JPH0431321A - 超電導体製造用水溶液及び超電導体薄膜の製造方法 - Google Patents

超電導体製造用水溶液及び超電導体薄膜の製造方法

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JPH0431321A
JPH0431321A JP2136194A JP13619490A JPH0431321A JP H0431321 A JPH0431321 A JP H0431321A JP 2136194 A JP2136194 A JP 2136194A JP 13619490 A JP13619490 A JP 13619490A JP H0431321 A JPH0431321 A JP H0431321A
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JP
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metal
hereinafter referred
solution
superconductor
producing
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JP2136194A
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English (en)
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Masaaki Murotani
正彰 室谷
Fumio Uchida
文生 内田
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HAKUSUI CHEM IND Ltd
Original Assignee
HAKUSUI CHEM IND Ltd
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Publication date
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    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E40/00Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
    • Y02E40/60Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment

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  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、複合金属酸化物系超電導体製造用の安定な水
溶液及び超電導体薄膜の製造方法に関し、詳細には粉末
状、薄膜状等任意の性状の複合金属酸化物系超電導体の
製造原料となる安定な金属含有水溶液の製造方法、およ
びこの水溶液を用いて複合金属酸化物系の超電導体薄膜
を製造する方法に関するものである。
[従来の技術] 金属酸化物系のVii膜を形成する方法としては、真空
下あるいはアルゴン等の不活性ガス雰囲気下で行なわれ
るスパッタリング法、蒸着法、イオンビーム法、CVD
法の如く、固体原料を一旦気化させた後基板表面上に析
出させる方法が主流となっている。しかしながらこれら
の方法は、設備が高価であるばかりでなく、複合酸化物
を構成する各成分の蒸発速度や析出速度が異なるため薄
膜成分の調整が困難であり、目標通りの超電導性が得ら
れるとは限らない、また複合金属酸化物の微粉末をスラ
リー状にした後、基板上に塗布して焼結するドクターブ
レード法も知られているが、この方法の場合は、膜厚が
酸化物微粉末の粒径あるいはその凝集体としての粒子の
大きさによって影響を受け、均一な膜厚のものが得られ
難い。
これらに対して溶剤可溶性の有機金属化合物を原料とす
る薄膜の製造法は、2種以上の金属化合物を任意の比率
で複合することができるので目標通りの成分組成の薄膜
を得ることができ、しかも必要によフては単結晶買の薄
膜も形成し得るところから、トランジスタやダイオード
等の電子素子分野にも利用されはじめている。
こうした有機金属化合物を用いる薄膜化技術の1つとし
て、金属アルコキシドを用いるゾル−ゲル法があり、こ
の方法によりTie2薄膜、5in2薄膜、ZrO,薄
膜など数種の金属酸化物薄膜を製造する方法が開発され
ている。また有機酸の金属塩を出発原料とし、これを溶
剤で希釈してから基板に塗布し、次いで加熱して酸化物
薄膜を得る熱分解法も知られており、たとえばステアリ
ン酸塩、ナフテン酸塩、オクチル酸塩等を用いてZnO
薄膜やIn、O,薄膜、あるいは5no2薄膜などを得
る方法が提案されている。
しかしながら上記の様な有機金属化合物のうち金属アル
コキシドは概して高価であり、しかも金属アルコキシド
の種類によフては、最適溶剤の種類や溶解度が違うので
、すべての金属アルフキシトをあらゆる配合組成で組合
せることができる訳ではない。
また、例えばSnO2膜、In2O3膜、pbo膜、Z
r0z膜等の形成原料として使用されるナフテン酸塩、
ステアリン酸塩、カプリル酸塩等の有機酸塩は比較的安
価に人手することができるが、液状物としての保存安定
性が悪いという問題がある。更に有機金属化合物の1種
である金属錯化合物を金属酸化物薄膜の形成原料として
用いる試みもなされているが、金属錯化合物を使用した
場合は均一な膜厚のものが得られにくい。
一方、最近注目を集めている超電導性材料として、Y−
Ba−Cu系およびB1−5i−Ca−Cu系の複合金
属酸化物があり、この様な複合酸化物よりなる薄膜を製
造するのに溶剤可溶性の金属有機酸塩を用いたり、ある
いは金属アルコキシドにキレート剤を加え、有機溶剤に
可溶化して利用する試みもある。即ちこれらの方法は、
YlBa、Cu等を含む溶剤可溶性の各有機酸塩を調製
し、これらを超電導特性を発現し得る酸化物換算組成と
なる様に混合してから基板上に塗布し、乾燥した後酸化
・熱分解して超電導性の複合金属酸化物薄膜を得ようと
するものである。ところがこの方法では、各有機酸塩溶
液を所定の比率で混合して得られる混合液の安定性が悪
く、一部の金属有機酸塩が析出してくるため、溶液内に
おける金属の含有比率が変わり、目標通りの超電導特性
が発揮されなくなることがある。しかも得られる薄膜は
膜組成が不均一であるばかりでなく極めて脆弱であり、
超電導体材料として実用化し得る様なものではない。ま
た金属アルコキシドを使用する場合は、材料そのものが
高価であるという欠点に加えて、溶剤に対する可溶化が
非常に難しく、可溶化できたとしても非常に希薄な濃度
のものしか得られないため、実用性を欠く。
本発明者らはこの様な事情に着目し、溶液状態で優れた
安定性を有し、且つ塗布・乾燥後酸化・熱分解すること
により超電導特性を発揮し得る様な安定溶液を提供すべ
く色々研究を重ねた結果、先に特開平1−226721
号に開示の技術を開発した。この発明は、特定の金属化
合物を特定のアミン類およびオキシカルボン酸類と共に
アルコール溶媒中で加熱反応せしめ、安定な溶液状態と
したものであり、この溶液を基板上に塗布し乾燥した後
酸化・熱分解すると、超電導性薄膜を得ることができる
。ところがその夜更に研究を進めるうち、この先願発明
には次の様な欠点があることが明らかとなって暫た。即
ち先願発明の溶液を基板表面に塗布し乾燥・酸化・焼成
して薄膜状に形成する場合、基板の種類によっては該薄
膜の密着性が悪かったり、薄膜形成性が悪く薄膜に亀裂
が生じることがあり、これらの点で尚改善の余地が残さ
れている。
[発明が解決しようとする課題] 本発明はこの様な事情に着目してなされたものであって
、その目的は、上記先願発明に指摘される問題点を解消
し、どの様な基板に対しても優れた密着性を示し且つ膜
形成能の優れた超電導体製造用の水溶液を提供しようと
するものであり、本発明の他の目的は、この水溶液を用
いて亀裂等の欠陥のない均買な超電導性薄膜を製造する
方法を提供しようとするものである。
[課題を解決するための手段コ 上記課題を解決することのできた本発明に係る超電導体
製造用水溶液の製造方法とは、[I]■イツトリウム、
スカンジウム、ビスマスおよびランタン系元素よりなる
群から選択される少なくとも1種の金属もしくは該金属
を含む金属化合物(以下、Maという)と ■バリウム、ストロンチウムおよびカルシウムよりなる
群から選択される少なくとも1種の金属若しくは該金属
を含む金属化合物(以下、Mbという)と ■銅含有化合物(以下、Meという) を、それらの複合金属酸化物が超電導性を発揮し得る任
意の比率で使用すると共に[II 3−数式 (但しR1、R2、R3は水素または炭素数1〜4の同
一もしくは異なるアルキル基を示し、且つ少なくとも1
個はアルキル基である) で表わされるアルキルアミン類、および−数式 (但しR4、vts 、Reは水素または炭素数1〜4
のアルキル基、またはCH,CH201(を示し、且つ
少なくとも1つはC)12CH20Hである) で表わされるエタノールアミン類よりなる群から選択さ
れる少なくとも1種のアミン類(以下、Amという)と [III ]置換基としてアルコール性水酸基を1個ま
たは2個有していてもよい1塩基酸の少なくとも1種(
以下、Acという)とを 上記Ma、Mb、Meの総量における前記金属1グラム
原子に対して、上記Amを0.1〜3モルおよび上記A
cを0.1〜3モルの範囲で配合し、これらをアルコー
ル溶媒中で加熱して均一な溶液とした後溶媒を除去し、
次いで残留物に5〜100倍の水を加え、ここに得られ
る溶液のpHを4〜9に調節するところに要旨を有する
ものである。
また本発明の他の構成は、 [I]■イツトリウム、スカンジウム、ビスマスおよび
ランタン系元素よりなる群から選択される少なくとも1
種の金属もしくは該金属を含む金属化合物(以下、Ma
という)と ■バリウム、ストロンチウムおよびカルシウムよりなる
群から選択される少なくとも1種の金属若しくは該金属
を含む金属化合物(以下、Mbという)と ■銅含有化合物(以下、Mcという) よりなる群から選択される任意の金属もしくは該金属を
含む金属化合物を、 [111一般式 R3 (但しRl 、 R2、R3は水素または炭素数1〜4
の同一もしくは異なるアルキル基を示し、且つ少なくと
も1個はアルキル基である) で表わされるアルキルアミン類、および−数式 (但しR4、R5、R8は水素または炭素数1〜4のア
ルキル基、またはC)12cHzOHを示し、且つ少な
くとも1つはCH2Cl(20Hである) で表わされるエタノールアミン類よりなる群から選択さ
れる少なくとも1種のアミン類(以下、Amという)と [III ]置換基としてアルコール性水酸基を1個ま
たは2個有していてもよい1塩基酸の少なくとも1種(
以下、Acという)とを 上記[I]で選択される各金属もしくは該金属を含む金
属化合物の各金属1グラム原子に対して、夫々上記Am
を0.1〜3モルおよび上記Acを0.1〜3モルの範
囲で配合し、これらをアルコール溶媒中で加熱して均一
な溶液とした後、上記各アルコール溶液中に含まれる上
記各金属元素が、複合酸化物として超電導性を発揮し得
る比率で配合した後溶媒を除去し、次いで残留物に5〜
100倍の水を加え、該溶液のPHを4〜9に調整する
ところに要旨を有するものである。
そして上記で得られる安定な水溶液を適当な基板上に塗
布・乾燥した後700〜950℃で酸化分解し、その後
10〜b ると、均質で優れた超電導特性を有する薄膜を得ること
ができる。
[作用] 本発明に係る超電導体製造用水溶液は、特開平1−22
6721号公報に開示された、主とじて金属アルコキシ
ドのアルコール溶液からなる安定溶液を使用し、このア
ルコール溶液から溶媒を除去した後、特定量の木を加え
てから中和することによって加水分解し、それにより膜
形成能及び基板への密着性を高めたところに特徴を有す
るものである。
即ち前記公開公報に開示された技術では、金属酸化物換
算で超電導特性を有する組成に調整した溶液を膜形成材
として使用するものであるが、この溶液を用いた場合は
、基板に対して満足のいく密着性が得られないことがあ
る。殊に基板としてステンレスなどの金属を用いてその
表面に膜形成を行なった場合は、膜の密着性は特に悪く
なる。
しかしながら本発明ではこれらの欠点が解消され、マグ
ネシア、シリカ、アルミナなどのセラミック基板はもと
より、ステンレス等の金属や他の種々の基板に対しても
強固に密着し、しかも均質で亀裂などの欠陥のない超電
導性薄膜を与える安定な水溶液を得ることができる。
即ち本発明においては、金属含有アルコール溶液を一旦
加水分解することによってゲル状物とし、次いでpH調
整することによりゲルを解膠させる工程を付加すること
によって、上記の問題点を解決したものである。
本発明においては、複合金属酸化物系の超電導体を構成
する金属成分として ■イツトリウム、スカンジウム、ビスマスおよびランタ
ン系元素よりなる群から選択される少なくとも1種の金
属もしくは該金属を含む金属化合物(Ma)と ■バリウム、ストロンチウムおよびカルシウムよりなる
群から選択される少なくとも1種の金属もしくは該金属
を含む金属化合物(Mb)及び■銅含有化合物(Mc) を選択し、これらを超電導性を示す複合金属酸化物換算
組成となる様に組合せて使用する。
尚、金属成分の種類や組合せ及び使用比率については、
最終的に得られる複合金属酸化物の状態で超電導特性を
発揮し得る様に適宜法められる。
ここで使用される金属成分であるMa、Mb、Meとし
ては、金属をそのまま使用してもよく、あるいは有機酸
塩、無機酸塩、ハロゲン化物、金属アルコキシドの様な
有機金属化合物として使用することもで艶、その種類は
、以下に詳述するアミン類や置換基としてアルコール性
水酸基を1個または2個有する1塩基酸類等との組合せ
を考慮して任意に選定すればよいが、−数的なものとし
ては、金属;蟻酸、酢酸のごとき炭素数1〜4を有する
カルボン酸の塩;グリコール酸、乳酸、ヒドロアクリル
酸、グリセリン酸、α−オキシ酪酸、β−オキシ酪酸の
様なアルコール性水酸基を1または2個有する炭素数1
〜4のカルボン酸の塩;塩化物;硝酸塩;炭素数1〜4
のアルキル基を1〜3個有する金属アルコキシドなどが
例示される。
本発明では、これらの金属成分Ma%Mb。
Mcを各金属酸化物複合体として超電導性能を発揮し得
る任意の比率で使用し、これらを以下に詳述するアミン
類および置換基としてアルコール性水酸基を1個または
2個有する1塩基酸類と共にアルコール溶媒中で加熱す
ることにより均一で安定な溶液とするものであり、アミ
ン類(Am)としては−数式 (式中の符号の意味は前述の通り)で表わされるアルキ
ルアミン類、たとえばモノメチルアミン、モノエチルア
ミン、モノプロピルアミン、ジメチルアミン、ジエチル
アミン、ジブチルアミン、N−メチルジエチルアミン、
トリメチルアミン、トリエチルアミン等と、 一般式 (式中の各符号の意味は前述の通り)で表わされるエタ
ノールアミン類、たとえばモノエタノールアミン、ジェ
タノールアミン、トリエタノールアミン、N−メチルエ
タノールアミン、N−メチルジェタノールアミン、N−
プロピルエタノールアミン、N−プロピルジェタノール
アミン、N。
N−ジメチルエタノールアミン、N、N−ジイソプロピ
ルエタノールアミン等が挙げられ、これらのアルキルア
ミン類およびエタノールアミン類は単独で使用し得る他
、必要により2種以上を組合せて使用することができる
。該アミン類(Am)の使用量は、前記金属成分Ma、
Mb、Mcを合わせた総金属元素の1グラム原子当たり
0.1〜3モルの範囲、より好ましくは0.5〜2モル
の範囲であり、0.1モル未満では金属成分に対する可
溶化効果が不十分であって均一な溶液が得られず、仮に
可溶化できたとしても保存安定性が悪く、数日間の放置
で沈殿物が生成する。また3モルを超える場合も安定な
溶液が得られにくい。
尚、上記アミン類の中でも金属成分に対する可溶化効果
や溶液の安定性および超電導体薄膜形成時における熱分
解の容易性等を総合的に考えてより好ましいのは、アル
キルアミン類の中ではジメチルアミンとジエチルアミン
;エタノールアミン類の中ではモノエタノールアミン、
ジェタノールアミン、トリエタノールアミンである。
また1塩基酸(Ac)としては、炭素数1〜6のカルボ
ン酸、たとえば蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草
酸、カプロン酸等;アルコール性水酸基を1個または2
個有する炭素数1〜6のカルボン酸、たとえばグリコー
ル酸、ヒドロアクリル酸、乳酸、グリセリン酸、α−オ
キシ酪酸、β−オキシ酪酸、γ−オキシ酪酸、トリメチ
ル酢酸、オキシトリメチル酢酸、2−ヒドロキシ−2−
メチル酢酸、ロイシン酸等が挙げられ、これらも単独で
使用したり或は必要により2種以上を組合せて使用する
ことができる。該1塩基酸類(Ac)の使用量は前記金
属成分Ma、Mb。
Meを合わせた総金属元素の1グラム原子当たり0.1
〜3モル、より好ましくは0,5〜2モルの範囲であり
、0.1モル未満でもまた3モルを超えても均一な溶液
が得られず、かつ安定性も非常に悪いものとなる。
尚、上記1塩基酸類(Ac)の中でも金属成分に対する
可溶化効果および得られる溶液の安定性を高めるうえで
特に好ましいのは、前記金属元素と共に5員環あるいは
6員環を形成し得る1塩基酸、たとえばグリコール酸、
ヒドロアクリル酸、乳酸、α−オキシ酪酸、β−オキシ
酪酸等であり、これらのカルボン酸類を先に示した様な
好ましいアミン類と組合わせて使用すると、均一でしか
も1年以上の保存安定性を持った金属含有溶液を得るこ
とができる。
本発明で使用する溶媒は、前述の如き金属成分Ma、M
b、Meとアミン類(Am)及び1塩基酸類(Ac)を
溶解乃至分散し得ると共に、加熱反応生成物を均一に溶
解し得るものでなければならず、こうした観点からアル
コール類およびグリコール類に特定される。アルコール
類としてはメチルアルコール、エチルアルコール、イソ
プロピルアルコール等の低級脂肪族アルコールが好まし
いものとして例示され、またグリコール類としてはエチ
レングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコー
ルモノエチルエーテル等が好ましいものとして挙げられ
、これらは単独で使用してもよく、また2種以上の混合
溶剤として使用してもよい。
上記反応溶媒の使用量は特に限定されないが、加熱反応
の均一性および反応効率を考慮すると、溶媒を含めた全
反応液中の金属成分の量が、金属酸化物換算で2〜30
重量%、より好ましくは5〜10重量%の範囲に収まる
様に、溶媒による希釈量を調整するのがよい。
この様にして得られる原料混合液を攪拌下に加熱すると
、懸濁状態から徐々に不溶物が減少し、ついには均−且
つ透明な溶液となる0反応温度及び反応時間は金属成分
Ma、Mb、Me、アミン類(Am)、1塩基酸類(A
c)の種類や組合せ、配合割合等によって変わってくる
ので一律に決めることはできないが、通常は50〜90
℃、より一般的には60〜80℃で数時間乃至数十時間
である。尚、上記の反応は、所定量の金属成分Ma、M
b、Mc、アミン類(Am)、1塩基酸類(Ac)をア
ルコール溶媒中で一気に反応させる一段反応を採用して
もよいが、この他たとえば金属成分Ma、Mb、Mcと
アミン類(Am)をアルコール溶媒中で加熱反応させ、
次いでこの反応系に所定量の1塩基酸類(Ac)を添加
して加熱反応を行なう2段反応を採用することもでき、
この場合、第1段目のアミン類(Am)との反応をアン
モニアガス雰囲気下で行なえば、可溶化時間を短縮し得
るばかりでなく、最終的に得られる溶液の安定性を更に
高めことができるので好ましい。
また上記では、金属成分Ma、Mb、Mcの3者を同時
にアミン類(Am)や1塩基酸類(Ac)と加熱反応さ
せる方法について説明してきたが、この他、金属成分M
a、Mb、Meから選択される任意の金属もしくは金属
化合物の夫々を上記の方法に準じて別々にアルコール溶
媒中でアミン類(Am)やl塩基酸類(Ac)と反応さ
せて安定なアルコール溶液を製造し、これらのアルコー
ル溶液を、各アルコール溶液中に含まれる夫々の金属元
素が複合金属酸化物として超電導特性を発揮し得る任意
の比率で混合することによでも、上記と実質的に同様の
均−且つ安定な複合された金属含有アルコール溶液を得
ることができる。
上記の様な加熱反応工程でどの様な反応が起こっている
かは未だ明らかにされていないが、少なくともこの加熱
処理工程で一旦可溶化し透明になったアルコール溶液は
、長時間に亘って非常に安定であるのに対し、アミン類
(Am)および1塩基酸類(Ae)のいずれか一方を省
略した場合は、金属成分の可溶化自体が困難となり、し
かも反応生成物の保存安定性は非常に悪いものとなる。
また仮にこれらの両者を併用した場合であっても、単に
混合しただけではやはり金属成分の可溶化を達成するこ
とがで幹ず、こうした事実からしても、金属成分Ma、
Mb、Meとアミン類(Am)および1塩基酸類(Ac
)が相互に何等かの反応を起こしていることは明白であ
る。
何れにしてもこの様にして得られる金属含有アルコール
溶液は均一な溶液状であり、優れた安定性を有している
本発明では、上記で得られるアルコール溶液を60〜7
0℃程度に保ってアルコールを揮発除去し、得られる残
留物(深緑色の粘稠液)に体積比で5〜100倍量、よ
り好ましくは10〜25倍量の水を加える。そうすると
溶液はゲル状となる。そしてこのゲル状物に酢酸、塩酸
、硝酸等の酸を滴下してpHを徐々に下げ、PH4〜9
、好ましくはpH4〜8とすると、ゲルは解膠して深緑
色の透明な水溶液となる。尚、加える水の量が前記残留
物に対して100倍量を超える場合は、均一で透明な水
溶液は得られるものの、得られる水溶液の濃度が低過ぎ
るため、膜形成のための繰返し塗布回数があまりに多く
なり過ぎるので実用的でない。一方、5倍量未満ではP
)(調整後の水溶液の安定性が悪く、−両日中に沈殿が
生成するので好ましくない。またpH調整時におけるp
Hが4未満である場合は、特に基板として金属を使用し
たときに基板に悪影響を及ぼす恐れがあり、pH9を超
える場合は、金属成分の種類や濃度によってはゲル状物
を完全に解膠できなくなることがあるので、いずれも好
ましくない。
尚、原料成分の種類によっては、反応工程で塩化アンモ
ニウムや塩化物イオン、硝酸イオン等が混入し、超電導
体薄膜の性能に悪影響を及ぼす恐れがあるので、これら
の不溶物については濾過等により、またイオン性の不純
物についてはイオン交換樹脂による処理等によ)て除去
すればよい。
かくして得られる金属含有加水分解水溶液は、空気中に
放置したままの状態でも非常に安定であり、1年以上に
亘って定貫したり不溶物を生成する様なことがない。
この水溶液を超電導体薄膜製造用として使用する場合は
、必要により塗装性改善のためレベリング剤としてカチ
オン系あるいはアニオン系の界面活性剤などを適量添加
することも有効である。
この様にして得られる金属含有加水分解水溶液を、たと
えばマグネシア、アルミナ、ジルコニア等からなる耐熱
性基板の表面に、浸漬性、スプレー法、スピネー法、超
音波噴霧法等の任意の方法で塗布し、50〜120℃程
度で乾燥した後加熱焼成すると、例えば[Ma、−Mb
2・Cu2−30x ]よりなる複複合金属酸化物膜を
得ることができ、この薄膜は亀裂やピンホール等のない
極めて薄肉の、超電導特性を発揮し得るものとなる。
加熱焼成温度は700〜950℃、より好ましくは80
0〜900℃の範囲に設定しなければならず、この温度
範囲を外れる条件で加熱焼成を行なフた場合は、超電導
特性が発揮されなくなることが多い。また、焼成後の徐
冷は10〜b分、好ましくは15〜b のがよく、この温度範囲を外れると、超電導特性が悪く
なる場合がある。超電導体薄膜の膜厚調整は、加水分解
溶液の金属成分濃度や塗布量を変えたり、あるいは重ね
塗り回数を変えることによって容易に行なうことができ
る。しかし金属成分濃度が高過ぎる場合は、基板に対す
る薄膜の密着性が低下したり、乾燥乃至加熱焼成工程で
膜にクランク等が生じたりすることがあるので、金属成
分濃度は金属酸化物換算で0.1〜10重量%、より好
ましくは0.5〜5重量%の範囲とし、重ね塗り回数を
変えることによって膜厚調整を行なう方法が推奨される
。もっとも本発明によフて得られる前記金属含有加水分
解溶液の用途は超電導体薄膜の製造に限定される訳では
なく、場合によっては反射防止膜等の製造用として利用
することも可能である。
次に実施例を挙げて本発明の構成および作用効果を具体
的に説明するが、本発明はもとより下記の実施例によっ
て制約を受けるものではない。
[実施例〕 実施例1 (a)無水酢酸イツトリウム[Y(C)13cOfl)
3] 26.6g (o、iモル)とモノエタノールア
ミン12.2g(0,2モル)をエチルアルコール20
0■lに加え、アンモニアガスを0.2117分の速度
で吹き込みながら60〜70℃で3時間攪拌し、均一な
溶液を得た。この溶液に乳酸9 g (0,1モル)を
添加し、70〜75℃で5時間加熱還流すると、[Y]
濃度が0.41グラム原子/J2のエタノール溶液が得
られた。
(b)トリエタノールアミン 14.9g(0,1モル
)と乳酸9 g (0,1モル)をエチルアルコール2
00m1に加え、この溶液を攪拌しつつ金属バリウム 
13.7g(0,1)を徐々に添加した後70〜75℃
で2時間反応を行なう。反応終了後不溶物を濾去すると
[Ba]濃度が0.44グラム原子/iのエタノール溶
液が得られた。
(c)無水酢酸銅[Cu(C)I3COO)z318.
2g(0,1モル)をエチルアルコールとメチルアルコ
ールの1:1混合液200m1に懸濁させ、この懸濁液
にジエチルアミン14.6g(0,2モル)と乳酸9.
0g(0,1モル)を加えた後、フO〜75℃で1時間
加熱還流すると、[Cu]濃度が0.48グラム原子/
、+2のアルコール溶液が得られた。
上記(a) 、(b) 、 (c)で得た各アルコール
溶液を、夫々に含まれる金属元素のダラム原子比でY:
Ba:Cu=1 :2:3となる様に、夫々(a)24
.4ml、(b) 45.5mlおよび (e) 82
.5mlを混合lノ、次いで60〜70℃に保って窒素
ガスを流しながらアルコールを揮発除去した。得られた
深緑色の粘稠液に、体積比で20倍となる様に3501
の水を加えると、次第にゲル状となる。これに酢酸を添
加してゲルを解膠させ%PHを7に調整する。これを超
電導体薄膜製造用塗布液とした。
上記で得た塗布液を、浸漬法によってイツトリウム安定
化ジルコニウム基板上に塗布し、乾燥後酸素雰囲気下に
900℃で15時間焼成し、その後20℃/分の速度で
徐冷する。この塗布・乾燥・焼成操作を10回繰返した
。得られた薄膜の厚さは約3〜5μmで、薄膜表面の色
は黒色であり、X線回折分析によると、第1図に示す如
くペロブスカイト型YBa2CusOt −x (斜方
晶)のパターンが得られ、また抵抗値の温度依存性は、
第2図に示す如<105にで抵抗値零を示し、超電導特
性を示すことが確認された。
また該塗布液の保存安定性を調べたところ、室温で1年
以上安定であることが確認された。
尚実施例1の(a)〜(C)で得た各アルコール溶液を
所定割合で混合して得た加水分解前の均一な溶液と、加
水分解しpHを7に調整した塗布液とをそれぞれステン
レス(SUS316)の表面に浸漬法によって塗布し、
60〜70℃で乾燥した後、150℃で30分間仮焼し
、この操作を15回繰返した後、酸素雰囲気下に900
℃で15分間焼成しその後20℃/分の速度で徐冷し、
夫々の成膜状態を調べた。その結果、前者の加水分解前
のものは半分以上が剥離していたが、後者の加水分解し
たものは、外観上均質な膜を形成しており、X線回折分
析においても上記と同様のペロブスカイト型YBa2C
u30アー、(斜方晶)のパターンを示し、超電導特性
を有し°〔いることが確認された。また、後者の加水分
解したものの焼成後の冷却速度を50℃/分にしたとこ
ろTe−endが105Kから93にへと変化した。
比較例1 上記実施例1の塗布液を調整する際に、木の添加量が粘
稠液の2倍となる様に添加してみたが、多量の沈殿が生
成し、しかもこの沈殿は、酢酸によりPHを7に調整し
ても溶解しなかった。
実施例2 実施例1における(a)の無水酢酸イツトリウムをイツ
トリウムイソプロポキシド[Y (0−isoC3Hy
) sl 25.5g(0,1モル)に、また (b)
の金属バリウムをバリウムイソプロポキシド [Ba 
(0−isoc。
+(?) 2] 25.5g(0,1モル)に、また 
(e)の無水酢酸銅を銅エトキシド [Cu (OC2
8s) z] 15.4g (0,1モル)に変えた以
外は実施例1と同様の方法で、ダラム原子比がY:Ba
:Cu=1 +2:3よりなる3種の複合酸化物換算含
有量が8重量%となる様に濃度調整した後溶媒を揮発除
去し、加水分解した後pHを6に調整した。これを用い
て同様にして複合酸化物薄膜を形成したところ、得られ
た薄膜の外観は黒色であり、X線回折分析と、抵抗値の
温度依存性を調べたところ、前記第1.2図と同様のパ
ターンが得られ、超電導特性を有していることが確認さ
れた。
また上記で得た加水分解前のアルコール混合液と、加水
分解を行なフた塗布液とを、夫々ステンレス(SUS3
16)の表面に浸漬法によって塗布し、60〜70℃で
乾燥した後150℃で30分間仮焼し、この操作を15
回繰り返した後、酸素雰囲気下に900℃で10時間焼
成し、その後20℃/分の速度で徐冷した。得られた薄
膜の状態を調べたところ、前者の加水分解前のものは半
分以上が剥離しており、且つ残ったものも簡単に手で剥
離された。これに対し後者の加水分解後のものは均質な
膜を形成しており、簡単には剥離することができなかっ
た。又この薄膜は、X線回折分析においても実施例1と
同様のペロブスカイト型YBa2CusOy−m (斜
方晶)のパターンを宥しており、超電導特性を有してい
ることが確認された。
実施例3 (a)無水酢酸ランタン[La(CHsCOO)sl 
31.6g(0,1モル)とモノエタノールアミン 6
−1g (0,1モル)を、エチルアルコール200m
1に溶解乃至分散させ、60〜70℃に維持してアンモ
ニアガスを0.24! 7分の速度で吹き込みながら攪
拌した。約3時間で均一な溶液となるが、保存安定性向
上のため更に乳酸18.0g(0,2モル)を加え、7
5〜80℃で5時間速流した。得られた溶液の[La]
濃度は0.72グラム原子/Lであった。
(b) モノエタノールアミン6.1g (0,1モル
)、トリエタノールアミン14.9g (0,1モル)
およびに酸18.0g (0,2モル)をイソプロピル
アルコール200o+1に溶解した後、この混合溶液に
金属ストロンチウム 8.8g (0,1モル)を徐々
に加え、70〜80℃で1時間攪拌した。その後、不溶
物を濾去すると、[S r]濃度が0.85グラム原子
/J2の金属含有アルコール溶液が得られた。
(c)無水酢酸銅[CLl(CH,C00)2] 18
.2g ((1,1モル)をエチルアルコール1Ohl
に懸濁させ、これにモノエタノールアミン12.2g 
(0,2モル)と乳酸9−0g (0,1モル)を加え
た後、75〜80℃で1時間攪拌しつつ還流した。得ら
れた溶液の[Cu]濃度は0.90グラム原子/1であ
った。
上記(a)   (b)   (c)で得た各金属含有
アルコール溶液を、ダラム原子比でLa:Sr:Cu 
= 1.85 : 0.15 : 1となる様に、それ
ぞれ(a)25.7ml、(b)1.8mlおよび(c
)11.1mlの比率で混合した後、60〜70℃に維
持しつつ窒素ガスを0.2117分の速度で吹き込み、
溶媒を揮発除去した。得られた粘稠液に、体積比で10
倍の水を加えてゲル状にし、その後酢酸によりpHを5
に調整することによりゲルを解膠した。
この液を塗布液とし、浸漬法によりイツトリウム安定化
ジルコニア基板上に塗布した後、実施例1と同様にして
仮焼及び焼成を行なって複合金属酸化物薄膜を得た。
実施例4 (a)硝酸スカンジウム (Sc (NOs) 5−4
H2oJ 15g(0,05モル)と硝酸イツトリウム
[Y(NOs)s・6Hzo]19.0g (0,05
モル)を、N−メチルモノエタノールアミン7.5g 
(0,1モル)とN−メチルジエチルアミン8.7g 
(0,1モル)のエチルアルコール200履1溶液に加
え、60〜70℃に保つて攪拌しつつ、アンモニアガス
を0.’1Jl1分の割合で3時間吹込んだ、その後、
α−オキシ酢酸10.4g (0,2)を加えて75〜
80℃で更に7時間加熱還流した後、冷却して少量の沈
殿物を濾別すると、[s c +y]濃度が0.45グ
ラム原子/iの均一なアルコール溶液が得られた。
(b)カルシウムエトキシド[Ca(OC2Hs)zl
 6.5g(0,05モル) バリウムイソプロポキシ
ド[Ba(0−isocsL)zl 13g(0,05
モル)、トリエタノールアミン14.9g(0,xモル
)、グリセリン酸11g (0,1モル)をエチルアル
コール200m1に溶解乃至分散させ、75〜80℃で
10時間加熱攪拌した。得られた溶液の[Ca+Ba]
濃度は0.52グラム原子/1であった。
上記(a)および(b)で得た各アルコール溶液と、実
施例1の(C)  と同様にして得たアルコール溶液と
を、ダラム原子比で(Sc+Y):  (Ca+Ba)
:Cu=1 :2:3となる様に、夫々(a) 22.
2ml、(b) 38.5mlおよび(c) 62.4
mlを混合し、以下は実施例3と同様にして塗布液を得
た。
この塗布液を使用し、浸漬法によってイツトリウム安定
化ジルコニア基板上に塗布した後、500℃で30分間
仮焼した。この塗布・仮焼の操作を20回繰返した後9
00℃で15時間焼成し、その後20℃/分の速度で徐
冷すると、黒色の複合金属酸化物薄膜が得られた。
実施例5 酸化エルビウム[Era03〕9.8g (0,025
モル)と酸化イツトリウム [Y2O315,6g (
0,075モル)を、塩化アンモニウム32g (0,
6モル)と共に300〜350℃で20時間加熱するこ
とによって調整した塩化物と、N−メチルジェタノール
アミン23.4g (0,2モル)とを、エチルアルコ
ール200m1に溶解乃至分散させた後、アンモニアガ
スを0.2J27分の速度で吹込みながら60〜70℃
で3時間反応した。反応終了後プロピオン酸7.4g 
(0,1モル)を追加し、70〜75℃でさらに5時間
加熱還流した。室温まで冷却した後、不溶物を濾去し、
濾液を強塩基性陰イオン交換樹脂(アンバーライト I
RA−4fO:オルガノ社製、商品名)の充填された2
0mmΦx900mmHのカラムに2.hl/分の流速
で合計5回通して塩化物イオンを除去した。その結果、
溶液中のClイオン含有量は、当初の3600a+gか
ら20■gにまで減少した。得られた溶液の[Er+Y
]濃度は0.43グラム原子/Itであった。
上記で得た金属含有アルコール溶液 (a)と、実施例
1の (b)、(C)と同様にして得たBa含有アルコ
ール溶液およびCu含有アルコール溶液を、ダラム原子
比で(Er+Y): Ba : Cu=1 :2:3と
なる様に、夫々(a) 23.3ml、  (b) 4
5.5mlおよび (c) 69.811を混合した。
以下、実施例1と同様にしてアルコールの揮発除去、2
0倍量の加水、酢酸添加によるゲル解膠とpHI!整(
pH7)を行なった後、イツトリウム安定化ジルコニア
基板への塗布、仮焼、焼成を順次行なって複合金属酸化
物薄膜を形成tノた。
実施例6 (a)ビスマス粉末[Bi]42gを酢酸400m1お
よび30%の過酸化水素水180tlと共に混合して加
熱処理し、白色〜淡黄色の沈殿物を得た。この沈殿物に
酢酸200m1を加えて溶解したのち、不純物を濾去し
た。この濾液を水浴上で濃縮すると、Bi2O,換算で
36g (0,077モル)を含む酢酸ビスマスが結晶
として得られた。この酢酸ビスマスをトリエタノールア
ミン22g (0,15モル)および乳酸21g (0
,23モル)と共にエチルアルコール400m1に溶解
乃至分散させた後、70〜75℃に維持してアンモニア
ガスを0.2/分の速度で3時間吹き込みながら攪拌し
た。反応終了後不純物を濾去すると、[Bi]濃度が0
.43グラム原子/1のアルコール溶液が得られた。
(b)カルシウムエトキシド[Ca (OC2H5) 
2113g(0,1)とトリエタノールアミン 15g
 (0,1モル)および乳酸9.0g(0,1モル)を
エチルアコール200m1に溶解乃至分散させ、70〜
75℃で10時間加熱還流した0反応終了後不純物を濾
去すると、[Ca]濃度が0.45グラム原子/iのア
ルコール溶液が得られた。
(C)実施例3(b)で用いたのと同じ[Srl濃度が
0.85グラム原子/j2のストロンチウム含有アルコ
ール溶液を使用した。
(d)実施例1(c)で用いたのと同じ[Cu]濃度が
0.48グラム原子/1の銅含有アルコール溶液を使用
した。
上記(a)〜(d)で得た各アルコール溶液を各金属元
素のダラム原子比でBi:Ca:Sr:Cu=1:1:
1:2となる様に夫々(a) 23.3ml、(b)2
2.2ml、(c) 11.8+al、(d) 41.
7mlを混合し、60〜70℃に保って窒素ガスを0.
21.7分の速度で流し溶媒を揮発除去した。残留物に
対し体積比で10倍の水を加えると、徐々にゲル状とな
った。このゲル状物に酢酸を加えてpHを8に調整し、
ゲルを解膠させて超電導体薄膜製造用塗布液を得た。こ
の塗布液を使用し、浸漬法によりてステンレス(SUS
316)基板上に塗布した後、500℃で30分間仮焼
した。この塗布・仮焼操作を10回繰り返した後、85
0tで20時間焼成し、その後20℃/分の速度で徐冷
すると、黒色の複合金属酸化物薄膜が得られた。
[発明の効果] 本発明は以上の様に構成されており、その結果を要約す
ると次ぎの通りである。
(1)イツトリウム、スカンジウム、ビスマスおよびラ
ンタン系元素よりなる群から選択される少なくとも1種
の金属と、カルシウム、ストロンチウムおよびバリウム
よりなる群から選択される少なくとも1種の金属、およ
び銅を適当な比率で含む均一な水溶液を得ることができ
、しかもこの水溶液は優れた造膜筒を有しており、金属
基板などの表面にも均質な膜を形成することができる。
(2)この溶液は均一で且つ非常に安定であり、しかも
適当な基板に塗布した後酸化分解するだけで、均質で欠
陥のない超電導体薄膜を得ることができ、超電導材料と
して幅広く活用することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は実施例で得た複合金属酸化物系超電導体薄膜の
X線回折チャート、第2図は抵抗値の温度依存性を示す
図である。 出願人  白水化学工業株式会社

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1) [ I ](a)イットリウム、スカンジウム、ビスマス
    およびランタン系元素よりなる群から選 択される少なくとも1種の金属もしくは 該金属を含む金属化合物(以下、Maと いう)と (b)バリウム、ストロンチウムおよびカルシウムより
    なる群から選択される少なくと も1種の金属若しくは該金属を含む金属 化合物(以下、Mbという)と (c)銅含有化合物(以下、Mcという) を、それらの複合金属酸化物が超電導性を 発揮し得る任意の比率で使用すると共に [II]一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (但しR^1、R^2、R^3は水素または炭素数1〜
    4の同一もしくは異なるアルキル 基を示し、且つ少なくとも1個はアルキ ル基である) で表わされるアルキルアミン類、および 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (但しR^4、R^5、R^6は水素または炭素数1〜
    4のアルキル基、またはCH_2CH_2OHを示し、
    且つ少なくとも1つはCH_2CH_2OHである) で表わされるエタノールアミン類よりなる 群から選択される少なくとも1種のアミン 類(以下、Amという)と [III]置換基としてアルコール性水酸基を1個または
    2個有していてもよい1塩基酸の少な くとも1種(以下、Acという)とを 上記Ma、Mb、Mcの総量における前記金属1グラム
    原子に対して、上記Amを0.1〜3モルおよび上記A
    cを0.1〜3モルの範囲で配合し、これらをアルコー
    ル溶媒中で加熱して均一な溶液とした後溶媒を除去し、
    次いで残留物に5〜100倍の水を加え、ここに得られ
    る溶液のpHを4〜9に調節することを特徴とする超電
    導体製造用水溶液の製造方法。
  2. (2)請求項(1)で得た水溶液を基板上に塗布し、乾
    燥した後700〜950℃で焼成し、その後徐冷するこ
    とを特徴とする超電導体薄膜の製造方法。
  3. (3) [I](a)イットリウム、スカンジウム、ビスマスお
    よびランタン系元素よりなる群から選 択される少なくとも1種の金属もしくは 該金属を含む金属化合物(以下、Maと いう)と (b)バリウム、ストロンチウムおよびカルシウムより
    なる群から選択される少なくと も1種の金属若しくは該金属を含む金属 化合物(以下、Mbという)と (c)銅含有化合物(以下、Mcという) よりなる群から選択される任意の金属もしくは該金属を
    含む金属化合物を、 [II]一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (但しR^1、R^2、R^3は水素または炭素数1〜
    4の同一もしくは異なるアルキル 基を示し、且つ少なくとも1個はアルキ ル基である) で表わされるアルキルアミン類、および 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (但しR^4、R^5、R^6は水素または炭素数1〜
    4のアルキル基、またはCH_2CH_2OHを示し、
    且つ少なくとも1つはCH_2CH_2OHである) で表わされるエタノールアミン類よりなる 群から選択される少なくとも1種のアミン 類(以下、Amという)と [III]置換基としてアルコール性水酸基を1個または
    2個有していてもよい1塩基酸の少な くとも1種(以下、Acという)とを 上記[ I ]で選択される各金属もしくは該金属を含む
    金属化合物の各金属1グラム原子に対して、夫々上記A
    mを0.1〜3モルおよび上記Acを0.1〜3モルの
    範囲で配合し、これらをアルコール溶媒中で加熱して均
    一な溶液とした後、上記各アルコール溶液中に含まれる
    上記各金属元素が、複合酸化物として超電導性を発揮し
    得る比率で合した後溶媒を除去し、次いで残留物に5〜
    100倍の水を加え、該溶液のpHを4〜9に調整する
    ことを特徴とする超電導体製造用水溶液の製造方法。
  4. (4)請求項(3)で得た超電導体製造用水溶液を基板
    上に塗布し、乾燥した後700〜950℃で焼成し、そ
    の後徐冷することを特徴とする超電導体薄膜の製造方法
  5. (5)徐冷を10〜40℃/分の速度で行なう請求項(
    4)に記載の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH11315041A (ja) * 1998-02-12 1999-11-16 Samsung Display Devices Co Ltd 金属酸化物前駆体組成物及びその製造方法

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JPH11315041A (ja) * 1998-02-12 1999-11-16 Samsung Display Devices Co Ltd 金属酸化物前駆体組成物及びその製造方法

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