JPH04137631A - バンプめっき用レジスト形成方法 - Google Patents
バンプめっき用レジスト形成方法Info
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- JPH04137631A JPH04137631A JP25932690A JP25932690A JPH04137631A JP H04137631 A JPH04137631 A JP H04137631A JP 25932690 A JP25932690 A JP 25932690A JP 25932690 A JP25932690 A JP 25932690A JP H04137631 A JPH04137631 A JP H04137631A
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- wafer
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- outer edge
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- Pending
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＩＣウェハーのバンブめっき方法に関するもの
である。
である。
本発明は、バンプめっきを行うためのウェハーのレジス
ト形成方法において、ウェハ外周側面部に電極を施し、
その上にレジストが形成されないようにすることにより
、レジスト膜厚に左右されず、ウェハ外周側面部より安
定なコンタクトを確保し、バンプめっきを行おうという
ものである。
ト形成方法において、ウェハ外周側面部に電極を施し、
その上にレジストが形成されないようにすることにより
、レジスト膜厚に左右されず、ウェハ外周側面部より安
定なコンタクトを確保し、バンプめっきを行おうという
ものである。
Ｃ従来の技術〕
従来、バンプめっきは回路を形成したウェハ上に下地と
密着性のよいＣｒ等の金属層およびめっき性の良い金、
銅、ニッケル等の金属層からなる電極６を形成した後、
フォトレジストを形成し、露光、現像処理を行って、バ
ンプめっき部のフォトレジストを除去し、バンブめっき
を行うものであった・ このバンブめっきの際には、第２図に示すようなバンブ
めっき装置を使用し、コンタクトピンにてフォトレジス
トを突き破って電気的導通をとりめっきを行うのが一般
的であった。
密着性のよいＣｒ等の金属層およびめっき性の良い金、
銅、ニッケル等の金属層からなる電極６を形成した後、
フォトレジストを形成し、露光、現像処理を行って、バ
ンプめっき部のフォトレジストを除去し、バンブめっき
を行うものであった・ このバンブめっきの際には、第２図に示すようなバンブ
めっき装置を使用し、コンタクトピンにてフォトレジス
トを突き破って電気的導通をとりめっきを行うのが一般
的であった。
このようなバンブめっきは、従来数四レベルのレジスト
厚みを形成して行われていたため、前記めっき方法で問
題なくめっきが可能で、ウェハ上のレジスト構成にも特
に注意を払うの必要もなかった。
厚みを形成して行われていたため、前記めっき方法で問
題なくめっきが可能で、ウェハ上のレジスト構成にも特
に注意を払うの必要もなかった。
しかしながら、昨今の実装の高密度化にともない、バン
ブピンチも高密度化し、バンブめっきにおいてもレジス
ト膜厚を厚くし高密度なバンブめっきを行うことが多く
なっている。この際、従来のようなめっき方法を採用し
た場合、コンタクトピンにてフォトレジストを突き破っ
て電気的導通をとることが困難であり、安定なバンブめ
っきができなかった。
ブピンチも高密度化し、バンブめっきにおいてもレジス
ト膜厚を厚くし高密度なバンブめっきを行うことが多く
なっている。この際、従来のようなめっき方法を採用し
た場合、コンタクトピンにてフォトレジストを突き破っ
て電気的導通をとることが困難であり、安定なバンブめ
っきができなかった。
本発明は上記のような問題点を解決し、安定なバンブめ
っきを可能にする方法を提供しようというものである。
っきを可能にする方法を提供しようというものである。
バンブめっきを行うためのウェハーのレジスト形成方法
において、ウェハ外周側面部にめっき用電極を施し、こ
の部分にレジストが形成されないようにしたものである
。
において、ウェハ外周側面部にめっき用電極を施し、こ
の部分にレジストが形成されないようにしたものである
。
上記のようなレジスト形成方法とすることにより、ウェ
ハ外周側面部は常に電極６の上にレジストが形成されな
いようになり、そこから通電されて生成するバンブめっ
きの方法として、従来のウェハ表面のレジストをコンタ
クトビンにより突き破る荷電方法によるのではなく、ウ
ェハ外周側面部にコンタクト治具を設ける荷電方法によ
るめっき方法が可能になる。
ハ外周側面部は常に電極６の上にレジストが形成されな
いようになり、そこから通電されて生成するバンブめっ
きの方法として、従来のウェハ表面のレジストをコンタ
クトビンにより突き破る荷電方法によるのではなく、ウ
ェハ外周側面部にコンタクト治具を設ける荷電方法によ
るめっき方法が可能になる。
このような方法とすれば、厚膜のレジストでも常に安定
した電気的コンタクトが可能となり、従来の問題を解決
できる。
した電気的コンタクトが可能となり、従来の問題を解決
できる。
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明する。
実施例−１
回路を形成したウェハ上に下地と密着性のよいＣｒ等の
金属層およびめっき性の良い金、銅、ニッケル等の金属
層からなる電極６を施し、このとき廻り込みによりウェ
ハの外周側面に金属膜を形成する。
金属層およびめっき性の良い金、銅、ニッケル等の金属
層からなる電極６を施し、このとき廻り込みによりウェ
ハの外周側面に金属膜を形成する。
次にスピンコータを使用して、ウェハ裏面を強くバック
リンスすることにより外周側面部からフォトレジストを
排除するようにしながら、ウェハ主面にフォトレジスト
を１０〜３０−コーティングする。このようにすること
で、裏面、外周側面部にレジストのないレジストコート
ができる。この時のバンクリンス液、条件は、使用する
フォトレジストにより、適宜適当な溶剤、条件を選択す
る必要がある。
リンスすることにより外周側面部からフォトレジストを
排除するようにしながら、ウェハ主面にフォトレジスト
を１０〜３０−コーティングする。このようにすること
で、裏面、外周側面部にレジストのないレジストコート
ができる。この時のバンクリンス液、条件は、使用する
フォトレジストにより、適宜適当な溶剤、条件を選択す
る必要がある。
このようなウェハにバンブめっきのためのフォトマスク
により露光を行い、さらに現像処理を行って、ウェハ外
周側面部にレジストが形成されない構造のバンブめっき
用レジスト形成が完成する。
により露光を行い、さらに現像処理を行って、ウェハ外
周側面部にレジストが形成されない構造のバンブめっき
用レジスト形成が完成する。
これを第１図に示すような形でウェハ外周側面部からコ
ンタクトをとり、金、はんだ等のバンブめっきを行った
ところ、電気コンタクトの安定したバンブめっきが可能
であった。
ンタクトをとり、金、はんだ等のバンブめっきを行った
ところ、電気コンタクトの安定したバンブめっきが可能
であった。
またバンブめっき後、レジストＩＪｔｉｌ、下地と密着
性のよいＣｒ等の金属層およびめっき性の良い金、銅、
ニッケル等の金属層のエツチングを行い、バンブ形成を
終了したが、このバンブの品質も従来のバンブと比較し
ても十分な品質を有していた。
性のよいＣｒ等の金属層およびめっき性の良い金、銅、
ニッケル等の金属層のエツチングを行い、バンブ形成を
終了したが、このバンブの品質も従来のバンブと比較し
ても十分な品質を有していた。
実施例−２
回路を形成したウェハ上に下地と密着性のよいＣ「等の
金属層およびめっき性の良い金、銅、ニッケル等の金属
層からなる電８ｉ６を実施例１と同様に形成する。
金属層およびめっき性の良い金、銅、ニッケル等の金属
層からなる電８ｉ６を実施例１と同様に形成する。
次に、スピンコータを使用して、ポジタイプフォトレジ
ストを１０〜３０ａコーテイングする。
ストを１０〜３０ａコーテイングする。
このようなウェハにバンブめっきのためのフォトマスク
により露光を行い、次にウェハ外周露光機等を使用して
外周部に選択的な露光を行い、さらに現像処理を行って
、ウェハ外周部にレジストが形成されない構造のバンブ
めっき用レジスト形成が完成する。
により露光を行い、次にウェハ外周露光機等を使用して
外周部に選択的な露光を行い、さらに現像処理を行って
、ウェハ外周部にレジストが形成されない構造のバンブ
めっき用レジスト形成が完成する。
これに実施例１と同様にバンブめっきを行ったところ、
電気コンタクトも安定し、得られたバンブの品質も満足
すべきものであった。
電気コンタクトも安定し、得られたバンブの品質も満足
すべきものであった。
以上述べてきたように、本発明のレジスト形成方法によ
れば、ウェハ外周側面部から電気的コンタクトをとるバ
ンブめっきが可能となり、厚い膜のレジストでも安定し
た電気コンタクトがとれ、良好なバンプめっきができる
。
れば、ウェハ外周側面部から電気的コンタクトをとるバ
ンブめっきが可能となり、厚い膜のレジストでも安定し
た電気コンタクトがとれ、良好なバンプめっきができる
。
第１図は本発明のレジスト形成方法によるバンブめっき
を示す断面図、第２図は従来のバンプめっきの装置の断
面図、第３図は従来のバンプめっき方法を示す断面図で
ある。 ・・ウェハ ・・レジスト ・・コンタクト治具 ・・コンタクトピン 電極 めっき槽 めっき液流入口 以上
を示す断面図、第２図は従来のバンプめっきの装置の断
面図、第３図は従来のバンプめっき方法を示す断面図で
ある。 ・・ウェハ ・・レジスト ・・コンタクト治具 ・・コンタクトピン 電極 めっき槽 めっき液流入口 以上
Claims (1)
- バンプめっきを行うためのウェハーのレジスト形成方法
において、ウェハ外周側面部にバンプめっきのための電
極を施すとともに該側面部にはレジストが形成されない
ようにしたことを特徴とするバンプめっき用レジスト形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25932690A JPH04137631A (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | バンプめっき用レジスト形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25932690A JPH04137631A (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | バンプめっき用レジスト形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04137631A true JPH04137631A (ja) | 1992-05-12 |
Family
ID=17332537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25932690A Pending JPH04137631A (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | バンプめっき用レジスト形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04137631A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6638688B2 (en) * | 2000-11-30 | 2003-10-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Selective electroplating method employing annular edge ring cathode electrode contact |
-
1990
- 1990-09-28 JP JP25932690A patent/JPH04137631A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6638688B2 (en) * | 2000-11-30 | 2003-10-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Selective electroplating method employing annular edge ring cathode electrode contact |
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