JPH04318942A - ワイヤボンディング方法 - Google Patents

ワイヤボンディング方法

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JPH04318942A
JPH04318942A JP3085637A JP8563791A JPH04318942A JP H04318942 A JPH04318942 A JP H04318942A JP 3085637 A JP3085637 A JP 3085637A JP 8563791 A JP8563791 A JP 8563791A JP H04318942 A JPH04318942 A JP H04318942A
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JP
Japan
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bonding
capillary
inner lead
wire
coated
Prior art date
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Pending
Application number
JP3085637A
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English (en)
Inventor
Takumi Matsukura
松倉　巧
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造工程に
おいて半導体素子の電極パッドとリードフレームのイン
ナーリードとを被覆ワイヤで接続するワイヤボンディグ
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子の電極パッドとインナ
ーリードとを金属ワイヤで接続するワイヤボンディング
は次のように行なわれていた。すなわち、図５及び図６
の工程図（ａ）〜（ｄ）に示すように、まず図（ａ）に
おいてキャピラリー１から突出させた金属ワイヤ２の先
端に、電気スパーク等によりボール３を形成させた後、
キャピラリー１を下降させ、図（ｂ）のようにボール３
を半導体素子４上の電極パッド５に押しつけ、第１ボン
ディングを行なう。次に、キャピラリー１を上昇させて
、インナーリード６の所定の位置へ移動させる。その後
、図（ｃ）のように再びキャピラリー１を下降させて金
属ワイヤ２をインナーリード６に押圧し、第２ボンディ
ングを行なう。次に図（ｄ）のようにクランプ７を閉じ
て金属ワイヤ２とキャピラリー１を同時に上昇させ、金
属ワイヤ２を切断し、金属ワイヤ２の先端に再びボール
３を作って次の第１ボンディングに備える。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来のこ
のボンディング方法では、導電材の外周を絶縁体で被覆
した被覆ワイヤでボンディングを行なう場合、第２ボン
ディング時に熱圧着のみでインナーリードめっき部に圧
着しようとしても、溶融した被覆材が妨害して完全な接
合が困難であった。このため、被覆材を溶融する為の熱
風ノズル等を付設したボンディング装置も提案されてい
るが、熱風ノズルをキャピラリーとともに移動させる必
要がある為に、ボンディングヘッドの慣性質量が大きく
なり、ボンディングスピードが著しく低下する。あるい
は所望しない部分の被覆まで除去されてしまうといった
問題点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、インナーリー
ド部に第２ボンディングする際、所定のボンディング位
置から離れた位置にキャピラリーを下降させ、被覆ワイ
ヤとインナーリード部とを接触させた後、スクラブ動作
を行なうことにより被覆材を除去し、その後キャピラリ
ーを所定のボンディング位置に移動させた後に、荷重お
よび超音波を印加し第２ボンディングを施すワイヤボン
ディング方法である。
【０００５】
【実施例】次に本発明について図面を参照して詳細に説
明する。図１〜図３は本発明の一実施例の工程図（ａ）
〜（ｇ）を示し、図４はそのボンディング部の部分拡大
図である。図１（ａ）に示されるように、キャピラリー
１から突出させた被覆ワイヤ８の先端に電気スパーク等
によりボール３を形成する。このとき、被覆ワイヤ８先
端の被覆材は除去される。次に同図（ｂ）に示すように
、キャピラリー１を下降させ、ボール３を２００℃〜２
５０℃に加熱された半導体素子４上の電極パッド５に荷
重３０〜５０ｇで押しつけ、超音波を印加して第１ボン
ディングを行なう。その後同図（ｃ），（ｄ）に示すよ
うにキャピラリー１を上昇させてインナーリード６の所
定のボンディング位置Ａの手前１００〜２００μｍの位
置Ｂへ移動させ、再びキャピラリー１を下降させる。 このとき図４に示すように、キャピラリー１とインナー
リード６とのクリアランスＬは、被覆ワイヤ８の芯材で
ある金属ワイヤ２の直径程度にする。この状態でキャピ
ラリー１にボンディングヘッド下のＸＹステージ（図示
しない）により、数回のスクラブ動作を行ない、金属ワ
イヤ２の表面に被覆された被覆材９を除去する。次に同
図（ｅ）のようにクランプ７を閉じて被覆ワイヤ８とキ
ャピラリー１を同時に上昇させ、同図（ｆ）のように所
定のボンディング位置Ａへ移動させた後、同図（ｇ）の
ようにインナーリード６に第２ボンディングを施こす。
【０００６】次に、他の実施例について説明する。前記
の実施例は、被覆材９を除去する為にＸＹステージによ
って数回のスクラブ振動を印加したが、被覆材９を除去
する為には超音波のような高周波を印加してもよい。こ
の場合、印加する超音波は、インナーリード部に対する
ボンディング時に加えられる超音波よりも小さいパワー
とする必要がある。この実施例では、振動の振幅が小さ
くできる為、インナーリード部のボンディングスペース
が小さい場合にも適用できるという効果がある。
【０００７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、インナー
リード部にワイヤボンディングする際、所定のボンディ
ング位置から離れた位置にキャピラリーを下降させて、
ワイヤとインナーリード部を接触させた後スクラブ動作
を行ない、被覆材を除去した後、所定のボンディング位
置に移動して第２ボンディングを行なうため、溶融した
被覆材により接合が妨害されることもなく、また、熱風
ノズル等の付設も必要ない為、生産性を向上させること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を説明する図で、同図（ａ）
〜（ｃ）はそれぞれ工程図である。
【図２】本発明の一実施例を説明する図で、同図（ｄ）
〜（ｆ）はそれぞれ工程図である。
【図３】本発明の一実施例を説明する図で、同図（ｇ）
は工程図である。
【図４】本発明の一実施例を説明する部分拡大図である
。
【図５】従来のボンディング方法を説明する図で、同図
（ａ），（ｂ）はそれぞれ工程図である。
【図６】従来のボンディング方法を説明する図で、同図
（ｃ），（ｄ）はそれぞれ工程図である。
【符号の説明】
１　　　　キャピラリー ２　　　　金属ワイヤ ３　　　　ボール ４　　　　半導体素子 ５　　　　電極パッド ６　　　　インナーリード ７　　　　クランプ ８　　　　被覆ワイヤ ９　　　　被覆材

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　半導体素子上の電極パッドとリードフ
    レームのインナーリード部とを外周部を絶縁体で被覆し
    た被覆ワイヤを用いて接続するワイヤボンディング方法
    において、前記電極パッドに第１ボンディングを施し、
    その後インナーリード部の所定のボンディング位置から
    離れた位置にキャピラリーを下降させて被覆ワイヤとイ
    ンナーリード部を接触させ、次いでスクラブ動作を行な
    って被覆材を除去し、次いで所定のボンディング位置に
    キャピラリーを移動させて第２ボンディングを施すこと
    を特徴とするワイヤボンディング方法。
JP3085637A 1991-04-18 1991-04-18 ワイヤボンディング方法 Pending JPH04318942A (ja)

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JP3085637A JPH04318942A (ja) 1991-04-18 1991-04-18 ワイヤボンディング方法

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007504648A (ja) * 2003-08-29 2007-03-01 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド 絶縁ワイヤのワイヤボンディング及びワイヤボンディングに用いるキャピラリ
CN102931106A (zh) * 2011-08-09 2013-02-13 株式会社东芝 引线接合装置及半导体装置的制造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2007504648A (ja) * 2003-08-29 2007-03-01 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド 絶縁ワイヤのワイヤボンディング及びワイヤボンディングに用いるキャピラリ
CN102931106A (zh) * 2011-08-09 2013-02-13 株式会社东芝 引线接合装置及半导体装置的制造方法
JP2013038257A (ja) * 2011-08-09 2013-02-21 Toshiba Corp ワイヤボンディング装置および半導体装置の製造方法

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