JPH04314152A - Memory backup cirucit - Google Patents
Memory backup cirucitInfo
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- JPH04314152A JPH04314152A JP3108610A JP10861091A JPH04314152A JP H04314152 A JPH04314152 A JP H04314152A JP 3108610 A JP3108610 A JP 3108610A JP 10861091 A JP10861091 A JP 10861091A JP H04314152 A JPH04314152 A JP H04314152A
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Abstract
Description
【0001】0001
【産業上の利用分野】本発明は、例えばマイクロコンピ
ュータシステムの記憶装置として用いられている揮発性
メモリを停電バックアップするメモリバックアップ回路
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a memory backup circuit for backing up a volatile memory used, for example, as a storage device in a microcomputer system during a power outage.
【0002】0002
【従来の技術】従来、マイクロコンピュータシステムは
、記憶装置にRAMと呼ばれる揮発性メモリを用いて構
築され、その停電対策として、多くの場合、電池でメモ
リ回路をバックアップする方法がとられている。2. Description of the Related Art Conventionally, microcomputer systems have been constructed using a volatile memory called RAM as a storage device, and as a countermeasure against power outages, in many cases, a method of backing up the memory circuit with a battery has been adopted.
【0003】例えば、図2は従来のこの種バックアップ
回路を示したものであり、主電源の給電端子1が逆流防
止用ダイオード2のアノード,カソードを介して揮発性
メモリ3の電源端子Vccに接続され、この給電ライン
4に、周囲温度特性及び貯蔵特性などが優れたリチウム
電池よりなるバックアップ用1次電池5が制限用抵抗6
及び逆流防止用ダイオード7のアノード,カソードを介
して接続されている。なお、制限用抵抗6は、電源短絡
などによる電池5の短絡電流並びにダイオード7の短絡
故障による電池5への充電電流を制限するためのもので
ある。For example, FIG. 2 shows a conventional backup circuit of this type, in which a power supply terminal 1 of a main power supply is connected to a power supply terminal Vcc of a volatile memory 3 via an anode and a cathode of a backflow prevention diode 2. A backup primary battery 5 made of a lithium battery with excellent ambient temperature characteristics and storage characteristics is connected to the power supply line 4 through a limiting resistor 6.
and are connected via the anode and cathode of the backflow prevention diode 7. Note that the limiting resistor 6 is used to limit the short-circuit current of the battery 5 due to a power supply short-circuit or the like and the charging current to the battery 5 due to a short-circuit failure of the diode 7.
【0004】したがって、主電源が通電している時は、
給電端子1より電源電圧5Vがダイオード2及び給電ラ
イン4を通してメモリ3に供給され、停電などによる主
電源の切断時は、電源電圧が電池電圧3.6Vを下回る
と、電池5より電池電圧が抵抗6,ダイオード7及び給
電ライン4を通してメモリ3に供給され、メモリ3のデ
ータ保持が行われる。[0004] Therefore, when the main power supply is energized,
A power supply voltage of 5V is supplied from the power supply terminal 1 to the memory 3 through the diode 2 and the power supply line 4, and when the main power supply is cut off due to a power outage, etc., when the power supply voltage falls below the battery voltage of 3.6V, the battery voltage increases from the battery 5. 6, a diode 7, and a power supply line 4 to supply it to the memory 3, and data retention in the memory 3 is performed.
【0005】ところで、給電ライン4に電池5を接続し
ただけの構成では、主電源の切断による過渡的状態にお
いて偶発的にメモリデータの破壊を生じる恐れがあるた
め、従来より、電源断検知と同時にメモリチップを非選
択として、リード/ライト制御信号やアドレス,データ
などの状態にかかわらずデータ破壊を防ぐようにしたチ
ップセレクトコントロール回路が設けられる。By the way, in a configuration in which only the battery 5 is connected to the power supply line 4, there is a risk that memory data may be accidentally destroyed in a transient state due to the main power being cut off. A chip select control circuit is provided which deselects the memory chip and prevents data destruction regardless of the states of read/write control signals, addresses, data, etc.
【0006】すなわち、電源端子を給電ライン4に接続
したTTL構成の2入力型アンド回路8を設け、この一
方の入力端子を限流用抵抗9を介して給電端子1に接続
すると共に、他方の入力端子に図外のCPUなどからの
チップセレクト信号を入力し、アンド回路8の出力信号
を反転してメモリ3のチップセレクト端子CSに入力す
る。That is, a TTL-configured two-input type AND circuit 8 is provided whose power supply terminal is connected to the power supply line 4, one input terminal of which is connected to the power supply terminal 1 via a current limiting resistor 9, and the other input terminal is connected to the power supply terminal 1 through a current limiting resistor 9. A chip select signal from a CPU (not shown) is input to the terminal, and the output signal of the AND circuit 8 is inverted and input to the chip select terminal CS of the memory 3.
【0007】メモリ3はチップセレクト端子CSにロウ
レベルを入力することにより選択されるので、主電源投
入時はアンド回路8の一方の入力端子が常にハイレベル
に保持され、他方の入力端子に入力されたチップセレク
ト信号が反転して端子CSに入力され、チップ選択が可
能となる。主電源が切断状態になると、アンド回路8の
一方の入力端子がロウレベルになるため、端子CSには
常にハイレベルが入力されてチップ非選択の状態となり
、データ破壊が防止されることになる。Since the memory 3 is selected by inputting a low level to the chip select terminal CS, when the main power is turned on, one input terminal of the AND circuit 8 is always held at a high level, and no input is input to the other input terminal. The chip select signal is inverted and input to the terminal CS, enabling chip selection. When the main power supply is turned off, one input terminal of the AND circuit 8 becomes a low level, so a high level is always input to the terminal CS, resulting in a chip non-selected state, and data destruction is prevented.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】前述したメモリバック
アップ回路においては、主電源の切断時にメモリ3を非
選択としてそのデータ破壊を防ぐことができるが、この
チップセレクトコントロール回路のアンド回路8を構成
するバイポーラICでは、通常、ゲートがスイッチング
するときに大きな電流が流れるため、電源断時に電池電
圧が瞬間的に低下する問題がある。[Problems to be Solved by the Invention] In the memory backup circuit described above, it is possible to deselect the memory 3 when the main power is turned off to prevent its data from being destroyed. In bipolar ICs, a large current normally flows when the gate switches, so there is a problem that the battery voltage drops instantaneously when the power is turned off.
【0009】すなわち、図2において、主電源の切断時
、電源電圧が電池電圧3.6Vを下回ると、電池5によ
るメモリ保持が行われるが、電源電圧がさらに低下して
アンド回路8のスレシホールド電圧以下に低下すると、
アンド回路8に給電ライン4より電流I(数10mA)
が流れる。したがって、この時、電池5側に設けた制限
用抵抗6により急激な電圧降下が起こり、給電ライン4
の電圧が瞬間的にメモリ保持に必要な電圧2.0V以下
に低下し、この結果、メモリ3のデータが消去されてし
まう危険がある。That is, in FIG. 2, when the main power supply is cut off and the power supply voltage falls below the battery voltage of 3.6V, memory is retained by the battery 5, but as the power supply voltage further decreases, the threshold of the AND circuit 8 When the voltage drops below the hold voltage,
Current I (several 10 mA) from power supply line 4 to AND circuit 8
flows. Therefore, at this time, a sudden voltage drop occurs due to the limiting resistor 6 provided on the battery 5 side, and the power supply line 4
There is a risk that the voltage of the memory 3 will momentarily drop below the voltage 2.0V required for memory retention, and as a result, the data in the memory 3 will be erased.
【0010】本発明は、従来の技術の有するこのような
問題点に留意してなされたものであり、その目的とする
ところは、主電源の電源断時における電池電圧の瞬間的
な電圧降下を確実に防止できるメモリバックアップ回路
を提供することにある。[0010] The present invention has been made with these problems of the prior art in mind, and its purpose is to reduce the instantaneous voltage drop in the battery voltage when the main power supply is turned off. An object of the present invention is to provide a memory backup circuit that can reliably prevent such problems.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明のメモリバックアップ回路においては、揮発
性メモリの給電ラインに制限用抵抗及び逆流防止用ダイ
オードを介してバックアップ用電池を接続し、給電ライ
ンからの電源により駆動され主電源の断時にメモリのチ
ップセレクト端子にこのメモリを非選択の状態にする信
号を出力するチップセレクトコントロール回路を設ける
と共に、給電ラインに電気二重層コンデンサを接続した
ことを特徴とするものである。[Means for Solving the Problems] In order to achieve the above object, in the memory backup circuit of the present invention, a backup battery is connected to the power supply line of the volatile memory via a limiting resistor and a backflow prevention diode. , a chip select control circuit is provided that is driven by the power from the power supply line and outputs a signal to the chip select terminal of the memory to deselect the memory when the main power is turned off, and an electric double layer capacitor is connected to the power supply line. It is characterized by the fact that
【0012】0012
【作用】前述した構成のメモリバックアップ回路におい
ては、主電源の電源断時にこれを検出したチップセレク
トコントロール回路に給電ラインより瞬間的に大きな電
流が流れても、給電ラインに接続した電気二重層コンデ
ンサより電流供給が行われるので、電池側に設けた制限
用抵抗による瞬間的な電圧降下がなくなる。[Function] In the memory backup circuit configured as described above, even if a large current momentarily flows from the power supply line to the chip select control circuit that detects this when the main power supply is turned off, the electric double layer capacitor connected to the power supply line Since more current is supplied, there is no instantaneous voltage drop caused by the limiting resistor provided on the battery side.
【0013】[0013]
【実施例】実施例につき、図1を用いて説明する。同図
に示すように、主電源の給電端子1を逆流防止用ダイオ
ード2のアノード,カソード及び給電ライン4を通して
揮発性メモリ3の電源端子Vccに接続すると共に、リ
チウム電池などよりなるバックアップ用1次電池5を制
限用抵抗6及び逆流防止用ダイオード7のアノード,カ
ソードを介して給電ライン4に接続する。[Example] An example will be explained with reference to FIG. As shown in the figure, the power supply terminal 1 of the main power supply is connected to the power supply terminal Vcc of the volatile memory 3 through the anode and cathode of the reverse current prevention diode 2 and the power supply line 4, and a backup primary battery such as a lithium battery is connected. The battery 5 is connected to the power supply line 4 via a limiting resistor 6 and an anode and a cathode of a backflow prevention diode 7.
【0014】さらに、給電ライン4より電源供給される
チップセレクトコントロール回路用のアンド回路8を設
け、この一方の入力端子を限流用抵抗9を介して給電端
子1に接続すると共に、他方の入力端子にCPUなどか
らのチップセレクト信号を入力し、アンド回路8の出力
信号をメモリ3のチップセレクト端子CSに反転入力し
てメモリ選択を制御できるようにし、かつ、給電ライン
4に定格電圧5Vの電気二重層コンデンサ(スーパキャ
パシタ)10を接続する。このコンデンサ10は、メモ
リ3を短時間(例えば0.5〜1時間)バックアップで
きる容量を有する。Furthermore, an AND circuit 8 for the chip select control circuit which is supplied with power from the power supply line 4 is provided, one input terminal of which is connected to the power supply terminal 1 via a current limiting resistor 9, and the other input terminal A chip select signal from a CPU or the like is input to the input circuit 8, and the output signal of the AND circuit 8 is inverted input to the chip select terminal CS of the memory 3 to control memory selection. A double layer capacitor (supercapacitor) 10 is connected. This capacitor 10 has a capacity that can back up the memory 3 for a short time (for example, 0.5 to 1 hour).
【0015】したがって、主電源が停電などにより切断
し、この電源電圧がコンデンサ10の電圧より低下する
と、コンデンサ10の蓄積電荷が給電ライン4に放出さ
れ、メモリ3がバックアップされる。電源電圧がさらに
アンド回路8のスレシホールド電圧以下に低下すると、
ゲートのスイッチングに伴なって給電ライン4よりアン
ド回路8に大きな電流が流れるが、この電流はコンデン
サ10より供給されるので、給電ライン4の電圧低下は
なく、メモリ保持が維持される。Therefore, when the main power supply is cut off due to a power outage or the like and the power supply voltage drops below the voltage of the capacitor 10, the accumulated charge of the capacitor 10 is discharged to the power supply line 4, and the memory 3 is backed up. When the power supply voltage further decreases below the threshold voltage of the AND circuit 8,
A large current flows from the power supply line 4 to the AND circuit 8 as the gate switches, but since this current is supplied from the capacitor 10, there is no voltage drop in the power supply line 4, and memory retention is maintained.
【0016】さらに、電源断の継続によりコンデンサ1
0の放電が進み、その電圧が電池電圧より低くなると、
以降は電池5より電池電圧が給電ライン4に供給され、
メモリ3がバックアップされる。このように、電源断時
にアンド回路8に大きな電流が流れても、コンデンサ1
0により電流供給が行われるため、従来のような制限用
抵抗6による瞬間的な電圧降下は生じず、メモリ3のデ
ータが消去されてしまうといった不具合が解消されるこ
とになる。そのうえ、短時間の電源断であれば、コンデ
ンサ10によりメモリ保持が行え、この時電池5側より
電圧供給する必要がないため、電池5の寿命アップにも
つながる。Furthermore, due to the continuation of the power cut, capacitor 1
As the discharge of 0 progresses and the voltage becomes lower than the battery voltage,
After that, the battery voltage is supplied from the battery 5 to the power supply line 4,
Memory 3 is backed up. In this way, even if a large current flows through the AND circuit 8 when the power is turned off, the capacitor 1
Since the current is supplied by 0, no instantaneous voltage drop occurs due to the limiting resistor 6 as in the conventional case, and the problem of erasing data in the memory 3 is eliminated. Moreover, if the power is cut off for a short time, memory can be retained by the capacitor 10, and there is no need to supply voltage from the battery 5 side at this time, which leads to a longer lifespan of the battery 5.
【0017】[0017]
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているため、つぎに記載する効果を奏する。主電源の電
源断時に給電ラインよりチップセレクトコントロール回
路に流れる電流を給電ラインに接続した電気二重層コン
デンサより供給し、メモリへの供給電圧の瞬間的な低下
を防止するようにしたので、この電源断時にメモリの記
憶内容を消去するといった危険がなくなり、安全かつ安
定したメモリ保持が可能になるものであり、しかも、コ
ンデンサによる給電によってバックアップ用電池の寿命
を向上できるといった効果も得られる。[Effects of the Invention] Since the present invention is constructed as described above, it produces the following effects. When the main power supply is turned off, the current that flows from the power supply line to the chip select control circuit is supplied from the electric double layer capacitor connected to the power supply line, preventing a momentary drop in the supply voltage to the memory. This eliminates the risk of erasing the contents of the memory during power outage, making it possible to safely and stably hold the memory, and also has the effect of improving the life of the backup battery by supplying power with the capacitor.
【図1】本発明によるメモリバックアップ回路の1実施
例を示す結線図である。FIG. 1 is a wiring diagram showing one embodiment of a memory backup circuit according to the present invention.
【図2】従来例の結線図である。FIG. 2 is a wiring diagram of a conventional example.
3 揮発性メモリ 4 給電ライン 5 1次電池 6 制限用抵抗 7 逆流防止用ダイオード 8 アンド回路 10 電気二重層コンデンサ 3. Volatile memory 4 Power supply line 5 Primary battery 6 Limiting resistor 7 Diode for backflow prevention 8 AND circuit 10 Electric double layer capacitor
Claims (1)
抗及び逆流防止用ダイオードを介してバックアップ用電
池を接続し、かつ、前記給電ラインからの電源により駆
動され主電源の断時に前記メモリのチップセレクト端子
に当該メモリを非選択の状態にする信号を出力するチッ
プセレクトコントロール回路を設けてなるメモリバック
アップ回路において、前記給電ラインに電気二重層コン
デンサを接続したことを特徴とするメモリバックアップ
回路。1. A backup battery is connected to a power supply line of a volatile memory through a limiting resistor and a reverse current prevention diode, and the memory chip is driven by power from the power supply line and is activated when the main power is cut off. 1. A memory backup circuit comprising a chip select control circuit that outputs a signal to a select terminal to set the memory in a non-selected state, wherein an electric double layer capacitor is connected to the power supply line.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3108610A JPH04314152A (en) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | Memory backup cirucit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3108610A JPH04314152A (en) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | Memory backup cirucit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04314152A true JPH04314152A (en) | 1992-11-05 |
Family
ID=14489167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3108610A Pending JPH04314152A (en) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | Memory backup cirucit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04314152A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012071864A1 (en) * | 2010-12-03 | 2012-06-07 | 珠海天威技术开发有限公司 | Chip for consumption material and container for consumption material |
-
1991
- 1991-04-11 JP JP3108610A patent/JPH04314152A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012071864A1 (en) * | 2010-12-03 | 2012-06-07 | 珠海天威技术开发有限公司 | Chip for consumption material and container for consumption material |
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