JPH04322038A - 平面型表示装置の封着方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、平面型表示装置の封着
方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来技術の構成を説明する。図５は例え
ば特開昭６３−１８４２３９号公報に示された平面型表
示装置の一部を示す斜視図であり、１は半楕円形状の溝
を有する背面電極、２は通電することによって電子放射
する電子放射としての線状カソード、３はこの線状カソ
ード２の上面を覆う半楕円状のメッシュ電極である。こ
のメッシュ電極３は電子を通過させるための多数の小孔
４を有し、適当な電位を印加することで、上記線状カソ
ード２から電子が引き出される。５はこのメッシュ電極
３によって引き出された電子により励起されて、赤、緑
、青に発光する３種の蛍光体６が内面側にドット状に塗
膜され、さらにその上に導電性を持たせるための図示し
ないアルミ膜が形成された前面ガラスであり、このアル
ミ膜に１０〜３０ＫＶ程度の電圧を印加することにより
、電子が加速され、蛍光体６を励起し、発光させる。

【０００３】７はこの前面ガラスと上記線状カソード２
との間に介在し、上記メッシュ電極３によって引き出さ
れ、前面ガラス５へ向う電子を通過あるいは遮断する制
御電極部で、図４にその分解構成を示す。この制御電極
部７は、第１の制御電極群１０と、第２の制御電極群１
１とから構成されている。この第１の制御電極群１０は
、絶縁基板９の下面に画素の１列づつに対応して配列さ
れ電子通過部１０ｂを有する短冊状の金属電極１０ａか
らなり、又上記第２の制御電極群１１は、電子通過孔部
１１ｂを有して絶縁基板９の上面に画素の１行づつに対
応して配列された短冊状の金属電極１１ａからなってい
る。これら第１および第２の制御電極群１０，１１の各
金属電極はそれぞれの金属からなり、その電子通過部１
０ｂ，１１ｂは図４（ｂ）に拡大図示したように、上記
絶縁基板９の電子通過孔８に対応する部分に多数に小孔
１２をあけてメッシュ状に形成したものである。

【０００４】次にその動作について説明する。図４，図
５において、電子ビーム源としての線状カソード２は、
例えば１０〜１００μｍφのタングステン線からなり、
その表面には酸化物陰極材料が塗布されて構成されてい
る。上記線状カソード２から放出された熱電子はメッシ
ュ電極３によって引き出され、さらに線状カソード２と
直交する方向に配設された金属電極１０ａからなる第１
の制御電極群１０のうちの１本に線状カソード２の電位
に対して約２０〜４０Ｖのプラス電位を印加することに
より、熱電子はこの電極に引き寄せられ、制御電極部７
に達する。ここでメッシュ電極３の楕円形状、第１の制
御電極群１０の位置、およびそれぞれの金属電極１０ａ
への印加電圧を調整することにより、上記第１の制御電
極群１０の任意の１本の金属電極１０ａ前面での電子流
密度がほぼ均一になるようになっている。

【０００５】次に制御電極の動作について説明する。上
記のように、第１の制御電極群１０のうち１本の金属電
極１０ａのみプラス電位となり、他は０Ｖまたはマイナ
ス電位となっていれば、線状カソード２から放出された
熱電子は、このプラス電位の１本の金属電極１０ａにの
み引き寄せられ、その金属電極１０ａの各電子通過部１
０ｂを通って絶縁基板９の電子通過孔８に入ってゆく。 そしてこの電子通過孔８に入った電子は第２の制御電極
群１１のうち例えば４０〜１００Ｖの電位が印加されて
いる金属電極１１ａの電子通過部１１ｂのみ電子が通過
する。そして、その通過電子によりその電子通過孔８に
対応する画素の位置の蛍光体６が発光し、画面表示が行
なわれる。

【０００６】以上、平面型表示装置の動作原理を説明し
たが、上記平面型表示装置は真空容器内にあり、図３に
その構成分解図を示す。前面ガラス５はその周辺部分で
後方に折曲され、側面部を被い、更に背面を被い内部を
真空状態に保つ密閉容器１４となっている。この密閉容
器１４はガラス製であり、ガラスフリットの溶融封着に
より密閉容器となる。

【０００７】図２は従来の平面型表示装置の封着方法を
示すもので、ヒーター１６を設けた封着炉１７内の容器
固定治具１８上に、一方の分割ガラス容器としての底板
ガラス１９を設置し、この底板ガラス１９の周縁にはフ
リットガラスペーストが塗布され、上記底板ガラス１９
上には、図３に示す平面型表示装置１３のうちガラス容
器以外の構成物が設置され、更に排気管２０を備えた他
方の分割ガラス容器２１を被せ、両分割容器１９，２１
の接合部に結晶性フリットガラスを介在させた状態とす
る。次に封着炉１７に取り付けられている通風孔２２よ
り挿入されたＮ２ガス導入管２３よりＮ２ガスが導入さ
れ、封着炉１７内を充分にＮ２ガス雰囲気に置換したの
ち、昇温させ、炉内温度が最高温度４４０℃〜４６０℃
に達したのち、前記底板ガラス１９上の結晶性フリット
ガラスが溶融し、上記両分割容器１９，２１の接合部は
接着を開始する。そして最終的に冷却したのち、封着炉
１７からガラス容器により密封された平面型表示装置１
３が取り出され、封着を完了する。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような構成と封着方法では、封着炉内がＮ２ガスで満た
されているもののガラスフリットが溶融した高温度にお
いてガラス容器内はＮ２ガス不足となり、平面型表示装
置に用いられている制御電極群、他の金属部分およびゲ
ッター等が酸化し、本来のゲッター効果が消え、このた
め前記平面型表示装置の寿命が短縮されるという問題点
がある。

【０００９】この発明は、上記従来の問題を解決するも
ので、分割ガラス容器の封着時、平面型表示装置に使用
されている制御電極群、他の金属部品類およびゲッター
等の酸化を防止し、耐久性のある平面型表示装置を提供
することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の平面型表示装置の封着方法は、密閉された
平面型表示装置を金属箱内に収納し、これを封着炉内に
設置し、次にＮ２ガス導入管を金属箱の挿通孔より排気
管を経てガラス容器内に挿入し、室温状態でＮ２ガス雰
囲気に置換した後、４４０℃〜４６０℃まで昇温して、
ガラス容器接合部に介在するフリットガラスを溶融させ
、徐冷を行ない５０℃に至るまで、Ｎ２ガスを導入する
ことを特徴とするものである。

【００１１】

【作用】本発明は上記した封着方法によって、密閉され
た平面型表示装置を金属箱内に収納し、室温状態でＮ２
ガスで置換し、４４０℃〜４６０℃まで昇温し、徐冷を
行ない５０℃に至るまでＮ２ガスを２〜５ｌ／ｍｉｎ流
すことにより、制御電極群、他の金属部品およびゲッタ
ー等の高温酸化を防止し、耐久力が増大する。

【００１２】

【実施例】以下、この発明の一実施例を図面を参照しな
がら説明する。図１は本発明の実施例における平面型表
示装置１３の封着方法を示すものである。ヒーター１６
を設けた封着炉１７中の容器固定治具１８上に、一方の
分割ガラス容器としての底板ガラス１９を設置し、この
底板ガラス１９の周縁にはフリットガラスペーストが塗
布され、上記底板ガラス１９上には、図３に示す平面型
表示装置のうちガラス容器以外の構成物が設置され、更
に排気管２０を備えた他方の分割ガラス容器２１を被せ
、両分割容器１９，２１の接合部に結晶性フリットガラ
スを介在させた状態とする。次にこの密閉された平面型
表示装置１３を金属箱（アルミ製）２４内に収納し、こ
れを封着炉１７内に設置し、Ｎ２ガス導入管２３を金属
箱２４の挿通孔２４ａより排気管２０を経て、上記他方
の分割ガラス容器２１内に挿入する。

【００１３】次に、室温中でＮ２ガス（流量５ｌ／ｍｉ
ｎ）を流してガラス容器２１内および金属箱２４内を充
分にＮ２ガスに置換する。この置換に要した時間は約１
時間程度であった。室温中における置換終了後、Ｎ２ガ
ス流量を４ｌ／ｍｉｎに変換して、あらかじめプログラ
ムされた昇温スケジュールにより封着が開始される。封
着炉１７内の他方の分割ガラス容器２１および一方の分
割ガラス容器としての底板ガラス１９の温度が４４０℃
〜４６０℃に達した後、徐々に冷却していき、上記分割
ガラス容器２１および底板ガラス１９の温度が１５０℃
まで下降した時点で、Ｎ２ガス流量を２ｌ／ｍｉｎに減
量し、５０℃まで温度が下ればＮ２ガスは不要となるの
で、経済性を考えてＮ２ガスを止めて室温まで自然冷却
し、両分割容器１９，２１の接合部は完全に封着され、
密閉容器化される。

【００１４】なお、図１の金属箱２４に設けられている
小孔２４ｂは、封着温度が上昇するとともに、Ｎ２ガス
の熱膨張により、金属箱２４内の圧力が上昇するのを防
止するために設けられたもので、０．５ｍｍφ径の小孔
であれば３個設けるとよい。又、Ｎ２ガス導入管２３は
外径３ｍｍφのステンレス管を用い、金属箱２４のＮ２
ガス導入管２３を挿通する孔２４ａは５ｍｍφとする。 Ｎ２ガスはガラス容器２１内を満たし、排気管２０の内
周に沿って金属箱２４内に流入する。

【００１５】Ｎ２ガス流量は、封着時２ｌ／ｍｉｎ未満
であれば、金属部品類の高温時の酸化を防止することは
できず、また逆に５ｌ／ｍｉｎを超えると、冷却効果は
過大となり、封着温度が低下し、フリットガラスの溶融
が不充分なため、空気漏れの発生原因となる。金属箱２
４を設けた理由は、４４０℃〜４６０℃の温度に充分耐
えられ、伝熱性が良好で、Ｎ２ガス消費を増大させるこ
となくガラス容器の外方にあるＮ２ガス濃度を高めるこ
とができるからである。

【００１６】上記実施例では、平面型表示装置１３の表
面ガラス５の周辺を後方に折曲し、他方の分割ガラス容
器２１を形成しているが、表面ガラス５とは別部材の分
割ガラス容器を被せることも可能である。

【００１７】また、一方の分割ガラス容器に平坦な底板
ガラスを用いているが、一方の分割ガラス容器および他
方の分割ガラス容器をそれぞれ２分割ガラス容器とし、
端縁の衝合により封着してもよい。

【００１８】前記した実施例により、封着後、ガラス容
器２１に取り付けられている排気管２０を真空排気装置
に取り付け、平面型表示装置の密閉容器１４内を１０−
６Ｔｏｒｒ以下の圧力とし、更に、上記圧力のもとで、
２５０℃の温度で充分にガス出しを施した後、排気管２
０をチップオンして真空容器とした。次に平面型表示装
置に取り付けられているゲッターを高周波加熱電源でフ
ラッシュしたところ、全数のゲッターをフラッシュする
ことができた。

【００１９】

【発明の効果】以上のように、本発明による平面型表示
装置の封着方法は、密閉された平面型表示装置を金属箱
内に収納し、これを封着炉内に設置し、次にＮ２ガス導
入管を金属箱の挿通孔より排気管を経てガラス容器内に
挿入し、室温状態でＮ２ガス雰囲気に置換した後、４４
０℃〜４６０℃まで昇温して、ガラス容器接合部に介在
するフリットガラスを溶融させ、徐冷を行ない５０℃に
至るまでＮ２ガスを導入するので、上記ガラス容器内お
よび金属箱内を充分にＮ２ガス雰囲気として封着するこ
とにより、平面型表示装置に使用されている制御電極群
、その他金属部品類およびゲッター等を酸化させること
なく封着することができるので耐久性のある製品を得る
ことができる。

【００２０】また、本発明では金属箱内にガラス容器を
収納するため、ガラス容器と金属箱内を充分にＮ２ガス
で満たし、広い空間にＮ２ガスを放散させることがない
から経済的であり、かつ、Ｎ２ガスの消費量を増大させ
ることなく、ガラス容器内外のＮ２ガス濃度を高く維持
できるから封着時における前記材料の酸化防止記果が大
である。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明による平面型表示装置の封着方法を示
す断面略図。

【図２】従来の技術による平面型表示装置の封着方法を
示す断面略図。

【図３】平面型表示装置構成図。

【図４】制御電極群の斜視図と拡大平面図。

【図５】平面型表示装置の部分斜視図。

【符号の説明】

１　　背面電極 ２　　線状熱陰極 ３　　メッシュ電極 ５　　蛍光体 ７　　制御電極 ９　　絶縁基板 １０　　第１の制御電極群 １１　　第２の制御電極群 １３　　平面型表示装置 １４　　密閉容器 １６　　発熱体 １７　　封着炉 １９　　一方の分割ガラス容器（底板ガラス）２１　　
他方の分割ガラス容器 ２３　　Ｎ２ガス導入管 ２４　　金属箱

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　発光体と、電子を放射する電子放射源
   と、この電子放射源と上記発光体間に介在し、複数の電
   子通過孔が設けられた表面絶縁性基板と、この表面絶縁
   性基板に複数に分離して被膜され、通過電子制御電位が
   印加される導電膜からなる制御電極とを備えた装置を一
   方の分割ガラス容器上にセットし、排気管を備えた他方
   の分割ガラス容器を被せることにより、密閉された平面
   型表示装置を形成し、両分割ガラスの接合部に結晶性フ
   リットガラスを介在させ、Ｎ２ガスの存在下で封着炉内
   において加熱し、封着を行なう平面型表示装置の封着方
   法において、前記密閉された平面型表示装置を金属箱内
   に収納し、これを封着炉内に設置し、次にＮ２ガス導入
   管を金属箱の挿通孔より上記排気管を経て上記他方の分
   割ガラス容器内に挿入し、室温状態でＮ２ガス雰囲気に
   置換した後、４４０℃〜４６０℃まで昇温して、上記フ
   リットガラスを溶融させ、更に徐冷を行ない５０℃に至
   るまで、Ｎ２ガスを導入することを特徴とする平面型表
   示装置の封着方法。
2. 【請求項２】　　上記Ｎ２ガスの導入流量が２〜５ｌ／
   ｍｉｎであることを特徴とする請求項１記載の平面型表
   示装置の封着方法。