JPH04315435A - メッキパターン形成方法 - Google Patents
メッキパターン形成方法Info
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- JPH04315435A JPH04315435A JP8258591A JP8258591A JPH04315435A JP H04315435 A JPH04315435 A JP H04315435A JP 8258591 A JP8258591 A JP 8258591A JP 8258591 A JP8258591 A JP 8258591A JP H04315435 A JPH04315435 A JP H04315435A
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- wafer
- plating
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- negative resist
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はメッキパターン形成方法
に関し、特に半導体表面にバンプ（突起電極）パターン
を金メッキにて形成する方法に関する。
に関し、特に半導体表面にバンプ（突起電極）パターン
を金メッキにて形成する方法に関する。
【０００２】近年の半導体装置は、高集積化及び多ピン
化に加えて実装の省面積化が要求されており、このよう
な省面積化のために、例えば、フリップチップ実装（Ｉ
Ｃチップにバンプを設け、このバンプとプリント基板に
設けられた電極とを接続する実装方法）やＴＡＢ（ｔａ
ｐｅ ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ） （ＩＣ
チップにバンプを設け、このバンプとプリント基板にフ
ィルム形成されたインナーリードとを接続する実装方法
）などの技術が必要とされている。これに伴い、半導体
表面にバンプパターンを金メッキなどで形成する技術が
必要となってきている。
化に加えて実装の省面積化が要求されており、このよう
な省面積化のために、例えば、フリップチップ実装（Ｉ
Ｃチップにバンプを設け、このバンプとプリント基板に
設けられた電極とを接続する実装方法）やＴＡＢ（ｔａ
ｐｅ ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ） （ＩＣ
チップにバンプを設け、このバンプとプリント基板にフ
ィルム形成されたインナーリードとを接続する実装方法
）などの技術が必要とされている。これに伴い、半導体
表面にバンプパターンを金メッキなどで形成する技術が
必要となってきている。
【０００３】
【従来の技術】図５は一般の噴流式中メッキ装置の概略
図を示す。メッキを行なう前の準備として、ウェハ１の
表面１ａにはメッキ電極層となる例えばＡｕ及びＴｉ、
又はＰｄ及びＴｉなどの二重層がスパッタリングなどに
よって被着推積（Ａｕ又はＰｄが１０００Å、Ｔｉが１
００Å）され、更にその表面にネガレジストが約３０μ
ｍの厚さに塗布されており、更に、バンプ形成領域のネ
ガレジストがアライナーズ露光され、現像されてバンプ
形成部分のみ開口されている。このようなウェハ１を表
面１ａを下向きにしてメッキカップ２のコンタクト電極
３に設置し、対向電極４との間に電流を流しつつ、金メ
ッキ液を噴流してウェハ表面１ａのバンプ形成部分（開
口部）に金を推積する。
図を示す。メッキを行なう前の準備として、ウェハ１の
表面１ａにはメッキ電極層となる例えばＡｕ及びＴｉ、
又はＰｄ及びＴｉなどの二重層がスパッタリングなどに
よって被着推積（Ａｕ又はＰｄが１０００Å、Ｔｉが１
００Å）され、更にその表面にネガレジストが約３０μ
ｍの厚さに塗布されており、更に、バンプ形成領域のネ
ガレジストがアライナーズ露光され、現像されてバンプ
形成部分のみ開口されている。このようなウェハ１を表
面１ａを下向きにしてメッキカップ２のコンタクト電極
３に設置し、対向電極４との間に電流を流しつつ、金メ
ッキ液を噴流してウェハ表面１ａのバンプ形成部分（開
口部）に金を推積する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、メッキ
を行なう前の準備としてメッキ電極層の表面にネガレジ
ストを塗布し、これを露光、現像する工程があるが、従
来はネガレジストをウェハ表面１ａにのみ塗布するだけ
であるため、又はネガレジストをウェハエッジに回り込
むようにして塗布しても露光、現像をウェハ表面１ａに
のみ行なうだけでウェハエッジに対して行なわないため
、現像後においては、図６（Ａ）に示す如く、ネガレジ
スト５はウェハ１の表面１ａにのみ形成されるだけで、
エッジ１ｂには形成されない。このため、エッジ１ｂに
は先に被着したメッキ電極層（図示せず）が露出するこ
とになり、この状態でメッキを行なうと、エッジ１ｂが
金メッキ液に触れ、図６（Ｂ）に示す如く、この部分に
金６が成長してしまう。
を行なう前の準備としてメッキ電極層の表面にネガレジ
ストを塗布し、これを露光、現像する工程があるが、従
来はネガレジストをウェハ表面１ａにのみ塗布するだけ
であるため、又はネガレジストをウェハエッジに回り込
むようにして塗布しても露光、現像をウェハ表面１ａに
のみ行なうだけでウェハエッジに対して行なわないため
、現像後においては、図６（Ａ）に示す如く、ネガレジ
スト５はウェハ１の表面１ａにのみ形成されるだけで、
エッジ１ｂには形成されない。このため、エッジ１ｂに
は先に被着したメッキ電極層（図示せず）が露出するこ
とになり、この状態でメッキを行なうと、エッジ１ｂが
金メッキ液に触れ、図６（Ｂ）に示す如く、この部分に
金６が成長してしまう。
【０００５】このように、エッジ１ｂに金６が成長した
状態で後工程において裏面研削を行なうと、金６が脱落
してグラインダのブレードに付着していわゆるブレード
目づまりを生じ、研削能率が大幅に低下するばかりでな
く、ウェハ裏面の研削面が荒れててまい、最悪の場合に
は深い溝を生じてウェハが割れてしまう等、信頼度が低
下する問題点があった。
状態で後工程において裏面研削を行なうと、金６が脱落
してグラインダのブレードに付着していわゆるブレード
目づまりを生じ、研削能率が大幅に低下するばかりでな
く、ウェハ裏面の研削面が荒れててまい、最悪の場合に
は深い溝を生じてウェハが割れてしまう等、信頼度が低
下する問題点があった。
【０００６】本発明は、ウェハエッジに金属を成長しな
いようにし、後工程での研削能率を高くでき、かつ、信
頼度の高い、ウェハを製造できるメッキパターン形成方
法を提供することを目的とする。
いようにし、後工程での研削能率を高くでき、かつ、信
頼度の高い、ウェハを製造できるメッキパターン形成方
法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記問題点は、メッキを
行なう前、ウェハのエッジに、メッキ液付着防止のため
のレジストを塗布する工程を含むことを特徴とするメッ
キパターンの形成方法にて解決される。
行なう前、ウェハのエッジに、メッキ液付着防止のため
のレジストを塗布する工程を含むことを特徴とするメッ
キパターンの形成方法にて解決される。
【０００８】
【作用】エッジレジストが塗布されているので、金メッ
キの際にこの部分に金が成長することはなく、メッキパ
ターン形成部分のみに金を成長させることができる。
キの際にこの部分に金が成長することはなく、メッキパ
ターン形成部分のみに金を成長させることができる。
【０００９】
【実施例】図１は本発明の第１実施例の製造工程図を示
す。同図（Ａ）に示す如く、例えばＡｕ及びＴｉ（Ａｕ
は１０００Å、Ｔｉは１００Å）のメッキ電極層（図示
せず）を被着推積されたウェハ１０の表面１０ａ及びエ
ッジ１０ｂにネガレジスト１１を塗布する。この場合、
ネガレジスト１１の粘度は１０００ｃｐであり、スピン
コータを用い、例えば５００ｒｐｍの高速回転と１００
ｒｐｍの低速回転とを併用してネガレジスト１１をエッ
ジ１０ｂの裏面側にまで十分回り込ませる。なお、ネガ
レジスト１１をエッジ１０ｂの裏面側にまでより十分に
塗布形成せしめるには、上記の方法にてネガレジスト１
１を塗布し、乾燥した後、ここに更に例えばＭＥＫ（メ
チルエチルケトン）又はキシレン等を数％含んだ有機溶
剤を塗布する。この有機溶剤は、ネガレジスト１１を溶
触したり、その性質を変えたりしないものを選ぶことが
望ましい。この有機溶剤を塗布することによってネガレ
ジスト１１がその表面から溶かし出され、ネガレジスト
１１はこの有機溶剤に運ばれてエッジ１０ｂの裏面側に
まで十分回り込む。このとき、有機溶剤の粘性は非常に
低いため、ネガレジスト１１はエッジ１０ｂの裏面側に
より回り込み易くなる。又、ウェハ裏面には非常に薄い
層が形成されるだけであるので、アラインメント時のウ
ェハ平行性が損なわれることはない。
す。同図（Ａ）に示す如く、例えばＡｕ及びＴｉ（Ａｕ
は１０００Å、Ｔｉは１００Å）のメッキ電極層（図示
せず）を被着推積されたウェハ１０の表面１０ａ及びエ
ッジ１０ｂにネガレジスト１１を塗布する。この場合、
ネガレジスト１１の粘度は１０００ｃｐであり、スピン
コータを用い、例えば５００ｒｐｍの高速回転と１００
ｒｐｍの低速回転とを併用してネガレジスト１１をエッ
ジ１０ｂの裏面側にまで十分回り込ませる。なお、ネガ
レジスト１１をエッジ１０ｂの裏面側にまでより十分に
塗布形成せしめるには、上記の方法にてネガレジスト１
１を塗布し、乾燥した後、ここに更に例えばＭＥＫ（メ
チルエチルケトン）又はキシレン等を数％含んだ有機溶
剤を塗布する。この有機溶剤は、ネガレジスト１１を溶
触したり、その性質を変えたりしないものを選ぶことが
望ましい。この有機溶剤を塗布することによってネガレ
ジスト１１がその表面から溶かし出され、ネガレジスト
１１はこの有機溶剤に運ばれてエッジ１０ｂの裏面側に
まで十分回り込む。このとき、有機溶剤の粘性は非常に
低いため、ネガレジスト１１はエッジ１０ｂの裏面側に
より回り込み易くなる。又、ウェハ裏面には非常に薄い
層が形成されるだけであるので、アラインメント時のウ
ェハ平行性が損なわれることはない。
【００１０】この有機溶剤は、上記のＭＥＫの他に、ア
セトン、ＭＩＢＫ（メチルイソブチルトケン）などでも
よく、その他にもネガレジストに対して若干の溶触性を
もつ有機溶剤、又はそれらの混合物でもよい。
セトン、ＭＩＢＫ（メチルイソブチルトケン）などでも
よく、その他にもネガレジストに対して若干の溶触性を
もつ有機溶剤、又はそれらの混合物でもよい。
【００１１】又、ネガレジスト１１を塗布する装置とし
ては、前述のスピンコータの他に、図２に示す両面レジ
スト塗布装置を用いてもよい。回転するウェハ１０の中
央上方に上側ノズル２０ａを、ウェハ１０のエッジ１０
ｂの裏面側に下側ノズル２０ｂを夫々設け、上側ノズル
２０ａによって表面１０ａに、下側ノズル２０ｂによっ
てエッジ１０ｂの裏面側にネガレジスト１１を塗布する
。このようにすれば、有機溶剤を用いないでもネガレジ
スト１１をエッジ１０ｂの裏面側にまで十分回り込ませ
ることができる。
ては、前述のスピンコータの他に、図２に示す両面レジ
スト塗布装置を用いてもよい。回転するウェハ１０の中
央上方に上側ノズル２０ａを、ウェハ１０のエッジ１０
ｂの裏面側に下側ノズル２０ｂを夫々設け、上側ノズル
２０ａによって表面１０ａに、下側ノズル２０ｂによっ
てエッジ１０ｂの裏面側にネガレジスト１１を塗布する
。このようにすれば、有機溶剤を用いないでもネガレジ
スト１１をエッジ１０ｂの裏面側にまで十分回り込ませ
ることができる。
【００１２】このように、ネガレジスト１１を塗布した
後、図１（Ｂ）に示す如く、ウェハ１０の表面側及び裏
面側から光を照射し、エッジ１０ｂを露光する。この露
光用いられる露光装置としては、例えば図３（Ａ）に示
す如く、回転するウェハ１０のエッジ１０ｂの上下に夫
々設けられた光源１２ａ，１２ｂからエッジ１０ｂ部分
のネガレジスト１１に光を照射するものや、図３（Ｂ）
に示す如く、回転するウェハ１０のエッジ１０ｂの上方
に設けられた光源１２ａからエッジ１０ｂ部分のネガレ
ジスト１１の表面側に光を直接照射し、この光をエッジ
１０ｂの下方に設けられた反射鏡１３で反射させてエッ
ジ１０ｂ部分のネガレジスト１１の裏面側に照射するも
の等が考えられる。エッジ１０ｂ部分のネガレジスト１
１に対する露光により、この部分は次工程での現像液に
溶解せず、残ることになる。なお、このような露光工程
に前後して、バンプ形成領域Ａのネガレジスト１１にも
必要なメッキパターンに対する露光（バンプ形成領域開
口）を行なうことは勿論である。
後、図１（Ｂ）に示す如く、ウェハ１０の表面側及び裏
面側から光を照射し、エッジ１０ｂを露光する。この露
光用いられる露光装置としては、例えば図３（Ａ）に示
す如く、回転するウェハ１０のエッジ１０ｂの上下に夫
々設けられた光源１２ａ，１２ｂからエッジ１０ｂ部分
のネガレジスト１１に光を照射するものや、図３（Ｂ）
に示す如く、回転するウェハ１０のエッジ１０ｂの上方
に設けられた光源１２ａからエッジ１０ｂ部分のネガレ
ジスト１１の表面側に光を直接照射し、この光をエッジ
１０ｂの下方に設けられた反射鏡１３で反射させてエッ
ジ１０ｂ部分のネガレジスト１１の裏面側に照射するも
の等が考えられる。エッジ１０ｂ部分のネガレジスト１
１に対する露光により、この部分は次工程での現像液に
溶解せず、残ることになる。なお、このような露光工程
に前後して、バンプ形成領域Ａのネガレジスト１１にも
必要なメッキパターンに対する露光（バンプ形成領域開
口）を行なうことは勿論である。
【００１３】続いて、現像を行なうと、図１に（Ｃ）に
示す如くエッジ１０ｂ及びバンプ形成領域Ａのバンプ形
成部分以外の部分にネガレジスト１１が残され、特に、
エッジ１０ｂにはネガレジスト１１が回り込んで残され
て下地のメッキ電極層は露出しない。この状態で図５に
示した方法で金メッキを行なうと、エッジ１０ｂにはネ
ガレジスト１１があるために金はこの部分には成長せず
、バンプ形成領域Ａのバンプ形成部分（開口部１０ｃ）
にのみ金を成長させる。このように、エッジ１０ｂ部分
に金が成長することはないので、後工程で裏面研削を行
なっても、従来例のようにエッジから金が脱落すること
はなく、これによりブレード目づまりを生じることはな
いので研削能率を低下させることはなく、又、ウェハ裏
面が荒れたり、ウェハが割れたりすることはないので信
頼性が低下することはない。
示す如くエッジ１０ｂ及びバンプ形成領域Ａのバンプ形
成部分以外の部分にネガレジスト１１が残され、特に、
エッジ１０ｂにはネガレジスト１１が回り込んで残され
て下地のメッキ電極層は露出しない。この状態で図５に
示した方法で金メッキを行なうと、エッジ１０ｂにはネ
ガレジスト１１があるために金はこの部分には成長せず
、バンプ形成領域Ａのバンプ形成部分（開口部１０ｃ）
にのみ金を成長させる。このように、エッジ１０ｂ部分
に金が成長することはないので、後工程で裏面研削を行
なっても、従来例のようにエッジから金が脱落すること
はなく、これによりブレード目づまりを生じることはな
いので研削能率を低下させることはなく、又、ウェハ裏
面が荒れたり、ウェハが割れたりすることはないので信
頼性が低下することはない。
【００１４】図４は本発明の第２実施例の製造工程図を
示す。
示す。
【００１５】同図（Ａ）に示す如く、メッキ電極層（図
示せず）を被着推積されたウェハ１０の表面１０ａ及び
エッジ１０ｂにポジレジスト１５を塗布する。この場合
、第１実施例と同様の方法（スピンコータは図２に示す
レジスト塗布装置による塗布）によってポジレジスト１
５をエッジ１０ｂの裏面側にまで十分回り込ませる。 次に、同図（Ｂ）に示す如く、バンプ形成領域Ａのポジ
レジスト１５を露光して除去し、現像し、エッジ１０ｂ
部分にのみポジレジスト１５を残す。
示せず）を被着推積されたウェハ１０の表面１０ａ及び
エッジ１０ｂにポジレジスト１５を塗布する。この場合
、第１実施例と同様の方法（スピンコータは図２に示す
レジスト塗布装置による塗布）によってポジレジスト１
５をエッジ１０ｂの裏面側にまで十分回り込ませる。 次に、同図（Ｂ）に示す如く、バンプ形成領域Ａのポジ
レジスト１５を露光して除去し、現像し、エッジ１０ｂ
部分にのみポジレジスト１５を残す。
【００１６】続いて、同図（Ｃ）に示す如く、ウェハ表
面１０ａにバンプ形成領域Ａが覆われる程度にネガレジ
スト１１を塗布し、必要なメッキパターン対して露光（
バンプ形成部分開口）を行なう。このとき、エッジ１０
ｂ部分のネガレジスト１１も除去されるが、ここにはポ
ジレジスト１５が塗布されているので何ら問題はない。
面１０ａにバンプ形成領域Ａが覆われる程度にネガレジ
スト１１を塗布し、必要なメッキパターン対して露光（
バンプ形成部分開口）を行なう。このとき、エッジ１０
ｂ部分のネガレジスト１１も除去されるが、ここにはポ
ジレジスト１５が塗布されているので何ら問題はない。
【００１７】次に、現像を行なうと、図４（Ｄ）に示す
如く、バンプ形成領域Ａのバンプ形成部分以外の部分に
ネガレジスト１１が残される。この状態で図５に示した
方法で金メッキを行なうと、エッジ１０ｂにはポジレジ
スト１５があるために金はこの部分には成長せず、バン
プ形成領域Ａのバンプ形成部分（開口部１０ｃ）にのみ
金を成長させることができる。従って、第１実施例と同
様に研削能率を低下させることはなく、又、信頼度も低
下させることはない。
如く、バンプ形成領域Ａのバンプ形成部分以外の部分に
ネガレジスト１１が残される。この状態で図５に示した
方法で金メッキを行なうと、エッジ１０ｂにはポジレジ
スト１５があるために金はこの部分には成長せず、バン
プ形成領域Ａのバンプ形成部分（開口部１０ｃ）にのみ
金を成長させることができる。従って、第１実施例と同
様に研削能率を低下させることはなく、又、信頼度も低
下させることはない。
【００１８】第２実施例は、エッジ１０ｂに塗布するレ
ジストにポジレジスト１５を用いているので、第１実施
例で用いた図３（Ａ），（Ｂ）に示す露光装置を使用す
る必要がなく、低コストにできる。
ジストにポジレジスト１５を用いているので、第１実施
例で用いた図３（Ａ），（Ｂ）に示す露光装置を使用す
る必要がなく、低コストにできる。
【００１９】なお、図４に示す第２実施例において、ネ
ガレジスト１１とポジレジスト１５とを逆にしても実現
できるが、この場合は図３（Ａ），（Ｂ）に示す露光装
置を用いてエッジ１０ｂ部分のネガレジスト１１を露光
する必要があることは言うまでもない。
ガレジスト１１とポジレジスト１５とを逆にしても実現
できるが、この場合は図３（Ａ），（Ｂ）に示す露光装
置を用いてエッジ１０ｂ部分のネガレジスト１１を露光
する必要があることは言うまでもない。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、メッキ前にウェハのエ
ッジにレジストを塗布するようにしているので、メッキ
の際にエッジに金属が成長することはなく、従って、後
工程で裏面研削を行なってもブレード目づまりを生じる
ことはないので従来例に比して研削能率を向上でき、又
、ウェハ裏面が荒れたり、割れたりすることはないので
従来例に比して信頼性を向上できる。
ッジにレジストを塗布するようにしているので、メッキ
の際にエッジに金属が成長することはなく、従って、後
工程で裏面研削を行なってもブレード目づまりを生じる
ことはないので従来例に比して研削能率を向上でき、又
、ウェハ裏面が荒れたり、割れたりすることはないので
従来例に比して信頼性を向上できる。
【図１】本発明の第１実施例の製造工程図である。
【図２】本発明で用いる両面レジスト塗布装置の構成図
である。
である。
【図３】本発明で用いるレジスト露光装置の構成図であ
る。
る。
【図４】本発明の第２実施例の製造工程図である。
【図５】一般の噴流式メッキ装置の概略図である。
【図６】従来例の問題点を説明する図である。
１０ ウェハ
１０ａ ウェハの表面
１０ｂ ウェハのエッジ
１０ｃ バンプ形成部分（開口部）
１１ ネガレジスト
１２ａ，１２ｂ 光源
１３ 反射鏡
１５ ポジレジスト
２０ａ，２０ｂ ノズル
Claims (3)
- 【請求項１】 ウェハ（１０）の表面（１０ａ）にメ
ッキパターンを形成する方法において、メッキを行なう
前、上記ウェハのエッジ（１０ｂ）に、メッキ液付着防
止のためのレジスト（１１又は１５）を塗布する工程を
含むことを特徴とするメッキパターン形成方法。 - 【請求項２】 ウェハ（１０）の表面（１０ａ）にメ
ッキパターンを形成する方法において、メッキを行なう
前、メッキパターン形成部分開口のためのネガレジスト
（１１）を上記ウェハの表面及びエッジ（１０ｂ）に塗
布する工程と、該メッキパターン形成部分開口のための
露光と前後して、該エッジに塗布されているネガレジス
トの表面側及び裏面側を露光し、これを現像してウェハ
（１０）の表面（１０ａ）のみにレジストの開口部を形
成する工程とを含むことを特徴とするメッキパターン形
成方法。 - 【請求項３】 ウェハ（１０）の表面（１０ａ）にメ
ッキパターンを形成する方法において、メッキを行なう
前、上記ウェハ（１０）の表面（１０ａ）及びエッジ（
１０ｂ）にポジレジスト（１５）を塗布する工程と、該
ポジレジスト（１５）を露光して上記ウェハ（１０）の
表面（１０ａ）のみにレジストの開口部を形成する工程
と、少なくともメッキパターン形成領域（Ａ）にネガレ
ジスト（１１）を塗布してこれをメッキパターン形成部
分開口のために露光し、これを現像してメッキパターン
を形成する工程とを含むことを特徴とするメッキパター
ン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8258591A JPH04315435A (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | メッキパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8258591A JPH04315435A (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | メッキパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04315435A true JPH04315435A (ja) | 1992-11-06 |
Family
ID=13778558
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8258591A Withdrawn JPH04315435A (ja) | 1991-04-15 | 1991-04-15 | メッキパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04315435A (ja) |
-
1991
- 1991-04-15 JP JP8258591A patent/JPH04315435A/ja not_active Withdrawn
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