JPH08330346A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPH08330346A
JPH08330346A JP7133681A JP13368195A JPH08330346A JP H08330346 A JPH08330346 A JP H08330346A JP 7133681 A JP7133681 A JP 7133681A JP 13368195 A JP13368195 A JP 13368195A JP H08330346 A JPH08330346 A JP H08330346A
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bonding
pellet
lead
ball
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Tadayuki Shintani
忠之 新谷
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NEC Kyushu Ltd
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NEC Kyushu Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】接続信頼性が高くボンディングワイヤのショー
トによる不良がなく製造工程を簡略化できるワイヤボン
ディング工程を含む半導体装置の製造方法を提供する。 【構成】ワイヤボンディング工程が、キャピラリ１にて
半導体ペレット３上にＡｕワイヤ２のボールを形成し半
導体ペレット３とＡｕワイヤ２を接続する工程と、少く
ともボールを含むＡｕワイヤ２表面にスプレー７にて絶
縁物８を塗布しながらＡｕワイヤ２のループ形状に従っ
て内部リード６の内側先端部まで絶縁物８を塗布する工
程と、Ａｕワイヤ２の表面が露出した状態で内部リード
６へボンディグを行い半導体ペレット３と内部リード６
とを接続する工程とを含む。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し、特にワイヤボンディング工程を有する半導体装置
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】絶縁物被覆ワイヤを用いた従来例１のボ
ンディング方法は、まず、図２（ａ）に示すように、フ
ァーストボンディングで半導体ペレット（以下、ペレッ
トと記す）３に絶縁被膜９をコーティングしたＡｕワイ
ヤ２をキャピラリ１を用いてボール形状にボンディング
する。次に、図２（ｂ）に示すように、リードフレーム
の内部リード６へセカンドボンディングを行いペレット
３と内部リード６を接続する。
【０００３】又、従来例２として、図３に示すように、
Ｃｕワイヤ１０をペレット３にボールボンディングを行
った後、Ｃｕワイヤ１０の表面を酸化させて酸化膜１１
を形成しボンディングワイヤのショートを防止する方法
や従来例３として、図４に示すように、Ｃｕワイヤ１０
をペレット３のＡｌ配線１３にボールボンディングを行
った後、少くともＣｕワイヤ１０の表面にエナメルコー
ティングを行いエナメル膜１２を形成する方法がある
（特開平１−１０５５５号公報参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来例１の絶縁物被覆
ワイヤを用いたボンディング方法では、セカンドボンデ
ィングの際にＡｕワイヤに絶縁物被膜がコーティングさ
れたままで内部リードへボンディングされるので、Ａｕ
ワイヤと内部リード間に絶縁膜が介在した状態となりＡ
ｕワイヤが内部リードから剥がれるという問題点があ
る。
【０００５】一方、従来例２，３のボンディング後に、
酸化膜やエナメル膜を形成する方法では、ボンディング
と被膜形成が２つの工程になるので製造工程が増加する
という問題点がある。
【０００６】本発明の目的は、ボンディングワイヤと内
部リードの接続信頼性が高く、製造工程の簡略化が可能
な半導体装置の製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、半導体ペレットとリードフレームの内部リー
ドをボンディングワイヤにて接続するワイヤボンディン
グ工程を含む半導体装置の製造方法において、前記ワイ
ヤボンディング工程が、キャピラリにて半導体ペレット
上にファーストボンディングを行い前記ボンディングワ
イヤのボールを形成し前記半導体ペレットと前記ボンデ
ィングワイヤを接続する工程と、少くとも前記ボールを
含む前記ボンディングワイヤ表面にスプレーにて絶縁物
を塗布しながら前記ボンディングワイヤのループ形状に
従って前記内部リードの内側先端部まで前記絶縁物を塗
布する工程と、前記ボンディングワイヤの表面が露出し
た状態で前記内部リードへセカンドボンディングを行い
前記半導体ペレットと前記内部リードとを接続する工程
とを含むことを特徴とする。
【０００８】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
【０００９】図１（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例を
説明する工程順に示した断面図であ。本発明の一実施例
のボンディング工程は、まず、図１（ａ）に示すよう
に、キャピラリ１にてファーストボンディングをＡｕワ
イヤ２で行い、ペレット３上にボールを形成した後、ス
プレー７にて少くともボールを含むＡｕワイヤ表面に懸
濁粉末又は液状の絶縁物８を塗布する。次に、図１
（ｂ）に示すように、Ａｕワイヤ２のループ形状に従っ
て塗布しながら内部リード６の内側先端部迄絶縁物８を
コーティングする。次に、図１（ｃ）に示すように、絶
縁物８の塗布を中止し、Ａｕワイヤ２が露出した状態で
Ａｕワイヤ２の内部リード６へのセカンドボンディング
を行いＡｕワイヤ２にてペレット３と内部リード６とを
絶縁物８をコーティングしたＡｕワイヤ２で接続する。
これにより、一工程でＡｕワイヤ２表面への絶縁物８の
塗布とボンディングが可能となり、Ａｕワイヤ２と内部
リード６の接続信頼性が高くＡｕワイヤ２の接触による
ショート不良のない半導体装置を提供できる。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ペレット
上にファーストボンディングを行いボンディングワイヤ
のボールを形成しペレットとボンディングワイヤを接続
する工程と、少くともボールを含むボンディングワイヤ
表面にスプレーにて絶縁物を塗布しながらボンディング
ワイヤのループ形状に従って内部リードの内側先端部ま
で絶縁物を塗布する工程と、ボンディングワイヤの表面
が露出した状態で内部リードへセカンドボンディングを
行いペレットと内部リードとを接続する工程とを有する
ので、接続信頼性が高くボンディングワイヤのショート
による不良がなく製造工程が簡略化できる半導体装置の
製造方法を提供できるという効果がある。
【００１１】
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例を説明する
工程順に示した断面図である。
【図２】（ａ），（ｂ）は従来例１を説明する工程順に
示した断面図である。
【図３】従来例２の断面図である。
【図４】従来例３の断面図である。
【符号の説明】
１ キャピラリ ２ Ａｕワイヤ ３ ペレット ４ Ａｇペースト ５ アイランド ６ 内部リード ７ スプレー ８ 絶縁物 ９ 絶縁被膜 １０ Ｃｕワイヤ １１ 酸化膜 １２ エナメル膜 １３ Ａｌ配線

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体ペレットとリードフレームの内部
    リードをボンディングワイヤにて接続するワイヤボンデ
    ィング工程を含む半導体装置の製造方法において、前記
    ワイヤボンディング工程が、キャピラリにて半導体ペレ
    ット上にファーストボンディングを行い前記ボンディン
    グワイヤのボールを形成し前記半導体ペレットと前記ボ
    ンディングワイヤを接続する工程と、少くとも前記ボー
    ルを含む前記ボンディングワイヤ表面にスプレーにて絶
    縁物を塗布しながら前記ボンディングワイヤのループ形
    状に従って前記内部リードの内側先端部まで前記絶縁物
    を塗布する工程と、前記ボンディングワイヤの表面が露
    出した状態で前記内部リードへセカンドボンディングを
    行い前記半導体ペレットと前記内部リードとを接続する
    工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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