JPH04306907A - 高周波増幅装置 - Google Patents
高周波増幅装置Info
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- JPH04306907A JPH04306907A JP3071524A JP7152491A JPH04306907A JP H04306907 A JPH04306907 A JP H04306907A JP 3071524 A JP3071524 A JP 3071524A JP 7152491 A JP7152491 A JP 7152491A JP H04306907 A JPH04306907 A JP H04306907A
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- JP
- Japan
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- pin diode
- high frequency
- choke coil
- amplifier
- transistor
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers
- H03G3/20—Automatic control
- H03G3/30—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
- H03G3/3036—Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification
- H03G1/0005—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
- H03G1/0035—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements
- H03G1/0052—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements using diodes
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はテレビチュ−ナやCAT
Vコンバ−タなどの高周波増幅装置に関するものである
。
Vコンバ−タなどの高周波増幅装置に関するものである
。
【0002】
【従来の技術】近年、テレビチュ−ナ、CATVコンバ
−タ、BSチュ−ナ等の高周波増幅部にRF増幅として
の広帯域アンプとAGC(自動利得制御)回路が組み合
わされている。
−タ、BSチュ−ナ等の高周波増幅部にRF増幅として
の広帯域アンプとAGC(自動利得制御)回路が組み合
わされている。
【0003】以下に従来の高周波増幅装置について説明
する。図2は従来の高周波増幅装置のブロックダイヤを
示すものである。図2において、1は入力フィルタ、2
はAGC回路、3はRF増幅器(以下RFアンプ)、4
はAGC回路、5は混合器である。一方、図3は、図2
の破線部分のブロックの実際の回路を示すものである。 図3において、6はRF増幅用トランジスタ又は集積回
路(以下RFアンプ)、7及び8はAGC駆動用トラン
ジスタ、9、10、11は結合コンデンサ、12はバイ
パスコンデンサ、13〜20は抵抗、21〜23はチョ
−クコイル、24、25はピンダイオ−ドである。
する。図2は従来の高周波増幅装置のブロックダイヤを
示すものである。図2において、1は入力フィルタ、2
はAGC回路、3はRF増幅器(以下RFアンプ)、4
はAGC回路、5は混合器である。一方、図3は、図2
の破線部分のブロックの実際の回路を示すものである。 図3において、6はRF増幅用トランジスタ又は集積回
路(以下RFアンプ)、7及び8はAGC駆動用トラン
ジスタ、9、10、11は結合コンデンサ、12はバイ
パスコンデンサ、13〜20は抵抗、21〜23はチョ
−クコイル、24、25はピンダイオ−ドである。
【0004】以上のように構成された高周波増幅装置に
ついて、以下その動作について説明する。図2において
A点より入力した高周波信号は入力フィルタ2により周
波数選択され、AGC回路2に入力される。AGC回路
2にて利得制御された信号はRFアンプ3により増幅さ
れ、もうひとつのAGC回路4に入力される。2つのA
GC回路を通す理由は利得制御量を充分確保するためと
、雑音指数の劣化を防ぐためである。利得制御された信
号は中間周波信号に変換するための混合器5に入力され
、変換された中間周波数信号としてB点に出力される。
ついて、以下その動作について説明する。図2において
A点より入力した高周波信号は入力フィルタ2により周
波数選択され、AGC回路2に入力される。AGC回路
2にて利得制御された信号はRFアンプ3により増幅さ
れ、もうひとつのAGC回路4に入力される。2つのA
GC回路を通す理由は利得制御量を充分確保するためと
、雑音指数の劣化を防ぐためである。利得制御された信
号は中間周波信号に変換するための混合器5に入力され
、変換された中間周波数信号としてB点に出力される。
【0005】一方、図3において、C点より入力した高
周波信号は結合コンデンサ9を通り、RFアンプ6を通
る。このRFアンプ6は広帯域型のため、負荷はチョ−
クコイルで受け、結合コンデンサ10を経由してAGC
回路4に入力する。トランジスタ7は電流増幅用でE点
よりAGC電圧を入力し、チョ−クコイル23を経由し
てピンダイオ−ド24を導通させ抵抗20、チョ−クコ
イル22を通りア−スに流れる。E点における最大利得
時のAGC電圧は約7〜8Vでダイオ−ド24のカソ−
ドは2ダイオ−ド分低い電圧となる。一方、ダイオ−ド
25のアノ−ドには、アノ−ド電位設定用兼電流増幅用
トランジスタ8からの電圧が供給され、最大利得時には
ダイオ−ド25はオフし、利得減衰のためにE点の電圧
が下がり始めるとダイオ−ド25が徐々に導通し始める
ようにトランジスタ8のバイアスが設定される。利得制
御された信号は結合コンデンサ11を通りD点に出力さ
れる。ピンダイオ−ドは、オン時には10mA以上流す
必要があり、かつ高周波信号をストップさせるためには
チョ−クコイル23が必要であり、抵抗で代用はできな
い。
周波信号は結合コンデンサ9を通り、RFアンプ6を通
る。このRFアンプ6は広帯域型のため、負荷はチョ−
クコイルで受け、結合コンデンサ10を経由してAGC
回路4に入力する。トランジスタ7は電流増幅用でE点
よりAGC電圧を入力し、チョ−クコイル23を経由し
てピンダイオ−ド24を導通させ抵抗20、チョ−クコ
イル22を通りア−スに流れる。E点における最大利得
時のAGC電圧は約7〜8Vでダイオ−ド24のカソ−
ドは2ダイオ−ド分低い電圧となる。一方、ダイオ−ド
25のアノ−ドには、アノ−ド電位設定用兼電流増幅用
トランジスタ8からの電圧が供給され、最大利得時には
ダイオ−ド25はオフし、利得減衰のためにE点の電圧
が下がり始めるとダイオ−ド25が徐々に導通し始める
ようにトランジスタ8のバイアスが設定される。利得制
御された信号は結合コンデンサ11を通りD点に出力さ
れる。ピンダイオ−ドは、オン時には10mA以上流す
必要があり、かつ高周波信号をストップさせるためには
チョ−クコイル23が必要であり、抵抗で代用はできな
い。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、回路が複雑で部品数が多く、特にチョ−
クコイルが多いという問題点を有していた。
来の構成では、回路が複雑で部品数が多く、特にチョ−
クコイルが多いという問題点を有していた。
【0007】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、回路を簡素化し、チョ−クコイルを減らすことので
きる高周波増幅装置を提供することを目的とする。
で、回路を簡素化し、チョ−クコイルを減らすことので
きる高周波増幅装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の高周波増幅装置は、RFアンプの負荷とピン
ダイオ−ドに電流を流すためのチョ−クコイルを共用し
、AGC電圧の反転用、及び電流増幅用トランジスタか
らもう一方のピンダイオ−ドに電圧を加えると同時に、
前述のピンダイオ−ドのバイアスとして動作する構成と
したものである。
に本発明の高周波増幅装置は、RFアンプの負荷とピン
ダイオ−ドに電流を流すためのチョ−クコイルを共用し
、AGC電圧の反転用、及び電流増幅用トランジスタか
らもう一方のピンダイオ−ドに電圧を加えると同時に、
前述のピンダイオ−ドのバイアスとして動作する構成と
したものである。
【0009】
【作用】この構成によって、RFアンプの負荷とピンダ
イオ−ドへの電流供給用としてのチョ−クコイルを共用
できるため、取りつけ工数やコストが高く、形状も大き
いチョ−クコイルの数を減らすことができる。
イオ−ドへの電流供給用としてのチョ−クコイルを共用
できるため、取りつけ工数やコストが高く、形状も大き
いチョ−クコイルの数を減らすことができる。
【0010】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【0011】図1において、図3と同一作用のものは同
一番号を付している。26はAGC電圧の反転用トラン
ジスタ、27はその負荷抵抗である。反転用トランジス
タ26のエミッタは抵抗15を介して接地し、コレクタ
は抵抗27を介して電源端子Fに接続するとともに、電
流増幅用トランジスタ7のベースに接続している。ピン
ダイオード24はアノードをRFアンプ6の出力端に接
続し、カソードに、ピンダイオード25のカソードを共
通に接続している。
一番号を付している。26はAGC電圧の反転用トラン
ジスタ、27はその負荷抵抗である。反転用トランジス
タ26のエミッタは抵抗15を介して接地し、コレクタ
は抵抗27を介して電源端子Fに接続するとともに、電
流増幅用トランジスタ7のベースに接続している。ピン
ダイオード24はアノードをRFアンプ6の出力端に接
続し、カソードに、ピンダイオード25のカソードを共
通に接続している。
【0012】以上のように構成された高周波増幅装置に
ついて、図1を用いてその動作を説明する。まず、C点
から入力された信号は従来例と同様にRFアンプ6を通
り、チョ−ク負荷21の一端に現れ、他端G点は電源に
接続されている。チョ−クコイル21を流れる電流はR
Fアンプ6に流れると同時にピンダイオ−ド24、抵抗
20、チョ−クコイル22を流れ導通させている。一方
、E点からのAGC電圧は適当な動作点にバイアスされ
るとともにトランジスタ26により反転され、さらにト
ランジスタ7により増幅されて抵抗19、ピンダイオ−
ド25、抵抗20、チョ−クコイル22に流れる。この
時、E点のAGC電圧が最大利得時のときは、トランジ
スタ7及びピンダイオ−ド25はオフとなり、利得減衰
が始まると導通し始めピンダイオ−ド24,25のカソ
−ド電位を上げるため、ピンダイオ−ド24の電流が下
がり始め、信号成分を減衰させる。この信号は同様にコ
ンデンサ11を通ってD点に出力される。
ついて、図1を用いてその動作を説明する。まず、C点
から入力された信号は従来例と同様にRFアンプ6を通
り、チョ−ク負荷21の一端に現れ、他端G点は電源に
接続されている。チョ−クコイル21を流れる電流はR
Fアンプ6に流れると同時にピンダイオ−ド24、抵抗
20、チョ−クコイル22を流れ導通させている。一方
、E点からのAGC電圧は適当な動作点にバイアスされ
るとともにトランジスタ26により反転され、さらにト
ランジスタ7により増幅されて抵抗19、ピンダイオ−
ド25、抵抗20、チョ−クコイル22に流れる。この
時、E点のAGC電圧が最大利得時のときは、トランジ
スタ7及びピンダイオ−ド25はオフとなり、利得減衰
が始まると導通し始めピンダイオ−ド24,25のカソ
−ド電位を上げるため、ピンダイオ−ド24の電流が下
がり始め、信号成分を減衰させる。この信号は同様にコ
ンデンサ11を通ってD点に出力される。
【0013】以上のように本実施例によれば、広帯域R
Fアンプ6の負荷と次段のピンダイオ−ド24の電流供
給用チョ−クコイルを共用することができる構成となる
ため、回路が簡素化され、組み立て工数も軽減できる。
Fアンプ6の負荷と次段のピンダイオ−ド24の電流供
給用チョ−クコイルを共用することができる構成となる
ため、回路が簡素化され、組み立て工数も軽減できる。
【0014】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、広帯域R
Fアンプの負荷と次段のピンダイオ−ドの電流供給用チ
ョ−クコイルを共用してピンダイオ−ドのアノ−ドに供
給し、カソ−ドはもう一方のピンダイオ−ドのカソ−ド
と接続し、アノ−ド側にはAGC制御電圧を反転、増幅
した電圧を供給することにより、回路が簡素化され、組
み立て工数も軽減できる高周波増幅装置を実現できるも
のである。
Fアンプの負荷と次段のピンダイオ−ドの電流供給用チ
ョ−クコイルを共用してピンダイオ−ドのアノ−ドに供
給し、カソ−ドはもう一方のピンダイオ−ドのカソ−ド
と接続し、アノ−ド側にはAGC制御電圧を反転、増幅
した電圧を供給することにより、回路が簡素化され、組
み立て工数も軽減できる高周波増幅装置を実現できるも
のである。
【図1】本発明の一実施例における高周波増幅装置の回
路図
路図
【図2】本発明、及び従来例のブロック図
【図3】従来
例における回路図
例における回路図
6 RFアンプ
7 電流増幅用トランジスタ
21 チョ−クコイル
24 ピンダイオ−ド
25 ピンダイオ−ド
26 反転用トランジスタ
Claims (1)
- 【請求項1】 チョ−クコイルの一端を電源に接続し
、他端を広帯域高周波増幅用素子の出力端と第1のピン
ダイオ−ドのアノ−ドに接続し、そのカソ−ドを第2の
ピンダイオ−ドのカソ−ドと共通に接続して、一端が接
地された抵抗、もしくは抵抗と他のチョ−クコイルとの
直列回路の他端に接続し、第2のピンダイオ−ドのアノ
−ドには自動利得制御用の電圧を印加してなる高周波増
幅装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07152491A JP3291736B2 (ja) | 1991-04-04 | 1991-04-04 | 高周波増幅装置 |
| US07/861,048 US5243300A (en) | 1991-04-04 | 1992-04-01 | High frequency amplifying apparatus |
| DE69214864T DE69214864T2 (de) | 1991-04-04 | 1992-04-02 | H.F.-Verstärker |
| EP92105733A EP0507311B1 (en) | 1991-04-04 | 1992-04-02 | High frequency amplifying apparatus |
| KR1019920005603A KR960005374B1 (ko) | 1991-04-04 | 1992-04-03 | 고주파 증폭 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07152491A JP3291736B2 (ja) | 1991-04-04 | 1991-04-04 | 高周波増幅装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04306907A true JPH04306907A (ja) | 1992-10-29 |
| JP3291736B2 JP3291736B2 (ja) | 2002-06-10 |
Family
ID=13463203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07152491A Expired - Fee Related JP3291736B2 (ja) | 1991-04-04 | 1991-04-04 | 高周波増幅装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5243300A (ja) |
| EP (1) | EP0507311B1 (ja) |
| JP (1) | JP3291736B2 (ja) |
| KR (1) | KR960005374B1 (ja) |
| DE (1) | DE69214864T2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3335079B2 (ja) * | 1996-07-01 | 2002-10-15 | シャープ株式会社 | Agc回路 |
| AU2009270910B2 (en) | 2008-07-17 | 2015-10-01 | Smith & Nephew, Inc. | Anchor |
| CN105188562B (zh) | 2013-03-06 | 2019-02-26 | 史密夫和内修有限公司 | 微型锚定器 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3518585A (en) * | 1966-12-30 | 1970-06-30 | Texas Instruments Inc | Voltage controlled a.c. signal attenuator |
| DE1537690C3 (de) * | 1967-09-20 | 1975-02-13 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Transistorbestückter Breitbandverstärker mit einer Verstärkungsregelung |
| US3624561A (en) * | 1970-02-24 | 1971-11-30 | Ben H Tongue | Broadband aperiodic attenuator apparatus |
| US4019160A (en) * | 1975-12-05 | 1977-04-19 | Gte Sylvania Incorporated | Signal attenuator circuit for TV tuner |
-
1991
- 1991-04-04 JP JP07152491A patent/JP3291736B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-04-01 US US07/861,048 patent/US5243300A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-04-02 EP EP92105733A patent/EP0507311B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-04-02 DE DE69214864T patent/DE69214864T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-04-03 KR KR1019920005603A patent/KR960005374B1/ko not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3291736B2 (ja) | 2002-06-10 |
| KR920020830A (ko) | 1992-11-21 |
| EP0507311A3 (en) | 1993-12-01 |
| KR960005374B1 (ko) | 1996-04-24 |
| US5243300A (en) | 1993-09-07 |
| DE69214864D1 (de) | 1996-12-05 |
| EP0507311A2 (en) | 1992-10-07 |
| DE69214864T2 (de) | 1997-02-27 |
| EP0507311B1 (en) | 1996-10-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |