JPH0431309A - 熱分解窒化ほう素成形体の製造方法 - Google Patents
熱分解窒化ほう素成形体の製造方法Info
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- JPH0431309A JPH0431309A JP13463490A JP13463490A JPH0431309A JP H0431309 A JPH0431309 A JP H0431309A JP 13463490 A JP13463490 A JP 13463490A JP 13463490 A JP13463490 A JP 13463490A JP H0431309 A JPH0431309 A JP H0431309A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は熱分解窒化ほう素の製造方法、特には基板との
剥離性がよく、高純度であることから、化合物半導体引
上げ用ルツボ、分子線エピタキシー用金属蒸着用ルツボ
、結晶育成用治具、放熱板、電気絶縁用部品などとして
有用とされる、熱分解窒化ほう集成形体の製造方法に関
するものである。
剥離性がよく、高純度であることから、化合物半導体引
上げ用ルツボ、分子線エピタキシー用金属蒸着用ルツボ
、結晶育成用治具、放熱板、電気絶縁用部品などとして
有用とされる、熱分解窒化ほう集成形体の製造方法に関
するものである。
（従来の技術）
熱分解窒化ほう素（以下Ｐ−ＢＮと略記する）は高純度
で不活性の窒化ほう素であることから、化合物半導体引
上げ用ルツボ、分子線エピタキシー用金属蒸着用ルツボ
、結晶育成用治具なと幅広い範囲で用いられている。
で不活性の窒化ほう素であることから、化合物半導体引
上げ用ルツボ、分子線エピタキシー用金属蒸着用ルツボ
、結晶育成用治具なと幅広い範囲で用いられている。
このＰ−ＢＮの製造については、いくつかの方法が知ら
れているが、この中ではハロゲン化ほう素とアンモニア
ガスとを温度１，４５０〜２，３００℃、圧力５０ト一
ル未満という条件で化学気相反応法（以下ＣＶＤ法と略
記）でＰ−ＢＮを析出させる方法（米国特許第３，１５
２，０００号参照）が広く用いられており、これはＰ−
ＢＮと熱膨張係数の異なる独自形状の基体を用い、この
基体にＰ−ＢＮを析出させ、その後基体とＰ−ＢＮｇを
分離させて独自形状のＰ−ＢＮ成形体を得るという方法
で行なわれている。
れているが、この中ではハロゲン化ほう素とアンモニア
ガスとを温度１，４５０〜２，３００℃、圧力５０ト一
ル未満という条件で化学気相反応法（以下ＣＶＤ法と略
記）でＰ−ＢＮを析出させる方法（米国特許第３，１５
２，０００号参照）が広く用いられており、これはＰ−
ＢＮと熱膨張係数の異なる独自形状の基体を用い、この
基体にＰ−ＢＮを析出させ、その後基体とＰ−ＢＮｇを
分離させて独自形状のＰ−ＢＮ成形体を得るという方法
で行なわれている。
（本発明が解決しようとする課題）
しかし、この方法では基体とＰ−ＢＮ皮膜との間に、い
わゆるアンカー効果があるために分離する基体の一部が
Ｐ−ＢＮ成形体の一部に付着したり、Ｐ−ＢＮ成形体が
層状剥離することがあるために、Ｐ−ＢＮ層を基体と分
離したのちにＰ−８Ｎ膜に付着している基体部分を機械
加工または酸化処理によって除去しなければならないの
でＰ−ＢＮ層に損傷が与えられたり、その機械的強度が
劣化するという問題がある。
わゆるアンカー効果があるために分離する基体の一部が
Ｐ−ＢＮ成形体の一部に付着したり、Ｐ−ＢＮ成形体が
層状剥離することがあるために、Ｐ−ＢＮ層を基体と分
離したのちにＰ−８Ｎ膜に付着している基体部分を機械
加工または酸化処理によって除去しなければならないの
でＰ−ＢＮ層に損傷が与えられたり、その機械的強度が
劣化するという問題がある。
このため、これについてはハロゲン化ほう素とアンモニ
アガスとを導入した反応層内の圧力を５ト一ル未満とし
て、１．０００〜１，４００℃の温度でＣＶＤ法で反応
させて、膜厚１０μｍ以上の非結晶性窒化ほう素または
低結晶性の窒化ほう素を基体上に堆積させたものを基板
として使用するという方法が提案されている（特開平１
−２４９４０６号公報）が、これにはこのようにして得
られた非結晶性窒化ほう素が強度の小さいものであるた
めに大形の型や構造の複雑な型に対しては効果がわるい
という欠点がある。
アガスとを導入した反応層内の圧力を５ト一ル未満とし
て、１．０００〜１，４００℃の温度でＣＶＤ法で反応
させて、膜厚１０μｍ以上の非結晶性窒化ほう素または
低結晶性の窒化ほう素を基体上に堆積させたものを基板
として使用するという方法が提案されている（特開平１
−２４９４０６号公報）が、これにはこのようにして得
られた非結晶性窒化ほう素が強度の小さいものであるた
めに大形の型や構造の複雑な型に対しては効果がわるい
という欠点がある。
（課題を解決するための手段）
本発明はこのような不利を解決したＰ−ＢＮの製造方法
に関するもので、これはハロゲン化ほう素とアンモニア
ガスとからＣＶＤ法によって基体上にＰ−ＢＮ層を形成
させたのち、該基体からＰ−ＢＮ層を剥離するＰ−ＢＮ
成形体の製造方法において、基体上でハロゲン化ほう素
とアンモニアガスとを圧力２０トール以下、１，５００
〜２，４００℃の温度で化学気相反応させて、基体上に
膜厚１０〜２００μｍのＰ−ＢＮ層を形成させたものを
基体として用いることを特徴とするものである。
に関するもので、これはハロゲン化ほう素とアンモニア
ガスとからＣＶＤ法によって基体上にＰ−ＢＮ層を形成
させたのち、該基体からＰ−ＢＮ層を剥離するＰ−ＢＮ
成形体の製造方法において、基体上でハロゲン化ほう素
とアンモニアガスとを圧力２０トール以下、１，５００
〜２，４００℃の温度で化学気相反応させて、基体上に
膜厚１０〜２００μｍのＰ−ＢＮ層を形成させたものを
基体として用いることを特徴とするものである。
すなわち、本発明者らは基体表面とＰ−ＢＮｔＬ膜との
アンカー効果を低減させて、基板との剥離性がよく、高
純度、高品質のＰ−ＢＮ成形体を得る方法について種々
検討した結果、このＰ−ＢＮ成形体を形成させる基体と
して従来公知の基体上に公知の方法でＰ−ＢＮ層を形成
させたものを使用すればこの基体がＰ−ＢＮ層を予じめ
形成させたものであるので、基板と目的とするＰ−ＢＮ
層との間のアンカン−効果が著しく低減され、基体から
Ｐ−ＢＮ層を分離するときにＰ−ＢＮ成形体に基体の一
部が付着することがなくなり、Ｐ−ＢＮ成形体が層状剥
離することもなくなるということを見出すと共に、この
基体上に形成されたＰ−ＢＮ層は強度が大きいので、大
形の型や複雑な構造の型についても充分な効果を与える
ことができることを確認して本発明を完成させた。
アンカー効果を低減させて、基板との剥離性がよく、高
純度、高品質のＰ−ＢＮ成形体を得る方法について種々
検討した結果、このＰ−ＢＮ成形体を形成させる基体と
して従来公知の基体上に公知の方法でＰ−ＢＮ層を形成
させたものを使用すればこの基体がＰ−ＢＮ層を予じめ
形成させたものであるので、基板と目的とするＰ−ＢＮ
層との間のアンカン−効果が著しく低減され、基体から
Ｐ−ＢＮ層を分離するときにＰ−ＢＮ成形体に基体の一
部が付着することがなくなり、Ｐ−ＢＮ成形体が層状剥
離することもなくなるということを見出すと共に、この
基体上に形成されたＰ−ＢＮ層は強度が大きいので、大
形の型や複雑な構造の型についても充分な効果を与える
ことができることを確認して本発明を完成させた。
以下これをさらに詳述する。
（作用）
本発明はハロゲン化ほう素とアンモニアガスとのＣＶＤ
法によるＰ−ＢＮ成形体製造方法の改良に関するもので
ある。
法によるＰ−ＢＮ成形体製造方法の改良に関するもので
ある。
本発明によるＰ−ＢＮ成形体の製造方法はハロゲン化ほ
う素とアンモニアガスとをＣＶＤ法で反応させるという
公知の方法で行なわれるが、ここに使用される基体をそ
の表面に予じめＰ−ＢＮ層を形成させたものとするもの
である。
う素とアンモニアガスとをＣＶＤ法で反応させるという
公知の方法で行なわれるが、ここに使用される基体をそ
の表面に予じめＰ−ＢＮ層を形成させたものとするもの
である。
ここに使用されるハロゲン化ほう素は通常この種の方法
で使用される三塩化ほう素（ＢｅＩＬ、）や三フッ化ほ
う素（ＢＦ３）などとすればよく、アンモニアガスも従
来公知のものとすればよい。
で使用される三塩化ほう素（ＢｅＩＬ、）や三フッ化ほ
う素（ＢＦ３）などとすればよく、アンモニアガスも従
来公知のものとすればよい。
また、ここに使用される基体は高温に耐えるものである
ことが必要とされることから、通常これは黒鉛、ほう化
チタンなどで製られたものとすればよく、その形状は使
用目的に応じた任意の寸法、形状を有するものとすれば
よい。
ことが必要とされることから、通常これは黒鉛、ほう化
チタンなどで製られたものとすればよく、その形状は使
用目的に応じた任意の寸法、形状を有するものとすれば
よい。
しかし、本発明で使用される基体は予じめＰ−ＢＮ層で
被覆されたものとすることが必要とされる。
被覆されたものとすることが必要とされる。
このＰ−ＢＮ層の被覆は公知の方法にしたがって、基体
をハロゲン化ほう素とアンモニアガスとのＣＶＤ法によ
る反応装置内に置くことによって行えばよい。このＣＶ
Ｄ法による反応条件は反応圧力が２０トール以下である
反応装置において高温下に反応させればよいが、この反
応温度については第１図に示したように１，０００℃以
下では生成するＰ−ＢＮが不安定なものとなり、１，５
００℃以上の高温となると緻密で安定なものとなるし、
この引張強度も第２図に示したように高温になる稚内上
するが、１，５００℃未満では生成したＰ−ＢＮが不安
定なものとなって第２図に示したように引張強度の弱い
ものどなリ、２，４００℃より高くすると生成したＰ−
ＢＮのカーボン混入による不純物の増加や、Ｐ−ＯＮの
変色などのＰ−ＢＮの変質原因となるので１，５００〜
２，４００℃とする必要があり、これはさらに好ましく
は１，６００〜２４００℃とすることがよい。
をハロゲン化ほう素とアンモニアガスとのＣＶＤ法によ
る反応装置内に置くことによって行えばよい。このＣＶ
Ｄ法による反応条件は反応圧力が２０トール以下である
反応装置において高温下に反応させればよいが、この反
応温度については第１図に示したように１，０００℃以
下では生成するＰ−ＢＮが不安定なものとなり、１，５
００℃以上の高温となると緻密で安定なものとなるし、
この引張強度も第２図に示したように高温になる稚内上
するが、１，５００℃未満では生成したＰ−ＢＮが不安
定なものとなって第２図に示したように引張強度の弱い
ものどなリ、２，４００℃より高くすると生成したＰ−
ＢＮのカーボン混入による不純物の増加や、Ｐ−ＯＮの
変色などのＰ−ＢＮの変質原因となるので１，５００〜
２，４００℃とする必要があり、これはさらに好ましく
は１，６００〜２４００℃とすることがよい。
また、この反応系に導入されるハロゲン化ほう素とアン
モニアガスとの混合比はこの混合比が１未満ではＰ−Ｂ
Ｎ層中へのＢ（ボロン）単体の混入によるＰ−ＢＮ中へ
の不純物の混入やそわによる黒い着色の発生があり、ハ
ロゲン化ほう素１モルに対してアンモニアを１５モルよ
り多くするとアンモニアを多く消費するばかりでなく、
成膜速度が小さくなり、収率も低くなるので、１〜１５
モルの範囲となるようにすればよいが、この好ましい範
囲は２〜１０モルの範囲とされる。
モニアガスとの混合比はこの混合比が１未満ではＰ−Ｂ
Ｎ層中へのＢ（ボロン）単体の混入によるＰ−ＢＮ中へ
の不純物の混入やそわによる黒い着色の発生があり、ハ
ロゲン化ほう素１モルに対してアンモニアを１５モルよ
り多くするとアンモニアを多く消費するばかりでなく、
成膜速度が小さくなり、収率も低くなるので、１〜１５
モルの範囲となるようにすればよいが、この好ましい範
囲は２〜１０モルの範囲とされる。
したがって本発明によるＰ−ＢＮ成形体の製造は、ハロ
ゲン化ほう素１モルとアンモニアガス２〜１０モルの混
合ガスを圧力２０トール以下、温度１，５００〜２．４
００℃という条件で化学気相反応させ、生成したＰ−Ｂ
Ｎを基体上にＰ−ＢＮ膜として形成させて表面にＰ−Ｂ
Ｎ膜を形成した基体を作り、ついでこの基体の上に公知
の方法でハロゲン化ほう素とアンモニアガスとのＣＶＤ
法によってＰ−ＢＮ［を作り、このＰ−ＢＮｇを基体か
ら剥離することによって作られるか、この基体に予じめ
形成されるＰ−ＢＮ膜の厚さは１０μｍ未満では薄すぎ
るし、２００μｍより厚くすると積層したＰ−８８層が
基体から部分的に剥離し易くなるので１０〜２００μｍ
の範囲とすればよい。これによねば基体が予じめＰ−Ｂ
ＮＭをもっているので、この基体上に設けられるＰ−Ｂ
Ｎ膜と基体との間におけるアンカー効果が著しく低減さ
れたものとなり、したがって基体からＰ−ＢＮ膜を剥離
するとぎに基体の一部がＰ−ＢＮ成形体に付着すること
がなくなるし、Ｐ−ＢＮ成形体が層状剥離することがな
くなるので、目的とするＰ−ＢＮ成形体を高純度で、し
かも機械的強度の強いものとして得ることができるとい
う有利性が与えられる。
ゲン化ほう素１モルとアンモニアガス２〜１０モルの混
合ガスを圧力２０トール以下、温度１，５００〜２．４
００℃という条件で化学気相反応させ、生成したＰ−Ｂ
Ｎを基体上にＰ−ＢＮ膜として形成させて表面にＰ−Ｂ
Ｎ膜を形成した基体を作り、ついでこの基体の上に公知
の方法でハロゲン化ほう素とアンモニアガスとのＣＶＤ
法によってＰ−ＢＮ［を作り、このＰ−ＢＮｇを基体か
ら剥離することによって作られるか、この基体に予じめ
形成されるＰ−ＢＮ膜の厚さは１０μｍ未満では薄すぎ
るし、２００μｍより厚くすると積層したＰ−８８層が
基体から部分的に剥離し易くなるので１０〜２００μｍ
の範囲とすればよい。これによねば基体が予じめＰ−Ｂ
ＮＭをもっているので、この基体上に設けられるＰ−Ｂ
Ｎ膜と基体との間におけるアンカー効果が著しく低減さ
れたものとなり、したがって基体からＰ−ＢＮ膜を剥離
するとぎに基体の一部がＰ−ＢＮ成形体に付着すること
がなくなるし、Ｐ−ＢＮ成形体が層状剥離することがな
くなるので、目的とするＰ−ＢＮ成形体を高純度で、し
かも機械的強度の強いものとして得ることができるとい
う有利性が与えられる。
（実施例）
つぎに本発明の実施例、比較例をあげる。
実施例
直径１５０ｍｍ、長さ２００ｍｍの円筒型グラファイト
製の基体を電気炉内に設置し、炉に真空ポンプを接続し
て炉内を１トールにまで減圧したのち、ここに三塩化ほ
う素ＩＡ／分とアンモニアガス１０１２ ／分との混合
ガスを供給し、２．０５０℃で２時間反応させ、反応終
了後室温にまで冷却してから基体を取り出したところ、
この基体のグラファイト面にはＰ−ＢＮが膜厚さ１００
μｍで被覆されていた。
製の基体を電気炉内に設置し、炉に真空ポンプを接続し
て炉内を１トールにまで減圧したのち、ここに三塩化ほ
う素ＩＡ／分とアンモニアガス１０１２ ／分との混合
ガスを供給し、２．０５０℃で２時間反応させ、反応終
了後室温にまで冷却してから基体を取り出したところ、
この基体のグラファイト面にはＰ−ＢＮが膜厚さ１００
μｍで被覆されていた。
ついで、このＰ−ＢＮ″ｒ：被覆された基体を上記と同
じ電気炉内に設置し、１トールまで減圧してからここに
三塩化ほう素１４２７分とアンモニアガス２ｆｌ／分と
の混合ガスを供給し、１，９００℃で２４時間反応させ
、反応終了後に窒素ガスを導入して冷却し、室温になっ
てから基体を取出したところ、この基体上にＰ−ＢＮが
膜厚１，２００μｍで被着していたのでこのＰ−ＢＮｌ
ｉを基体から剥離したところ、上記て得たＰ−ＢＮ被膜
を有する基体とこの上に形成されたＰ−ＢＮルツボは容
易に剥離することができ、得られたＰ−ＢＮルツボはそ
の表面付近にカーボンの付着は全くなく、またその内壁
面は第３図に示したように表面からＰ−ＢＮとなフてい
て黒色物の付着は全くないものであったので、これはカ
ーボン除去の後処理が不要であったし、サンドベーパ処
理も必要がないので内壁面に研磨材の混入する心配もな
く、したがって品質的に高純度の内壁をもつＰ−ＢＮル
ツボを得ることができた。
じ電気炉内に設置し、１トールまで減圧してからここに
三塩化ほう素１４２７分とアンモニアガス２ｆｌ／分と
の混合ガスを供給し、１，９００℃で２４時間反応させ
、反応終了後に窒素ガスを導入して冷却し、室温になっ
てから基体を取出したところ、この基体上にＰ−ＢＮが
膜厚１，２００μｍで被着していたのでこのＰ−ＢＮｌ
ｉを基体から剥離したところ、上記て得たＰ−ＢＮ被膜
を有する基体とこの上に形成されたＰ−ＢＮルツボは容
易に剥離することができ、得られたＰ−ＢＮルツボはそ
の表面付近にカーボンの付着は全くなく、またその内壁
面は第３図に示したように表面からＰ−ＢＮとなフてい
て黒色物の付着は全くないものであったので、これはカ
ーボン除去の後処理が不要であったし、サンドベーパ処
理も必要がないので内壁面に研磨材の混入する心配もな
く、したがって品質的に高純度の内壁をもつＰ−ＢＮル
ツボを得ることができた。
比較例
上記した実施例において使用したＰ−ＢＮで被覆した基
体を用いるかわりに、Ｐ−ＢＮで被覆していない円筒状
グラファイト製の基体を使用し、これに実施例１と同じ
ように炉内において１トールに減圧後に三塩化ほう素ｉ
ｆｌ／分とアンモニアガス２ｆｌ／分との混合ガスを供
給し２４時間反応させて基体上にＰ−ＢＮ膜を１，２０
０μｍの厚さに形成させ、冷却後傾から取出しＰ−ＢＮ
膜を剥離してＰ−ＢＮルツボを作ったところ、このルツ
ボの内壁面は第４図に示したように表面からＰ−ＢＮと
なるものであったが、これには表面に黒色のカーボン付
着物が多くみられ、このカーボン除去のためには８００
℃の加熱炉（空気雰囲気）中で８時間の加熱処理をする
酸化処理が後処理として必要であったし、さらにサンド
ペーパー処理による研磨も必要であるために壁面に研磨
材の混入があり、品質的に不純物の多いものになるとい
う不利があった。
体を用いるかわりに、Ｐ−ＢＮで被覆していない円筒状
グラファイト製の基体を使用し、これに実施例１と同じ
ように炉内において１トールに減圧後に三塩化ほう素ｉ
ｆｌ／分とアンモニアガス２ｆｌ／分との混合ガスを供
給し２４時間反応させて基体上にＰ−ＢＮ膜を１，２０
０μｍの厚さに形成させ、冷却後傾から取出しＰ−ＢＮ
膜を剥離してＰ−ＢＮルツボを作ったところ、このルツ
ボの内壁面は第４図に示したように表面からＰ−ＢＮと
なるものであったが、これには表面に黒色のカーボン付
着物が多くみられ、このカーボン除去のためには８００
℃の加熱炉（空気雰囲気）中で８時間の加熱処理をする
酸化処理が後処理として必要であったし、さらにサンド
ペーパー処理による研磨も必要であるために壁面に研磨
材の混入があり、品質的に不純物の多いものになるとい
う不利があった。
（発明の効果）
本発明は高純度で基体との剥離性のよいＰ−ＢＮ成形体
の製造方法に関するものであり、これは前記したように
ハロゲン化ほう素とアンモニアガスとからＣＶＤ法によ
って基体上にＰ−ＢＮ層を形成させたのち、該基体から
Ｐ−ＢＮ層を剥離するＰ−ＢＮ成形体の製造方法におい
て、基体上でハロゲン化ほう素とアンモニアガスとを圧
力２０トール以下、１，５００〜２．４００℃の温度で
化学気相反応させて、基体上に膜厚１０〜２００μｍの
Ｐ−ＢＮ層を形成させたものを基体として用いることを
特徴とするものであるが、これによれば基体が予じめＰ
−ＢＮ層で被覆されているので、このものは基体とその
上に形成されるＰ−ＢＮ層の間のアンカー効果が著しく
低減されたものとなり、したがってこの基体からＰ−Ｂ
Ｎ層を分離するときにＰ−ＢＮ成形体に基体の一部が付
着することがなくなり、Ｐ−ＢＮ成形体が層状剥離する
こともなくなるので、目的とするＰ−ＢＮ成形体を高純
度で、しかも機械的強度の大きいものとすることができ
るという有利性が与えられる。
の製造方法に関するものであり、これは前記したように
ハロゲン化ほう素とアンモニアガスとからＣＶＤ法によ
って基体上にＰ−ＢＮ層を形成させたのち、該基体から
Ｐ−ＢＮ層を剥離するＰ−ＢＮ成形体の製造方法におい
て、基体上でハロゲン化ほう素とアンモニアガスとを圧
力２０トール以下、１，５００〜２．４００℃の温度で
化学気相反応させて、基体上に膜厚１０〜２００μｍの
Ｐ−ＢＮ層を形成させたものを基体として用いることを
特徴とするものであるが、これによれば基体が予じめＰ
−ＢＮ層で被覆されているので、このものは基体とその
上に形成されるＰ−ＢＮ層の間のアンカー効果が著しく
低減されたものとなり、したがってこの基体からＰ−Ｂ
Ｎ層を分離するときにＰ−ＢＮ成形体に基体の一部が付
着することがなくなり、Ｐ−ＢＮ成形体が層状剥離する
こともなくなるので、目的とするＰ−ＢＮ成形体を高純
度で、しかも機械的強度の大きいものとすることができ
るという有利性が与えられる。
第１図はハロゲン化ほう素とアンモニアガスとのＣＶＤ
法によって得たＰ−ＢＮの反応温度、反応圧力と物性と
の関係図、第２図はこのＰ−ＢＮの反応温度と引張り強
度との関係図、第３図は実施例により得られたＰ−ＢＮ
成形体内面の結晶の構造を示す顕微鏡写真、第４図は比
較例で得られたＰ−ＢＮ成形体内面の結晶の構造を示す
顕微鏡写真を示したものである。 第 二３１゛区１ □々先Ｉ贋（’Ｃ） 第１図 】麿（０Ｃ） 第２図
法によって得たＰ−ＢＮの反応温度、反応圧力と物性と
の関係図、第２図はこのＰ−ＢＮの反応温度と引張り強
度との関係図、第３図は実施例により得られたＰ−ＢＮ
成形体内面の結晶の構造を示す顕微鏡写真、第４図は比
較例で得られたＰ−ＢＮ成形体内面の結晶の構造を示す
顕微鏡写真を示したものである。 第 二３１゛区１ □々先Ｉ贋（’Ｃ） 第１図 】麿（０Ｃ） 第２図
Claims (1)
- １、ハロゲン化ほう素とアンモニアガスとから化学気相
反応法によって基体上に熱分解窒化ほう素層を形成させ
たのち、該基体から熱分解窒化ほう素膜を剥離する熱分
解窒化ほう素成形体の製造方法において、基体上でハロ
ゲン化ほう素とアンモニアガスとを圧力２０トール以下
、１，５００〜２，４００℃の温度で化学気相反応させ
て、基体上に膜厚１０〜２００μｍの熱分解窒化ほう素
層を形成させたものを基体として用いることを特徴とす
る熱分解窒化ほう素成形体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13463490A JPH0431309A (ja) | 1990-05-24 | 1990-05-24 | 熱分解窒化ほう素成形体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13463490A JPH0431309A (ja) | 1990-05-24 | 1990-05-24 | 熱分解窒化ほう素成形体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0431309A true JPH0431309A (ja) | 1992-02-03 |
Family
ID=15132960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13463490A Pending JPH0431309A (ja) | 1990-05-24 | 1990-05-24 | 熱分解窒化ほう素成形体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0431309A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017002357A (ja) * | 2015-06-09 | 2017-01-05 | 信越化学工業株式会社 | 熱分解窒化ほう素容器の製造方法及び熱分解窒化ほう素容器 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6272505A (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-03 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 熱分解窒化ほう素製器物の製造法 |
-
1990
- 1990-05-24 JP JP13463490A patent/JPH0431309A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6272505A (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-03 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 熱分解窒化ほう素製器物の製造法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017002357A (ja) * | 2015-06-09 | 2017-01-05 | 信越化学工業株式会社 | 熱分解窒化ほう素容器の製造方法及び熱分解窒化ほう素容器 |
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