JPH0431576B2 - - Google Patents
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- JPH0431576B2 JPH0431576B2 JP30937686A JP30937686A JPH0431576B2 JP H0431576 B2 JPH0431576 B2 JP H0431576B2 JP 30937686 A JP30937686 A JP 30937686A JP 30937686 A JP30937686 A JP 30937686A JP H0431576 B2 JPH0431576 B2 JP H0431576B2
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- layer
- charge
- electron
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
- G03G5/0528—Macromolecular bonding materials
- G03G5/0557—Macromolecular bonding materials obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsatured bonds
- G03G5/0575—Other polycondensates comprising nitrogen atoms with or without oxygen atoms in the main chain
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、導電層の表面に下引層を有し、その
上に感光層を積層した電子写真感光体に関する。 〔従来の技術〕 光導電性物質を感光材料として利用する電子写
真感光体において、光導電性物質としては、従
来、セレン、酸化亜鉛、酸化チタン、硫化カドミ
ウム等の無機系光導電性物質が主に用いられてき
た。しかし、これらの多くは一般に毒性が強く廃
棄する方法にも問題がある。 一方、有機光導電性化合物を使用した感光材料
は、無機系光導電性物質を使用する場合に比べ
て、一般に毒性が弱く、更に透明性、可とう性、
軽量性、表面平滑性、価格等の点において有利で
あるので最近広く研究されてきている。 その中で電荷の発生と輸送という機能を分離し
た複合型感光体、すなわち導電層の上に電荷発生
層と電荷輸送層を積層した感光体は、従来、有機
光導電性化合物を使用した感光体の大きな欠点で
あつた感度を大幅に向上させることができるため
近年急速な進展を遂げている。 しかしながら導電層の上に直接電荷発生層を設
けることにより、導電層上の傷や腐食といつた表
面欠陥をそのまま画像に反映し、いわゆる黒点や
白抜けなどの画像欠陥を発生しやすいという問題
がある。また導電層からの電荷の注入による表面
電荷の減少、すなわち帯電性の低下、あるいは導
電層と電荷発生層の密着性が劣るといつたいろい
ろな問題が発生しやすい。そこでこれらの問題を
改良する方策として従来から導電層と電荷発生層
の間に下引層を設けるという手法が検討されてい
る（特開昭57−90639号、特開昭58−86556号、特
開昭60−202449号、特開昭60−108860号）。 〔発明が解決しようとする問題点〕 下引層の検討にあたつては、画像欠陥がない
こと、帯電性が低下しないこと、電子写真特
性を低下させないこと、形成する方法が簡便な
こと、特に塗布法で形成する場合には塗工性が良
く、低温短時間の加熱条件で形成できること、
下引層の上に電荷発生層を積層する際に電荷発生
層用塗工液に侵されないこと、密着性が優れる
ことなどが必要条件となる。しかしながら従来の
検討ではこれらの全てを満足する下引層は見い出
せなかつた。 本発明は前記の要求を満足する下引層を設けた
電子写真感光体を提供することを目的とする。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は特定の下引層を設けることにより前記
の問題点を解決したものである。 すなわち本発明は、導電層の上に下引層、電荷
発生層及び電子供与性電荷輸送物質を含有する電
荷輸送層を順次積層してなる電子写真感光体にお
いて、下引層が、 (a) 数平均分子量1500以下でメラミン核１個当り
に結合ホルムアルデヒド数が２〜４個及びメチ
ロール基数が１〜２個であるブチルエーテル化
メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、 (b) 電子受容性カルボン酸化合物及び／又は電子
受容性ポリカルボン酸無水物 を成分として有する硬化皮膜中に(c)有機電荷発
生材料を含有してなる電子写真感光体に関す
る。 本発明になる電子写真感光体に用いられる材料
について以下に詳述する。 まず本発明において導電層とは、導電処理した
紙又はプラスチツクフイルム、アルミニウムのよ
うな金属箔を積層したプラスチツクフイルム、金
属板、金属ドラム等の導電体である。 電荷発生層に含まれる電荷を発生する有機顔料
としては、アゾキシベンゼン系、ジスアゾ系、ト
リスアゾ系、ベンズイミダゾール系、多環式キノ
リン系、インジゴイド系、キナクリドン系、フタ
ロシアニン系、ペリレン系、メチン系等の光照射
によつて電荷を発生することが知られている顔料
を使用できる。これらの顔料は、例えば、特開昭
47−37543号、特開昭47−37544号、特開昭47−
18543号、特開昭47−18544号、特開昭48−43942
号、特開昭48−70538号、特開昭49−1231号、特
開昭49−105536号、特開昭50−75214号、特開昭
50−92738号公報等に開示されている。特に特開
昭58−182640号公報及びヨーロツパ特許出願公開
第92255号公報に記載されているγ、γ′η及びη′型
無金属フタロシアニンは長波長にまで高感度を有
し、ダイオードレーザーを搭載したプリンター用
の電子写真感光体としても有効である。このよう
なもののほか光照射により電荷担体を発生する任
意の有機顔料を使用することができる。 また電荷発生層に、電子写真感光体に通常使用
される結合剤、可塑剤、流動性付与剤、ピンホー
ル抑制剤等の添加剤を必要に応じて用いることが
できる。結合剤としては、シリコーン樹脂、ポリ
アミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹
脂、エポキシ樹脂、ポリケトン樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリメタクリル
酸メチル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂等が挙げ
られる。また、熱及び／又は光硬化性樹脂も使用
できる。いずれにしても電機絶縁性で通常の状態
で皮膜を形成しうる樹脂であれば特に制限はな
い。電荷発生層中、結合剤は、前記有機顔料に対
して500重量％以下の量で使用する。500重量％を
超えると、電子写真特性が低下する。 可塑剤としてはハロゲン化パラフイン、ジメチ
ルナフタリン、ジブチルフタレート等が挙げられ
る。流動性付与剤としては、モダフロー（モンサ
ントケミカル社製）、アクロナール4F（バスフ社
製）等が挙げられ、ピンホール抑制剤としては、
ベンゾイン、ジメチルフタレート等が挙げられ
る。これらは、各々、前記有機顔料に対して５重
量％以下で使用するのが好ましい。 電荷輸送層に用いる電子供与性電荷輸送物質
は、正電荷担体（正孔）を搬送する機能を有する
ものであつて、具体的には、カルバゾール、３−
フエニルカルバゾール、２−フエニルインドー
ル、２−フエニルナフタリン、オキサジアゾー
ル、オキサトリアゾール、１−フエニル−３−
（４−ジエチルアミノスチリル）−５−（４−ジエ
チルアミノフエニル）ピラゾリン、２−フエニル
−４−（４−ジエチルアミノフエニル）−５−フエ
ニルオキサゾール、トリフエニルアミン、イミダ
ゾール等の低分子化合物、ポリ−Ｎ−ビニルカル
バゾール、ハロゲン化ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾ
ール、ポリビニルピレン、ポリビニルインドロキ
ノキサリン、ポリビニルベンゾチオフエン、ポリ
ビニルアントラセン、ポリビニルアクリジン、ポ
リビニルピラゾリン等の高分子化合物、これらの
誘導体等がある。 電荷輸送層にも電荷発生層と同様な結合剤、可
塑剤、流動性付与剤、ピンホール抑制剤等を必要
に応じて用いることができる。この中で結合剤は
電荷輸送物質に対し、電子写真特性が低下しない
ように400重量％以下が好ましく、低分子化合物
を用いるときはこれに対しては皮膜特性の関係上
50重量％以上が好ましい。その他の添加剤は、
各々、電荷輸送性物質に対して５重量％以下が好
ましい。 次に下引層について説明する。 本発明の下引層は、(a)特定のブチルエーテル化
メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、(b)電子受容性
カルボン酸化合物及び／又は電子受容性ポリカル
ボン酸無水物及び(c)有機電荷発生材料を含む塗膜
を加熱により硬化させて得ることができる。 本発明において用いられるブチルエーテル化メ
ラミン・ホルムアルデヒド樹脂の数平均分子量は
1500以下であり、数平均分子量が1500を越えると
反応性が低下する。また該樹脂はメラミン核１個
当り結合ホルムアルデヒドを２〜４個有する。４
個を越えると反応性が低下し、２個未満では該樹
脂の貯蔵安定性が悪くなり、硬化塗膜がもろくな
る。更に該樹脂はメラミン核１個あたりメチロー
ル基を１〜２個有するものである。メチロール基
の数が２個を越えると該樹脂の貯蔵安定性が劣
り、硬化塗膜がもろくなる。また１個未満では反
応性が劣る。 このようなブチルエーテル化メラミン・ホルム
アルデヒド樹脂は、メラミンをブタノールに溶解
し、これにホルムアルデヒドを滴下することによ
つて付加反応及びブチルエーテル化反応を行う方
法、或いはメラミン及びホルムアルデヒドをブタ
ノールに溶解させ、この溶液を加熱して付加反応
及びブチルエーテル化反応を行う方法によつて製
造できる。これらの方法において反応は硝酸、塩
酸、硫酸、燐酸、ｐ−トルエンスルホン酸等の酸
性触媒を添加し、酸性下、好ましくはpH3〜６で
行うのが好ましく、反応温度はブタノールの還流
温度、好ましくは約90〜100℃であるのが好まし
い。本発明においては、メラミン１モルに対して
ブタノール４〜５モル及びホルムアルデヒド３〜
７モルを使用して、前記の反応を実施するのが好
ましい。 本発明の下引層に用いられるブチルエーテル化
メラミン・ホルムアルデヒド樹脂は、従来のメラ
ミン樹脂に比べて低温硬化が可能になるため下引
層形成時に導電層の変形を防ぐことができる。 本発明は、さらに、電子受容性カルボン酸化合
物及び／又は電子受容性ポリカルボン酸無水物を
使用することにより、下記の特長を付加するもの
である。 (1) 電子受与性カルボン酸化合物及び／又は電子
受容性ポリカルボン酸無水物が硬化反応を促進
するので、より低温、短時間で硬化反応を完了
させることができる。この結果、導電層の変形
防止効果が更に向上し、作業工程も簡略され
る。 (2) 硬化反応が促進され、下引層が極めて強靱と
なるため、下引層に傷がつきにくくなり、それ
以降の工程での取り扱いが容易となる。また、
下引層の耐溶剤性が向上するため、下引層を侵
すことなく均一な電荷発生層を形成できる。 (3) カルボン酸及び酸無水物が電子受容性である
ため、この性質が下引層に導入される。この結
果として電荷発生層から下引層への電子の注入
が効率よく行なわれ、下引層を設けたことによ
る感度の低下及び光照射後の残留電位の増加を
小さくできる。 前記電子受容性カルボン酸化合物としては、カ
ルボキシル基を１個以上有する化合物で、電子受
容性を示す化合物であり、該化合物中に、ニトロ
基、ニトリル基、カルボニル基等の電子吸引基を
有していてもよい。具体的には、酪酸、吉草酸、
ヘプタン酸、アクリル酸、メタクリル酸、チグリ
ン酸、コハク酸、アジピン酸、グルタル酸、セバ
シン酸、ウンデカンニ酸、マレイン酸、グルタコ
ン酸、プロパン−１，２，３−トリカルボン酸、
ブタン−１，１，４−トリカルボン酸、ペンタン
−１，３，３，５−テトラカルボン酸、キノバ
酸、フエニルプロピオン酸、フエニル酢酸、安息
香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、
トリメリツト酸、ヘミメリツト酸、トリメシン
酸、メロフアン酸、ピロメリツト酸、ケイ皮酸、
シンナミリデン酸、ベンジルアクリル酸、α−フ
エニルクロトン酸、ベンザルプロピオン酸、ビフ
エニル−２−カルボン酸、ジフエン酸、α−ナフ
トエ酸、β−ナフトエ酸、ナフタリン−１，２−
ジカルボン酸、ナフタル酸、ナフタリン−１，
４，５−トリカルボン酸、ナフタリン−１，４，
５，８−テトラカルボン酸、アントラセン−１−
カルボン酸、アントラセン−１，９−ジカルボン
酸、アントラセン−２，３−ジカルボン酸、フエ
ナントレン−１−カルボン酸、フエナントレン−
９−カルボン酸、ジベンゾチオフエン−１−カル
ボン酸、チアナフテン−２，３−ジカルボン酸、
ペリレン−３，４，９，10−テトラカルボン酸、
３−ニトロヘプタン酸、２−ニトロアジピン酸、
４−ニトロ安息香酸、２，３−ジニトロ安息香
酸、２，４，６−トリニトロ安息香酸、３−ニト
ロフタル酸、４，６−ジニトロイソフタル酸、
２，６−ジニトロテレフタル酸、４−シアノ安息
香酸、４，６−ジシアノイソフタル酸、ベンゾフ
エノン−２，2′−ジカルボン酸、ベンゾフエノン
−２，４，2′，4′−テトラカルボン酸、４−ニト
ロ−２−ナフトエ酸、８−ニトロ−１−ナフトエ
酸、アントロン−９−カルボン酸、２−ニトロ−
アントラセン−１−カルボン酸、２−カルボキシ
−１，４−ベンゾキノン、ｐ−ベンゾキノイル酢
酸、５−カルボキシ−１，４−ナフトキノン、２
−ニトロ−５−カルボキシ−１，４−ナフトキノ
ン、１−カルボキシ−アントラキノン、２−カル
ボキシ−４，７−ジニトロフルオレノンなどがあ
る。 前記電子受容性ポリカルボン酸無水物とは、上
記電子受容性ガルボン酸化合物のうち、カルボキ
シル基を２個以上有するものの酸無水物であり、
具体的には、コハク酸無水物、グルタル酸無水
物、マレイン酸無水物、フタル酸無水物、トリメ
リツト酸無水物、ピロメリツト酸無水物、ナフタ
ル酸無水物、ナフタリン−１，４，５−トリカル
ボン酸無水物、ナフタリン−１，４，５，８−テ
トラカルボン酸無水物、アントラセン−２，３−
ジカルボン酸無水物、３−ニトロフタル酸無水物
などがある。 前記電子受容性カルボン酸化合物及び電子受容
性ポリカルボン酸無水物は、これらのうち１種以
上が使用され、その使用量は、前記ブチルエーテ
ル化メラミン・ホルムアルデヒド樹脂100重量部
に対し0.1〜400重量部が好ましく、特に１〜100
重量部が好ましい。この使用量が少なすぎると前
記特長を発揮しがたくなりやすく、多すぎると下
引層の耐湿性が低下する傾向がある。 本発明になる下引層には更に第３成分として有
機電荷発生材料を下引層中に0.01〜10重量％の範
囲内で含有する。この範囲内で有機電荷発生材料
を含有すると下引層の膜厚を厚くしても残留電位
の増加を抑制することができる。含有量が0.01重
量％未満では、残留電位抑制の効果が少なく、10
重量％を越えると帯電性が低下する傾向がある。
下引層に用いる有機電荷発生材料としては、前記
した電荷発生層に用いられる有機顔料が使用でき
る。 本発明における下引層には、更に、電荷発生層
及び電荷輸送層に用いてもよい流動性付与剤、ピ
ンホール抑制剤等の添加剤を含有させてもよい。 本発明に係わる電子写真感光体は、導電層の上
に下引層、電荷発生層及び電荷輸送層を順次積層
した構造を有する。 この電子写真感光体において、下引層の厚さは
0.1〜15μmが好ましく、特に0.5〜10μmが好まし
い。下引層が0.1μm未満では下引層を設けた効果
が少なく、15μmを越えると残留電位が増大する
傾向がある。 電荷発生層の厚さは0.001〜10μmが好ましく、
特に0.2〜5μmが好ましい。電荷発生層が0.001μm
未満では電子写真特性（特に感度）が劣る傾向に
あり、10μmを越えると帯電性が低下する傾向が
ある。 電荷輸送層の厚さは５〜50μmが好ましく、特
に８〜20μmが好ましい。5μm未満では初期電位
が低くなる傾向があり、50μmを越えると感度が
低下する傾向がある。 下引層を形成する方法として、前記したブチル
エーテル化メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、電
子受容性カルボン酸化合物及び／又は電子受容性
ポリカルボン酸無水物及び有機電荷発生材料、更
に必要に応じてその他の添加剤をアセトン、メチ
ルエチルケトン、テトラヒドロフラン、イソプロ
ピルアルコール、イソブチルアルコールなどの有
機溶剤に分散又は溶解した後、導電層の上に塗布
し加熱硬化して形成することができる。このとき
の加熱温度は90〜140℃が好ましい。 電荷発生層を形成する方法として、有機顔料の
みを用いる場合には、真空蒸着で行うこともでき
るが、有機顔料並びに場合により結合剤及び添加
剤をアセトン、メチルエチルケトン、テトラヒド
ロフラン、トルエン、キシレン、塩化メチレン、
トリクロルエタン等の溶剤に均一に溶解又は分散
させた後、塗布し乾燥して形成することもでき
る。 電荷輸送層を形成する場合には電荷輸送性物
質、結合剤及び場合により添加剤を前記の電荷発
生層の場合と同様な溶剤に均一に溶解した後、塗
布し乾燥して形成することができる。 本発明になる電子写真感光体は、更に電荷輸送
層のすぐ上に保護層を有していてもよい。 本発明になる電子写真感光体を用いて複写又は
印刷を行う場合には、従来と同様に表面に負帯
電、露光を施した後、現像を行い、普通紙等の被
転写物上に画像を転写し、定着すればよい。 〔実施例〕 次に、実施例に基づいて本発明を詳述するが、
本発明はこれに限定されるものではない。 以下の例中に用いる各材料を次に列記する。括
弧内には略号を示す。 (1) 下引層用材料 (A) ブチルエーテル化メラミン・ホルムアルデヒ
ド樹脂 （BMF） （BMF−１の合成） 攪拌機、還流冷却器、温度計を装着したフラス
コ中にメラミン126g、ｎ−ブタノール444g及び
61％硝酸水溶液0.2gを入れ、100℃に昇温した後、
パラホルムアルデヒド169gを30分間に６回に分
けて等間隔で添加し、その後還流温度で30分間反
応させ、水分を除去し、加熱残分が50％になるよ
うに脱溶剤を行つた。得られた樹脂溶液の粘度
は、カードナー（25℃）でＢであつた。 （BMF−２の合成） BMF−１の合成と同様の装置を用い、メラミ
ン126g、ｎ−ブタノール444g、61％硝酸水溶液
0.2g及びパラホムルアルデヒド169gを混合して仕
込み、100℃に昇温後、30分間反応させた。その
後、還流脱水を30分行い、水分を除去すると共
に、加熱残分が50％になるように脱溶剤を行つ
た。得られた樹脂溶液の粘度は、ガードナー（25
℃）でＣであつた。 （BMF−３の合成） BMF−１の合成と同様の装置を用い、パラホ
ルムアルデヒド217.5g、ｎ−ブタノール444g及び
メラミン126gを秤り取り、90〜100℃で30分間付
加反応を行つた。その後40〜45℃に冷却しフタル
酸0.1gを加え、酸性条件下で還流脱水及び脱溶を
行つた。この後、加熱残分が50％になるよう調整
した。このときの粘度は（ガードナー／25℃）Ｂ
であつた。 BMF−１、BMF−２及びBMF−３のメラミ
ン核１個当りの結合ホルムアルデヒド数、ブチル
エーテル基数及びメチロール基数並びに数平均分
子量を下記の表１に示す。 但し、結合ホルムアルデヒド数は、仕込み量と
亜硫酸ソーダ法による未反応ホルムアルデヒド量
の測定により求め、ブチルエーテル基数はブタノ
ールの仕込み量と内部標準液としてsec−ブチル
アルコールを使用したガスクロマトグラフイーに
よる未反応のブタノールの測定により求め、メチ
ロール基は、上記ブチルエーテル基数とNMRス
ペクトルから求めた。また、数平均分子量はゲル
透過クロマトグラフイーにより標準ポリスチレン
の検量線を利用して行つた。
上に感光層を積層した電子写真感光体に関する。 〔従来の技術〕 光導電性物質を感光材料として利用する電子写
真感光体において、光導電性物質としては、従
来、セレン、酸化亜鉛、酸化チタン、硫化カドミ
ウム等の無機系光導電性物質が主に用いられてき
た。しかし、これらの多くは一般に毒性が強く廃
棄する方法にも問題がある。 一方、有機光導電性化合物を使用した感光材料
は、無機系光導電性物質を使用する場合に比べ
て、一般に毒性が弱く、更に透明性、可とう性、
軽量性、表面平滑性、価格等の点において有利で
あるので最近広く研究されてきている。 その中で電荷の発生と輸送という機能を分離し
た複合型感光体、すなわち導電層の上に電荷発生
層と電荷輸送層を積層した感光体は、従来、有機
光導電性化合物を使用した感光体の大きな欠点で
あつた感度を大幅に向上させることができるため
近年急速な進展を遂げている。 しかしながら導電層の上に直接電荷発生層を設
けることにより、導電層上の傷や腐食といつた表
面欠陥をそのまま画像に反映し、いわゆる黒点や
白抜けなどの画像欠陥を発生しやすいという問題
がある。また導電層からの電荷の注入による表面
電荷の減少、すなわち帯電性の低下、あるいは導
電層と電荷発生層の密着性が劣るといつたいろい
ろな問題が発生しやすい。そこでこれらの問題を
改良する方策として従来から導電層と電荷発生層
の間に下引層を設けるという手法が検討されてい
る（特開昭57−90639号、特開昭58−86556号、特
開昭60−202449号、特開昭60−108860号）。 〔発明が解決しようとする問題点〕 下引層の検討にあたつては、画像欠陥がない
こと、帯電性が低下しないこと、電子写真特
性を低下させないこと、形成する方法が簡便な
こと、特に塗布法で形成する場合には塗工性が良
く、低温短時間の加熱条件で形成できること、
下引層の上に電荷発生層を積層する際に電荷発生
層用塗工液に侵されないこと、密着性が優れる
ことなどが必要条件となる。しかしながら従来の
検討ではこれらの全てを満足する下引層は見い出
せなかつた。 本発明は前記の要求を満足する下引層を設けた
電子写真感光体を提供することを目的とする。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は特定の下引層を設けることにより前記
の問題点を解決したものである。 すなわち本発明は、導電層の上に下引層、電荷
発生層及び電子供与性電荷輸送物質を含有する電
荷輸送層を順次積層してなる電子写真感光体にお
いて、下引層が、 (a) 数平均分子量1500以下でメラミン核１個当り
に結合ホルムアルデヒド数が２〜４個及びメチ
ロール基数が１〜２個であるブチルエーテル化
メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、 (b) 電子受容性カルボン酸化合物及び／又は電子
受容性ポリカルボン酸無水物 を成分として有する硬化皮膜中に(c)有機電荷発
生材料を含有してなる電子写真感光体に関す
る。 本発明になる電子写真感光体に用いられる材料
について以下に詳述する。 まず本発明において導電層とは、導電処理した
紙又はプラスチツクフイルム、アルミニウムのよ
うな金属箔を積層したプラスチツクフイルム、金
属板、金属ドラム等の導電体である。 電荷発生層に含まれる電荷を発生する有機顔料
としては、アゾキシベンゼン系、ジスアゾ系、ト
リスアゾ系、ベンズイミダゾール系、多環式キノ
リン系、インジゴイド系、キナクリドン系、フタ
ロシアニン系、ペリレン系、メチン系等の光照射
によつて電荷を発生することが知られている顔料
を使用できる。これらの顔料は、例えば、特開昭
47−37543号、特開昭47−37544号、特開昭47−
18543号、特開昭47−18544号、特開昭48−43942
号、特開昭48−70538号、特開昭49−1231号、特
開昭49−105536号、特開昭50−75214号、特開昭
50−92738号公報等に開示されている。特に特開
昭58−182640号公報及びヨーロツパ特許出願公開
第92255号公報に記載されているγ、γ′η及びη′型
無金属フタロシアニンは長波長にまで高感度を有
し、ダイオードレーザーを搭載したプリンター用
の電子写真感光体としても有効である。このよう
なもののほか光照射により電荷担体を発生する任
意の有機顔料を使用することができる。 また電荷発生層に、電子写真感光体に通常使用
される結合剤、可塑剤、流動性付与剤、ピンホー
ル抑制剤等の添加剤を必要に応じて用いることが
できる。結合剤としては、シリコーン樹脂、ポリ
アミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹
脂、エポキシ樹脂、ポリケトン樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリメタクリル
酸メチル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂等が挙げ
られる。また、熱及び／又は光硬化性樹脂も使用
できる。いずれにしても電機絶縁性で通常の状態
で皮膜を形成しうる樹脂であれば特に制限はな
い。電荷発生層中、結合剤は、前記有機顔料に対
して500重量％以下の量で使用する。500重量％を
超えると、電子写真特性が低下する。 可塑剤としてはハロゲン化パラフイン、ジメチ
ルナフタリン、ジブチルフタレート等が挙げられ
る。流動性付与剤としては、モダフロー（モンサ
ントケミカル社製）、アクロナール4F（バスフ社
製）等が挙げられ、ピンホール抑制剤としては、
ベンゾイン、ジメチルフタレート等が挙げられ
る。これらは、各々、前記有機顔料に対して５重
量％以下で使用するのが好ましい。 電荷輸送層に用いる電子供与性電荷輸送物質
は、正電荷担体（正孔）を搬送する機能を有する
ものであつて、具体的には、カルバゾール、３−
フエニルカルバゾール、２−フエニルインドー
ル、２−フエニルナフタリン、オキサジアゾー
ル、オキサトリアゾール、１−フエニル−３−
（４−ジエチルアミノスチリル）−５−（４−ジエ
チルアミノフエニル）ピラゾリン、２−フエニル
−４−（４−ジエチルアミノフエニル）−５−フエ
ニルオキサゾール、トリフエニルアミン、イミダ
ゾール等の低分子化合物、ポリ−Ｎ−ビニルカル
バゾール、ハロゲン化ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾ
ール、ポリビニルピレン、ポリビニルインドロキ
ノキサリン、ポリビニルベンゾチオフエン、ポリ
ビニルアントラセン、ポリビニルアクリジン、ポ
リビニルピラゾリン等の高分子化合物、これらの
誘導体等がある。 電荷輸送層にも電荷発生層と同様な結合剤、可
塑剤、流動性付与剤、ピンホール抑制剤等を必要
に応じて用いることができる。この中で結合剤は
電荷輸送物質に対し、電子写真特性が低下しない
ように400重量％以下が好ましく、低分子化合物
を用いるときはこれに対しては皮膜特性の関係上
50重量％以上が好ましい。その他の添加剤は、
各々、電荷輸送性物質に対して５重量％以下が好
ましい。 次に下引層について説明する。 本発明の下引層は、(a)特定のブチルエーテル化
メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、(b)電子受容性
カルボン酸化合物及び／又は電子受容性ポリカル
ボン酸無水物及び(c)有機電荷発生材料を含む塗膜
を加熱により硬化させて得ることができる。 本発明において用いられるブチルエーテル化メ
ラミン・ホルムアルデヒド樹脂の数平均分子量は
1500以下であり、数平均分子量が1500を越えると
反応性が低下する。また該樹脂はメラミン核１個
当り結合ホルムアルデヒドを２〜４個有する。４
個を越えると反応性が低下し、２個未満では該樹
脂の貯蔵安定性が悪くなり、硬化塗膜がもろくな
る。更に該樹脂はメラミン核１個あたりメチロー
ル基を１〜２個有するものである。メチロール基
の数が２個を越えると該樹脂の貯蔵安定性が劣
り、硬化塗膜がもろくなる。また１個未満では反
応性が劣る。 このようなブチルエーテル化メラミン・ホルム
アルデヒド樹脂は、メラミンをブタノールに溶解
し、これにホルムアルデヒドを滴下することによ
つて付加反応及びブチルエーテル化反応を行う方
法、或いはメラミン及びホルムアルデヒドをブタ
ノールに溶解させ、この溶液を加熱して付加反応
及びブチルエーテル化反応を行う方法によつて製
造できる。これらの方法において反応は硝酸、塩
酸、硫酸、燐酸、ｐ−トルエンスルホン酸等の酸
性触媒を添加し、酸性下、好ましくはpH3〜６で
行うのが好ましく、反応温度はブタノールの還流
温度、好ましくは約90〜100℃であるのが好まし
い。本発明においては、メラミン１モルに対して
ブタノール４〜５モル及びホルムアルデヒド３〜
７モルを使用して、前記の反応を実施するのが好
ましい。 本発明の下引層に用いられるブチルエーテル化
メラミン・ホルムアルデヒド樹脂は、従来のメラ
ミン樹脂に比べて低温硬化が可能になるため下引
層形成時に導電層の変形を防ぐことができる。 本発明は、さらに、電子受容性カルボン酸化合
物及び／又は電子受容性ポリカルボン酸無水物を
使用することにより、下記の特長を付加するもの
である。 (1) 電子受与性カルボン酸化合物及び／又は電子
受容性ポリカルボン酸無水物が硬化反応を促進
するので、より低温、短時間で硬化反応を完了
させることができる。この結果、導電層の変形
防止効果が更に向上し、作業工程も簡略され
る。 (2) 硬化反応が促進され、下引層が極めて強靱と
なるため、下引層に傷がつきにくくなり、それ
以降の工程での取り扱いが容易となる。また、
下引層の耐溶剤性が向上するため、下引層を侵
すことなく均一な電荷発生層を形成できる。 (3) カルボン酸及び酸無水物が電子受容性である
ため、この性質が下引層に導入される。この結
果として電荷発生層から下引層への電子の注入
が効率よく行なわれ、下引層を設けたことによ
る感度の低下及び光照射後の残留電位の増加を
小さくできる。 前記電子受容性カルボン酸化合物としては、カ
ルボキシル基を１個以上有する化合物で、電子受
容性を示す化合物であり、該化合物中に、ニトロ
基、ニトリル基、カルボニル基等の電子吸引基を
有していてもよい。具体的には、酪酸、吉草酸、
ヘプタン酸、アクリル酸、メタクリル酸、チグリ
ン酸、コハク酸、アジピン酸、グルタル酸、セバ
シン酸、ウンデカンニ酸、マレイン酸、グルタコ
ン酸、プロパン−１，２，３−トリカルボン酸、
ブタン−１，１，４−トリカルボン酸、ペンタン
−１，３，３，５−テトラカルボン酸、キノバ
酸、フエニルプロピオン酸、フエニル酢酸、安息
香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、
トリメリツト酸、ヘミメリツト酸、トリメシン
酸、メロフアン酸、ピロメリツト酸、ケイ皮酸、
シンナミリデン酸、ベンジルアクリル酸、α−フ
エニルクロトン酸、ベンザルプロピオン酸、ビフ
エニル−２−カルボン酸、ジフエン酸、α−ナフ
トエ酸、β−ナフトエ酸、ナフタリン−１，２−
ジカルボン酸、ナフタル酸、ナフタリン−１，
４，５−トリカルボン酸、ナフタリン−１，４，
５，８−テトラカルボン酸、アントラセン−１−
カルボン酸、アントラセン−１，９−ジカルボン
酸、アントラセン−２，３−ジカルボン酸、フエ
ナントレン−１−カルボン酸、フエナントレン−
９−カルボン酸、ジベンゾチオフエン−１−カル
ボン酸、チアナフテン−２，３−ジカルボン酸、
ペリレン−３，４，９，10−テトラカルボン酸、
３−ニトロヘプタン酸、２−ニトロアジピン酸、
４−ニトロ安息香酸、２，３−ジニトロ安息香
酸、２，４，６−トリニトロ安息香酸、３−ニト
ロフタル酸、４，６−ジニトロイソフタル酸、
２，６−ジニトロテレフタル酸、４−シアノ安息
香酸、４，６−ジシアノイソフタル酸、ベンゾフ
エノン−２，2′−ジカルボン酸、ベンゾフエノン
−２，４，2′，4′−テトラカルボン酸、４−ニト
ロ−２−ナフトエ酸、８−ニトロ−１−ナフトエ
酸、アントロン−９−カルボン酸、２−ニトロ−
アントラセン−１−カルボン酸、２−カルボキシ
−１，４−ベンゾキノン、ｐ−ベンゾキノイル酢
酸、５−カルボキシ−１，４−ナフトキノン、２
−ニトロ−５−カルボキシ−１，４−ナフトキノ
ン、１−カルボキシ−アントラキノン、２−カル
ボキシ−４，７−ジニトロフルオレノンなどがあ
る。 前記電子受容性ポリカルボン酸無水物とは、上
記電子受容性ガルボン酸化合物のうち、カルボキ
シル基を２個以上有するものの酸無水物であり、
具体的には、コハク酸無水物、グルタル酸無水
物、マレイン酸無水物、フタル酸無水物、トリメ
リツト酸無水物、ピロメリツト酸無水物、ナフタ
ル酸無水物、ナフタリン−１，４，５−トリカル
ボン酸無水物、ナフタリン−１，４，５，８−テ
トラカルボン酸無水物、アントラセン−２，３−
ジカルボン酸無水物、３−ニトロフタル酸無水物
などがある。 前記電子受容性カルボン酸化合物及び電子受容
性ポリカルボン酸無水物は、これらのうち１種以
上が使用され、その使用量は、前記ブチルエーテ
ル化メラミン・ホルムアルデヒド樹脂100重量部
に対し0.1〜400重量部が好ましく、特に１〜100
重量部が好ましい。この使用量が少なすぎると前
記特長を発揮しがたくなりやすく、多すぎると下
引層の耐湿性が低下する傾向がある。 本発明になる下引層には更に第３成分として有
機電荷発生材料を下引層中に0.01〜10重量％の範
囲内で含有する。この範囲内で有機電荷発生材料
を含有すると下引層の膜厚を厚くしても残留電位
の増加を抑制することができる。含有量が0.01重
量％未満では、残留電位抑制の効果が少なく、10
重量％を越えると帯電性が低下する傾向がある。
下引層に用いる有機電荷発生材料としては、前記
した電荷発生層に用いられる有機顔料が使用でき
る。 本発明における下引層には、更に、電荷発生層
及び電荷輸送層に用いてもよい流動性付与剤、ピ
ンホール抑制剤等の添加剤を含有させてもよい。 本発明に係わる電子写真感光体は、導電層の上
に下引層、電荷発生層及び電荷輸送層を順次積層
した構造を有する。 この電子写真感光体において、下引層の厚さは
0.1〜15μmが好ましく、特に0.5〜10μmが好まし
い。下引層が0.1μm未満では下引層を設けた効果
が少なく、15μmを越えると残留電位が増大する
傾向がある。 電荷発生層の厚さは0.001〜10μmが好ましく、
特に0.2〜5μmが好ましい。電荷発生層が0.001μm
未満では電子写真特性（特に感度）が劣る傾向に
あり、10μmを越えると帯電性が低下する傾向が
ある。 電荷輸送層の厚さは５〜50μmが好ましく、特
に８〜20μmが好ましい。5μm未満では初期電位
が低くなる傾向があり、50μmを越えると感度が
低下する傾向がある。 下引層を形成する方法として、前記したブチル
エーテル化メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、電
子受容性カルボン酸化合物及び／又は電子受容性
ポリカルボン酸無水物及び有機電荷発生材料、更
に必要に応じてその他の添加剤をアセトン、メチ
ルエチルケトン、テトラヒドロフラン、イソプロ
ピルアルコール、イソブチルアルコールなどの有
機溶剤に分散又は溶解した後、導電層の上に塗布
し加熱硬化して形成することができる。このとき
の加熱温度は90〜140℃が好ましい。 電荷発生層を形成する方法として、有機顔料の
みを用いる場合には、真空蒸着で行うこともでき
るが、有機顔料並びに場合により結合剤及び添加
剤をアセトン、メチルエチルケトン、テトラヒド
ロフラン、トルエン、キシレン、塩化メチレン、
トリクロルエタン等の溶剤に均一に溶解又は分散
させた後、塗布し乾燥して形成することもでき
る。 電荷輸送層を形成する場合には電荷輸送性物
質、結合剤及び場合により添加剤を前記の電荷発
生層の場合と同様な溶剤に均一に溶解した後、塗
布し乾燥して形成することができる。 本発明になる電子写真感光体は、更に電荷輸送
層のすぐ上に保護層を有していてもよい。 本発明になる電子写真感光体を用いて複写又は
印刷を行う場合には、従来と同様に表面に負帯
電、露光を施した後、現像を行い、普通紙等の被
転写物上に画像を転写し、定着すればよい。 〔実施例〕 次に、実施例に基づいて本発明を詳述するが、
本発明はこれに限定されるものではない。 以下の例中に用いる各材料を次に列記する。括
弧内には略号を示す。 (1) 下引層用材料 (A) ブチルエーテル化メラミン・ホルムアルデヒ
ド樹脂 （BMF） （BMF−１の合成） 攪拌機、還流冷却器、温度計を装着したフラス
コ中にメラミン126g、ｎ−ブタノール444g及び
61％硝酸水溶液0.2gを入れ、100℃に昇温した後、
パラホルムアルデヒド169gを30分間に６回に分
けて等間隔で添加し、その後還流温度で30分間反
応させ、水分を除去し、加熱残分が50％になるよ
うに脱溶剤を行つた。得られた樹脂溶液の粘度
は、カードナー（25℃）でＢであつた。 （BMF−２の合成） BMF−１の合成と同様の装置を用い、メラミ
ン126g、ｎ−ブタノール444g、61％硝酸水溶液
0.2g及びパラホムルアルデヒド169gを混合して仕
込み、100℃に昇温後、30分間反応させた。その
後、還流脱水を30分行い、水分を除去すると共
に、加熱残分が50％になるように脱溶剤を行つ
た。得られた樹脂溶液の粘度は、ガードナー（25
℃）でＣであつた。 （BMF−３の合成） BMF−１の合成と同様の装置を用い、パラホ
ルムアルデヒド217.5g、ｎ−ブタノール444g及び
メラミン126gを秤り取り、90〜100℃で30分間付
加反応を行つた。その後40〜45℃に冷却しフタル
酸0.1gを加え、酸性条件下で還流脱水及び脱溶を
行つた。この後、加熱残分が50％になるよう調整
した。このときの粘度は（ガードナー／25℃）Ｂ
であつた。 BMF−１、BMF−２及びBMF−３のメラミ
ン核１個当りの結合ホルムアルデヒド数、ブチル
エーテル基数及びメチロール基数並びに数平均分
子量を下記の表１に示す。 但し、結合ホルムアルデヒド数は、仕込み量と
亜硫酸ソーダ法による未反応ホルムアルデヒド量
の測定により求め、ブチルエーテル基数はブタノ
ールの仕込み量と内部標準液としてsec−ブチル
アルコールを使用したガスクロマトグラフイーに
よる未反応のブタノールの測定により求め、メチ
ロール基は、上記ブチルエーテル基数とNMRス
ペクトルから求めた。また、数平均分子量はゲル
透過クロマトグラフイーにより標準ポリスチレン
の検量線を利用して行つた。
【表】
(B) 電子受容性カルボン酸化合物又は電子受容性
ポリカルボン酸無水物 ・ ピロメリツト酸無水物 ・ ３−ニトロフタル酸 (C) 電荷を発生する有機顔料 γ型無金属フタロシアニン（γ−H2PC） (2) 電荷発生層に用いる有機顔料 γ型無金属フタロシアニン（γ−H2PC） (3) 電荷輸送物質 ２−（ｐ−ジメチルアミノ）フエニル−４−（ｐ
−ジメチルアミノフエニル−５−（Ｏ−クロフエ
ニル）−１，３−オキサゾール（OXZ） (4) 結合剤 (A) 電荷発生層用結合剤 シリコーンワニス：KR−255［信越化学工業(株)
商品名］ (B) 電荷輸送層用結合剤 ポリエステル樹脂：バイロン200［東洋紡績(株)商
品名］ 比較例 １ γ−H2PC2.0g、シリコーンワニス4.0g及びテ
トラヒドロフラン94gをボールミル（日本化学陶
業製３寸ポツトミル）を用いて８時間混練した。
得られた顔料分散液をアプリケーターにより表面
研摩していないアルミニウム板（厚さ0.1mm）上
に塗工し、100℃で15分間乾燥して厚さ約1.0μm
の電荷発生層を形成した。 次にOXZ5gとバイロン200 15gをテトラヒドロ
フラン140gに混合し、完全に溶解させた。得ら
れた溶液を前記の電荷発生層上にアプリケーター
により塗工し、90℃で20分乾燥して膜厚15μmの
電荷輸送層を形成した。 比較例 ２〜３ BMF−３ 20g（固形分10g）をテトラヒドロ
フランとイソブチルアルコール（重量比１対１）
の混合溶媒80gに溶解した。この溶液を比較例１
と同様の表面を研摩していないアルミニウム板上
にアプリケーターにより塗工し、厚さ1μmの下引
層を形成した。硬化条件を表２に示す。次にこの
下引層の上に比較例１で用いた電荷発生層用塗液
をアプリケーターで塗工したところ、下引層が侵
されて均一な電荷発生層を形成できなかつた。 比較例 ４〜５ BMF−１ 20g（固形分10g）をテトラヒドロ
フランとイソブチルアルコール（重量比１対１）
の混合溶媒80gに溶解した。この溶液を比較例１
と同様の表面を研摩していないアルミニウム板上
にアプリケーターにより塗工し厚さ1μmの下引層
を形成した。硬化条件を表２に示す。次にこの下
引層の上に比較例１で用いた電荷発生層用塗液を
アプリケーターで塗工したところ、下引層の硬化
条件が140℃、２時間のものでは（比較例５）、電
荷発生層はほぼ均一に塗工できたが、硬化条件が
110℃、１時間のものでは（比較例４）、均一な電
荷発生層は形成できなかつた。 比較例５のものは、電荷発生層の上に更に比較
例１と同様な方法で電荷輸送層を形成した。 比較例 ６〜７ BMF−１ 18g（固形分9g）、ピロメリト酸無
水物1gをイソブチルアルコール81gに溶解した。
この溶液を比較例１と同様の表面を研摩していな
いアルミニウム板上にアプリケーターにより塗工
し、105℃で１時間硬化した。膜厚を表２に示す。 この下引層の上に比較例１と同様な方法で約
1μmの電荷発生層と15μmの電荷輸送層を順次積
層した。この場合、電荷発生層は均一に形成でき
た。 実施例 １〜５ 表２に示す組成比率の下引層材料を重量比１対
１のテトラヒドロフランとイソブチルアルコール
の混合溶媒を固形分が10重量％になるように用い
て、ボールミルにより８時間混練し、この分散液
を比較例１と同様に表面を研摩していないアルミ
ニウム板上にアプリケーターにより塗工した。膜
厚及び硬化条件を表２に示す。 次にこの下引層の上に比較例１と同様な方法で
約1μmの電荷発生層と15μmの電荷輸送層を順次
積層した。この場合、電荷発生層は均一に形成で
きた。 比較例２〜７及び実施例１〜５で得られた下引
層の耐溶剤性を評価した。評価方法はアルミニウ
ム板上に各比較例及び各実施例における上記方
法、膜厚、硬化条件で形成した下引層をアルミニ
ウム板ごと電荷発生層用塗液の溶剤であるテトラ
ヒドロフラン中に５分間浸漬し、浸漬前後の重量
変化から下式により、テトラヒドロフラン中に溶
出した重量比率を測定した。結果を表２に示す。 溶出した重量比率＝
（浸漬後の下引層を形成したアルミニウム板の重量）−
（アルミニウム板単体の重量）／（浸漬前の下引層を形
成したアルミニウム板の重量）−（アルミニウム板単体
の重量） ×100（％） また、比較例１、比較例５〜７及び実施例１〜
５で得られた電子写真感光体の電子写真特性を静
電記録紙試験装置（川口電機製SP−428）を用い
て測定した。この結果を表２に示す。 なお、表中の初期電位VO（Ｖ）はダイナミツク
測定で負5kVのコロナを10秒間放電したときの帯
電電位を示し、暗減衰Vkはその後暗所において
30秒間放置したときの電位保持率を示し、E50は
10luxの白色光を照射し、電位が50％低下するに
要した光量値（lxs）を示す。残留電位VRは10lux
の白色光を30秒間照射した後の表面電位を示す。
繰り返し特性は、帯電10秒−露光５秒の工程を
300回繰り返した際の初期電位の低下率を示す。 さらに、比較例１、比較例５〜７及び実施例１
〜５で得られた電子写真感光体の密着性を試験し
た。密着性は、表面に予じめナイフで網目状に傷
を付けた上にセロテープを用いて剥離テストを行
つた。 更に比較例１、比較例５〜７及び実施例１〜５
の電子写真感光体を画像評価機を用いて画質の評
価を行つた。密着性及び画質評価の結果について
表３に示す。
ポリカルボン酸無水物 ・ ピロメリツト酸無水物 ・ ３−ニトロフタル酸 (C) 電荷を発生する有機顔料 γ型無金属フタロシアニン（γ−H2PC） (2) 電荷発生層に用いる有機顔料 γ型無金属フタロシアニン（γ−H2PC） (3) 電荷輸送物質 ２−（ｐ−ジメチルアミノ）フエニル−４−（ｐ
−ジメチルアミノフエニル−５−（Ｏ−クロフエ
ニル）−１，３−オキサゾール（OXZ） (4) 結合剤 (A) 電荷発生層用結合剤 シリコーンワニス：KR−255［信越化学工業(株)
商品名］ (B) 電荷輸送層用結合剤 ポリエステル樹脂：バイロン200［東洋紡績(株)商
品名］ 比較例 １ γ−H2PC2.0g、シリコーンワニス4.0g及びテ
トラヒドロフラン94gをボールミル（日本化学陶
業製３寸ポツトミル）を用いて８時間混練した。
得られた顔料分散液をアプリケーターにより表面
研摩していないアルミニウム板（厚さ0.1mm）上
に塗工し、100℃で15分間乾燥して厚さ約1.0μm
の電荷発生層を形成した。 次にOXZ5gとバイロン200 15gをテトラヒドロ
フラン140gに混合し、完全に溶解させた。得ら
れた溶液を前記の電荷発生層上にアプリケーター
により塗工し、90℃で20分乾燥して膜厚15μmの
電荷輸送層を形成した。 比較例 ２〜３ BMF−３ 20g（固形分10g）をテトラヒドロ
フランとイソブチルアルコール（重量比１対１）
の混合溶媒80gに溶解した。この溶液を比較例１
と同様の表面を研摩していないアルミニウム板上
にアプリケーターにより塗工し、厚さ1μmの下引
層を形成した。硬化条件を表２に示す。次にこの
下引層の上に比較例１で用いた電荷発生層用塗液
をアプリケーターで塗工したところ、下引層が侵
されて均一な電荷発生層を形成できなかつた。 比較例 ４〜５ BMF−１ 20g（固形分10g）をテトラヒドロ
フランとイソブチルアルコール（重量比１対１）
の混合溶媒80gに溶解した。この溶液を比較例１
と同様の表面を研摩していないアルミニウム板上
にアプリケーターにより塗工し厚さ1μmの下引層
を形成した。硬化条件を表２に示す。次にこの下
引層の上に比較例１で用いた電荷発生層用塗液を
アプリケーターで塗工したところ、下引層の硬化
条件が140℃、２時間のものでは（比較例５）、電
荷発生層はほぼ均一に塗工できたが、硬化条件が
110℃、１時間のものでは（比較例４）、均一な電
荷発生層は形成できなかつた。 比較例５のものは、電荷発生層の上に更に比較
例１と同様な方法で電荷輸送層を形成した。 比較例 ６〜７ BMF−１ 18g（固形分9g）、ピロメリト酸無
水物1gをイソブチルアルコール81gに溶解した。
この溶液を比較例１と同様の表面を研摩していな
いアルミニウム板上にアプリケーターにより塗工
し、105℃で１時間硬化した。膜厚を表２に示す。 この下引層の上に比較例１と同様な方法で約
1μmの電荷発生層と15μmの電荷輸送層を順次積
層した。この場合、電荷発生層は均一に形成でき
た。 実施例 １〜５ 表２に示す組成比率の下引層材料を重量比１対
１のテトラヒドロフランとイソブチルアルコール
の混合溶媒を固形分が10重量％になるように用い
て、ボールミルにより８時間混練し、この分散液
を比較例１と同様に表面を研摩していないアルミ
ニウム板上にアプリケーターにより塗工した。膜
厚及び硬化条件を表２に示す。 次にこの下引層の上に比較例１と同様な方法で
約1μmの電荷発生層と15μmの電荷輸送層を順次
積層した。この場合、電荷発生層は均一に形成で
きた。 比較例２〜７及び実施例１〜５で得られた下引
層の耐溶剤性を評価した。評価方法はアルミニウ
ム板上に各比較例及び各実施例における上記方
法、膜厚、硬化条件で形成した下引層をアルミニ
ウム板ごと電荷発生層用塗液の溶剤であるテトラ
ヒドロフラン中に５分間浸漬し、浸漬前後の重量
変化から下式により、テトラヒドロフラン中に溶
出した重量比率を測定した。結果を表２に示す。 溶出した重量比率＝
（浸漬後の下引層を形成したアルミニウム板の重量）−
（アルミニウム板単体の重量）／（浸漬前の下引層を形
成したアルミニウム板の重量）−（アルミニウム板単体
の重量） ×100（％） また、比較例１、比較例５〜７及び実施例１〜
５で得られた電子写真感光体の電子写真特性を静
電記録紙試験装置（川口電機製SP−428）を用い
て測定した。この結果を表２に示す。 なお、表中の初期電位VO（Ｖ）はダイナミツク
測定で負5kVのコロナを10秒間放電したときの帯
電電位を示し、暗減衰Vkはその後暗所において
30秒間放置したときの電位保持率を示し、E50は
10luxの白色光を照射し、電位が50％低下するに
要した光量値（lxs）を示す。残留電位VRは10lux
の白色光を30秒間照射した後の表面電位を示す。
繰り返し特性は、帯電10秒−露光５秒の工程を
300回繰り返した際の初期電位の低下率を示す。 さらに、比較例１、比較例５〜７及び実施例１
〜５で得られた電子写真感光体の密着性を試験し
た。密着性は、表面に予じめナイフで網目状に傷
を付けた上にセロテープを用いて剥離テストを行
つた。 更に比較例１、比較例５〜７及び実施例１〜５
の電子写真感光体を画像評価機を用いて画質の評
価を行つた。密着性及び画質評価の結果について
表３に示す。
【表】
本発明に係わる導電層と電荷発生層の間に特定
のブチルエーテル化メラミン・ホルムアルデヒド
樹脂、電子受容性カルボン酸化合物及び／又は電
子受容性ポリカルボン酸無水物を成分とする硬化
皮膜及び有機電荷発生材料を含有してなる下引層
を設けた電子写真感光体は、優れた電子写真特性
と良好な画像を提供し、繰り返し使用時の特性の
低下も少ない。
のブチルエーテル化メラミン・ホルムアルデヒド
樹脂、電子受容性カルボン酸化合物及び／又は電
子受容性ポリカルボン酸無水物を成分とする硬化
皮膜及び有機電荷発生材料を含有してなる下引層
を設けた電子写真感光体は、優れた電子写真特性
と良好な画像を提供し、繰り返し使用時の特性の
低下も少ない。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 導電層の上に下引層、電荷発生層及び電子供
与性電荷輸送物質を含有する電荷輸送層を順次積
層してなる電子写真感光体において、下引層が、 (a) 数平均分子量が1500以下で、メラミン核１個
当りに結合ホルムアルデヒド数が２〜４個及び
メチロール基数が１〜２個であるブチルエーテ
ル化メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、 (b) 電子受容性カルボン酸化合物及び／又は電子
受容性ポリカルボン酸無水物 を成分として有する硬化皮膜及び(c)有機電荷発
生材料を含有してなる電子写真感光体。 ２ 下引層に用いる有機電荷発生材料が下引層中
に0.01〜20重量％含有されてなる特許請求の範囲
第１項記載の電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30937686A JPS63167371A (ja) | 1986-12-29 | 1986-12-29 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30937686A JPS63167371A (ja) | 1986-12-29 | 1986-12-29 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63167371A JPS63167371A (ja) | 1988-07-11 |
| JPH0431576B2 true JPH0431576B2 (ja) | 1992-05-26 |
Family
ID=17992258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30937686A Granted JPS63167371A (ja) | 1986-12-29 | 1986-12-29 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63167371A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02146555A (ja) * | 1988-11-29 | 1990-06-05 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体 |
-
1986
- 1986-12-29 JP JP30937686A patent/JPS63167371A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63167371A (ja) | 1988-07-11 |
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