ性を表す。各フォトレジスト＃１、＃２、＃
３、及び、＃４の紫外線で測定したγ値は、夫々、2.1
0、2.19、2.14、及び、1.58である。また、横軸が露光
量を示すことから、ｇ線仕様のフォトレジスト＃１、＃
２の方が、ｉ線仕様のフォトレジスト＃３、＃４よりも
高感度であることが判る。
（％）との関係を各フォトレジスト毎に測定した結果を
示すもので、各フォトレジストのγ値特性カーブを示し
ている。このグラフでは、急峻なカーブがフォトレジス
トの切れ性を表す。各フォトレジスト＃１、＃２、＃
３、及び、＃４の紫外線で測定したγ値は、夫々、2.1
0、2.19、2.14、及び、1.58である。また、横軸が露光
量を示すことから、ｇ線仕様のフォトレジスト＃１、＃
２の方が、ｉ線仕様のフォトレジスト＃３、＃４よりも
高感度であることが判る。
【００２５】図４は、直接描画法を採用するマスターラ
イター（光ディスク露光装置）による露光量（ｍＷ）
と、それにより形成されるピット幅（μm）との関係を
各フォトレジスト毎に示すもので、このグラフは、各フ
ォトレジストの露光感度特性を表わしている。同図から
明らかなように、フォトレジストは、ｇ線仕様とｉ線仕
様とでは露光感度が一桁程度異なる。したがって、これ
ら双方の仕様のフォトレジストの感度の中間の露光量を
設定すると、ｇ線仕様のフォトレジストのみが感光し、
ｉ線仕様のフォトレジストは感光しないことになる。
イター（光ディスク露光装置）による露光量（ｍＷ）
と、それにより形成されるピット幅（μm）との関係を
各フォトレジスト毎に示すもので、このグラフは、各フ
ォトレジストの露光感度特性を表わしている。同図から
明らかなように、フォトレジストは、ｇ線仕様とｉ線仕
様とでは露光感度が一桁程度異なる。したがって、これ
ら双方の仕様のフォトレジストの感度の中間の露光量を
設定すると、ｇ線仕様のフォトレジストのみが感光し、
ｉ線仕様のフォトレジストは感光しないことになる。
【００２６】図５は、本発明の一実施の形態である露光
原盤の製造方法を示す説明図であり、図５（１）がフォ
トレジスト塗布工程を示す断面図、図５（２）が露光工
程を示す断面図、図５（３）が露光工程における露光量
を示す波形図である。同図（３）に示すように、ピット
の有無及びその形成深さに依存して、露光量を、零露光
量、露光量１及び露光量２の３段階に分けて露光してい
る。以下、図１〜図５の各図に基づいて、本製造方法を
説明する。
原盤の製造方法を示す説明図であり、図５（１）がフォ
トレジスト塗布工程を示す断面図、図５（２）が露光工
程を示す断面図、図５（３）が露光工程における露光量
を示す波形図である。同図（３）に示すように、ピット
の有無及びその形成深さに依存して、露光量を、零露光
量、露光量１及び露光量２の３段階に分けて露光してい
る。以下、図１〜図５の各図に基づいて、本製造方法を
説明する。
【００２７】基板５２は透明なガラスから成る。まず、
基板５２の表面５２ａに、ｉ線仕様のフォトレジスト＃
３又は＃４を塗布して、フォトレジスト層１２１を形成
する。次いで、フォトレジスト層１２１の上面に、ｇ線
仕様のフォトレジスト＃１又は＃２を塗布して、フォト
レジスト層１２２を形成する。これにより、２層構造の
フォトレジスト膜１２が基板５２上に形成される（図５
（１））。続いて、プリベーキングを80〜100 ℃にて行
う。
基板５２の表面５２ａに、ｉ線仕様のフォトレジスト＃
３又は＃４を塗布して、フォトレジスト層１２１を形成
する。次いで、フォトレジスト層１２１の上面に、ｇ線
仕様のフォトレジスト＃１又は＃２を塗布して、フォト
レジスト層１２２を形成する。これにより、２層構造の
フォトレジスト膜１２が基板５２上に形成される（図５
（１））。続いて、プリベーキングを80〜100 ℃にて行
う。
【００２８】図３から、ｉ線仕様のフォトレジスト＃３
及び＃４と、ｇ線仕様のフォトレジスト＃１及び＃２と
では、感度が大きく異なることが判る。すなわち、図４
で明らかなように、フォトレジスト＃１及び＃２は、フ
ォトレジスト＃３及び＃４に比較すると、１桁程度低い
露光量により感光してピット形成が可能になる。そこ
で、レーザ光Ｌによる露光量としては、波長λ＝363.8n
m を用いたときには、表層に設けられているフォトレジ
スト層１２２のみの露光には0.15〜0.2mWの露光量１を
用い、フォトレジスト層１２１、１２２の二層の露光に
は1.5 〜2.0mWの露光量２を用いることにする。
及び＃４と、ｇ線仕様のフォトレジスト＃１及び＃２と
では、感度が大きく異なることが判る。すなわち、図４
で明らかなように、フォトレジスト＃１及び＃２は、フ
ォトレジスト＃３及び＃４に比較すると、１桁程度低い
露光量により感光してピット形成が可能になる。そこ
で、レーザ光Ｌによる露光量としては、波長λ＝363.8n
m を用いたときには、表層に設けられているフォトレジ
スト層１２２のみの露光には0.15〜0.2mWの露光量１を
用い、フォトレジスト層１２１、１２２の二層の露光に
は1.5 〜2.0mWの露光量２を用いることにする。
【００２９】図５（３）のように、形成するピット深さ
に応じて二種類の露光レベル１又は露光レベル２のいず
れかを選択しながら、フォトレジスト膜１２の表面を、
レーザ光Ｌで逐次露光する（図５（２））。この露光量
の選択は、レーザ光Ｌの出力強度を変化させることによ
り、容易に行うことができる。最後に、現象によって各
感光部分２１１、２１２、２２１〜２２４を除去して、
図１に示した露光原盤１０が完成する。
に応じて二種類の露光レベル１又は露光レベル２のいず
れかを選択しながら、フォトレジスト膜１２の表面を、
レーザ光Ｌで逐次露光する（図５（２））。この露光量
の選択は、レーザ光Ｌの出力強度を変化させることによ
り、容易に行うことができる。最後に、現象によって各
感光部分２１１、２１２、２２１〜２２４を除去して、
図１に示した露光原盤１０が完成する。
【００３０】本製造方法におけるフォトレジスト層１２
１、１２２の膜厚は、トラッキングサーボ及びＲＦ信号
の関連から、ＲＦ信号を再生したときにその再生信号の
位相差が最大になるように設定する。この膜厚は再生光
源の波長に関係し、例えば波長λ＝800nm程度の近赤外
レーザダイオードを用いた場合には、総膜厚をλ／４す
なわち130nm（基板５２の屈折率1.5 を考慮）とする
と、フォトレジスト層１２２をλ／８〜λ／４、すなわ
ち65nm〜130nm に設定する。或いは、フォトレジスト層
１２２をλ／４すなわち130nm とすると、総膜厚をλ／
４〜λ／８、すなわち130 〜195nm付近に設定する。
１、１２２の膜厚は、トラッキングサーボ及びＲＦ信号
の関連から、ＲＦ信号を再生したときにその再生信号の
位相差が最大になるように設定する。この膜厚は再生光
源の波長に関係し、例えば波長λ＝800nm程度の近赤外
レーザダイオードを用いた場合には、総膜厚をλ／４す
なわち130nm（基板５２の屈折率1.5 を考慮）とする
と、フォトレジスト層１２２をλ／８〜λ／４、すなわ
ち65nm〜130nm に設定する。或いは、フォトレジスト層
１２２をλ／４すなわち130nm とすると、総膜厚をλ／
４〜λ／８、すなわち130 〜195nm付近に設定する。
【００３１】以上、本発明をその好適な実施の形態に基
づいて説明したが、本発明の光ディスクの露光原盤及び
その製造方法は、上記実施の形態の構成にのみ限定され
るものではなく、上記実施の形態の構成から種々の修正
及び変更を施した露光原盤及びその製造方法も、本発明
の範囲に含まれる。例えば、上記実施の形態の構成に代
えて、三種類以上のフォトレジストを塗布して、三層以
上の多層構造のフォトレジスト膜を形成し、これらフォ
トレジスト層の特性に応じて、三種類以上の露光量を選
択して露光してもよい。
づいて説明したが、本発明の光ディスクの露光原盤及び
その製造方法は、上記実施の形態の構成にのみ限定され
るものではなく、上記実施の形態の構成から種々の修正
及び変更を施した露光原盤及びその製造方法も、本発明
の範囲に含まれる。例えば、上記実施の形態の構成に代
えて、三種類以上のフォトレジストを塗布して、三層以
上の多層構造のフォトレジスト膜を形成し、これらフォ
トレジスト層の特性に応じて、三種類以上の露光量を選
択して露光してもよい。
【００３２】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、露光光源に対する感度の異なる複数のフォトレジス
ト層からなるフォトレジスト膜を、該感度が低い順に順
次に積み重ねたので、所望のピット深さに応じてその露
光量を選択することにより、複数種類の深さのピット
を、一回の露光で簡単かつ精度良く形成できる。光ディ
スクにこのような多値のピットデータを記録することに
より、高密度記録を可能とする光ディスクを容易かつ安
価に生産することができる。
ば、露光光源に対する感度の異なる複数のフォトレジス
ト層からなるフォトレジスト膜を、該感度が低い順に順
次に積み重ねたので、所望のピット深さに応じてその露
光量を選択することにより、複数種類の深さのピット
を、一回の露光で簡単かつ精度良く形成できる。光ディ
スクにこのような多値のピットデータを記録することに
より、高密度記録を可能とする光ディスクを容易かつ安
価に生産することができる。
【００３３】各フォトレジスト相互の露光光源に対する
感度の違いが、約５倍以上若しくは１０倍以上であるよ
うに構成すると、特に良好な精度で、深さが異なるピッ
トを複数種類形成することができる。
感度の違いが、約５倍以上若しくは１０倍以上であるよ
うに構成すると、特に良好な精度で、深さが異なるピッ
トを複数種類形成することができる。
【図１】本発明に係る露光原盤の１つの実施の形態を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】図１の露光原盤に使用される基板及びフォトレ
ジストの透過率を露光の前後で測定した結果を示すグラ
フである。
ジストの透過率を露光の前後で測定した結果を示すグラ
フである。
【図３】図１の露光原盤に使用される各フォトレジスト
のγ値特性カーブの測定結果を示すグラフである。
のγ値特性カーブの測定結果を示すグラフである。
【図４】図１の露光原盤に仕様される各フォトレジスト
のマスターライターによる露光感度特性を示すグラフで
ある。
のマスターライターによる露光感度特性を示すグラフで
ある。
【図５】図１の露光原盤の製造方法を示す説明図であ
り、図５（１）がフォトレジスト塗布工程を示す断面
図、図５（２）が露光工程を示す断面図、図５（３）が
露光工程における露光量を示す波形図である。
り、図５（１）がフォトレジスト塗布工程を示す断面
図、図５（２）が露光工程を示す断面図、図５（３）が
露光工程における露光量を示す波形図である。
【図６】従来の露光原盤を示す断面図である。
【図７】従来の露光原盤の製造方法を示す説明図であ
り、図７（１）がフォトレジスト塗布工程を示す断面
図、図７（２）が露光工程を示す断面図である。
り、図７（１）がフォトレジスト塗布工程を示す断面
図、図７（２）が露光工程を示す断面図である。
１０ 露光原盤 １２ フォトレジスト膜 １２１、１２２ フォトレジスト層 １４、Ｐ１1 、Ｐ１2 、Ｐ２1 、Ｐ２2 ピット ５２ 基板 ５２ａ 基板の表面
Claims (4)
- 【請求項１】 平坦な表面を有する基板と、この基板の
表面に被着されたフォトレジスト膜と、露光及び現像に
よりこのフォトレジスト膜に穿設された多数のピットと
を備えた光ディスクの露光原盤において、 前記フォトレジスト膜が、露光用光源の波長に対する感
度の異なる複数のフォトレジスト層からなり、該複数の
フォトレジスト層が前記感度の低い順に積み重ねられて
おり、前記ピットが前記フォトレジスト膜の表面から前
記複数のフォトレジスト層のいずれかまでの深さを有す
ることを特徴とする光ディスクの露光原盤。 - 【請求項２】 前記複数のフォトレジスト層が、所定の
露光光源波長に対しする感度として、約５倍以上の感度
の違いを有することを特徴とする請求項１に記載の光デ
ィスクの露光原盤。 - 【請求項３】 基板の平坦な表面にフォトレジスト膜を
被着し、このフォトレジスト膜をレーザ光で露光し、こ
のフォトレジスト膜を現像することにより多数のピット
を穿設する光ディスクの露光原盤の製造方法において、 前記レーザ光の波長に対する感度の異なる複数のフォト
レジスト層を該感度が低い順から順次に積み重ねること
により、前記フォトレジスト膜を形成し、このフォトレ
ジスト膜の表面から前記複数のフォトレジスト層のいず
れかまでを露光可能とする複数の露光量を選択して露光
することを特徴とする光ディスクの露光原盤の製造方
法。 - 【請求項４】 前記複数のフォトレジスト層が、所定の
露光光源波長に対する感度として、約５倍以上の感度の
違いを有することを特徴とする請求項３に記載の光ディ
スクの露光原盤の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29784895A JPH08227538A (ja) | 1994-10-21 | 1995-10-20 | 光ディスクの露光原盤及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-257087 | 1994-10-21 | ||
| JP25708794 | 1994-10-21 | ||
| JP29784895A JPH08227538A (ja) | 1994-10-21 | 1995-10-20 | 光ディスクの露光原盤及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08227538A true JPH08227538A (ja) | 1996-09-03 |
Family
ID=26543049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29784895A Pending JPH08227538A (ja) | 1994-10-21 | 1995-10-20 | 光ディスクの露光原盤及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08227538A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005055224A1 (ja) * | 2003-12-01 | 2005-06-16 | Sony Corporation | 光ディスク用原盤の製造方法および光ディスク用原盤 |
| KR100629831B1 (ko) * | 1997-09-29 | 2007-03-02 | 소니 가부시끼 가이샤 | 광디스크제조용원반을형성하는방법 |
| JP2008116926A (ja) * | 2006-10-13 | 2008-05-22 | Nissan Chem Ind Ltd | 低感度感光性レジスト下層膜形成組成物 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6284450A (ja) * | 1985-10-08 | 1987-04-17 | Seiko Epson Corp | 光デイスク用基板の製造方法 |
| JPS6356830A (ja) * | 1986-08-27 | 1988-03-11 | Pioneer Electronic Corp | 案内溝付光デイスクの製造方法 |
| JPS63124246A (ja) * | 1986-11-13 | 1988-05-27 | Canon Inc | 光学的記録媒体用原盤の製造方法 |
| JPH0229955A (ja) * | 1988-07-18 | 1990-01-31 | Nec Corp | 光ディスク製造方法 |
| JPH04305831A (ja) * | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Mitsubishi Electric Corp | 光ディスク原盤の作製方法 |
| JPH06150397A (ja) * | 1992-11-12 | 1994-05-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ディスク原盤の製造方法 |
-
1995
- 1995-10-20 JP JP29784895A patent/JPH08227538A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6284450A (ja) * | 1985-10-08 | 1987-04-17 | Seiko Epson Corp | 光デイスク用基板の製造方法 |
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| JPH04305831A (ja) * | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Mitsubishi Electric Corp | 光ディスク原盤の作製方法 |
| JPH06150397A (ja) * | 1992-11-12 | 1994-05-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ディスク原盤の製造方法 |
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| WO2005055224A1 (ja) * | 2003-12-01 | 2005-06-16 | Sony Corporation | 光ディスク用原盤の製造方法および光ディスク用原盤 |
| JPWO2005055224A1 (ja) * | 2003-12-01 | 2007-06-28 | ソニー株式会社 | 光ディスク用原盤の製造方法および光ディスク用原盤 |
| JP4655937B2 (ja) * | 2003-12-01 | 2011-03-23 | ソニー株式会社 | 光ディスク用原盤の製造方法 |
| JP2008116926A (ja) * | 2006-10-13 | 2008-05-22 | Nissan Chem Ind Ltd | 低感度感光性レジスト下層膜形成組成物 |
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