JPH0432013A - ヨーク型ｍｒヘッド - Google Patents
ヨーク型ｍｒヘッドInfo
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- JPH0432013A JPH0432013A JP13872590A JP13872590A JPH0432013A JP H0432013 A JPH0432013 A JP H0432013A JP 13872590 A JP13872590 A JP 13872590A JP 13872590 A JP13872590 A JP 13872590A JP H0432013 A JPH0432013 A JP H0432013A
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- magnetic
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は、ＭＲ素子を用いた磁気ヘッドであるヨーク型
ＭＲヘッドに関するものである。
ＭＲヘッドに関するものである。
「従来の技術およびその課題」
周知のように、ＭＲ素子（磁気抵抗素子）は、磁界の強
弱を電気抵抗の変化として取り出すように構成された電
子部品であって、近年、これを用いた磁気ヘッドすなわ
ちＭＲヘッドが実用化されている。
弱を電気抵抗の変化として取り出すように構成された電
子部品であって、近年、これを用いた磁気ヘッドすなわ
ちＭＲヘッドが実用化されている。
そのようなＭＲヘッドの一従来例を第２図に示す。これ
は、薄膜形成技術の応用により製作されたもので、先端
部がギャップ層１を介して積層された下部ヨーク２と上
部ヨーク３とでリング状の磁気回路を形成して、その内
側に絶縁材４で被包されたコイル導体５を配し、かつ、
上部ヨーク３に切欠部６を形成してその内側にＭＲ素子
７を装着した構成のものである。
は、薄膜形成技術の応用により製作されたもので、先端
部がギャップ層１を介して積層された下部ヨーク２と上
部ヨーク３とでリング状の磁気回路を形成して、その内
側に絶縁材４で被包されたコイル導体５を配し、かつ、
上部ヨーク３に切欠部６を形成してその内側にＭＲ素子
７を装着した構成のものである。
ところで、このようなヨーク型ＭＲヘッドは、再生時に
は大きな出力か得られるので再生へノドとしては優れて
いる反面、ＭＲ素子７の装着部に形成されている切欠部
６により上部ヨーク３が分断されているために、記録時
にはギャップに十分な磁界が得られず、このため、記録
用へ７ドとしては効率が悪く、オーバーライド特性が良
くないものであった。
は大きな出力か得られるので再生へノドとしては優れて
いる反面、ＭＲ素子７の装着部に形成されている切欠部
６により上部ヨーク３が分断されているために、記録時
にはギャップに十分な磁界が得られず、このため、記録
用へ７ドとしては効率が悪く、オーバーライド特性が良
くないものであった。
本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、再生特性
のみならず、記録特性にも優れたＭＲへラドを提供する
ことを目的としている。
のみならず、記録特性にも優れたＭＲへラドを提供する
ことを目的としている。
「課題を解決するだめの手段」
本発明は、上部ヨークと下部ヨークの先端部をギャップ
層を介して積層するとともに、前記上部ヨークに切欠部
を形成してその内側にＭＲ素子を装着した構成のヨーク
型ＭＲヘッドにおいて、前記切欠部に、前記ヨークより
も透磁率の小さい磁性材料からなる充填材を充填してな
ることを特徴としている。
層を介して積層するとともに、前記上部ヨークに切欠部
を形成してその内側にＭＲ素子を装着した構成のヨーク
型ＭＲヘッドにおいて、前記切欠部に、前記ヨークより
も透磁率の小さい磁性材料からなる充填材を充填してな
ることを特徴としている。
「作用 」
本発明のＭＲヘッドでは、再生時にヨークに生じる磁束
が、ＭＲ素子と充填材の磁気抵抗比に応じて分割される
が、その場合においてもＭＲ素子を駆動するに十分な磁
界か得られ、従来の場合と同様に大きな再生出力が得ら
れる。また、記録時にはＭＲ素子は飽和してしまっては
とんとの磁束が充填材を通過することになり、したがっ
て、ギャップには十分な磁界か形成されてオーバーライ
ド特性が改善される。
が、ＭＲ素子と充填材の磁気抵抗比に応じて分割される
が、その場合においてもＭＲ素子を駆動するに十分な磁
界か得られ、従来の場合と同様に大きな再生出力が得ら
れる。また、記録時にはＭＲ素子は飽和してしまっては
とんとの磁束が充填材を通過することになり、したがっ
て、ギャップには十分な磁界か形成されてオーバーライ
ド特性が改善される。
「実施例」
以下、本発明に係るＭＲへ・ラドの一実施例を第１図を
参照して説明する。
参照して説明する。
本実施例のＭＲヘッドは薄膜形成技術の応用により製作
されたもので、基板１０の表面に、絶縁層１１．下部ヨ
ーク１２、ギャップ層１３、絶縁材１４で被包されたコ
イル導体１５、上部ヨーク１６、保護層１７を順次積層
してなるものであって、下部ヨーク１２と上部ヨーク１
６の先端部をギャップ層１３を介して重ね合わせること
でギャップを形成したものとなっている。
されたもので、基板１０の表面に、絶縁層１１．下部ヨ
ーク１２、ギャップ層１３、絶縁材１４で被包されたコ
イル導体１５、上部ヨーク１６、保護層１７を順次積層
してなるものであって、下部ヨーク１２と上部ヨーク１
６の先端部をギャップ層１３を介して重ね合わせること
でギャップを形成したものとなっている。
上記の基板１０としてはたとえばＡ Ｉ２ｏ 、−Ｔｉ
Ｃ等のセラミックが用いられ、絶縁層１１ ギャップ層
１３、保護層１７としては！二とえばＡｌ２Ｏ３，５１
０２等の酸化物からなる非磁性材料が用いられ、絶縁材
１４としてはポリイミド、レジスト、Ｓ ＋ ０２、Ａ
＋ ｚ Ｏｓ等の材料が用いられている。また、下部ヨ
ーク１２および上部ヨーク１６としては、たとえはパー
マロイ等の強磁性材料が用いられ、それらの透磁率の値
はＣＧＳ単位系において１ 、ｏ ｏ ｏ〜３，０００
程度とされている。
Ｃ等のセラミックが用いられ、絶縁層１１ ギャップ層
１３、保護層１７としては！二とえばＡｌ２Ｏ３，５１
０２等の酸化物からなる非磁性材料が用いられ、絶縁材
１４としてはポリイミド、レジスト、Ｓ ＋ ０２、Ａ
＋ ｚ Ｏｓ等の材料が用いられている。また、下部ヨ
ーク１２および上部ヨーク１６としては、たとえはパー
マロイ等の強磁性材料が用いられ、それらの透磁率の値
はＣＧＳ単位系において１ 、ｏ ｏ ｏ〜３，０００
程度とされている。
そして、上部ヨーク１６には切欠部１８が形成されてい
て、その内側に絶縁層１９を介してＭＲ素子２０が装着
され、さらに、上記の切欠部１８には充填材２１が充填
されている。上記ＭＲ素子２０はその厚みが２００〜５
００人程度とされ、その透磁率の値がヨーク１２．１６
と同等の１，０００〜３０００程度とされている。また
、上記充填材２１としては、ヨーク１２．１６よりも透
磁率の小さい磁性材料、たとえばＣＯ系アモルファス合
金等、が用いられて、その透磁率の値は数十〜数百程度
（たとえは１０〜８００程度）とされ、かつ、飽和磁束
密度Ｂｓの値がヨーク１２．１６と同程度かそれより大
きいものとされている。なお、上記の絶縁層１９の厚み
は数百〜数千人程度である。
て、その内側に絶縁層１９を介してＭＲ素子２０が装着
され、さらに、上記の切欠部１８には充填材２１が充填
されている。上記ＭＲ素子２０はその厚みが２００〜５
００人程度とされ、その透磁率の値がヨーク１２．１６
と同等の１，０００〜３０００程度とされている。また
、上記充填材２１としては、ヨーク１２．１６よりも透
磁率の小さい磁性材料、たとえばＣＯ系アモルファス合
金等、が用いられて、その透磁率の値は数十〜数百程度
（たとえは１０〜８００程度）とされ、かつ、飽和磁束
密度Ｂｓの値がヨーク１２．１６と同程度かそれより大
きいものとされている。なお、上記の絶縁層１９の厚み
は数百〜数千人程度である。
上記構成のＭＲへラドにおいては、再生時にヨーク１２
．１６に生じる磁束が、ＭＲ素子２０と充填材２１の磁
気抵抗比に応じて分割されることになるが、その場合に
おいてもＭＲ素子２０を駆動するに十分な磁界が得られ
、したがって、従来のＭＲヘッドと同様に大きな再生出
力が得られる。
．１６に生じる磁束が、ＭＲ素子２０と充填材２１の磁
気抵抗比に応じて分割されることになるが、その場合に
おいてもＭＲ素子２０を駆動するに十分な磁界が得られ
、したがって、従来のＭＲヘッドと同様に大きな再生出
力が得られる。
一方、記録時にはＭＲ素子２０は飽和してしまってほと
んどの磁束は充填材２１を通過することになるので、ギ
ャップには十分な磁界が形成され、その結果、上部ヨー
クが切欠部により分断されている従来のＭＲヘッドに比
してオーバーライド特性を大きく改善できるものである
。
んどの磁束は充填材２１を通過することになるので、ギ
ャップには十分な磁界が形成され、その結果、上部ヨー
クが切欠部により分断されている従来のＭＲヘッドに比
してオーバーライド特性を大きく改善できるものである
。
「発明の効果」
以上で詳細に説明したように、本発明のＭＲヘッドは、
ＭＲ素子の装着部に形成した上部ヨークの切欠部を、ヨ
ークよりも透磁率の小さい磁性材料からなる充填材によ
り充填した構成であるから、再生時にヨークに生じる磁
束がＭＲ素子と充填材の磁気抵抗比に応じて分割され、
これによって再生時においてはＭＲ素子を駆動するに十
分な磁界が得られることは勿論のこと、記録時にはほと
んどの磁束は充填材を通過することになってギャップに
は十分な磁界が形成され、その結果、オーバーライド特
性を大きく改善できるものであり、したがって、再生特
性のみならず記録特性にも優れる、という利点がある。
ＭＲ素子の装着部に形成した上部ヨークの切欠部を、ヨ
ークよりも透磁率の小さい磁性材料からなる充填材によ
り充填した構成であるから、再生時にヨークに生じる磁
束がＭＲ素子と充填材の磁気抵抗比に応じて分割され、
これによって再生時においてはＭＲ素子を駆動するに十
分な磁界が得られることは勿論のこと、記録時にはほと
んどの磁束は充填材を通過することになってギャップに
は十分な磁界が形成され、その結果、オーバーライド特
性を大きく改善できるものであり、したがって、再生特
性のみならず記録特性にも優れる、という利点がある。
第１図は本発明に係るＭＲヘッドの一実施例を示す要部
概略構成図、第２図は従来のＭＲへノドの一例を示す概
略構成図である。 ０・・・・・・基板、１１・・・・・絶縁層、２・・・
・・・下部ヨーク、１３・・・・・・ギャップ層、４・
・・・・・絶縁材、１５・・・・・・コイル導体、６・
・・・・・上部ヨーク、１７・・・・・・保護層、８・
・・・・・切欠部、１９・・・・・絶縁層、０・・・・
・・ＭＲ素子、２１・・・・・充填材。 出願人 アルプス電気株式会社 代表者 片 岡 政 隆 ＄１図 第２図
概略構成図、第２図は従来のＭＲへノドの一例を示す概
略構成図である。 ０・・・・・・基板、１１・・・・・絶縁層、２・・・
・・・下部ヨーク、１３・・・・・・ギャップ層、４・
・・・・・絶縁材、１５・・・・・・コイル導体、６・
・・・・・上部ヨーク、１７・・・・・・保護層、８・
・・・・・切欠部、１９・・・・・絶縁層、０・・・・
・・ＭＲ素子、２１・・・・・充填材。 出願人 アルプス電気株式会社 代表者 片 岡 政 隆 ＄１図 第２図
Claims (1)
- 上部ヨークと下部ヨークの先端部をギャップ層を介して
積層するとともに、前記上部ヨークに切欠部を形成して
その内側にＭＲ素子を装着した構成のヨーク型ＭＲヘッ
ドにおいて、前記切欠部に、前記ヨークよりも透磁率の
小さい磁性材料からなる充填材を充填してなることを特
徴とするヨーク型ＭＲヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13872590A JPH0432013A (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | ヨーク型ｍｒヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13872590A JPH0432013A (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | ヨーク型ｍｒヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0432013A true JPH0432013A (ja) | 1992-02-04 |
Family
ID=15228697
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13872590A Pending JPH0432013A (ja) | 1990-05-29 | 1990-05-29 | ヨーク型ｍｒヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0432013A (ja) |
-
1990
- 1990-05-29 JP JP13872590A patent/JPH0432013A/ja active Pending
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