JPH04315932A - 温度せンサ - Google Patents

温度せンサ

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JPH04315932A
JPH04315932A JP8407891A JP8407891A JPH04315932A JP H04315932 A JPH04315932 A JP H04315932A JP 8407891 A JP8407891 A JP 8407891A JP 8407891 A JP8407891 A JP 8407891A JP H04315932 A JPH04315932 A JP H04315932A
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terminal
resistor
amplifier
power supply
bipolar transistor
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Yoshiaki Kitamura
義昭 北村
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NEC Engineering Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、温度せンサ回路に関し
、特に、半導体集積回路における温度せンサに関する。
【0002】
【従来の技術】温度を検出し、その変化を電圧の変化と
して出力する温度せンサ回路の従来例に、図2に示す回
路が知られている。図2において、従来の回路は、コレ
クタとベースが負電源に接続されたバイポーラトランジ
スタ1のエミッタは、定電流源4及びコレクタが負電源
に接続されたバイポーラトランジスタ2のベースに接続
され、バイポーラトランジスタ2のエミッタは定電流源
5及びバイポーラトランジスタ3のベースに接続され、
コレクタを負電源に接続されたバイポーラトランジスタ
3のエミッタは、定電流源6及び出力端子19に接続さ
れる回路構成となっていた。
【0003】従来の回路例である図2の出力端子19の
電圧は数1式、又、温度に対する出力端子19の電圧の
変化は数2式で表される。
【0004】
【数1】Vout=Vss+3×Vbe
【数2】   ここで、Voutは出力端子の電圧、dVout/
dTは温度に対する出力端子の電圧の変化、Vssは負
電源電圧、Vbeはバイポーラトランジスタのベースエ
ミッタ間電圧、dVbe/dTはベースエミッタ間電圧
Vbeの温度係数を表す。従来の温度せンサ回路では数
1式、数2式からわかるように出力端子19の電圧は、
負電源電圧Vssに対しベースエミッタ間電圧Vbe3
段分の電圧となり、温度係数はベースエミッタ間電圧V
beの温度係数の3倍となる回路構成となっていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の回路で
は、出力端子の電圧はバイポーラトランジスタのベース
エミッタ間電圧Vbeの3倍、温度係数についてもベー
スエミッタ間電圧Vbeの温度係数の3倍という制約が
あり、なおかつ負電源電圧Vssの変動の影響を大きく
受けるという欠点があった。
【0006】本発明は従来の上記実情に鑑みてなされた
ものであり、従って本発明の目的は、従来の技術に内在
する上記欠点を解消することを可能とした新規な温度せ
ンサ回路を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する為に
、本発明に係る温度せンサ回路は、ベースとコレクタを
負電源に接続した第1のバイポーラトランジスタのエミ
ッタは、コレクタを負電源に接続した第2のバイポーラ
トランジスタのベースと、正電源に接続した第1の定電
流源に接続し、該第2のバイポーラトランジスタのエミ
ッタは、コレクタを負電源に接続した第3のバイポーラ
トランジスタのベースと、正電源に接続した第2の定電
流源に接続し、該第3のバイポーラトランジスタのエミ
ッタは、正電源に接続した第3の定電流源と第1の増幅
器の正入力に接続し、該第1の増幅器の負入力は第1の
MOSトランジスタのソースと第1の抵抗器の第1の端
子に接続し、該第1の抵抗器の第2の端子は負電源に接
続し、前記第1のMOSトランジスタのゲートは前記第
1の増幅器の出力に接続し、ドレインは第2のMOSト
ランジスタのドレインとゲート及び第3のMOSトラン
ジスタのゲートに接続し、該第2及び第3のMOSトラ
ンジスタのソースはそれぞれ正電源に接続し、該第3の
MOSトランジスタのドレインは第2の抵抗器の第1の
端子と、第3の抵抗器の第1の端子及び第2の増幅器の
負入力にそれぞれ接続し、該第2の抵抗器の第2の端子
は基準電圧1の入力端子に接続し、前記第2の増幅器の
正入力は第2の基準電圧2の入力端子に接続し、出力は
前記第3の抵抗器の第2の端子及び出力端子に接続した
回路構成を有する。
【0008】
【実施例】次に、本発明をその好ましい一実施例につい
て図面を参照して具体的に説明する。
【0009】図1は本発明に係る温度せンサ回路の一実
施例を示す回路構成図である。
【0010】図1においてその回路構成を説明するに、
ベースとコレクタが負電源に接続されたバイポーラトラ
ンジスタ1のエミッタは、コレクタが負電源に接続され
たバイポーラトランジスタ2のベースと、正電源に接続
された定電流源4に接続されている。バイポーラトラン
ジスタ2のエミッタは、コレクタが負電源に接続された
バイポーラトランジスタ3のベースと、正電源に接続さ
れた定電流源5に接続されている。バイポーラトランジ
スタ3のエミッタは、正電流源に接続された定電流源6
と増幅器12の正入力に接続され、該増幅器12の負入
力はMOSトランジスタ9のソースと抵抗器14の第1
の端子に接続されている。抵抗器14の第2の端子は負
電源に接続され、MOSトランジスタ9のゲートは増幅
器12の出力に接続され、MOSトランジスタ9のドレ
インはMOSトランジスタ10のドレインとゲート及び
MOSトランジスタ11のゲートに接続されている。M
OSトランジスタ10及び11のソースはそれぞれ正電
源に接続され、該MOSトランジスタ11のドレインは
抵抗器15の第1の端子と、抵抗器16の第1の端子及
び増幅器13の負入力にそれぞれ接続されている。抵抗
器15の第2の端子は第1の基準電圧の入力端子17に
接続され、前記増幅器13の正入力は第2の基準電圧の
入力端子18に接続され、出力は抵抗器16の第2の端
子及び出力端子19に接続されている。
【0011】回路動作説明の為に、回路に流れる各電流
を求め式を用いて説明する。増幅器12とMOSトラン
ジスタ9及び抵抗器14は定電流回路を構成しており、
増幅器12の正入力には負電源8に対してバイポーラト
ランジスタのベースエミッタ電圧Vbe3段分の差電圧
が入力されている。又、増幅器12の負入力は仮想接地
の関係にある正入力と同電位になっており、負電源8と
負入力との間に接続された抵抗器14には常にベースエ
ミッタ電圧Vbe3段分の電圧がかかっている。
【0012】抵抗器14に流れる電流I0、抵抗器14
の抵抗値をR14とすると、電源I0は数3式で表され
る。数3式は抵抗器14に流れる電流が負電源8の変動
に影響されないことを表している。
【0013】 又、PチャネルMOSトランジスタ10とPチャネルM
OSトランジスタ11はカレントミラー接続されており
、PチャネルMOSトランジスタ10のトランジスタサ
イズをW10/L10、PチャネルMOSトランジスタ
11のトランジスタサイズをW11/L11とし、Pチ
ャネルMOSトランジスタ11に流れる電流をI1とす
ると、電流I1は数4式で表される。
【0014】
【数5】I1=I0 抵抗器15は第1の基準電圧の入力端子17と増幅器1
3の負入力に接続されている。反転増幅器を構成した増
幅器13の正入力と負入力は仮想接地の関係にあるため
に、負入力は正入力に入力した第2の基準電圧と同電圧
になっている。抵抗器15に流れる電流をI2、抵抗値
をR15、第1の基準電圧をVref1、第2の基準電
圧をVref2とすると、電流I2は数6式で表される
。
【0015】
【数6】   抵抗器16は出力端子19と増幅器13の負入力の
間に接続されており、抵抗器16に流れる電流をI3、
抵抗値をR16とすると、電流I3は数7式で表される
。
【0016】
【数7】   増幅器13の負入力の接点においてキルヒホッフの
法則を適用し、数3〜数7式を用いて出力端子19の電
圧Voutを求めると、Voutは数8式で与えられる
。
【0017】 又、温度の変化に対するVoutの変化は数9式で与え
られる。
【0018】
【数9】   以上数8式からわかるように、出力端子19の電圧
は抵抗器15の抵抗値、あるいは第1の基準電圧、又は
第2の基準電圧の電圧を任意の値に設定することにより
自由に設定できる。同様に出力端子19の温度係数につ
いても数9式からわかるように、抵抗器16、又は抵抗
器14の抵抗値を任意の値に設定することにより自由に
設定することができる。又、基準電圧は負電源8の変動
の影響を受けず数8、数9式に負電源電圧Vssの項が
ないことからも明らかであるように、出力端子19の電
圧は負電源8の変動の影響を受けない。
【0019】本発明の一実施例ではバイポーラトランジ
スタと定電流源の直列回路が3段縦続接続された場合に
ついてのものであるが、代わりに、バイポーラトランジ
スタと定電流源の直列回路が1段の場合、2段の場合、
あるいは3段以上でも同様に本発明を適用できることは
勿論である。
【0020】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の温度せン
サ回路によれば、出力端子の電圧及び温度係数がバイポ
ーラトランジスタのベースエミッタ電圧Vbe及び、V
beの温度係数によって制限を受けず自由に設定でき、
かつ負電源電圧Vssの変動による影響を受けないとい
う効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る温度せンサ回路の一実施例を示す
回路ブロック構成図である。
【図2】従来における温度せンサ回路の例を示す回路図
である。
【符号の説明】
1〜3…バイポーラトランジスタ 4〜6…定電流源 7…正電源 8…負電源 9〜11…MOSトランジスタ 12、13…増幅器 14〜16…抵抗器 17…第1の基準電圧の入力端子 18…第2の基準電圧の入力端子 19…出力端子

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  ベースとコレクタが負電源に接続され
    エミッタが、正電源に接続された第1の定電流源に接続
    された第1のバイポーラトランジスタと、正入力と負入
    力を備えた第1の増幅器とを有し、該第1の増幅器の負
    入力は第1のNチャネルMOSトランジスタのソースと
    第1の抵抗器の第1の端子に接続され、該第1の抵抗器
    の第2の端子は負電源に接続され、前記第1のNチャネ
    ルMOSトランジスタのゲートは前記第1の増幅器の出
    力に接続され、ドレインは第2のPチャネルMOSトラ
    ンジスタのドレインとゲート及び、第3のPチャネルM
    OSトランジスタのゲートに接続され、該第2及び第3
    のPチャネルMOSトランジスタのソースはそれぞれ正
    電源に接続され、前記第3のPチャネルMOSトランジ
    スタのドレインは、第2の抵抗器の第1の端子と第3の
    抵抗器の第1の端子及び第2の増幅器の負入力にそれぞ
    れ接続され、前記第2の抵抗器の第2の端子は第1の基
    準電圧の入力端子に接続され、前記第2の増幅器の正入
    力は第2の基準電圧の入力端子に接続され、出力は前記
    第3の抵抗器の第2の端子及び出力端子に接続され、コ
    レクタが負電源に接続されたバイポーラトランジスタの
    エミッタと正電源との間に定電流源が接続されベースが
    前段のバイポーラトランジスタのエミッタに接続された
    回路が前記第1のバイポーラトランジスタのエミッタと
    前記第1の増幅器の正入力との間に少なくとも1回路接
    続されたことを特徴とする温度せンサ回路。
  2. 【請求項2】  ベースとコレクタが負電源に接続され
    た第1のバイポーラトランジスタのエミッタは、コレク
    タが負電源に接続された第2のバイポーラトランジスタ
    のベースと、正電源に接続された第1の定電流源に接続
    され、前記第2のバイポーラトランジスタのエミッタは
    、コレクタが負電源に接続された第3のバイポーラトラ
    ンジスタのベースと、正電源に接続された第2の定電流
    源に接続され、前記第3のバイポーラトランジスタのエ
    ミッタは、正電源に接続された第3の定電流源と第1の
    増幅器の正入力に接続され、該第1の増幅器の負入力は
    第1のNチャネルMOSトランジスタのソースと第1の
    抵抗器の第1の端子に接続され、該第1の抵抗器の第2
    の端子は負電源に接続され、前記第1のNチャネルMO
    Sトランジスタのゲートは前記第1の増幅器の出力に接
    続され、ドレインは第2のPチャネルMOSトランジス
    タのドレインとゲート及び、第3のPチャネルMOSト
    ランジスタのゲートに接続され、該第2及び第3のPチ
    ャネルMOSトランジスタのソースはそれぞれ正電源に
    接続され、前記第3のPチャネルMOSトランジスタの
    ドレインは、第2の抵抗器の第1の端子と第3の抵抗器
    の第1の端子及び第2の増幅器の負入力にそれぞれ接続
    され、前記第2の抵抗器の第2の端子は第1の基準電圧
    の入力端子に接続され、前記第2の増幅器の正入力は第
    2の基準電圧の入力端子に接続され、出力は前記第3の
    抵抗器の第2の端子及び出力端子に接続された回路構成
    を特徴とする温度せンサ回路。
  3. 【請求項3】  前記第2のバイポーラトランジスタと
    前記第2の定電流源の直列回路と、前記第3のバイポー
    ラトランジスタと前記第3の定電流源の直列回路を除去
    し、前記第1のバイポーラトランジスタのエミッタを前
    記第1の増幅器の前記正入力に接続したことを更に特徴
    とする請求項2に記載の温度せンサ回路。
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