JPH0432007A - 磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本発明は、ハードディスクドライブ、ＶＴＲ、フロッピ
ーディスクドライブなどに使用され、記録再生を行う磁
気ヘッドに関し、詳しくは、低飽和磁束密度母材の少な
くとも記録媒体流出端側ギャップ形成面に、金属、アモ
ルファスなどの高飽和磁束密度薄膜を形成した磁気ヘッ
ドに関するものである。

「従来の技術」 磁気ヘッドの旧Ｇ構造の基本的な考え方は実公昭２９−
１１６４２号公報に記載されている。また、記録媒体流
出端側のみをＭＴＧ構造とするものも特開昭５０−１３
４６２５号公報で紹介されている。

ＭＩＧ構造とは、第３図および第４図に示すように、−
船釣にはリング形の比較的飽和磁束密度の低いフェライ
トコア１０１に対し、主ギヤツプ１０２部に高飽和磁束
密度の金属、アモルファス１０３などをスパッタリング
蒸着などにより被着し、主ギヤツプ１０２部の磁束の飽
和を改善し、高保持力の記録媒体への記録再生を可能と
し、記録密度の高密度化を行うものである。

ＭＩＧ構造の磁気ヘッドは、従来のフェライト磁気ヘッ
ドに対し、２％１ｓ０（波形の半値幅時間）が小さくで
き、書き込み電流に対する依存性が低く、強い磁界を発
生できるという特徴を持っている。

金属薄膜１０３とフェライト１０１間は、金属薄膜１０
３とフェライト１０１　とが反応して生成した反応層が
介在し、反応層が擬似ギャップとして作用し、特性上好
ましくないこともよく知られている。

「発明が解決しようとする課題」 磁気ヘッドのＭＩＧ構造で、低飽和磁束密度母材と高飽
和磁束密度薄膜との界面の反応層の磁気特性の差異によ
り、この界面が擬似ギャップとして作用し、その結果、
主ギャップでの再生信号に対して擬似パルスの発生があ
り、主パルスのピークシフトを生じ、その分記録ウィン
ドーを広げなければならず、高密度化に対し不利なもの
となっていた。

この擬似ギャップの対策として、磁気ヘッドの主ギャッ
プの高飽和磁束密度薄膜の界面にアジマスまたは凹凸を
つけたり、また、低飽和磁束密度母材−高飽和磁束密度
薄膜間に反応防止層を設けたりする（特開昭６３−５３
７０６号公報）。

さらに、主ギャップと擬似ギャップとの中心間距離をＬ
とすると、中心間距離りを、 最小ビット長＜Ｌ＜２Ｘ最小ビット長 に設定（特開昭６３−１３１０６号公報）して、擬似ギ
ャップ対策とする。

さらにまた、高飽和磁束密度薄膜の材料を変え、反応層
の生成を抑制するなどの種々の方法が報告されている。

［課題を解決するための手段」 そこで、本発明は、低飽和磁束密度母材と高飽和磁束密
度薄膜との界面の反応層に擬似パルスが生じても高密度
化を可能とする磁気ヘッドを提供するものである。

本発明は、ハードディスクドライブ、ＶＴＲ、フロッピ
ーディスクドライブなどに使用され、記録再生を行う磁
気ヘッドで、少なくともスライダの流出端側ギャップの
フェライトなどの低飽和磁束密度母材に金属、アモルフ
ァス磁性材料などの高飽和磁束密度薄膜を形成した磁気
ヘッドにおいて、低飽和磁束密度母材と高飽和磁束密度
薄膜との間に存在する擬似ギャップを積極的に利用し、
かつ高飽和磁束密度薄膜を多層少なくとも３層以上とし
、層の分割には５ｉＯｚなどの非磁性材を介在させ、高
周波での渦電流損失を減らすとともに、副ギャップを形
成させ、これを積極的に利用する。

すなわち、擬似ギャップや副ギャップにより発生するパ
ルスを主ギャップによって発生する主パルスに重ね合わ
せることで、最も記録密度が大となり、最小ビット長と
なる記録周波数領域でのピークシフトを最小にするとと
もにＰ　ＷＳＯを小さくする。

「実施例」 本発明の主ギヤツプ構造と再生時のアナログ孤立波形は
第１図のようになる。

第１図は磁気ヘッドＭＩＧ構造の主ギヤツプ部近傍を拡
大して示し、フェライトなどの低飽和磁束密度母材１に
３層のセンダストなどの高飽和磁束密度薄膜２１．２□
、２．がＳｉＯ□などの非磁性層３１．３□を介在させ
て設け、主ギャップ４を形成し、鉛系ガラス５で接着す
る。主ギャップ４の間隔は一般に２ビット長〜１ムビッ
ト長に設定する。

孤立画成波形は上方に示すように、主ギャップ４に主パ
ルスＡが、主ギヤ・ンプ４中央から１．５ビット長離れ
た位置に第１非磁性層３．が位置して副パルスＡ′が、
そこから０．５ビット長離れた位置（主パルスＡからは
２ビット長離れた位置）に第２非磁性層３□が位置して
副パルスＡ”が、さらにそこから０．５ビット長離れた
位置（主パルスＡからは２．５ビット長離れた位置）に
第３高飽和磁束密度薄膜２．とフェライト１との界面が
あって副パルスＡ”が位置するようにそれぞれ設定する
。

また、第２図のような連続波形において、主パルスＡが
図に示した位置に出るようにすることで、パルスＡ１パ
ルスＢ１パルスＣ間はそれぞれ１ビット長離れており、
副パルスＡ゛は主パルスＡから１．５ビット長離れ、副
パルスＡ゛は副パルスＡ“から０３５ビット長離れ、副
パルスＡ”は副パルスＡ”から０．５ビット長離れてい
ることから、連続波形は副パルスＡ’　、Ａ″、Ａ”と
重畳される。

それで、パルスＢのＰｗｓ。を小さく、パルスＣの出力
を大きくできて、パルス幅を狭めて記録媒体に確実に書
き込みを可能とする。

したがって、総合的な電磁変換特性の改善につながると
ともに高飽和磁束密度薄膜を多層化しているために高周
波にも対応できる。

したがって、大幅に記録密度を向上させることができる
。

第２図に示すような連続波形において、最も過酷な条件
ともなる２Ｆ周波数を磁気ディスク最内周に記録したと
きのビット長に対し、各副パルス中心間距離が等しくな
るようにし、少なくともその副パルスが主パルスから１
．５ビット長、２ビット長、２．５ビット長離れた位置
にあることを特徴とする磁気コアである。

ただし、非磁性層膜厚を２００Å以上とすると、高飽和
磁束密度薄膜積層間の磁気抵抗が増加し、磁気ヘッドと
しての再生出力の低下を起こし、特性面での劣下を引き
起こす。非磁性層の厚みを数１０Å以下とすることによ
り所望の磁気ヘッドが得られる。

「発明の効果」 本発明は、上記の構成により、次の効果を奏する。

まず、本発明は、最小ビット長となる磁気ディスク内周
側の高周波（Ｈｉｇｈ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）において
、副パルスを主パルスに重畳することにより、主パルス
のピークシフトを小さくし、かつ、Ｐｗ５ｏを小さくし
、総合的なビットシフトを小さくし、高周波での記録再
生が可能となり記録密度が大幅に向上する。

また、本発明は、ｌ’ｌｌＧ膜のメタル膜を多層化し、
メタル膜独特の高周波での渦電流損失を小さくできるた
め、Ｓ／Ｎ比が向上する。なお、渦電流損失Ｗｅは次式
で表せる。

４　ρ ここで、 ｆ：周波数 ａ：半　径（巻線部） μ：透磁率 ｎ：巻数 ■：電流 ρ：比抵抗 また、単位体積当りの表面の厚さδは次式で表せる。

・・・低飽和磁束密度母材 ・・・高飽和磁束密度薄膜 ・・・主　ギ　ヤ　、、　プ ・・・非　　磁　　性　　層 なお、δは磁束が　　　＝０．３６８に減少する表面か
らの厚みである。磁束がもれるのは表面部分のみで、そ
の他の部分では渦電流が発生する。膜を多層化すると、
−層当りの膜は薄くなり、表皮厚みδを小さくし、膜を
効率よく使える。

さらに、本発明は、膜の多層化、積層化により付着強度
を増すことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は磁気ヘッドＭＩＧ構造の主ギヤツプ近傍拡大縦
断面構造と再生時のアナログ孤立波形図、第２図は本発
明の連続波形図、第３〜４図は従来の磁気ヘッドＭＩＧ
構造の縦断面図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）低飽和磁束密度母材を対向させてギャップを形成
   し、一方の対向面に高飽和磁束密度薄膜を被着し他方の
   対向面との間に主ギャップを形成してなる磁気ヘッドに
   おいて、前記高飽和磁束密度薄膜を非磁性層を介在させ
   た積層構造とし、高飽和磁束密度薄膜間に設けた非磁性
   層が副パルスとして働くように構成し、その副パルスが
   少なくとも主パルスから１．５ビット長、２ビット長、
   ２．５ビット長離れた位置にあることを特徴とする磁気
   ヘッド。