JPH02298036A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH02298036A JPH02298036A JP11980389A JP11980389A JPH02298036A JP H02298036 A JPH02298036 A JP H02298036A JP 11980389 A JP11980389 A JP 11980389A JP 11980389 A JP11980389 A JP 11980389A JP H02298036 A JPH02298036 A JP H02298036A
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Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に半導体ウェ
ーハにバンプを形成し、かつ裏面の研削を行なう工程を
有する半導体装置の製造方法に関する。
ーハにバンプを形成し、かつ裏面の研削を行なう工程を
有する半導体装置の製造方法に関する。
従来よりＬＳＩの実装密度を上げる方法としてＴＡＢ
（テープ・オートメーテツド・ボンディング）方式が有
り、半導体ウェーハ（以下単につ工−ハという）にバン
プを形成する工程と、裏面を研削する工程を有している
。
（テープ・オートメーテツド・ボンディング）方式が有
り、半導体ウェーハ（以下単につ工−ハという）にバン
プを形成する工程と、裏面を研削する工程を有している
。
従来の半導体装置の製造方法において、バンプの形成の
ためのめつき工程でウェーハの裏面周辺に金や銅の電極
金属がまわり込んで付いてしまい、刃物等で削っても柔
かい為完全には除去できず後工程の裏面研削にて、残っ
ている金属により研削ブレードが目詰りしウェーハの割
れる事故が時折発生していた。又裏面を削る量の多いも
の（ウェーハ径や研削量の大きいもの）程割れの発生率
が高くなっていた。第１図に研削量と割れ発生率の関係
をＯ印で示す。
ためのめつき工程でウェーハの裏面周辺に金や銅の電極
金属がまわり込んで付いてしまい、刃物等で削っても柔
かい為完全には除去できず後工程の裏面研削にて、残っ
ている金属により研削ブレードが目詰りしウェーハの割
れる事故が時折発生していた。又裏面を削る量の多いも
の（ウェーハ径や研削量の大きいもの）程割れの発生率
が高くなっていた。第１図に研削量と割れ発生率の関係
をＯ印で示す。
（課題を解決するための手段〕
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体ウェーハの表
面にバンプを形成するためのめっき用のマスクを設ける
工程と、前記マスク形成の前又は後に前記半導体ウェー
ハの周辺部に樹脂を塗布したのちにめっき法によりバン
プを形成する工程と、前記半導体ウェーハの裏面を研削
する工程とを含むというものである。
面にバンプを形成するためのめっき用のマスクを設ける
工程と、前記マスク形成の前又は後に前記半導体ウェー
ハの周辺部に樹脂を塗布したのちにめっき法によりバン
プを形成する工程と、前記半導体ウェーハの裏面を研削
する工程とを含むというものである。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
半導体素子の活性領域を作り込んだウェーハの表面にホ
トレジストを塗布し、所定パターンを露光し、現像する
ことによりバンプを形成するためのマスクを形成する。
トレジストを塗布し、所定パターンを露光し、現像する
ことによりバンプを形成するためのマスクを形成する。
次に、第２図（ａ）に示すように、直径５インチのウェ
ーハ１をスピンナ２に吸着させて回転させ、ウェーハ１
の側面からホトレジストや電子ビーム用１／リストなど
の樹脂を浸出させるはけ４によりウェーハ周辺部約５龍
に塗布し、厚さ５〜６μｍの樹脂膜３′を形成する。あ
るいは、第２図（ｂ）に示すように、ウェーハ１を真空
吸着したスピンナ２をウェーハ１が垂直になる様９０°
回転させた後樹脂３を溜めた皿５にウェーハ１．を周辺
部が約５市浸かる様にして、スピンナ２を回転させて塗
布してもよい。
ーハ１をスピンナ２に吸着させて回転させ、ウェーハ１
の側面からホトレジストや電子ビーム用１／リストなど
の樹脂を浸出させるはけ４によりウェーハ周辺部約５龍
に塗布し、厚さ５〜６μｍの樹脂膜３′を形成する。あ
るいは、第２図（ｂ）に示すように、ウェーハ１を真空
吸着したスピンナ２をウェーハ１が垂直になる様９０°
回転させた後樹脂３を溜めた皿５にウェーハ１．を周辺
部が約５市浸かる様にして、スピンナ２を回転させて塗
布してもよい。
後工程において、第３図（ａ）に示すように、噴流式め
っき法によりバンプを形成する。筒６の先端の爪７にウ
ェーハ１を表面を下にして置き、下方からめっき液８が
吹き出しウェーハ１．の表面にかかる様にするがウェー
ハ１の周辺部に形成した樹脂膜３′によりウェーハ１の
裏面及び側面にめっき液８のかかるのが防止される。あ
るいは、第３図（ｂ）に示すように、ディップ式めっき
法によってもよい、吸着板９にウェーハ１を真空吸着し
めっき液８の中に浸漬するが、樹脂膜３′により吸着板
９にウェーハ１が密着している為、ウェーハ１の裏面及
び側面にめっきはされない。
っき法によりバンプを形成する。筒６の先端の爪７にウ
ェーハ１を表面を下にして置き、下方からめっき液８が
吹き出しウェーハ１．の表面にかかる様にするがウェー
ハ１の周辺部に形成した樹脂膜３′によりウェーハ１の
裏面及び側面にめっき液８のかかるのが防止される。あ
るいは、第３図（ｂ）に示すように、ディップ式めっき
法によってもよい、吸着板９にウェーハ１を真空吸着し
めっき液８の中に浸漬するが、樹脂膜３′により吸着板
９にウェーハ１が密着している為、ウェーハ１の裏面及
び側面にめっきはされない。
次に、ウェーハの裏面研削く研削量は４００μｍ）を行
なう、ウェーハの裏面にはめっきされないので研削ブレ
ードの目詰りもなく、第１図にＸ印で示したように、ウ
ェーハ割れ発生率は著しく少なくなる。
なう、ウェーハの裏面にはめっきされないので研削ブレ
ードの目詰りもなく、第１図にＸ印で示したように、ウ
ェーハ割れ発生率は著しく少なくなる。
なお、めっき用マスク形成のりソゲラフイエ程の前に、
先づ裏面全面に樹脂をスピンコードし、次に表面のみを
スピンナ上で溶剤で洗浄を行なって裏面をマスクしても
よい。そうすると、ウェーハの側面だけでなく、裏面全
体も樹脂膜におおわれる為、めっき防止が簡単であり又
、既存設備でできるという利点がある。
先づ裏面全面に樹脂をスピンコードし、次に表面のみを
スピンナ上で溶剤で洗浄を行なって裏面をマスクしても
よい。そうすると、ウェーハの側面だけでなく、裏面全
体も樹脂膜におおわれる為、めっき防止が簡単であり又
、既存設備でできるという利点がある。
以上説明した様に、本発明はバンプ形成時のめっきを行
う前に、ウェーハ周辺部に樹脂膜を形成する事によりウ
ェーハ裏面にめっきされる事を防止し、裏面研削工程の
割れを防止できる効果がある。
う前に、ウェーハ周辺部に樹脂膜を形成する事によりウ
ェーハ裏面にめっきされる事を防止し、裏面研削工程の
割れを防止できる効果がある。
図面の簡単な説明
第１図はウェーハ割れ発生率と研削量の関係を示す特性
図であり○印で従来の結果を、Ｘ印で本発明の結果を示
す。第２図（ａ）はウェーハを水平に保持して樹脂を塗
布する状態を示す図、第２図（ｂ）はウェーハを縦に保
持して樹脂を塗布する状態を示す図、第３図（ａ）は噴
流式めっき法を説明するための図、第３図（ｂ）はディ
ップ式めっき法を説明するための図である。
図であり○印で従来の結果を、Ｘ印で本発明の結果を示
す。第２図（ａ）はウェーハを水平に保持して樹脂を塗
布する状態を示す図、第２図（ｂ）はウェーハを縦に保
持して樹脂を塗布する状態を示す図、第３図（ａ）は噴
流式めっき法を説明するための図、第３図（ｂ）はディ
ップ式めっき法を説明するための図である。
１・・・ウェーハ、２・・・スピンナ、３・・・樹脂、
３′・・・樹脂膜、４・・・はけ、５・・・皿、６・・
・筒、７・・・爪、８・・・めっき液。
３′・・・樹脂膜、４・・・はけ、５・・・皿、６・・
・筒、７・・・爪、８・・・めっき液。
Claims (1)
- 半導体ウェーハの表面にバンプを形成するためのめっ
き用のマスクを設ける工程と、前記マスク形成の前又は
後に前記半導体ウェーハの周辺部に樹脂を塗布したのち
にめっき法によりバンプを形成する工程と、前記半導体
ウェーハの裏面を研削する工程とを含むことを特徴とす
る半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11980389A JPH02298036A (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11980389A JPH02298036A (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02298036A true JPH02298036A (ja) | 1990-12-10 |
Family
ID=14770612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11980389A Pending JPH02298036A (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02298036A (ja) |
-
1989
- 1989-05-12 JP JP11980389A patent/JPH02298036A/ja active Pending
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