JPH0431341A - ガラス基板の金属多層膜形成方法 - Google Patents
ガラス基板の金属多層膜形成方法Info
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- JPH0431341A JPH0431341A JP13768890A JP13768890A JPH0431341A JP H0431341 A JPH0431341 A JP H0431341A JP 13768890 A JP13768890 A JP 13768890A JP 13768890 A JP13768890 A JP 13768890A JP H0431341 A JPH0431341 A JP H0431341A
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Landscapes
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
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- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明はガラス基板の金属多層膜形成方法に関し、より
具体的にはガラス基板上に半田付けを可能にするための
金属多層膜の形成方法に関するものである。
具体的にはガラス基板上に半田付けを可能にするための
金属多層膜の形成方法に関するものである。
［従来の技術］
従来よりガラス基板は電子部品の分野において広く用い
られているが、近年ガラス基板に種々の機能を付加する
ために、半田付けが可能であることが要求されるように
なってきており、そのためガラス基板表面に金属多層膜
を形成し、その膜を介して半田付けが行われている。
られているが、近年ガラス基板に種々の機能を付加する
ために、半田付けが可能であることが要求されるように
なってきており、そのためガラス基板表面に金属多層膜
を形成し、その膜を介して半田付けが行われている。
この半田付は用金属多層膜の一種に、ガラス基板表面に
ガラスと密着性のよいＯｒ、Ｔｌ、Ｎｏ、Ｗ等の金属か
ら選ばれる最下層、半田の拡散を防止するＡＩ、Ｎｉ、
Ｐｄ等の金属から選ばれる中間層、半田濡れ性のよいＡ
ｕ、ＡｇＪｕ等の金属から選ばれる最上層をスパッタ、
真空蒸着法等により順次成膜することにより作製される
ものがある。このようにして作製される金属多層膜は半
田付けによる封着やワイヤ接続を可能にするものであり
、例えば液晶表示素子と駆動回路との接続部分、蛍光表
示管の電極あるいは太陽電池用の電極等に用いられる。
ガラスと密着性のよいＯｒ、Ｔｌ、Ｎｏ、Ｗ等の金属か
ら選ばれる最下層、半田の拡散を防止するＡＩ、Ｎｉ、
Ｐｄ等の金属から選ばれる中間層、半田濡れ性のよいＡ
ｕ、ＡｇＪｕ等の金属から選ばれる最上層をスパッタ、
真空蒸着法等により順次成膜することにより作製される
ものがある。このようにして作製される金属多層膜は半
田付けによる封着やワイヤ接続を可能にするものであり
、例えば液晶表示素子と駆動回路との接続部分、蛍光表
示管の電極あるいは太陽電池用の電極等に用いられる。
［発明が解決しようとする問題点］
一般にガラス基板に半田付けを可能にするためには、金
属膜表面に半田が拡散し得ることが重要であるが、その
一方で拡散し過ぎると半田がガラス基板表面まで到達し
、最下層の金属膜がこれに侵されて付着力が低下すると
いう問題が生じる。
属膜表面に半田が拡散し得ることが重要であるが、その
一方で拡散し過ぎると半田がガラス基板表面まで到達し
、最下層の金属膜がこれに侵されて付着力が低下すると
いう問題が生じる。
それゆえ半田付は用金属多層膜は上記したように中間層
を有する構造となっており、半田の拡散の程度を調節す
るために半田拡散防止効果の大きいム１と、前記効果の
比較的小さいＮｉやＰｄ等を組み合わせて用いられるこ
とが多い。
を有する構造となっており、半田の拡散の程度を調節す
るために半田拡散防止効果の大きいム１と、前記効果の
比較的小さいＮｉやＰｄ等を組み合わせて用いられるこ
とが多い。
しかしながらスパッタや真空蒸着により形成される金属
多層膜の端面部は各層の端面が露出しているために、該
端面部に水分が存在すると、膜構成金属間の電極電位差
によって電解腐食を起こすことがある。特にＡ１層を含
む場合、最上層に用いられるムＵ等との電極電位差が大
きいため、洗浄中や保管中に電解腐食を起こし易く、こ
れに起因してブリスターいわゆる表面フクレ等の欠陥が
発生するといった問題がある。
多層膜の端面部は各層の端面が露出しているために、該
端面部に水分が存在すると、膜構成金属間の電極電位差
によって電解腐食を起こすことがある。特にＡ１層を含
む場合、最上層に用いられるムＵ等との電極電位差が大
きいため、洗浄中や保管中に電解腐食を起こし易く、こ
れに起因してブリスターいわゆる表面フクレ等の欠陥が
発生するといった問題がある。
本発明は上記事情に鑑みなされたもので、Ａ１層を有し
、膜形成後に電解腐食を起こすことのない半田付は用金
属多層膜をガラス基板上に形成する方法を提供すること
を目的とする。
、膜形成後に電解腐食を起こすことのない半田付は用金
属多層膜をガラス基板上に形成する方法を提供すること
を目的とする。
［問題点を解決するための手段］
本発明のガラス基板の金属多層膜形成方法は、ガラス基
板表面に、中間層としてＡ１層を含む半田付は用金属多
層膜を成膜した後、ＡＩ層露出部を酸化処理することを
特徴とする。
板表面に、中間層としてＡ１層を含む半田付は用金属多
層膜を成膜した後、ＡＩ層露出部を酸化処理することを
特徴とする。
［作用コ
本発明において、ガラス基板表面に金属多層膜を成膜し
た後、ＡＩ層露出部を熱処理あるいは酸素プラズマ処理
等により酸化処理すると、金属膜端面部に水分が存在し
ても、ＡＩがイオンとなって溶出しないために電解腐食
が起こらない〇なお熱処理により酸化処理する場合、Ａ
１層の羅出部が十分に酸化し得る適当な条件を設定して
行われるが、特に２２０〜２５０℃で４時間以上熱処理
することが好ましい。即ち２２０℃より熱処理温度が低
いとＡ１層露出部を短時間で十分に酸化させることがで
きず、２５０℃より高いと膜構成金属間で拡散が起こり
易くなるためであり、また熱処理時間が４時間より短い
場合も先記した効果が十分に得られない。
た後、ＡＩ層露出部を熱処理あるいは酸素プラズマ処理
等により酸化処理すると、金属膜端面部に水分が存在し
ても、ＡＩがイオンとなって溶出しないために電解腐食
が起こらない〇なお熱処理により酸化処理する場合、Ａ
１層の羅出部が十分に酸化し得る適当な条件を設定して
行われるが、特に２２０〜２５０℃で４時間以上熱処理
することが好ましい。即ち２２０℃より熱処理温度が低
いとＡ１層露出部を短時間で十分に酸化させることがで
きず、２５０℃より高いと膜構成金属間で拡散が起こり
易くなるためであり、また熱処理時間が４時間より短い
場合も先記した効果が十分に得られない。
また酸素プラズマ処理は、酸素ラジカルだけを用いて酸
化反応を行うものである。この処理による場合、通常プ
ラズマ処理装置を使用し、その酸素圧力は０．２”２．
０ｔｏｒｒ １高周波電力は２５０〜５００ｗ１電子密
度は１０１７〜１０１８／ｍ３であることが好ましい。
化反応を行うものである。この処理による場合、通常プ
ラズマ処理装置を使用し、その酸素圧力は０．２”２．
０ｔｏｒｒ １高周波電力は２５０〜５００ｗ１電子密
度は１０１７〜１０１８／ｍ３であることが好ましい。
［実施例］
以下、実施例に基づいて本発明のガラス基板の金属多層
膜形成方法を説明する。
膜形成方法を説明する。
（実施例１）
７０℃に保持した４０Ｘ２０Ｘ１ｍｍの大きさのガラス
基板に真空蒸着装置を用いてＣｒ、ＡＩ、旧、Ａｕを膜
厚がそれぞれ０．０５ｇｍ、０．１５μ厘、０．３μ履
、０．０５７℃膳となるように順次成膜した後、電気炉
中で２２０℃の温度で４時間熱処理して試料を得た。ま
た比較のために、熱処理を行わず、その他の条件はすべ
て上記と同様に処理した試料を作製した。
基板に真空蒸着装置を用いてＣｒ、ＡＩ、旧、Ａｕを膜
厚がそれぞれ０．０５ｇｍ、０．１５μ厘、０．３μ履
、０．０５７℃膳となるように順次成膜した後、電気炉
中で２２０℃の温度で４時間熱処理して試料を得た。ま
た比較のために、熱処理を行わず、その他の条件はすべ
て上記と同様に処理した試料を作製した。
このようにして作製した２つの試料について耐湿試験を
行ったところ、比較のために作製した試料には電解腐食
が認められたのに対して、熱処理を施した試料には電解
腐食が全く認められなかった。
行ったところ、比較のために作製した試料には電解腐食
が認められたのに対して、熱処理を施した試料には電解
腐食が全く認められなかった。
なお、耐湿試験は６０℃、湿度９８％の条件下に７２時
間試料を保持した後、顕微鏡によりその表面を観察して
評価したものである。
間試料を保持した後、顕微鏡によりその表面を観察して
評価したものである。
（実施例２）
上記実施例と同様の条件でガラス基板上に０ｒ１Ａｌ、
旧、Ａｕを順次成膜した後、バレル型プラズマ処理装置
を用いて酸素圧力１ｔｏｒｒ、高周波電力３００ｗ。
旧、Ａｕを順次成膜した後、バレル型プラズマ処理装置
を用いて酸素圧力１ｔｏｒｒ、高周波電力３００ｗ。
電子密度１０１７／、３の条件で１０分間酸素プラズマ
処理を施し、試料を得た。
処理を施し、試料を得た。
このようにして得られた試料について実施例１と同様の
耐湿試験を行ったところ、電解腐食は全く認められなか
った。
耐湿試験を行ったところ、電解腐食は全く認められなか
った。
［効果］
以上説明したように本発明のガラス基板の金属多層膜形
成方法によれば、Ａ１層を有する半田付は用金属膜の電
解腐食を防止することができ、これに起因するブリスタ
ー等の欠陥の発生を防ぐことが可能である。
成方法によれば、Ａ１層を有する半田付は用金属膜の電
解腐食を防止することができ、これに起因するブリスタ
ー等の欠陥の発生を防ぐことが可能である。
特許出願人 日本電気硝子株式会社
代表者 岸１）清作
Claims (3)
- （１）ガラス基板表面に、中間層としてＡ１層を含む半
田付け用金属多層膜を成膜した後、Ａ１層露出部を酸化
処理することを特徴とするガラス基板の金属多層膜形成
方法。 - （２）酸化処理が熱処理であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載のガラス基板の金属多層膜形成方法
。 - （３）酸化処理が酸素プラズマ処理であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のガラス基板の金属多層
膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13768890A JP2821239B2 (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | ガラス基板の金属多層膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13768890A JP2821239B2 (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | ガラス基板の金属多層膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0431341A true JPH0431341A (ja) | 1992-02-03 |
| JP2821239B2 JP2821239B2 (ja) | 1998-11-05 |
Family
ID=15204485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13768890A Expired - Fee Related JP2821239B2 (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | ガラス基板の金属多層膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2821239B2 (ja) |
-
1990
- 1990-05-28 JP JP13768890A patent/JP2821239B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2821239B2 (ja) | 1998-11-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |