JPH04314757A - レーザ加工用ポリイミド樹脂組成物 - Google Patents
レーザ加工用ポリイミド樹脂組成物Info
- Publication number
- JPH04314757A JPH04314757A JP3066409A JP6640991A JPH04314757A JP H04314757 A JPH04314757 A JP H04314757A JP 3066409 A JP3066409 A JP 3066409A JP 6640991 A JP6640991 A JP 6640991A JP H04314757 A JPH04314757 A JP H04314757A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polyimide resin
- laser
- processing
- laser processing
- aromatic polycyclic
- Prior art date
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- Laser Beam Processing (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明はレーザ加工用のポリイ
ミド樹脂に関するものである。
ミド樹脂に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図4(a)〜(b)は例えば刊行物{J
.Electrochem.Soc.,Oct.(19
90) p2522−2527}に示されている従来の
ポリイミド樹脂の除去加工方法を工程順に示す工程図で
あり、各々光照射{図4(a)}、現像{図4(b)}
、パターニングまたは穴形成{図4(c)}および加熱
{図4(d)}工程を示す。図において、2は下地材料
、5はマスク、7は加工穴、11はポリイミド樹脂、1
2は感光性ポリイミド前駆体、13は架橋部、14は光
源、15は光、16は現像液である。
.Electrochem.Soc.,Oct.(19
90) p2522−2527}に示されている従来の
ポリイミド樹脂の除去加工方法を工程順に示す工程図で
あり、各々光照射{図4(a)}、現像{図4(b)}
、パターニングまたは穴形成{図4(c)}および加熱
{図4(d)}工程を示す。図において、2は下地材料
、5はマスク、7は加工穴、11はポリイミド樹脂、1
2は感光性ポリイミド前駆体、13は架橋部、14は光
源、15は光、16は現像液である。
【0003】即ち、感光性が付与されたポリイミド前駆
体12に水銀ランプなどの光源14から光15を照射し
、照射部13のみを架橋させることにより、現像液16
に対する溶解速度を低下させ、光がマスク5により遮蔽
された部分を選択的に除去する。しかる後に感光性が付
与されたポリイミド前駆体12は、加熱処理により通常
のポリイミド樹脂11の構成をなす。
体12に水銀ランプなどの光源14から光15を照射し
、照射部13のみを架橋させることにより、現像液16
に対する溶解速度を低下させ、光がマスク5により遮蔽
された部分を選択的に除去する。しかる後に感光性が付
与されたポリイミド前駆体12は、加熱処理により通常
のポリイミド樹脂11の構成をなす。
【0004】また図5(a)、(b)は例えば刊行物{
Proceedings of LAMP ’8
7 Osaka(May 1987) p581−
584}などに示された従来のポリイミド樹脂の除去加
工方法を工程順に示す工程図であり、各々レーザ照射{
図5(a)}およびパターニングまたは穴形成{図5(
b)}工程を示す。図において3はレーザ、4はレーザ
光、6はレンズである。
Proceedings of LAMP ’8
7 Osaka(May 1987) p581−
584}などに示された従来のポリイミド樹脂の除去加
工方法を工程順に示す工程図であり、各々レーザ照射{
図5(a)}およびパターニングまたは穴形成{図5(
b)}工程を示す。図において3はレーザ、4はレーザ
光、6はレンズである。
【0005】即ち、レーザ3から照射されたレーザ光4
はマスク5とレンズ6を用いてポリイミド樹脂11に縮
小転写され、レーザのエネルギー密度がポリイミド樹脂
11を除去するのに十分であればパターニングや穴形成
などの除去加工が達成される。また図5におけるポリイ
ミド樹脂11は、例えば刊行物{POLYIMIDES
Blackie(1990)p2−8}などに示された
従来のポリイミド樹脂の構成からなり、下記の化学式1
によって合成される。
はマスク5とレンズ6を用いてポリイミド樹脂11に縮
小転写され、レーザのエネルギー密度がポリイミド樹脂
11を除去するのに十分であればパターニングや穴形成
などの除去加工が達成される。また図5におけるポリイ
ミド樹脂11は、例えば刊行物{POLYIMIDES
Blackie(1990)p2−8}などに示された
従来のポリイミド樹脂の構成からなり、下記の化学式1
によって合成される。
【0006】
【化1】
【0007】即ち、例えば酸無水物とジアミンからNメ
チルピロリドンなどの溶媒中で重合されたポリイミド前
駆体溶液を流延後、脱水、脱溶媒処理を行なうことによ
り従来の構成のポリイミド樹脂を得る。ここで酸無水物
としては図6に示すもの、ジアミンとしては図7に示す
ものが使用される。
チルピロリドンなどの溶媒中で重合されたポリイミド前
駆体溶液を流延後、脱水、脱溶媒処理を行なうことによ
り従来の構成のポリイミド樹脂を得る。ここで酸無水物
としては図6に示すもの、ジアミンとしては図7に示す
ものが使用される。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】図4に示した従来のポ
リイミド樹脂及びその加工方法は、感光性が付与された
ポリイミド樹脂を用いた場合は熱損傷などの影響はない
が、膜厚が大きいと光照射により奥深くまで架橋するこ
とができず、現像時に架橋部分及び架橋部分の下層も除
去され、かつ等方的に除去加工が進むため、パターン幅
あるいは穴径が大きくなったり、膜べりが起こり、微細
、高アスペクト比、高品質穴を形成するのが困難である
という問題点があった。またこの方法ではポリイミド前
駆体に加工を行なった後に加熱処理などによりポリイミ
ド樹脂となすため、加熱時に収縮や変形が起こるという
問題があり、感光性を付与したポリイミド前駆体の価格
が高く、通常のポリイミドに比べ特性が落ちるなどの問
題もあった。また図5に示した従来のポリイミド樹脂及
びその加工方法は、感光性の付与の必要がなく、加熱処
理後のポリイミド樹脂を用いることができるレーザ加工
である。従来のポリイミド樹脂は長波長(500nm〜
10μm)における吸収は、短波長(200〜300n
m)における吸収に比べて小さい。微細、高アスペクト
比、高品質穴を形成する場合には長波長レーザを用いる
と、材料の光吸収が小さいため大きなエネルギーを与え
る必要があり、このため熱損傷を生じたり、下地材料に
損傷を与えるなど種々の問題があり、また短波長レーザ
を用いると比較的吸収が大きくなるため小さなエネルギ
ーで熱損傷の小さい、下地材料の損傷の小さい加工が可
能であるが、加工の要求仕様によっては十分でなかった
り、レーザのコストが高くなったり、光学系などの付属
部品の開発が追いつかないなど種々の問題点があった。
リイミド樹脂及びその加工方法は、感光性が付与された
ポリイミド樹脂を用いた場合は熱損傷などの影響はない
が、膜厚が大きいと光照射により奥深くまで架橋するこ
とができず、現像時に架橋部分及び架橋部分の下層も除
去され、かつ等方的に除去加工が進むため、パターン幅
あるいは穴径が大きくなったり、膜べりが起こり、微細
、高アスペクト比、高品質穴を形成するのが困難である
という問題点があった。またこの方法ではポリイミド前
駆体に加工を行なった後に加熱処理などによりポリイミ
ド樹脂となすため、加熱時に収縮や変形が起こるという
問題があり、感光性を付与したポリイミド前駆体の価格
が高く、通常のポリイミドに比べ特性が落ちるなどの問
題もあった。また図5に示した従来のポリイミド樹脂及
びその加工方法は、感光性の付与の必要がなく、加熱処
理後のポリイミド樹脂を用いることができるレーザ加工
である。従来のポリイミド樹脂は長波長(500nm〜
10μm)における吸収は、短波長(200〜300n
m)における吸収に比べて小さい。微細、高アスペクト
比、高品質穴を形成する場合には長波長レーザを用いる
と、材料の光吸収が小さいため大きなエネルギーを与え
る必要があり、このため熱損傷を生じたり、下地材料に
損傷を与えるなど種々の問題があり、また短波長レーザ
を用いると比較的吸収が大きくなるため小さなエネルギ
ーで熱損傷の小さい、下地材料の損傷の小さい加工が可
能であるが、加工の要求仕様によっては十分でなかった
り、レーザのコストが高くなったり、光学系などの付属
部品の開発が追いつかないなど種々の問題点があった。
【0009】この発明は上記のような課題を解消するた
めになされたもので、比較的安価な長波長レーザを用い
ても微細、高アスペクト比、低損傷の加工ができるとと
もに、短波長のレーザを用いた場合も従来以上の微細、
高アスペクト比、高品質加工をすることができるレーザ
加工用ポリイミド樹脂を得ることを目的とする。
めになされたもので、比較的安価な長波長レーザを用い
ても微細、高アスペクト比、低損傷の加工ができるとと
もに、短波長のレーザを用いた場合も従来以上の微細、
高アスペクト比、高品質加工をすることができるレーザ
加工用ポリイミド樹脂を得ることを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】この発明のレーザ加工用
ポリイミド樹脂は、芳香族多環物を分散したポリイミド
樹脂から成るものである。
ポリイミド樹脂は、芳香族多環物を分散したポリイミド
樹脂から成るものである。
【0011】
【作用】一般にレーザ加工において、レーザは材料の吸
収係数(単位長さ当りの吸光度)に応じて材料に吸収さ
れ、この吸収されたエネルギーが加工に用いられる。ま
た芳香族多環物は一般に広い波長範囲で大きな吸収係数
を持つ。この発明におけるポリイミド樹脂は芳香族多環
物を分散しているため、各波長における吸収係数が大き
く、このため深さ方向の吸収が大きくなり、レーザエネ
ルギーが極表層に集中する。このエネルギーは瞬時に樹
脂を昇華させる、または分解物を遠くに飛散させる運動
エネルギーに変換されるため、ポリイミド樹脂に残留す
る熱エネルギーが非常に小さく、周辺に熱損傷を与え難
い。このため微細、高品質穴形成が可能となり、また異
方性のある加工が可能なため、この作用の繰り返しによ
り高アスペクト比化が可能となる。
収係数(単位長さ当りの吸光度)に応じて材料に吸収さ
れ、この吸収されたエネルギーが加工に用いられる。ま
た芳香族多環物は一般に広い波長範囲で大きな吸収係数
を持つ。この発明におけるポリイミド樹脂は芳香族多環
物を分散しているため、各波長における吸収係数が大き
く、このため深さ方向の吸収が大きくなり、レーザエネ
ルギーが極表層に集中する。このエネルギーは瞬時に樹
脂を昇華させる、または分解物を遠くに飛散させる運動
エネルギーに変換されるため、ポリイミド樹脂に残留す
る熱エネルギーが非常に小さく、周辺に熱損傷を与え難
い。このため微細、高品質穴形成が可能となり、また異
方性のある加工が可能なため、この作用の繰り返しによ
り高アスペクト比化が可能となる。
【0012】
【実施例】図1はこの発明の実施例のレーザ加工用ポリ
イミド樹脂を用いた加工方法を工程順に示す工程図であ
る。図において、1はこの発明の実施例のレーザ加工用
ポリイミド樹脂である高光吸収型ポリイミド樹脂である
。レーザ3から照射されたレーザ光4はマスク5とレン
ズ6を用いて高光吸収型ポリイミド樹脂1に縮小転写さ
れ、レーザのエネルギー密度が高光吸収型ポリイミド樹
脂1を除去するのに十分であればパターニングや穴形成
などの除去加工が達成される。以下この発明における高
光吸収型ポリイミド樹脂1の構成について具体的な実施
例を示すが、この発明はこれらの実施例に限定されるも
のではない。
イミド樹脂を用いた加工方法を工程順に示す工程図であ
る。図において、1はこの発明の実施例のレーザ加工用
ポリイミド樹脂である高光吸収型ポリイミド樹脂である
。レーザ3から照射されたレーザ光4はマスク5とレン
ズ6を用いて高光吸収型ポリイミド樹脂1に縮小転写さ
れ、レーザのエネルギー密度が高光吸収型ポリイミド樹
脂1を除去するのに十分であればパターニングや穴形成
などの除去加工が達成される。以下この発明における高
光吸収型ポリイミド樹脂1の構成について具体的な実施
例を示すが、この発明はこれらの実施例に限定されるも
のではない。
【0013】実施例1.
この発明の実施例のレーザ加工用ポリイミド樹脂1は、
下記に示す化学式2により得ることができる。
下記に示す化学式2により得ることができる。
【0014】
【化2】
【0015】即ち、ポリイミド前駆体の重量に対して1
0%程度の芳香族多環物であるアントラセンを、予め8
0℃程度に加熱した溶媒のN−メチルピロリドンに混入
し、十分攪拌した後に予め80℃程度に加熱したポリイ
ミド前駆体に混合する。ポリイミド前駆体としては、R
1が図6中のNo.1に示した酸無水物の骨格、R2が
図7中のNo.1に示したジアミンの骨格であるポリア
ミック酸溶液である。しかる後にこの混合物を80℃程
度に保ったままスピンコータなどで基板に塗布し、均一
な膜となし、150℃程度で約30分間プリベーク、3
00℃程度で約90分間のポストベークを行なうことに
よって、膜中に残留するN−メチルピロリドンを蒸発さ
せ、ポリアミック酸の分子鎖中に含まれる水素基と水酸
基を反応させて水となし、分子鎖から脱離させることに
よってこの発明の一実施例のレーザ加工用ポリイミド樹
脂を得る。この時かかるポリイミド樹脂にはアントラセ
ンが細かく分散されているため、各波長に対する吸収係
数は著しく増大するため高光吸収型のポリイミド樹脂と
なる。このようにして作製した高光吸収型ポリイミド樹
脂の波長530nmにおける吸収係数は、約2000c
m−1で、従来のポリイミド樹脂10の約500cmー
1に比し4倍となった。これによりレーザ加工に必要な
レーザエネルギー密度は小さくなるため、例えばYAG
第2高調波により数J/cm2必要だった加工が、数百
mJ/cm2程度で可能となり、深さ方向に制御性のあ
る周辺に熱損傷のない加工が可能となった。また波長2
48nmの例えばKrFエキシマレーザによる径10〜
20μm程度の穴明け加工において、従来先細の穴しか
得られなかったものが非常に異方性を持つものとなり、
高アスペクト比化が可能となった。この発明の実施例に
おいてアントラセンはポリアミック酸の重量に対して1
0%程度で十分効果は期待できるが、分散可能であれば
増大させてもよく、仕様によっては減少させてもよく、
3〜30%程度が好ましい。3%未満では効果が得難く
、30%を越えると分散が困難になる。
0%程度の芳香族多環物であるアントラセンを、予め8
0℃程度に加熱した溶媒のN−メチルピロリドンに混入
し、十分攪拌した後に予め80℃程度に加熱したポリイ
ミド前駆体に混合する。ポリイミド前駆体としては、R
1が図6中のNo.1に示した酸無水物の骨格、R2が
図7中のNo.1に示したジアミンの骨格であるポリア
ミック酸溶液である。しかる後にこの混合物を80℃程
度に保ったままスピンコータなどで基板に塗布し、均一
な膜となし、150℃程度で約30分間プリベーク、3
00℃程度で約90分間のポストベークを行なうことに
よって、膜中に残留するN−メチルピロリドンを蒸発さ
せ、ポリアミック酸の分子鎖中に含まれる水素基と水酸
基を反応させて水となし、分子鎖から脱離させることに
よってこの発明の一実施例のレーザ加工用ポリイミド樹
脂を得る。この時かかるポリイミド樹脂にはアントラセ
ンが細かく分散されているため、各波長に対する吸収係
数は著しく増大するため高光吸収型のポリイミド樹脂と
なる。このようにして作製した高光吸収型ポリイミド樹
脂の波長530nmにおける吸収係数は、約2000c
m−1で、従来のポリイミド樹脂10の約500cmー
1に比し4倍となった。これによりレーザ加工に必要な
レーザエネルギー密度は小さくなるため、例えばYAG
第2高調波により数J/cm2必要だった加工が、数百
mJ/cm2程度で可能となり、深さ方向に制御性のあ
る周辺に熱損傷のない加工が可能となった。また波長2
48nmの例えばKrFエキシマレーザによる径10〜
20μm程度の穴明け加工において、従来先細の穴しか
得られなかったものが非常に異方性を持つものとなり、
高アスペクト比化が可能となった。この発明の実施例に
おいてアントラセンはポリアミック酸の重量に対して1
0%程度で十分効果は期待できるが、分散可能であれば
増大させてもよく、仕様によっては減少させてもよく、
3〜30%程度が好ましい。3%未満では効果が得難く
、30%を越えると分散が困難になる。
【0016】図2(a)および(b)は各々上記この発
明の実施例のレーザ加工用ポリイミド樹脂を用いたレー
ザ加工の際の加工穴の断面図および加工穴の深さ方向の
レーザエネルギー密度分布を示す特性図であり、図3(
a)および(b)は各々従来のポリイミド樹脂を用いて
レーザ加工した際の加工穴の断面図および加工穴の深さ
方向のレーザエネルギー密度分布を示す特性図である。 図中Erは加工に最低必要なレーザエネルギー密度、E
iは与えたレーザエネルギー密度である。上記のように
して作製したこの発明の実施例のレーザ加工用ポリイミ
ド樹脂1にレーザを照射すると、著しく吸収が増大する
ため、図3に示す従来のポリイミド樹脂11に比べ、レ
ーザエネルギーは極表層で吸収される。このため加工単
位の小さな制御性の良い加工が可能となる。したがって
高アスペクト比化が可能になるとともに、レーザエネル
ギーに空間分布がある場合においても加工穴7が先細に
なる影響が小さい。またこのときポリイミド樹脂に残留
する熱量が小さくなるとともに、繰り返し照射による蓄
熱などの影響も小さくなるため、穴径が周辺に広がり大
きくなることもない。
明の実施例のレーザ加工用ポリイミド樹脂を用いたレー
ザ加工の際の加工穴の断面図および加工穴の深さ方向の
レーザエネルギー密度分布を示す特性図であり、図3(
a)および(b)は各々従来のポリイミド樹脂を用いて
レーザ加工した際の加工穴の断面図および加工穴の深さ
方向のレーザエネルギー密度分布を示す特性図である。 図中Erは加工に最低必要なレーザエネルギー密度、E
iは与えたレーザエネルギー密度である。上記のように
して作製したこの発明の実施例のレーザ加工用ポリイミ
ド樹脂1にレーザを照射すると、著しく吸収が増大する
ため、図3に示す従来のポリイミド樹脂11に比べ、レ
ーザエネルギーは極表層で吸収される。このため加工単
位の小さな制御性の良い加工が可能となる。したがって
高アスペクト比化が可能になるとともに、レーザエネル
ギーに空間分布がある場合においても加工穴7が先細に
なる影響が小さい。またこのときポリイミド樹脂に残留
する熱量が小さくなるとともに、繰り返し照射による蓄
熱などの影響も小さくなるため、穴径が周辺に広がり大
きくなることもない。
【0017】この発明に係わるポリイミド樹脂に分散さ
せる芳香族多環物としては、ポリイミド樹脂の他の特性
を損なわず目的の波長の光吸収を増大させるものであれ
ばよく、例えば図8に示すような芳香族多環物があり、
一般に環数が大きい程効果は大きい。また図8以外の例
としてフタロシアニン、ペナントレン、デカシクレン、
フェナントロリン、ペリレン、ポルフィリン、カルバゾ
ールなどの化合物であってもよい。また、例えばクマリ
ン系色素などの色素であってもよい。これらの置換基の
一部を反応基で置換し、分子に極性をもたせたものは溶
媒に溶け易いためさらに好ましい。
せる芳香族多環物としては、ポリイミド樹脂の他の特性
を損なわず目的の波長の光吸収を増大させるものであれ
ばよく、例えば図8に示すような芳香族多環物があり、
一般に環数が大きい程効果は大きい。また図8以外の例
としてフタロシアニン、ペナントレン、デカシクレン、
フェナントロリン、ペリレン、ポルフィリン、カルバゾ
ールなどの化合物であってもよい。また、例えばクマリ
ン系色素などの色素であってもよい。これらの置換基の
一部を反応基で置換し、分子に極性をもたせたものは溶
媒に溶け易いためさらに好ましい。
【0018】上記実施例ではポリイミド前駆体溶液に芳
香族多環物を分散した後、加熱して固化してこの発明の
実施例のレーザ加工用ポリイミド樹脂を得たが、溶媒は
芳香族多環物を混入させる際に特に必要でない場合は用
いなくてもよい。また直接ポリイミド溶液を得ることが
できる系については、これに芳香族多環物を混入し分散
すればよい。溶媒を用いる場合も溶媒は特に限定するも
のでなく、例えば従来から使用されているN−メチルピ
ロリドンなどを用いればよい。加工穴は図に示した下地
材料まで達する穴に限定するものではなく、途中で止め
られたものであってもよい。さらにポリイミド樹脂以外
の高分子材料にこの発明を利用することもできる。
香族多環物を分散した後、加熱して固化してこの発明の
実施例のレーザ加工用ポリイミド樹脂を得たが、溶媒は
芳香族多環物を混入させる際に特に必要でない場合は用
いなくてもよい。また直接ポリイミド溶液を得ることが
できる系については、これに芳香族多環物を混入し分散
すればよい。溶媒を用いる場合も溶媒は特に限定するも
のでなく、例えば従来から使用されているN−メチルピ
ロリドンなどを用いればよい。加工穴は図に示した下地
材料まで達する穴に限定するものではなく、途中で止め
られたものであってもよい。さらにポリイミド樹脂以外
の高分子材料にこの発明を利用することもできる。
【0019】
【発明の効果】以上のように、この発明は芳香族多環物
を分散したポリイミド樹脂から成るものを用いることに
より、比較的安価な長波長レーザを用いても微細、高ア
スペクト比、低損傷の加工ができるとともに、短波長の
レーザを用いた場合も従来以上の微細、高アスペクト比
、高品質加工をすることができるレーザ加工用ポリイミ
ド樹脂を得ることができる。
を分散したポリイミド樹脂から成るものを用いることに
より、比較的安価な長波長レーザを用いても微細、高ア
スペクト比、低損傷の加工ができるとともに、短波長の
レーザを用いた場合も従来以上の微細、高アスペクト比
、高品質加工をすることができるレーザ加工用ポリイミ
ド樹脂を得ることができる。
【図1】この発明の一実施例のレーザ加工用ポリイミド
樹脂を用いた工程図である。
樹脂を用いた工程図である。
【図2】この発明の実施例のレーザ加工用ポリイミド樹
脂を用いたレーザ加工の際の加工穴の断面図および加工
穴の深さ方向のレーザエネルギー密度分布を示す特性図
図である。
脂を用いたレーザ加工の際の加工穴の断面図および加工
穴の深さ方向のレーザエネルギー密度分布を示す特性図
図である。
【図3】従来のポリイミド樹脂を用いてレーザ加工した
際の加工穴の断面図および加工穴の深さ方向のレーザエ
ネルギー密度分布を示す特性図である。
際の加工穴の断面図および加工穴の深さ方向のレーザエ
ネルギー密度分布を示す特性図である。
【図4】従来のポリイミド樹脂の除去加工方法を工程順
に示す工程図である。
に示す工程図である。
【図5】従来のポリイミド樹脂の除去加工方法を工程順
に示す工程図である
に示す工程図である
【図6】ポリイミド樹脂を合成するのに用いる酸無水物
の例を示す図である。
の例を示す図である。
【図7】ポリイミド樹脂を合成するのに用いるジアミン
の例を示す図である。
の例を示す図である。
【図8】この発明に係わる芳香族多環物の例を示す図で
ある。
ある。
1 この発明の実施例のレーザ加工用ポリイミド樹脂
4 レーザ光 7 加工穴
4 レーザ光 7 加工穴
Claims (1)
- 【請求項1】 芳香族多環物を分散したポリイミド樹
脂から成るレーザ加工用ポリイミド樹脂。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3066409A JP2919106B2 (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | レーザ加工用ポリイミド樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3066409A JP2919106B2 (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | レーザ加工用ポリイミド樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04314757A true JPH04314757A (ja) | 1992-11-05 |
| JP2919106B2 JP2919106B2 (ja) | 1999-07-12 |
Family
ID=13314970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3066409A Expired - Fee Related JP2919106B2 (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | レーザ加工用ポリイミド樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2919106B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7057687B2 (en) | 2001-03-30 | 2006-06-06 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Method of patterning cholesteric film using a laser and optical element having the cholesteric film patterned by the method |
| JP2011084637A (ja) * | 2009-10-15 | 2011-04-28 | Asahi Kasei E-Materials Corp | ポリイミド樹脂組成物、及びポリイミド金属積層板 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61192737A (ja) * | 1985-02-05 | 1986-08-27 | チバ・ガイギー・アクチエンゲゼルシヤフト | 顔料系のレーザーによるマーキング法 |
| JPS6247045A (ja) * | 1985-08-20 | 1987-02-28 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | ポリイミド組成物およびパタ−ンを有する膜の形成法 |
| JPS63142030A (ja) * | 1986-12-05 | 1988-06-14 | Toray Ind Inc | ポリイミド前駆体組成物およびその使用方法 |
| JPH0463870A (ja) * | 1990-07-03 | 1992-02-28 | Ube Ind Ltd | 黒色光硬化性ポリマー組成物及び黒色の光硬化膜の形成方法 |
| JPH04189865A (ja) * | 1990-11-22 | 1992-07-08 | Toho Rayon Co Ltd | 機能性複合体及びその製造法 |
-
1991
- 1991-03-29 JP JP3066409A patent/JP2919106B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61192737A (ja) * | 1985-02-05 | 1986-08-27 | チバ・ガイギー・アクチエンゲゼルシヤフト | 顔料系のレーザーによるマーキング法 |
| JPS6247045A (ja) * | 1985-08-20 | 1987-02-28 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | ポリイミド組成物およびパタ−ンを有する膜の形成法 |
| JPS63142030A (ja) * | 1986-12-05 | 1988-06-14 | Toray Ind Inc | ポリイミド前駆体組成物およびその使用方法 |
| JPH0463870A (ja) * | 1990-07-03 | 1992-02-28 | Ube Ind Ltd | 黒色光硬化性ポリマー組成物及び黒色の光硬化膜の形成方法 |
| JPH04189865A (ja) * | 1990-11-22 | 1992-07-08 | Toho Rayon Co Ltd | 機能性複合体及びその製造法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7057687B2 (en) | 2001-03-30 | 2006-06-06 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Method of patterning cholesteric film using a laser and optical element having the cholesteric film patterned by the method |
| JP2011084637A (ja) * | 2009-10-15 | 2011-04-28 | Asahi Kasei E-Materials Corp | ポリイミド樹脂組成物、及びポリイミド金属積層板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2919106B2 (ja) | 1999-07-12 |
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