JPH04313245A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH04313245A JPH04313245A JP7928491A JP7928491A JPH04313245A JP H04313245 A JPH04313245 A JP H04313245A JP 7928491 A JP7928491 A JP 7928491A JP 7928491 A JP7928491 A JP 7928491A JP H04313245 A JPH04313245 A JP H04313245A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- curing process
- magazine
- resin
- semiconductor devices
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に係り、特に、半導体装置の反りの防止に関する。
に係り、特に、半導体装置の反りの防止に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体装置の実装に際
して用いられるリ―ドフレ―ムは、鉄系あるいは銅系等
の金属材料からなる板状体をプレス加工又はエッチング
により所望のパタ―ンに成形することによって形成され
る。
して用いられるリ―ドフレ―ムは、鉄系あるいは銅系等
の金属材料からなる板状体をプレス加工又はエッチング
により所望のパタ―ンに成形することによって形成され
る。
【０００３】通常、リ―ドフレ―ム１は、図５に示す如
く、半導体集積回路チップ（以下半導体チップ）を搭載
するダイパッド１１と、ダイパッドを取り囲むように配
設せしめられた複数のインナ―リ―ド１２とインナ―リ
―ド１２を一体的に連結するタイバ―１３と、各インナ
―リ―ドに連結せしめられタイバ―の外側に伸張するア
ウタ―リ―ド１４と、タイバ―１３を両サイドから支持
するサイドバ―１５，１６と、ダイパッド１１を支持す
るサポ―トバ―１７とから構成されている。
く、半導体集積回路チップ（以下半導体チップ）を搭載
するダイパッド１１と、ダイパッドを取り囲むように配
設せしめられた複数のインナ―リ―ド１２とインナ―リ
―ド１２を一体的に連結するタイバ―１３と、各インナ
―リ―ドに連結せしめられタイバ―の外側に伸張するア
ウタ―リ―ド１４と、タイバ―１３を両サイドから支持
するサイドバ―１５，１６と、ダイパッド１１を支持す
るサポ―トバ―１７とから構成されている。
【０００４】このようなリ―ドフレ―ムを用いて実装せ
しめられる半導体装置は、リ―ドフレ―ム１のダイパッ
ド１１上に、半導体チップ２を搭載し、この半導体チッ
プのボンディングパッドとリ―ドフレ―ムのインナ―リ
―ド１２とを金線あるいはアルミ線のボンディングワイ
ヤ３によって結線し、更にこれらを樹脂やセラミック等
の封止材料４で封止がなされる。
しめられる半導体装置は、リ―ドフレ―ム１のダイパッ
ド１１上に、半導体チップ２を搭載し、この半導体チッ
プのボンディングパッドとリ―ドフレ―ムのインナ―リ
―ド１２とを金線あるいはアルミ線のボンディングワイ
ヤ３によって結線し、更にこれらを樹脂やセラミック等
の封止材料４で封止がなされる。
【０００５】そして、通常は、樹脂封止工程で樹脂封止
部に残留する内部残留応力を除去するポストキュア工程
を経た後、タイバ―やサイドバ―を切断し、アウタ―リ
―ドを所望の形状に折り曲げて完成せしめられる。
部に残留する内部残留応力を除去するポストキュア工程
を経た後、タイバ―やサイドバ―を切断し、アウタ―リ
―ドを所望の形状に折り曲げて完成せしめられる。
【０００６】このキュア工程およびポストキュア工程は
図６に示すように、半導体装置収納マガジン３１内に半
導体装置３３を重ねて収納し、これをストッパープレー
ト３２によって支持した状態で、所望の温度に保持され
た加熱雰囲気炉内で所望の時間加熱保持した後、前記半
導体装置を徐冷して硬化する方法がとられている。
図６に示すように、半導体装置収納マガジン３１内に半
導体装置３３を重ねて収納し、これをストッパープレー
ト３２によって支持した状態で、所望の温度に保持され
た加熱雰囲気炉内で所望の時間加熱保持した後、前記半
導体装置を徐冷して硬化する方法がとられている。
【０００７】この方法によると、前記マガジン３１に収
納した半導体装置は、前記加熱および徐冷を施す際に、
素材間の熱膨張係数の差や樹脂封止部の上下の厚みの差
等によって図７に示すように反りが発生する。
納した半導体装置は、前記加熱および徐冷を施す際に、
素材間の熱膨張係数の差や樹脂封止部の上下の厚みの差
等によって図７に示すように反りが発生する。
【０００８】特にＴＳＯＰなどの薄型の半導体装置に多
く、この反りが実装用基板上に表面実装する際に、接続
不良の原因となったり、また、封止樹脂にクラックを発
生させる原因となっていた。
く、この反りが実装用基板上に表面実装する際に、接続
不良の原因となったり、また、封止樹脂にクラックを発
生させる原因となっていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の方
法で形成された半導体装置は、内部残留応力を除去する
ためのキュア工程で、加熱および徐冷を施す際に、素材
間の熱膨張係数の差や樹脂封止部の上下の厚みの差等に
よって、反りが発生し、これが、実装用基板上に表面実
装する際に、接続不良の原因となったり、また、封止樹
脂にクラックを発生させる原因となっていた。このよう
な不都合は、特に薄型パッケージにおいて顕著であった
。
法で形成された半導体装置は、内部残留応力を除去する
ためのキュア工程で、加熱および徐冷を施す際に、素材
間の熱膨張係数の差や樹脂封止部の上下の厚みの差等に
よって、反りが発生し、これが、実装用基板上に表面実
装する際に、接続不良の原因となったり、また、封止樹
脂にクラックを発生させる原因となっていた。このよう
な不都合は、特に薄型パッケージにおいて顕著であった
。
【００１０】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもの
で、薄型化に際して反りの発生もなく、信頼性の高い半
導体装置を提供することを目的とする。
で、薄型化に際して反りの発生もなく、信頼性の高い半
導体装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】そこで本発明では、樹脂
封止後、半導体装置を平面プレートで挟持し加圧しつつ
、内部残留応力を除去するためのキュア工程を行うよう
にしている。
封止後、半導体装置を平面プレートで挟持し加圧しつつ
、内部残留応力を除去するためのキュア工程を行うよう
にしている。
【００１２】
【作用】上記構造によれば、内部残留応力を除去するた
めのキュア工程で、平面プレートで半導体装置を挟持し
加圧しつつ加熱および徐冷を施すようにしているため、
素材間の熱膨張係数の差や樹脂封止部の上下の厚みの差
等がある場合にも反りが発生することもなく、平坦で信
頼性の高い半導体装置を得ることができる。
めのキュア工程で、平面プレートで半導体装置を挟持し
加圧しつつ加熱および徐冷を施すようにしているため、
素材間の熱膨張係数の差や樹脂封止部の上下の厚みの差
等がある場合にも反りが発生することもなく、平坦で信
頼性の高い半導体装置を得ることができる。
【００１３】従って、実装用基板上に表面実装する際に
、接続不良の原因となったり、また、封止樹脂にクラッ
クを発生させるようなこともない。
、接続不良の原因となったり、また、封止樹脂にクラッ
クを発生させるようなこともない。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
しつつ詳細に説明する。
しつつ詳細に説明する。
【００１５】本発明実施例の半導体装置は、図１に樹脂
封止後の平面図、図２にキュア工程で用いられる加圧装
置を具備したマガジンの要部斜視図、図３に半導体装置
を同マガジンに装着した状態図を示す。
封止後の平面図、図２にキュア工程で用いられる加圧装
置を具備したマガジンの要部斜視図、図３に半導体装置
を同マガジンに装着した状態図を示す。
【００１６】この加圧装置は、箱状のマガジン４２の内
部に相対向して配設された２枚の平板からなる加圧プレ
ート４１ａ，４１ｂと、このマガジン４２に設けられた
挿通穴４７を介して加圧プレート４１ａ，４１ｂを押圧
する加圧ねじ４４と、この加圧ねじを回し押圧状態を調
整するハンドル４３と、これら加圧ねじおよびハンドル
を支持する枠体４５とから構成されている。
部に相対向して配設された２枚の平板からなる加圧プレ
ート４１ａ，４１ｂと、このマガジン４２に設けられた
挿通穴４７を介して加圧プレート４１ａ，４１ｂを押圧
する加圧ねじ４４と、この加圧ねじを回し押圧状態を調
整するハンドル４３と、これら加圧ねじおよびハンドル
を支持する枠体４５とから構成されている。
【００１７】実装に際しては、まず、図５に示したよう
なリードフレームを用意し、このリードフレーム１のダ
イパッド１１上に、半導体チップ２を搭載し、この半導
体チップのボンディングパッドとリ―ドフレ―ムのイン
ナ―リ―ド１２とを金線あるいはアルミ線のボンディン
グワイヤ３によって結線し、更にこれらを樹脂やセラミ
ック等の封止材料４で封止がなされる。
なリードフレームを用意し、このリードフレーム１のダ
イパッド１１上に、半導体チップ２を搭載し、この半導
体チップのボンディングパッドとリ―ドフレ―ムのイン
ナ―リ―ド１２とを金線あるいはアルミ線のボンディン
グワイヤ３によって結線し、更にこれらを樹脂やセラミ
ック等の封止材料４で封止がなされる。
【００１８】そして、図２に示したようなマガジンを用
い、図３に示すように半導体装置４６を重ねて装着し、
ハンドル４３を回して加圧ねじ部４４を移動させ、所望
の圧力となるように加圧プレート４１ａ，４１ｂの位置
を調整する。圧力の調整はトルクレンチを使用して行う
とよい。
い、図３に示すように半導体装置４６を重ねて装着し、
ハンドル４３を回して加圧ねじ部４４を移動させ、所望
の圧力となるように加圧プレート４１ａ，４１ｂの位置
を調整する。圧力の調整はトルクレンチを使用して行う
とよい。
【００１９】この状態で１８０℃に維持された加熱炉に
設置し、樹脂封止工程で樹脂封止部に残留する内部残留
応力を除去するキュア工程および冷却硬化させるポスト
キュア工程を経た後、この加圧プレートを有するマガジ
ンから外し、タイバ―やサイドバ―を切断し、アウタ―
リ―ドを所望の形状に折り曲げて完成せしめられる。こ
のようにして図４に示すような半導体装置が完成する。
設置し、樹脂封止工程で樹脂封止部に残留する内部残留
応力を除去するキュア工程および冷却硬化させるポスト
キュア工程を経た後、この加圧プレートを有するマガジ
ンから外し、タイバ―やサイドバ―を切断し、アウタ―
リ―ドを所望の形状に折り曲げて完成せしめられる。こ
のようにして図４に示すような半導体装置が完成する。
【００２０】このようにして形成された半導体装置は、
パッケージの反りもなく平坦な状態を維持しており、ク
ラックの発生等もなく、表面実装を行う際にも、良好な
接続状態を得ることができる。
パッケージの反りもなく平坦な状態を維持しており、ク
ラックの発生等もなく、表面実装を行う際にも、良好な
接続状態を得ることができる。
【００２１】なお、この加圧プレートおよびマガジンの
形状については実施例に限定されることなく適宜変形可
能であることはいうまでもない。
形状については実施例に限定されることなく適宜変形可
能であることはいうまでもない。
【００２２】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、半導体装置を平面プレートで挟持し加圧しつつ、キ
ュア工程を実施するようにしているため、反りが発生す
ることもなく、平坦で信頼性の高い半導体装置を得るこ
とができる。
ば、半導体装置を平面プレートで挟持し加圧しつつ、キ
ュア工程を実施するようにしているため、反りが発生す
ることもなく、平坦で信頼性の高い半導体装置を得るこ
とができる。
【図１】本発明実施例の半導体装置の樹脂封止後の平面
図
図
【図２】本発明実施例のキュア工程で用いられる加圧装
置を具備したマガジンの要部斜視図。
置を具備したマガジンの要部斜視図。
【図３】本発明の半導体装置を同マガジンに装着した状
態を示す図。
態を示す図。
【図４】本発明の方法で形成した半導体装置を示す図
【
図５】通常のリードフレームを示す図。
図５】通常のリードフレームを示す図。
【図６】従来のキュア工程を示す図
【図７】従来例の方法で形成した半導体装置を示す図
１ リ―ドフレ―ム
２ 半導体チップ
３ ワイヤ
４ 封止材料
１１ ダイパッド
１２ インナ―リ―ド
１３ タイバ―
１４ アウタ―リ―ド
１５，１６ サイドバ―
１７ サポ―トバ―
３１ マガジン
３２ ストッパプレート
３３ 半導体装置
４１ａ，４１ｂ 加圧プレート
４２ マガジン
４３ ハンドル
４４ 加圧ねじ部
４５ 保持枠
４６ 半導体装置
Claims (1)
- 【請求項１】 リードフレームの半導体チップ搭載部
に、半導体チップを載置し、電気的接続を行う半導体チ
ップ搭載工程と、前記半導体チップのまわりを樹脂でモ
ールドし、パッケージを形成するモールド工程と、前記
モールドして形成したパッケージの上下の各面を平滑な
プレートによって挟持しつつ加圧し、前記パッケージを
拘束した状態で熱処理を行う熱処理工程と、前記リード
フレームの外部リードを分離成形する分離成形工程とを
含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3079284A JP2597244B2 (ja) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3079284A JP2597244B2 (ja) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04313245A true JPH04313245A (ja) | 1992-11-05 |
| JP2597244B2 JP2597244B2 (ja) | 1997-04-02 |
Family
ID=13685569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3079284A Expired - Fee Related JP2597244B2 (ja) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2597244B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0917816A (ja) * | 1995-06-29 | 1997-01-17 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| KR100676314B1 (ko) * | 1999-12-17 | 2007-01-31 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 경화 장치 및 그를 이용한 경화 방법 |
| JP2009141268A (ja) * | 2007-12-10 | 2009-06-25 | Spansion Llc | 半導体装置の製造方法 |
| JP2014045215A (ja) * | 2013-11-08 | 2014-03-13 | Spansion Llc | 半導体装置の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5655057A (en) * | 1979-10-12 | 1981-05-15 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPH02154475A (ja) * | 1988-12-06 | 1990-06-13 | Nec Corp | 受光装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-04-11 JP JP3079284A patent/JP2597244B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5655057A (en) * | 1979-10-12 | 1981-05-15 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPH02154475A (ja) * | 1988-12-06 | 1990-06-13 | Nec Corp | 受光装置の製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0917816A (ja) * | 1995-06-29 | 1997-01-17 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| KR100676314B1 (ko) * | 1999-12-17 | 2007-01-31 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 경화 장치 및 그를 이용한 경화 방법 |
| JP2009141268A (ja) * | 2007-12-10 | 2009-06-25 | Spansion Llc | 半導体装置の製造方法 |
| JP2014045215A (ja) * | 2013-11-08 | 2014-03-13 | Spansion Llc | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2597244B2 (ja) | 1997-04-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |