JPH0432049A - 記録媒体 - Google Patents
記録媒体Info
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- JPH0432049A JPH0432049A JP2137868A JP13786890A JPH0432049A JP H0432049 A JPH0432049 A JP H0432049A JP 2137868 A JP2137868 A JP 2137868A JP 13786890 A JP13786890 A JP 13786890A JP H0432049 A JPH0432049 A JP H0432049A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、コンピューター等のファイル記録装置用の記
録媒体に係り、特に高密度化、大記憶容量化に好適であ
り、且つ広い温度範囲で使用可能である書き換え可能な
記録媒体に関する。
録媒体に係り、特に高密度化、大記憶容量化に好適であ
り、且つ広い温度範囲で使用可能である書き換え可能な
記録媒体に関する。
（従来の技術）
従来の大容量記憶装置用の記録媒体としては、磁性材料
が使われることが多い。この様な記録媒体については、
例えば、オーム社、「磁性材料セラミックス」、桜井、
全丸編、Ｐ１４３ （昭和６１年）に記載されている。
が使われることが多い。この様な記録媒体については、
例えば、オーム社、「磁性材料セラミックス」、桜井、
全丸編、Ｐ１４３ （昭和６１年）に記載されている。
又、酸化物を上記記録媒体として用いた例としては、酸
化物超伝導体を用いて、超伝導臨界温度より低い温度で
記録再生することが特開昭６３−２６８０８７号公報に
開示されている。しかし、この記録媒体は超伝導臨界温
度以下の低温で使用することが条件になっている。
化物超伝導体を用いて、超伝導臨界温度より低い温度で
記録再生することが特開昭６３−２６８０８７号公報に
開示されている。しかし、この記録媒体は超伝導臨界温
度以下の低温で使用することが条件になっている。
（発明が解決しようとしている問題点）上記従来技術に
おいて、磁性材料を使用する場合は磁性材料の磁化状態
を利用する為、高密度化においては磁区の微小化と検出
する信号強度との関係から数μｍ程度のピット周期が限
界と考えられ、高密度化が達成出来ないという問題があ
る。
おいて、磁性材料を使用する場合は磁性材料の磁化状態
を利用する為、高密度化においては磁区の微小化と検出
する信号強度との関係から数μｍ程度のピット周期が限
界と考えられ、高密度化が達成出来ないという問題があ
る。
一方、酸化物超伝導体を利用した記録媒体においては、
超伝導状態を示す温度まで媒体を冷却し、この状態で酸
素イオンと水素イオンを針状イオン照射源より照射して
超伝導状態と常伝導状態の２状態を２進法の２値信号に
対応させている為、この方式では記憶容量を大きくする
ことは出来るが実用上の問題がある。即ち、現在知られ
ている超伝導体の臨界温度は約１６０により低いものば
かりであり、実際に記録する場合には約１６０により低
い温度に冷却しなければならない為、置体窒素や液体ヘ
リウム等の冷却用媒体を使用するか、或いはクライオポ
ンプ等の特殊な冷却装置を使用しなければならないとい
う大きな問題がある。
超伝導状態を示す温度まで媒体を冷却し、この状態で酸
素イオンと水素イオンを針状イオン照射源より照射して
超伝導状態と常伝導状態の２状態を２進法の２値信号に
対応させている為、この方式では記憶容量を大きくする
ことは出来るが実用上の問題がある。即ち、現在知られ
ている超伝導体の臨界温度は約１６０により低いものば
かりであり、実際に記録する場合には約１６０により低
い温度に冷却しなければならない為、置体窒素や液体ヘ
リウム等の冷却用媒体を使用するか、或いはクライオポ
ンプ等の特殊な冷却装置を使用しなければならないとい
う大きな問題がある。
従って本発明の目的は、記録容量を磁性材料を使用した
時よりも大きくし、且つ特殊な冷却媒体や冷却装置を使
用することなく情報の書き込み及び読み出しが可能な記
録媒体を提供することである。
時よりも大きくし、且つ特殊な冷却媒体や冷却装置を使
用することなく情報の書き込み及び読み出しが可能な記
録媒体を提供することである。
（問題点を解決する為の手段）
上記目的は以下の本発明によって達成される。
即ち、本発明は、酸化物に含まれる酸素量を制御し、酸
素量の大小を利用して情報を記録する記録媒体において
、該記録媒体の表面に１μｍ以下のピット間隔で３μｍ
以下の凹凸が形成されていることを特徴とする記録媒体
である。
素量の大小を利用して情報を記録する記録媒体において
、該記録媒体の表面に１μｍ以下のピット間隔で３μｍ
以下の凹凸が形成されていることを特徴とする記録媒体
である。
（作 用）
酸化物に含まれる酸素量を制御し、酸化物中の酸素含有
量の大小の状態を利用し、この状態変化を信号に対応さ
せ情報の書き込み及び読み出しを行う。
量の大小の状態を利用し、この状態変化を信号に対応さ
せ情報の書き込み及び読み出しを行う。
例えば、ＹＢａ２Ｃｕ２Ｏ７−Ｘ （０＜ Ｘ ＜
１ ）材料では、Ｘ値が約０．５より大きい場合には、
結晶構造はｔｅｔｒａｇｏｎａｌ構造であり、Ｘ値が０
．５より小さい場合にはｏｒｔｈｏｒｈｏｍｂｉｃ構造
をとるが、この酸素量変化に伴い電気抵抗率が変化し、
室温付近での電気抵抗率はｔｅｔｒａｇｏｎａｌ構造の
方が大きくなる。又、同じｔｅｔｒａｇｏｎａｌ構造で
も酸素量を少なくすると電気抵抗率は更に大きくなる。
１ ）材料では、Ｘ値が約０．５より大きい場合には、
結晶構造はｔｅｔｒａｇｏｎａｌ構造であり、Ｘ値が０
．５より小さい場合にはｏｒｔｈｏｒｈｏｍｂｉｃ構造
をとるが、この酸素量変化に伴い電気抵抗率が変化し、
室温付近での電気抵抗率はｔｅｔｒａｇｏｎａｌ構造の
方が大きくなる。又、同じｔｅｔｒａｇｏｎａｌ構造で
も酸素量を少なくすると電気抵抗率は更に大きくなる。
又、光学特性も酸素量の変化に伴い変化し、例えば、反
射率も酸素量が少ない、つまりＸ値が大きい方が反射率
が小さくなる。そして吸収率も反射率と同様に酸素量に
より変化する。この様な物性変化はＸ値が小さいｏｒｔ
ｈｏｒｈｏｍｂｉｃ構造でも同様に生じ、又、酸素量の
変化は酸化物がどの様な温度においても電界や電流を加
えることや光を照射することにより制御出来、且つ酸化
物中の酸素量は電界、電流、光という入力信号の強さに
より連続的に変化させることが出来る。
射率も酸素量が少ない、つまりＸ値が大きい方が反射率
が小さくなる。そして吸収率も反射率と同様に酸素量に
より変化する。この様な物性変化はＸ値が小さいｏｒｔ
ｈｏｒｈｏｍｂｉｃ構造でも同様に生じ、又、酸素量の
変化は酸化物がどの様な温度においても電界や電流を加
えることや光を照射することにより制御出来、且つ酸化
物中の酸素量は電界、電流、光という入力信号の強さに
より連続的に変化させることが出来る。
本発明は、上記の様な酸化物中の酸素量の変化により生
じる電気抵抗率、光の吸収率、反射率等の電気的又は光
学的な物理量の変化を利用して各種情報を記録するもの
である。
じる電気抵抗率、光の吸収率、反射率等の電気的又は光
学的な物理量の変化を利用して各種情報を記録するもの
である。
更に、酸化物導電体の表面に１μｍ以下のピット間隔で
３μｍ以下の凹凸をつけることにより、記録位置のズレ
が少なくなり、書き込み、読み取りの精度を向上させる
ことが出来る。又、針の位置決めも容易となる。
３μｍ以下の凹凸をつけることにより、記録位置のズレ
が少なくなり、書き込み、読み取りの精度を向上させる
ことが出来る。又、針の位置決めも容易となる。
ピット形状は酸化物導電体の種類、酸化物導電体層の上
に形成する保護膜の種類によって最適な形状を決めるこ
とが出来る。
に形成する保護膜の種類によって最適な形状を決めるこ
とが出来る。
（実施例）
以下本発明の詳細を実施例により説明する。
実施例１
第１図に本発明の実施例を示す。
石英基板（基板：１）上に抵抗加熱法でＣｒを１００人
、Ａｕを１，０００人の厚さに夫々積層した（電極：２
）。次にその上にＲＦマグネトロンスパッタリング法で
Ｅｒ−Ｂａ−Ｃｕ−０膜を１μｍ堆積した（酸化物導電
体層：３）。この時の成膜条件は、Ｅｒ：Ｂａ：Ｃｕ＝
１ ： ２ ： ３ （原子数比）となる様調整したＥ
ｒ−Ｂａ−Ｃｕ−０焼結体をスパッタリングターゲット
として用い、ガス圧Ａｒ５Ｐａ、パワー１００Ｗ、基板
温度３００℃とした。これを通常のフォトリソグラフィ
ー技術により第１図に示す様に、１μｍピッチ、６，０
００人の高さで凹凸に加工した。この様にして作成した
Ｅｒ−Ｂａ−Ｃｕ−０膜は、電気抵抗率を測定したとこ
ろ、３Ｘ１０−”Ω・ｃｍとなった。
、Ａｕを１，０００人の厚さに夫々積層した（電極：２
）。次にその上にＲＦマグネトロンスパッタリング法で
Ｅｒ−Ｂａ−Ｃｕ−０膜を１μｍ堆積した（酸化物導電
体層：３）。この時の成膜条件は、Ｅｒ：Ｂａ：Ｃｕ＝
１ ： ２ ： ３ （原子数比）となる様調整したＥ
ｒ−Ｂａ−Ｃｕ−０焼結体をスパッタリングターゲット
として用い、ガス圧Ａｒ５Ｐａ、パワー１００Ｗ、基板
温度３００℃とした。これを通常のフォトリソグラフィ
ー技術により第１図に示す様に、１μｍピッチ、６，０
００人の高さで凹凸に加工した。この様にして作成した
Ｅｒ−Ｂａ−Ｃｕ−０膜は、電気抵抗率を測定したとこ
ろ、３Ｘ１０−”Ω・ｃｍとなった。
更にこの記録媒体に対する情報の書き込みの例を第２図
に示す。
に示す。
４は針状電極であり、タングステンを用いた。
この針状電極４の先端と酸化物導電体層３の凸部３ａと
の距離を１０〜２０人に設定する。次に、針状電極４と
酸化物導電体層３の間に１０■の電圧パルスを印加する
と、酸化物導電体層の凸部３ａの一部が加熱され、酸素
の拡散が生じ酸素量が変化し、その部分の酸化物導電体
層３の電気抵抗率が変化する（３膜図示）。第３図はこ
の電圧パルスの印加回数と電気抵抗率の変化を示したも
のである。
の距離を１０〜２０人に設定する。次に、針状電極４と
酸化物導電体層３の間に１０■の電圧パルスを印加する
と、酸化物導電体層の凸部３ａの一部が加熱され、酸素
の拡散が生じ酸素量が変化し、その部分の酸化物導電体
層３の電気抵抗率が変化する（３膜図示）。第３図はこ
の電圧パルスの印加回数と電気抵抗率の変化を示したも
のである。
更に、針状電極４をＸＹ力方向スキャンニングすること
により酸化物導電体層上に電気抵抗率の変化した部分３
ｂを多数作ることが出来、この結果、大容量且つ多価値
１の書き込みを行うことが出来る。
により酸化物導電体層上に電気抵抗率の変化した部分３
ｂを多数作ることが出来、この結果、大容量且つ多価値
１の書き込みを行うことが出来る。
尚、情報の消去は、酸素雰囲気中で２５０℃の熱処理を
行い、酸化物導電体層を元の状態に戻すことにより可能
となる。
行い、酸化物導電体層を元の状態に戻すことにより可能
となる。
実施例２
第４図に本発明の第２の実施例の概略図な示す。
本実施例では基板１としてＭｇＯを用い、その上にクラ
スターイオンビーム法でＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０膜を堆積し
、酸化物導電体層３を形成した。この時の成膜条件は、
蒸着源としてＹ、 ＢａＯ、Ｃｕを独立に用い、イオン
化条件をＹについてはイオン化電流５０ｍＡ、加速電圧
０．５ＫＶ％ＢａＯ、Ｃｕについてはイオン化電流１０
０ｍＡ、加速電圧ＩＫＶとし、基板温度を４２０℃とし
た。成膜時には基板付近に４ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒの
酸素ガスを吹き付けながら、基板上で金属３元素の組成
比が、Ｙ： Ｂａ： Ｃｕ＝ １５：３０：５５（原子
数比）となる様に成膜した。
スターイオンビーム法でＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０膜を堆積し
、酸化物導電体層３を形成した。この時の成膜条件は、
蒸着源としてＹ、 ＢａＯ、Ｃｕを独立に用い、イオン
化条件をＹについてはイオン化電流５０ｍＡ、加速電圧
０．５ＫＶ％ＢａＯ、Ｃｕについてはイオン化電流１０
０ｍＡ、加速電圧ＩＫＶとし、基板温度を４２０℃とし
た。成膜時には基板付近に４ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒの
酸素ガスを吹き付けながら、基板上で金属３元素の組成
比が、Ｙ： Ｂａ： Ｃｕ＝ １５：３０：５５（原子
数比）となる様に成膜した。
膜厚は６，０００人とした。
更にこの上に上部層５として酸素透過性物質である銀を
通常の抵抗加熱法で１，０００人成膜した。これを通常
の微細加工プロセスにより、第４図に示す様０．５μｍ
ピッチで０．５μｍの高さに凹凸形状に加工した。
通常の抵抗加熱法で１，０００人成膜した。これを通常
の微細加工プロセスにより、第４図に示す様０．５μｍ
ピッチで０．５μｍの高さに凹凸形状に加工した。
この場合の電気抵抗率を測定したところ１Ｘ１０−”Ω
・ｃＩｌｌであった。
・ｃＩｌｌであった。
この様にして作成した記録媒体への書き込みは、記録媒
体の上部層５と針状電極４間の距離を５０人、印加電圧
を５０Ｖとした以外は実施例１と同様にして行うことが
出来た。この場合のパルス印加回数と電気抵抗率の関係
を第５図に示す。
体の上部層５と針状電極４間の距離を５０人、印加電圧
を５０Ｖとした以外は実施例１と同様にして行うことが
出来た。この場合のパルス印加回数と電気抵抗率の関係
を第５図に示す。
尚、情報の消去も実施例１と同様の方法で行うことが出
来た。本実施例では上部層を設けたことにより、酸化物
導電体層３を物理的に保護することが出来た。
来た。本実施例では上部層を設けたことにより、酸化物
導電体層３を物理的に保護することが出来た。
実施例３〜６
第６図は実施例３〜６の概略図である。
基板、電極、酸化物導電体、上部層に第１表に示す材料
を用いて、実施例１及び２と同様にして記録媒体を作成
した。その際、電極は通常の蒸着法で作成した。又、酸
化物導電体層３は、実施例２と同様にクラスタービーム
法で、 Ｙ、 Ｈｏ、 Ｙｂが夫々金属組成全体の約１
５〜１６％になる様調整して作成した。これを微細加工
プロセスにより第６図に示す様に、０．４μｍピッチで
１μｍの高さに凹凸形状に加工した。この凹凸のピット
は基板中心から渦巻状に並んでいるものである。
を用いて、実施例１及び２と同様にして記録媒体を作成
した。その際、電極は通常の蒸着法で作成した。又、酸
化物導電体層３は、実施例２と同様にクラスタービーム
法で、 Ｙ、 Ｈｏ、 Ｙｂが夫々金属組成全体の約１
５〜１６％になる様調整して作成した。これを微細加工
プロセスにより第６図に示す様に、０．４μｍピッチで
１μｍの高さに凹凸形状に加工した。この凹凸のピット
は基板中心から渦巻状に並んでいるものである。
上部層５は材料により蒸着法、スピンコード法等を適宜
選んで作成した。上部層５として実施例３では、酸素透
過性物質であるシリコンオイルを用い、実施例４では酸
素を吸収する物質であるＡｊを用いた。又、実施例５．
６では上部層５として酸素を通さない物質であるＡｕ、
ａ−３ｉを夫々用いた。
選んで作成した。上部層５として実施例３では、酸素透
過性物質であるシリコンオイルを用い、実施例４では酸
素を吸収する物質であるＡｊを用いた。又、実施例５．
６では上部層５として酸素を通さない物質であるＡｕ、
ａ−３ｉを夫々用いた。
この様にして作成した記録媒体を用い、情報の書き込み
消去を行ったところ、実施例３では実施例１と同様の方
法で情報の書き込み及び消去を行うことが出来た。
消去を行ったところ、実施例３では実施例１と同様の方
法で情報の書き込み及び消去を行うことが出来た。
実施例４では実施例２と同様の方法で書き込みを行った
ところ、酸化物導電体膜中の酸素が加熱によって拡散し
、上部層５に吸収され電気抵抗率が変化し書き込みを行
うことが出来た。しかしながら、情報の消去は出来なか
った。
ところ、酸化物導電体膜中の酸素が加熱によって拡散し
、上部層５に吸収され電気抵抗率が変化し書き込みを行
うことが出来た。しかしながら、情報の消去は出来なか
った。
実施例５．６では実施例２と同様の方法で書き込みを行
ったところ、酸素は上部Ｎ５に抑えられ、酸化物導電体
層の基板１側へ移動し、書き込みを行うことが出来た。
ったところ、酸素は上部Ｎ５に抑えられ、酸化物導電体
層の基板１側へ移動し、書き込みを行うことが出来た。
又、情報の消去も実施例１と同様に行うことが出来た。
（発明の効果）
以上述べた様に本発明は、酸化物中の酸素量の変化を利
用して情報を記録するものであり、磁性材料を用いた場
合に比べ記録容量が大幅に増大する。
用して情報を記録するものであり、磁性材料を用いた場
合に比べ記録容量が大幅に増大する。
又、超伝導酸化物を用いた場合でも常温で使用すること
が可能である。
が可能である。
更に、本発明では酸化物導電体を１μｍ以下のピット間
隔で、３μｍ以下の凹凸形状がある様加工する為、平面
形状とした場合に比べ書き込み、読み取りの精度が向上
する。針状電極と記録媒体の位置決めも容易である。
隔で、３μｍ以下の凹凸形状がある様加工する為、平面
形状とした場合に比べ書き込み、読み取りの精度が向上
する。針状電極と記録媒体の位置決めも容易である。
第１図、第２図、第４図及び第６図は、本発明の実施例
を示す概略図、 第３図及び第５図は、パルス印加回数と電気抵抗率の関
係を示す図、 第１表は、実施例３〜６の材料を示す表である。 １：基板 ２．４：電極３：酸化物導電
体 ５：上部層 第１図 第２図 第３図
を示す概略図、 第３図及び第５図は、パルス印加回数と電気抵抗率の関
係を示す図、 第１表は、実施例３〜６の材料を示す表である。 １：基板 ２．４：電極３：酸化物導電
体 ５：上部層 第１図 第２図 第３図
Claims (9)
- （１）酸化物に含まれる酸素量を制御し、酸素量の大小
を利用して情報を記録する記録媒体において、該記録媒
体の表面に１μｍ以下のピット間隔で３μｍ以下の凹凸
が形成されていることを特徴とする記録媒体。 - （２）酸化物がその材料固有の温度により低温で超伝導
状態に転移する酸化物である請求項１に記載の記録媒体
。 - （３）酸化物がある特定の値前後の酸素量で、結晶構造
が変化する酸化物である請求項１又は２に記載の記録媒
体。 - （４）酸素量の大小の状態を光の照射、電界の印加又は
電流を流すことによって変化させる請求項１、２及び３
に記載の記録媒体。 - （５）酸化物が式Ｌｎ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ（ＬｎはＳｃ、
Ｙ、Ｌａ、Ａｃ等の周期律表III族ａ亜族に属する元素
を表わし、Ｌｎ、Ｂａ、Ｃｕの金属元素の合計量を１０
０とした場合、Ｌｎの割合が１０〜２０である）で表さ
れる金属酸化物である請求項１〜４に記載の記録媒体。 - （６）酸化物が電極を付けた基板上に形成されている請
求項１〜５に記載の記録媒体。 - （７）酸化物上に酸素透過性膜が設けられている請求項
６に記載の記録媒体。 - （８）酸化物上に酸素を吸収する膜が設けられている請
求項６に記載の記録媒体。 - （９）酸化物上に酸素不透過性膜が設けれれている請求
項６に記載の記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2137868A JP2883162B2 (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2137868A JP2883162B2 (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0432049A true JPH0432049A (ja) | 1992-02-04 |
| JP2883162B2 JP2883162B2 (ja) | 1999-04-19 |
Family
ID=15208604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2137868A Expired - Fee Related JP2883162B2 (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | 記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2883162B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04271037A (ja) * | 1991-02-25 | 1992-09-28 | Canon Inc | 記録媒体 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63268087A (ja) * | 1987-04-27 | 1988-11-04 | Hitachi Ltd | 記憶媒体 |
| JPS6457438A (en) * | 1987-08-28 | 1989-03-03 | Mitsubishi Electric Corp | Recording medium |
-
1990
- 1990-05-28 JP JP2137868A patent/JP2883162B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63268087A (ja) * | 1987-04-27 | 1988-11-04 | Hitachi Ltd | 記憶媒体 |
| JPS6457438A (en) * | 1987-08-28 | 1989-03-03 | Mitsubishi Electric Corp | Recording medium |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04271037A (ja) * | 1991-02-25 | 1992-09-28 | Canon Inc | 記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2883162B2 (ja) | 1999-04-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |