JPH04307724A - 基板の回転処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、基板の現像処理前に基
板表面に純水や希釈現像液の薄膜を形成しておくプリウ
エット処理などのように、基板表面に処理液の薄膜を形
成する際に用いられる基板の回転処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】基板の現像処理においては、現像液を回
転基板に供給する前に、基板表面に純水あるいは希釈し
た現像液の薄膜を予め形成して基板表面を湿潤状態にし
ておく、いわゆるプリウエット処理を施すことが均一な
現像を行う上で有効とされており、例えば特開昭５６−
３９５４０号公報で示されるように、回転する基板の中
心付近に表面湿潤用の処理液（公報ではリンス液と称さ
れる）を供給して拡散流動させることで、基板表面に処
理液の薄膜を形成する手段が提案されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来装置は、単一のノズルを用いて表面湿潤用の処理
液を基板中心付近に供給するように構成されているので
、次のような問題点がある。すなわち、回転する基板に
おいては、基板中心から基板外周へ行くほど周速度が速
くなる。そのため、基板中心部では供給された処理液が
外周部に比べて飛散しにくく残留しやすいという傾向が
あり、逆に基板外周部では処理液が遠心力で飛散し乾燥
しやすいという傾向がある。このように、基板の内側と
外側とでは、処理液の拡散流動の傾向に差異があるので
、基板中心部において均一な薄膜を生成するために基板
回転処理時間を長くすると、基板外周部において処理液
が乾燥してしまう。一方、基板外周部において均一な薄
膜を生成するために基板回転処理時間を短くすると、基
板中心部に過剰の処理液が残留してしまうという不都合
を生じる。このように、従来装置によれば、基板表面の
全体に均一な薄膜を生成することが困難であった。

【０００４】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、基板表面に処理液の均一な薄膜を形成
することができる基板の回転処理装置を提供することを
目的としている。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は次のような構成をとる。すなわち、本発明
は、回転台上に搭載保持されて回転する基板の表面に向
けて処理液を噴出供給して、基板表面に処理液の薄膜を
形成する基板の回転処理装置において、基板の回転中心
付近に向かうノズルと、回転中心から外周側に離れた箇
所に向かうノズルを用いて、基板表面の半径方向の異な
った複数箇所に処理液を噴出供給するよう構成するとと
もに、回転中心側のノズルから順に処理液供給を停止す
る処理液供給制御手段を備えたものである。

【０００６】

【作用】本発明の作用は次のとおりである。回転中心側
のノズルから順に処理液の供給を停止することにより、
処理液が残留しやすい基板中心部では処理液の供給時間
が比較的短くなり、一方、処理液が飛散しやすい基板外
周部では処理液の供給時間が比較的長くなる。すなわち
、基板各部の周速度に応じた量の処理液が供給される結
果、基板全体に処理液の均一な薄膜が形成される。

【０００７】

【実施例】以下、図面を参照して本発明に係る基板の回
転処理装置の一実施例を説明する。図１は、本実施例に
係る基板の回転処理装置、特にフォトレジスト塗布およ
び露光の終わった基板に対してプリウエット処理および
現像処理を行うための装置の縦断面図である。処理対象
である半導体ウエハなどの基板１は、縦軸心Ｐ周りに回
転駆動される真空チャック式の回転台２に搭載保持され
る。回転台２の上方には昇降可能な現像液供給ノズル３
があり、また回転台２の周囲はガードハウジング４で囲
われている。

【０００８】ガードハウジング４の外側にはプリウエッ
ト用処理液を供給するための２つのノズル５，６がある
。下方のノズル５は、ガードハウジング４に形成された
開口７を介してガードハウジング４内に噴出された処理
液が基板１の回転中心である前記縦軸心Ｐ付近に当たる
ように、その方向が設定されている。ここで、縦軸心Ｐ
付近とは必ずしも回転中心に限定しないという意味であ
り、８インチの半導体ウエハの場合、好ましくは中心か
ら５ｍｍ程度離れたところである。ただし、中心からの
最適離間距離は、処理液の吐出圧や流量、その方向によ
って多少変わるので、一概に特定できない。要するに、
ノズル５から噴出されて基板１の表面に広がった処理液
の領域が回転中心を含んでいればよい。一方、上方のノ
ズル６は、ノズル５よりも半径方向の外方に離れた箇所
に向かうように、その噴射方向が設定されている。 具体的には、ノズル６から噴出された処理液が基板の回
転中心と周縁の中間付近（８インチウエハの場合、中心
から約５０ｍｍのところ）に当たるように、ノズル６の
方向が設定される。

【０００９】両ノズル５，６は、図３に示すように、そ
れぞれが電磁開閉弁８，９を介して処理液圧送装置１０
に配管接続されているとともに、各電磁開閉弁８，９が
処理液供給制御手段としての制御回路１１によって開閉
制御されるようになっている。尚、電磁開閉弁８，９と
各ノズル５，６との間にはフィルタ１２がそれぞれ介在
されて、処理液中の異物を除去するようになっている。

【００１０】ノズル５，６を使ったプリウエット処理は
次のように行われる。現像処理を行う前に、電磁開閉弁
８，９を同時的に開状態にしてノズル５，６からプリウ
エット用処理液としての純水（あるいは希釈した現像液
）を基板１の表面に供給する。このとき、基板１は５０
０〜１０００回転／分で回転されている。処理液の供給
時間は概ね５秒程度である。そして、制御回路１１の制
御によって、まずノズル５からの処理液の供給を停止し
、その後、０．５〜１秒遅れてノズル６からの処理液の
供給を停止する。ただし、ノズル５，６からの処理液供
給の最適な停止タイミングは、基板１の大きさや回転数
、さらには処理液の種類によって異なる。両ノズル５，
６からの処理液の供給を停止した後、基板１を７００〜
２０００回転／分で約２秒間程度回転させて余剰の処理
液を飛散させ、基板１の表面に処理液の均一な薄膜を形
成する。以上のプリウエット処理を終えた後に、現像液
供給ノズル３を下降して現像液を供給し、基板の回転現
像処理を行う。

【００１１】尚、上記の実施例では、処理液供給用のノ
ズルを２本用いる場合を示したが、基板１の寸法によっ
ては３本以上のノズルを利用してもよく、この場合も基
板中心側に向かうものから順に処理液の供給を停止する
ように制御する。また、実施例ではプリウエット処理を
例に採って説明したが、本発明は、これ限定されず、処
理液の薄膜を基板上に均一に形成する必要のある各種の
処理にも適用することができる。

【００１２】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
は、回転する基板の半径方向の異った複数箇所に向けて
処理液を噴出供給するとともに、その処理液供給の停止
を中心側から外周側に順に遅らせるようにしたので、周
速度の遅い基板中心部では処理液が残留するのが防止さ
れ、また周速度の速い基板外周部では処理液が過剰に飛
散するのが抑制され、もって基板表面全体に処理液を薄
膜を均一に形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る基板の回転処理装置の一実施例を
示す縦断面図である。

【図２】実施例の要部の斜視図である。

【図３】処理液供給手段の構成を示すブロック図である
。

【符号の説明】

１…基板 ２…回転台 ５，６…ノズル

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　回転台上に搭載保持されて回転する基
   板の表面に向けて処理液を噴出供給して、基板表面に処
   理液の薄膜を形成する基板の回転処理装置において、基
   板の回転中心付近に向かうノズルと、回転中心から外周
   側に離れた箇所に向かうノズルを用いて、基板表面の半
   径方向の異なった複数箇所に処理液を噴出供給するよう
   構成するとともに、回転中心側のノズルから順に処理液
   供給を停止する処理液供給制御手段を備えたことを特徴
   とする基板の回転処理装置。