JP2580082C - - Google Patents
Info
- Publication number
- JP2580082C JP2580082C JP2580082C JP 2580082 C JP2580082 C JP 2580082C JP 2580082 C JP2580082 C JP 2580082C
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processing liquid
- nozzle
- rotation
- supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 60
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 55
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 13
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、基板の現像処理前に基板表面に純水や希釈現像液の薄膜を形成して
おくプリウエット処理などのように、基板表面に処理液の薄膜を形成する際に用
いられる基板の回転処理装置に関する。 【０００２】 【従来の技術】 基板の現像処理においては、現像液を回転基板に供給する前に、基板表面に純
水あるいは希釈した現像液の薄膜を予め形成して基板表面を湿潤状態にしておく
、いわゆるプリウエット処理を施すことが均一な現像を行う上で有効とされてお
り、例えば特開昭５６−３９５４０号公報で示されるように、回転する基板の中
心付近に表面湿潤用の処理液（公報ではリンス液と称される）を供給して拡散流
動させることで、基板表面に処理液の薄膜を形成する手段が提案されている。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】 しかしながら、上述した従来装置は、単一のノズルを用いて表面湿潤用の処理 液を基板中心付近に供給するように構成されているので、次のような問題点があ
る。すなわち、回転する基板においては、基板中心から基板外周へ行くほど周速
度が速くなる。そのため、基板中心部では供給された処理液が外周部に比べて飛
散しにくく残留しやすいという傾向があり、逆に基板外周部では処理液が遠心力
で飛散し乾燥しやすいという傾向がある。このように、基板の内側と外側とでは
、処理液の拡散流動の傾向に差異があるので、基板中心部において均一な薄膜を
生成するために基板回転処理時間を長くすると、基板外周部において処理液が乾
燥してしまう。一方、基板外周部において均一な薄膜を生成するために基板回転
処理時間を短くすると、基板中心部に過剰の処理液が残留してしまうという不都
合を生じる。このように、従来装置によれば、基板表面の全体に均一な薄膜を生
成することが困難であった。 【０００４】 本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板表面に処理液
の均一な薄膜を形成することができる基板の回転処理装置を提供することを目的
としている。 【０００５】 【課題を解決するための手段】 上記目的を達成するために、本発明は次のような構成をとる。 すなわち、本発明は、回転台上に搭載保持されて回転する基板の表面に向けて
処理液を噴出供給して、基板表面にプリウエット処理液の薄膜を形成する基板の
回転処理装置において、 基板の回転中心付近に向かうノズルと、回転中心から外周側に離れた箇所に向
かうノズルを用いて、基板表面の半径方向の異なった複数箇所にプリウエット処
理液を噴出供給するよう構成するとともに、回転中心側のノズルから順にプリウ
エット処理液供給を停止するプリウエット処理液供給制御手段を備えたものであ
る。 【０００６】 【作用】 本発明の作用は次のとおりである。 回転中心側のノズルから順に処理液の供給を停止することにより、処理液が残
留しやすい基板中心部では処理液の供給時間が比較的短くなり、一方、処理液が
飛散しやすい基板外周部では処理液の供給時間が比較的長くなる。すなわち、基
板各部の周速度に応じた量の処理液が供給される結果、基板全体に処理液の均一
な薄膜が形成される。 【０００７】 【実施例】 以下、図面を参照して本発明に係る基板の回転処理装置の一実施例を説明する
。 図１は、本実施例に係る基板の回転処理装置、特にフォトレジスト塗布および
露光の終わった基板に対してプリウエット処理および現像処理を行うための装置
の縦断面図である。処理対象である半導体ウエハなどの基板１は、縦軸心Ｐ周り
に回転駆動される真空チャック式の回転台２に搭載保持される。回転台２の上方
には昇降可能な現像液供給ノズル３があり、また回転台２の周囲はガードハウジ
ング４で囲われている。 【０００８】 ガードハウジング４の外側にはプリウエット用処理液を供給するための２つの
ノズル５，６がある。下方のノズル５は、ガードハウジング４に形成された開口
７を介してガードハウジング４内に噴出された処理液が基板１の回転中心である
前記縦軸心Ｐ付近に当たるように、その方向が設定されている。ここで、縦軸心
Ｐ付近とは必ずしも回転中心に限定しないという意味であり、８インチの半導体
ウエハの場合、好ましくは中心から５ｍｍ程度離れたところである。ただし、中
心からの最適離間距離は、処理液の吐出圧や流量、その方向によって多少変わる
ので、一概に特定できない。要するに、ノズル５から噴出されて基板１の表面に
広がった処理液の領域が回転中心を含んでいればよい。一方、上方のノズル６は
、ノズル５よりも半径方向の外方に離れた箇所に向かうように、その噴射方向が
設定されている。具体的には、ノズル６から噴出された処理液が基板の回転中心
と周縁の中間付近（８インチウエハの場合、中心から約５０ｍｍのところ）に当
たるように、ノズル６の方向が設定される。 【０００９】 両ノズル５，６は、図３に示すように、それぞれが電磁開閉弁８，９を介して
処理液圧送装置１０に配管接続されているとともに、各電磁開閉弁８，９が処理
液供給制御手段としての制御回路１１によって開閉制御されるようになっている
。尚、電磁開閉弁８，９と各ノズル５，６との間にはフィルタ１２がそれぞれ介
在されて、処理液中の異物を除去するようになっている。 【００１０】 ノズル５，６を使ったプリウエット処理は次のように行われる。現像処理を行
う前に、電磁開閉弁８，９を同時的に開状態にしてノズル５，６からプリウエッ
ト用処理液としての純水（あるいは希釈した現像液）を基板１の表面に供給する
。このとき、基板１は５００〜１０００回転／分で回転されている。処理液の供
給時間は概ね５秒程度である。そして、制御回路１１の制御によって、まずノズ
ル５からの処理液の供給を停止し、その後、０．５〜１秒遅れてノズル６からの
処理液の供給を停止する。ただし、ノズル５，６からの処理液供給の最適な停止
タイミングは、基板１の大きさや回転数、さらには処理液の種類によって異なる
。両ノズル５，６からの処理液の供給を停止した後、基板１を７００〜２０００
回転／分で約２秒間程度回転させて余剰の処理液を飛散させ、基板１の表面に処
理液の均一な薄膜を形成する。以上のプリウエット処理を終えた後に、現像液供
給ノズル３を下降して現像液を供給し、基板の回転現像処理を行う。 【００１１】 尚、上記の実施例では、処理液供給用のノズルを２本用いる場合を示したが、
基板１の寸法によっては３本以上のノズルを利用してもよく、この場合も基板中
心側に向かうものから順に処理液の供給を停止するように制御する。 【００１２】 【発明の効果】 以上の説明から明らかなように、本発明は、回転する基板の半径方向の異った
複数箇所に向けて処理液を噴出供給するとともに、その処理液供給の停止を中心
側から外周側に順に遅らせるようにしたので、周速度の遅い基板中心部では処理
液が残留するのが防止され、また周速度の速い基板外周部では処理液が過剰に飛 散するのが抑制され、もって基板表面全体に処理液を薄膜を均一に形成すること
ができる。
おくプリウエット処理などのように、基板表面に処理液の薄膜を形成する際に用
いられる基板の回転処理装置に関する。 【０００２】 【従来の技術】 基板の現像処理においては、現像液を回転基板に供給する前に、基板表面に純
水あるいは希釈した現像液の薄膜を予め形成して基板表面を湿潤状態にしておく
、いわゆるプリウエット処理を施すことが均一な現像を行う上で有効とされてお
り、例えば特開昭５６−３９５４０号公報で示されるように、回転する基板の中
心付近に表面湿潤用の処理液（公報ではリンス液と称される）を供給して拡散流
動させることで、基板表面に処理液の薄膜を形成する手段が提案されている。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】 しかしながら、上述した従来装置は、単一のノズルを用いて表面湿潤用の処理 液を基板中心付近に供給するように構成されているので、次のような問題点があ
る。すなわち、回転する基板においては、基板中心から基板外周へ行くほど周速
度が速くなる。そのため、基板中心部では供給された処理液が外周部に比べて飛
散しにくく残留しやすいという傾向があり、逆に基板外周部では処理液が遠心力
で飛散し乾燥しやすいという傾向がある。このように、基板の内側と外側とでは
、処理液の拡散流動の傾向に差異があるので、基板中心部において均一な薄膜を
生成するために基板回転処理時間を長くすると、基板外周部において処理液が乾
燥してしまう。一方、基板外周部において均一な薄膜を生成するために基板回転
処理時間を短くすると、基板中心部に過剰の処理液が残留してしまうという不都
合を生じる。このように、従来装置によれば、基板表面の全体に均一な薄膜を生
成することが困難であった。 【０００４】 本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板表面に処理液
の均一な薄膜を形成することができる基板の回転処理装置を提供することを目的
としている。 【０００５】 【課題を解決するための手段】 上記目的を達成するために、本発明は次のような構成をとる。 すなわち、本発明は、回転台上に搭載保持されて回転する基板の表面に向けて
処理液を噴出供給して、基板表面にプリウエット処理液の薄膜を形成する基板の
回転処理装置において、 基板の回転中心付近に向かうノズルと、回転中心から外周側に離れた箇所に向
かうノズルを用いて、基板表面の半径方向の異なった複数箇所にプリウエット処
理液を噴出供給するよう構成するとともに、回転中心側のノズルから順にプリウ
エット処理液供給を停止するプリウエット処理液供給制御手段を備えたものであ
る。 【０００６】 【作用】 本発明の作用は次のとおりである。 回転中心側のノズルから順に処理液の供給を停止することにより、処理液が残
留しやすい基板中心部では処理液の供給時間が比較的短くなり、一方、処理液が
飛散しやすい基板外周部では処理液の供給時間が比較的長くなる。すなわち、基
板各部の周速度に応じた量の処理液が供給される結果、基板全体に処理液の均一
な薄膜が形成される。 【０００７】 【実施例】 以下、図面を参照して本発明に係る基板の回転処理装置の一実施例を説明する
。 図１は、本実施例に係る基板の回転処理装置、特にフォトレジスト塗布および
露光の終わった基板に対してプリウエット処理および現像処理を行うための装置
の縦断面図である。処理対象である半導体ウエハなどの基板１は、縦軸心Ｐ周り
に回転駆動される真空チャック式の回転台２に搭載保持される。回転台２の上方
には昇降可能な現像液供給ノズル３があり、また回転台２の周囲はガードハウジ
ング４で囲われている。 【０００８】 ガードハウジング４の外側にはプリウエット用処理液を供給するための２つの
ノズル５，６がある。下方のノズル５は、ガードハウジング４に形成された開口
７を介してガードハウジング４内に噴出された処理液が基板１の回転中心である
前記縦軸心Ｐ付近に当たるように、その方向が設定されている。ここで、縦軸心
Ｐ付近とは必ずしも回転中心に限定しないという意味であり、８インチの半導体
ウエハの場合、好ましくは中心から５ｍｍ程度離れたところである。ただし、中
心からの最適離間距離は、処理液の吐出圧や流量、その方向によって多少変わる
ので、一概に特定できない。要するに、ノズル５から噴出されて基板１の表面に
広がった処理液の領域が回転中心を含んでいればよい。一方、上方のノズル６は
、ノズル５よりも半径方向の外方に離れた箇所に向かうように、その噴射方向が
設定されている。具体的には、ノズル６から噴出された処理液が基板の回転中心
と周縁の中間付近（８インチウエハの場合、中心から約５０ｍｍのところ）に当
たるように、ノズル６の方向が設定される。 【０００９】 両ノズル５，６は、図３に示すように、それぞれが電磁開閉弁８，９を介して
処理液圧送装置１０に配管接続されているとともに、各電磁開閉弁８，９が処理
液供給制御手段としての制御回路１１によって開閉制御されるようになっている
。尚、電磁開閉弁８，９と各ノズル５，６との間にはフィルタ１２がそれぞれ介
在されて、処理液中の異物を除去するようになっている。 【００１０】 ノズル５，６を使ったプリウエット処理は次のように行われる。現像処理を行
う前に、電磁開閉弁８，９を同時的に開状態にしてノズル５，６からプリウエッ
ト用処理液としての純水（あるいは希釈した現像液）を基板１の表面に供給する
。このとき、基板１は５００〜１０００回転／分で回転されている。処理液の供
給時間は概ね５秒程度である。そして、制御回路１１の制御によって、まずノズ
ル５からの処理液の供給を停止し、その後、０．５〜１秒遅れてノズル６からの
処理液の供給を停止する。ただし、ノズル５，６からの処理液供給の最適な停止
タイミングは、基板１の大きさや回転数、さらには処理液の種類によって異なる
。両ノズル５，６からの処理液の供給を停止した後、基板１を７００〜２０００
回転／分で約２秒間程度回転させて余剰の処理液を飛散させ、基板１の表面に処
理液の均一な薄膜を形成する。以上のプリウエット処理を終えた後に、現像液供
給ノズル３を下降して現像液を供給し、基板の回転現像処理を行う。 【００１１】 尚、上記の実施例では、処理液供給用のノズルを２本用いる場合を示したが、
基板１の寸法によっては３本以上のノズルを利用してもよく、この場合も基板中
心側に向かうものから順に処理液の供給を停止するように制御する。 【００１２】 【発明の効果】 以上の説明から明らかなように、本発明は、回転する基板の半径方向の異った
複数箇所に向けて処理液を噴出供給するとともに、その処理液供給の停止を中心
側から外周側に順に遅らせるようにしたので、周速度の遅い基板中心部では処理
液が残留するのが防止され、また周速度の速い基板外周部では処理液が過剰に飛 散するのが抑制され、もって基板表面全体に処理液を薄膜を均一に形成すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明に係る基板の回転処理装置の一実施例を示す縦断面図である。
【図２】 実施例の要部の斜視図である。
【図３】 処理液供給手段の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
１ 基板
２ 回転台
５，６ ノズル
１１ 制御回路（処理液供給制御手段）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 回転台上に搭載保持されて回転する基板の表面に向けて処理液
を噴出供給して、基板表面にプリウエット処理液の薄膜を形成する基板の回転処
理装置において、 基板の回転中心付近に向かうノズルと、回転中心から外周側に離れた箇所に向
かうノズルを用いて、基板表面の半径方向の異なった複数箇所にプリウエット処
理液を噴出供給するよう構成するとともに、回転中心側のノズルから順にプリウ
エット処理液供給を停止するプリウエット処理液供給制御手段を備えたことを特
徴とする基板の回転処理装置。
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100224462B1 (ko) | 세정장치 및 세정방법 | |
| JP2892476B2 (ja) | 帯状液体ノズル及び液処理装置及び液処理方法 | |
| JP4947711B2 (ja) | 現像処理方法、現像処理プログラム、及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
| TW200805450A (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
| JP2003502840A (ja) | 半導体ウェハを洗浄するための方法及びシステム | |
| JPH0878368A (ja) | ワークの処理方法および装置 | |
| CN114649233B (zh) | 晶圆清洗装置及清洗晶圆的方法 | |
| JPH07135137A (ja) | 現像処理方法および装置 | |
| JP2000311846A (ja) | レジスト現像方法およびレジスト現像装置 | |
| JP2580082B2 (ja) | 基板の回転処理装置 | |
| JP2580082C (ja) | ||
| JP3210893B2 (ja) | 処理装置および処理方法 | |
| JP2000077293A (ja) | 基板処理方法およびその装置 | |
| JP7202960B2 (ja) | 塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置 | |
| KR200375036Y1 (ko) | 감광막현상장치 | |
| JP2864366B2 (ja) | 被処理体の現像方法 | |
| JP2643656B2 (ja) | ウェハ現像処理装置 | |
| JPH0262549A (ja) | スピンデベロッパ、レジスト処理装置及びレジスト処理方法 | |
| JPH04217257A (ja) | レジスト現像装置 | |
| JP2001307986A (ja) | 半導体基板固定保持装置 | |
| JP2809754B2 (ja) | 現像装置 | |
| JP2588854B2 (ja) | 現像装置 | |
| JPH088210B2 (ja) | 現像方法 | |
| JP2001147540A (ja) | 現像装置 | |
| JP2870827B2 (ja) | レジストの現像装置 |