JPH04320054A - 半導体リードフレーム - Google Patents
半導体リードフレームInfo
- Publication number
- JPH04320054A JPH04320054A JP3181360A JP18136091A JPH04320054A JP H04320054 A JPH04320054 A JP H04320054A JP 3181360 A JP3181360 A JP 3181360A JP 18136091 A JP18136091 A JP 18136091A JP H04320054 A JPH04320054 A JP H04320054A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- die pad
- lead
- semiconductor chip
- lead frame
- leads
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体リードフレーム
に関し、さらに詳しくは半導体チップが接着されるダイ
パッド（Ｄｉｅ Ｐａｄ）がリード（Ｌｅａｄ）によ
り外部の物理的干渉から保護されるように構成し、ダイ
パッドの変形を防止し、不良率の減少及び品質の向上が
なされるようにしたものである。
に関し、さらに詳しくは半導体チップが接着されるダイ
パッド（Ｄｉｅ Ｐａｄ）がリード（Ｌｅａｄ）によ
り外部の物理的干渉から保護されるように構成し、ダイ
パッドの変形を防止し、不良率の減少及び品質の向上が
なされるようにしたものである。
【０００２】
【従来の技術】最近、半導体の高集積化により、多数の
入出力端子を備え、高出力、高速動作を可能にすると共
に放熱性を向上させることが要請されており、そのため
パッケージ（Ｐａｃｋａｇｅ）技術の必要性が高まり、
パッケージは小型化、薄型化等多様化されているのが現
状である。
入出力端子を備え、高出力、高速動作を可能にすると共
に放熱性を向上させることが要請されており、そのため
パッケージ（Ｐａｃｋａｇｅ）技術の必要性が高まり、
パッケージは小型化、薄型化等多様化されているのが現
状である。
【０００３】従来のパッケージは、熱放出能力だけを考
慮したストレートタイプリードフレームとして図１及び
図２に示すように構成されていた。即ち、半導体チップ
ス２が接着されるダイパッド１がリード３の一端に形成
され、該ダイパッド１が外側へ露出されるようにリード
４がリード３の両側に形成されている。上記リード３，
４を保持すべく、それらは支持枠５に連結されている。
慮したストレートタイプリードフレームとして図１及び
図２に示すように構成されていた。即ち、半導体チップ
ス２が接着されるダイパッド１がリード３の一端に形成
され、該ダイパッド１が外側へ露出されるようにリード
４がリード３の両側に形成されている。上記リード３，
４を保持すべく、それらは支持枠５に連結されている。
【０００４】かかるリードフレームは、ストリップ（Ｓ
ｔｒｉｐ）状に構成されており、組立工程中、ローディ
ング（Ｌｏａｄｉｍｇ）及びフィーディング（Ｆｅｅｄ
ｉｎｇ）によって移動される。
ｔｒｉｐ）状に構成されており、組立工程中、ローディ
ング（Ｌｏａｄｉｍｇ）及びフィーディング（Ｆｅｅｄ
ｉｎｇ）によって移動される。
【０００５】即ち、ダイシング工程を通じてウェーハ上
に形成された多数の半導体チップを個別に分離し、ダイ
アタッチ工程で分離された半導体チップをリードフレー
ムのダイパッド１に載置し、ワイヤボンディング工程で
極細ワイヤ（図示せず）を使用して半導体チップ２とリ
ード４のボンディング部４ａとを連結させた後、高純度
のエポキシ樹脂を使用してモールディングする。そして
最後に、ソケットや基板に実装するための実装方式に従
って、リード３，４を任意の形状に切断する。
に形成された多数の半導体チップを個別に分離し、ダイ
アタッチ工程で分離された半導体チップをリードフレー
ムのダイパッド１に載置し、ワイヤボンディング工程で
極細ワイヤ（図示せず）を使用して半導体チップ２とリ
ード４のボンディング部４ａとを連結させた後、高純度
のエポキシ樹脂を使用してモールディングする。そして
最後に、ソケットや基板に実装するための実装方式に従
って、リード３，４を任意の形状に切断する。
【０００６】しかし、上記のような従来のリードフレー
ムは、半導体チップ２の熱放出能力を向上させることだ
けが考慮されており、ダイパッド１の面積を大きくして
いた。そのため、ダイパッド１の支持枠５からの長さＬ
１がリード４の支持枠５からの長さＬ２より長くなって
外部へ露出されていた。そのため、上述した組立工程中
、リードフレームのダイパッド１に外部から物理的な力
（例えば、エポキシ樹脂等のモールディング時）が作用
した場合には、図２に示すごとく、ダイパッド１が左側
又は右側方向へ変形し、それにより半導体チップ２の位
置が変わってしまうことがあった。
ムは、半導体チップ２の熱放出能力を向上させることだ
けが考慮されており、ダイパッド１の面積を大きくして
いた。そのため、ダイパッド１の支持枠５からの長さＬ
１がリード４の支持枠５からの長さＬ２より長くなって
外部へ露出されていた。そのため、上述した組立工程中
、リードフレームのダイパッド１に外部から物理的な力
（例えば、エポキシ樹脂等のモールディング時）が作用
した場合には、図２に示すごとく、ダイパッド１が左側
又は右側方向へ変形し、それにより半導体チップ２の位
置が変わってしまうことがあった。
【０００７】その結果、上記ダイパッド１の変形が発生
した方向で半導体チップ２とリード４のボンディング部
４ａに連結されたワイヤのループ（Ｌｏｏｐ）の形態が
変形されてしまうことがあった。即ち、ダイパッド１の
変形方向の反対方向ではワイヤが引っ張られ、ワイヤサ
ッギング（Ｓａｇｇｉｎｇ）の状態が生じ、またダイパ
ッド１の変形がひどい場合には製品に悪影響を及ぼすワ
イヤのネックブロークン（Ｎｅｃｋ Ｂｒｏｋｅｎ）
が生じ、短絡が起り、不良率が増大すると共に品質が低
下するという問題点があった。
した方向で半導体チップ２とリード４のボンディング部
４ａに連結されたワイヤのループ（Ｌｏｏｐ）の形態が
変形されてしまうことがあった。即ち、ダイパッド１の
変形方向の反対方向ではワイヤが引っ張られ、ワイヤサ
ッギング（Ｓａｇｇｉｎｇ）の状態が生じ、またダイパ
ッド１の変形がひどい場合には製品に悪影響を及ぼすワ
イヤのネックブロークン（Ｎｅｃｋ Ｂｒｏｋｅｎ）
が生じ、短絡が起り、不良率が増大すると共に品質が低
下するという問題点があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な問題点を解決するためになされたもので、半導体チッ
プが接着されるダイパッドに、外部からの物理的な力が
作用してもダイパッドの変形が生じないようにし、不良
率の減少及び製品の品質の向上を図ることのできる半導
体リードフレームを提供することにある。
な問題点を解決するためになされたもので、半導体チッ
プが接着されるダイパッドに、外部からの物理的な力が
作用してもダイパッドの変形が生じないようにし、不良
率の減少及び製品の品質の向上を図ることのできる半導
体リードフレームを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、半導体チップが載置されるダイパッドと該
ダイパッドの両側に位置するリードとを備える半導体リ
ードフレームにおいて、上記ダイパッドがパッケージの
組立工程中に発生する物理的干渉から保護されるように
、ダイパッドの長さに対してリードの長さを同一かある
いはより長く形成している。
に本発明は、半導体チップが載置されるダイパッドと該
ダイパッドの両側に位置するリードとを備える半導体リ
ードフレームにおいて、上記ダイパッドがパッケージの
組立工程中に発生する物理的干渉から保護されるように
、ダイパッドの長さに対してリードの長さを同一かある
いはより長く形成している。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付した図面に基づ
いて詳細に説明する。
いて詳細に説明する。
【００１１】図３及び図４は、本発明の実施例に係る半
導体リードフレームを説明するための図面である。
導体リードフレームを説明するための図面である。
【００１２】即ち、リードフレームの支持枠１５には、
半導体チップ１２を接着するためのダイパッド１１を先
端に設けたリード１３が形成されている。また、上記支
持枠１５には、ダイパッド１１を設けたリード１３の両
側に、該ダイパッドの長さＬ１１と同一かあるいはより
長い長さＬ１２のリード１４が形成されている。
半導体チップ１２を接着するためのダイパッド１１を先
端に設けたリード１３が形成されている。また、上記支
持枠１５には、ダイパッド１１を設けたリード１３の両
側に、該ダイパッドの長さＬ１１と同一かあるいはより
長い長さＬ１２のリード１４が形成されている。
【００１３】かかるリードフレームは、ストリップ状に
形成されており、その状態でローディング及びフィーデ
ィング作業により組立工程を進んで行く。上記組立工程
は、ウェハーにダイシングラインに沿ってブレーキング
応力を加えてチップを切断、分離する方法であるダイシ
ング工程により、ウェハー上に形成された多数の半導体
チップ１２を個別に切断、分離し、その後で、樹脂接着
法、半田づけ法、Ａｕ−Ｓｉ工程法等のダイアタッチ工
程で、分離された各半導体チップ１２をダイパッド１１
に接着する。次に、ワイヤボンディング工程を通じて、
熱圧着法（ＴＣ法）と超音波法（ＵＳ法）等を使用して
、リードフレームのダイパッド１１に接着された半導体
チップ１２とリード１４のボンディング部１４ａとを極
細ワイヤ（図示せず）で連結させる。その後で、該半導
体チップ１２を低圧トランジスタモールド法により高純
度のエポキシ樹脂でモールディングする。そして、モー
ルディングされた半導体チップ１２の外部へ露出したリ
ード１３，１４は、ソケットや基板に実装できるように
、任意に切断される。
形成されており、その状態でローディング及びフィーデ
ィング作業により組立工程を進んで行く。上記組立工程
は、ウェハーにダイシングラインに沿ってブレーキング
応力を加えてチップを切断、分離する方法であるダイシ
ング工程により、ウェハー上に形成された多数の半導体
チップ１２を個別に切断、分離し、その後で、樹脂接着
法、半田づけ法、Ａｕ−Ｓｉ工程法等のダイアタッチ工
程で、分離された各半導体チップ１２をダイパッド１１
に接着する。次に、ワイヤボンディング工程を通じて、
熱圧着法（ＴＣ法）と超音波法（ＵＳ法）等を使用して
、リードフレームのダイパッド１１に接着された半導体
チップ１２とリード１４のボンディング部１４ａとを極
細ワイヤ（図示せず）で連結させる。その後で、該半導
体チップ１２を低圧トランジスタモールド法により高純
度のエポキシ樹脂でモールディングする。そして、モー
ルディングされた半導体チップ１２の外部へ露出したリ
ード１３，１４は、ソケットや基板に実装できるように
、任意に切断される。
【００１４】上述した実施例によれば、組立工程中に、
リードフレームのダイパッド１１に外部からエポキシ樹
脂等のモールディングで物理的な力が作用した場合には
、ダイパッド１１の両側にストレートタイプに形成され
たリード１４だけが変形されるように構成されている。 それによりダイパッド１１を保護すると共に、たとえ物
理的な力が作用しても半導体チップ１２とリード１４の
接着部１４ａと連結されたワイヤのループ形状だけが変
形し、ダイパッドには影響を与えない。その結果、製品
の歩留り及び信頼性を向上させる。また、本発明のリー
ドフレームは、ダイパッド１１に接着される半導体チッ
プ１２の大きさが小さい場合やパッケージの熱放出能力
が小さい場合にも好適に用いられる。
リードフレームのダイパッド１１に外部からエポキシ樹
脂等のモールディングで物理的な力が作用した場合には
、ダイパッド１１の両側にストレートタイプに形成され
たリード１４だけが変形されるように構成されている。 それによりダイパッド１１を保護すると共に、たとえ物
理的な力が作用しても半導体チップ１２とリード１４の
接着部１４ａと連結されたワイヤのループ形状だけが変
形し、ダイパッドには影響を与えない。その結果、製品
の歩留り及び信頼性を向上させる。また、本発明のリー
ドフレームは、ダイパッド１１に接着される半導体チッ
プ１２の大きさが小さい場合やパッケージの熱放出能力
が小さい場合にも好適に用いられる。
【００１５】
【発明の効果】以上のように、本発明は、半導体チップ
が接着されるダイパッドがその長さと同一かあるいはよ
り長い長さのリードで保護されることにより、外部から
の物理的干渉からダイパッドの変形が防止され、歩留り
及び製品の品質を向上させることができる。
が接着されるダイパッドがその長さと同一かあるいはよ
り長い長さのリードで保護されることにより、外部から
の物理的干渉からダイパッドの変形が防止され、歩留り
及び製品の品質を向上させることができる。
【図１】図１は、従来の半導体リードフレームの要部を
示す平面である。
示す平面である。
【図２】図２は、従来の半導体リードフレームの変形状
態を示す平面図である。
態を示す平面図である。
【図３】図３は、本発明に係る半導体リードフレームの
要部を示す平面図である。
要部を示す平面図である。
【図４】図４は、本発明に係るリードフレームの変形状
態を示す平面図である。
態を示す平面図である。
１１ ダイパッド
１２ 半導体チップ
１３ リード
１４ａ ボンディング部
１５ 支持枠
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体チップが載置されるダイパッド
とリードとを備えた半導体リードフレームにおいて、上
記ダイパッド１１がパッケージの組立工程中に発生する
物理的干渉から保護されるように、該ダイパッド１１の
両側に設けられたリード１４の長さＬ１２を、該ダイパ
ッドの長さＬ１１と同一かあるいはより長く形成したこ
とを特徴とする半導体リードフレーム。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1991-4605 | 1991-03-23 | ||
| KR910001460 | 1991-03-23 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04320054A true JPH04320054A (ja) | 1992-11-10 |
Family
ID=19310416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3181360A Pending JPH04320054A (ja) | 1991-03-23 | 1991-07-22 | 半導体リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04320054A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9111920B2 (en) | 2011-03-09 | 2015-08-18 | Panasonic Intellectual Property Co., Ltd. | Semiconductor device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4958756A (ja) * | 1972-10-04 | 1974-06-07 |
-
1991
- 1991-07-22 JP JP3181360A patent/JPH04320054A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4958756A (ja) * | 1972-10-04 | 1974-06-07 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9111920B2 (en) | 2011-03-09 | 2015-08-18 | Panasonic Intellectual Property Co., Ltd. | Semiconductor device |
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