JPH0432234A - フリップチップボンディング用バンプ構造 - Google Patents
フリップチップボンディング用バンプ構造Info
- Publication number
- JPH0432234A JPH0432234A JP2138869A JP13886990A JPH0432234A JP H0432234 A JPH0432234 A JP H0432234A JP 2138869 A JP2138869 A JP 2138869A JP 13886990 A JP13886990 A JP 13886990A JP H0432234 A JPH0432234 A JP H0432234A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder bump
- semiconductor element
- point side
- substrate
- solder bumps
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体素子の電気的接続の手法に関し、特に
フリップチップホンディングに用いるバンプの構造の改
良に関するものである。
フリップチップホンディングに用いるバンプの構造の改
良に関するものである。
〔従来の技術］
第２図（ａ）〜（Ｃ）は、従来のフリップチ・スプボン
ディング用バイブ構造及びその動作を示す断面図であり
、図において、１は半導体素子、２はこの半導体素子１
を搭載する基板、３は上記半導体素子１と基板２を電気
的に接続するためのソルダーバンプである。
ディング用バイブ構造及びその動作を示す断面図であり
、図において、１は半導体素子、２はこの半導体素子１
を搭載する基板、３は上記半導体素子１と基板２を電気
的に接続するためのソルダーバンプである。
次に動作について説明する。
例えば蒸着法などによりソルダーバンプ３を各々形成し
た半導体素子１と基板２を位置合わせする（図（ａ））
。
た半導体素子１と基板２を位置合わせする（図（ａ））
。
次いで、両者を所定の荷重で押し合わせる（図（ｂ））
。
。
最後に全体をソルダーバンプ３の融点以上の温度に加熱
して、両側のソルダーバンプを溶融、接合する（図（Ｃ
））。
して、両側のソルダーバンプを溶融、接合する（図（Ｃ
））。
〔発明が解決しようとする課題］
従来のフリップチップボンディング用バンプ構造は以上
のように構成されているので、溶融接合後のソルダーバ
ンプの形状は第２図（Ｃ）に示すように、高さが減少し
幅が増加する。この形状変化のため、例えば高さが減少
することにより接合の耐ヒートサイクル性が劣化したり
、また例えば、幅が増加することにより隣接するソルダ
ーバンプとのピッチを小さくすることができないなどの
問題点があった。
のように構成されているので、溶融接合後のソルダーバ
ンプの形状は第２図（Ｃ）に示すように、高さが減少し
幅が増加する。この形状変化のため、例えば高さが減少
することにより接合の耐ヒートサイクル性が劣化したり
、また例えば、幅が増加することにより隣接するソルダ
ーバンプとのピッチを小さくすることができないなどの
問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、接合後においてもほとんど形状変化のないフ
リップチップボンディング用バンプ構造を得ることを目
的とする。
たもので、接合後においてもほとんど形状変化のないフ
リップチップボンディング用バンプ構造を得ることを目
的とする。
この発明に係るフリップチップボンディング用バンプ構
造は、融点の異なる二種のソルダーバンプを各々半導体
素子と基板とに形成し、かつ低融点側のソルダーバンプ
を溶融接合するのに必要最小限のサイズにしたものであ
る。
造は、融点の異なる二種のソルダーバンプを各々半導体
素子と基板とに形成し、かつ低融点側のソルダーバンプ
を溶融接合するのに必要最小限のサイズにしたものであ
る。
この発明においては、融点の異なる二種のソルダーバン
プを各々半導体素子と基板とに形成し、かつ低融点側の
ソルダーバンプを必要最小限のサイズにして、低融点側
のソルダーバンプのみを溶融させて接合するようにした
ので、接合後においてもほとんど形状変化を生じること
がない。
プを各々半導体素子と基板とに形成し、かつ低融点側の
ソルダーバンプを必要最小限のサイズにして、低融点側
のソルダーバンプのみを溶融させて接合するようにした
ので、接合後においてもほとんど形状変化を生じること
がない。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は、本発明によるフリップチップ
ホディング用バンプ構造及びその動作を示す断面図であ
り、第２図と同一符号は同一または相当部分を示し、４
Ａは半導体素子１上に形成された高融点側のソルダーバ
ンプ、４Ｂは基板２上に形成された低融点側のソルダー
バンプである。
ホディング用バンプ構造及びその動作を示す断面図であ
り、第２図と同一符号は同一または相当部分を示し、４
Ａは半導体素子１上に形成された高融点側のソルダーバ
ンプ、４Ｂは基板２上に形成された低融点側のソルダー
バンプである。
次に動作について説明する。
高融点側のソルダーバンプ４Ａを形成した半導体素子１
と、低融点側のソルダーバンプ４Ｂを形成した基板２を
位置合わせする（図（ａ））。
と、低融点側のソルダーバンプ４Ｂを形成した基板２を
位置合わせする（図（ａ））。
次いで、両者を所定の荷重で押し合わせる（図（ｂ））
。
。
最後に全体をソルダーバンプ４Ｂの融点以上かつソルダ
ーバンプ４Ａの融点未満の温度に加熱して、低融点側の
ソルダーバンプ４Ｂのみを溶融させて接合する。
ーバンプ４Ａの融点未満の温度に加熱して、低融点側の
ソルダーバンプ４Ｂのみを溶融させて接合する。
このように本実施例においては、半導体素子１上に、こ
れと対向するソルダーバンプ４Ｂよりも融点の高いソル
ダーバンプ４Ａを設け、かつ上記低融点側ソルダーバン
プ４Ｂの形状を溶融接合を行なうのに必要最小限のサイ
ズとしたので、半導体素子１と基板２とを溶融接合した
後の接合部における高さの減少や幅の低下が起こるのを
低減することができ、そのため接合の耐ヒートサイクル
性の劣化を低減でき、またソルバーバンプ同志のピッチ
を小さくすることができる。
れと対向するソルダーバンプ４Ｂよりも融点の高いソル
ダーバンプ４Ａを設け、かつ上記低融点側ソルダーバン
プ４Ｂの形状を溶融接合を行なうのに必要最小限のサイ
ズとしたので、半導体素子１と基板２とを溶融接合した
後の接合部における高さの減少や幅の低下が起こるのを
低減することができ、そのため接合の耐ヒートサイクル
性の劣化を低減でき、またソルバーバンプ同志のピッチ
を小さくすることができる。
なお、上記実施例では高融点側のソルダーバンプ４Ａを
半導体素子ｌ上に、低融点側ソルダーバンプ４Ｂを基板
２上に各々形成する例を示したが、これとは逆に、低融
点側のソルダーバンプ４Ｂを半導体素子１上に、高融点
側ソルダーバンプ４Ａを基板２上に各々形成してもよい
。
半導体素子ｌ上に、低融点側ソルダーバンプ４Ｂを基板
２上に各々形成する例を示したが、これとは逆に、低融
点側のソルダーバンプ４Ｂを半導体素子１上に、高融点
側ソルダーバンプ４Ａを基板２上に各々形成してもよい
。
また、上記実施例では半導体素子１と基板２とを接合す
る例を示したが、ソルダーバンプを用いて接合するも、
例えば、半導体素子同士または基板同士等を接合する場
合にも用いることができることは言うまでもない。
る例を示したが、ソルダーバンプを用いて接合するも、
例えば、半導体素子同士または基板同士等を接合する場
合にも用いることができることは言うまでもない。
〔発明の効果］
以上のように本説明に係るフリップチップボンディング
用バンプ構造によれば、融点の異なる二種のソルダーバ
ンプを用い、かつ低融点側のソルダーバンプを必要最小
限のサイズにして、この低融点側のソルダーバンプのみ
を溶融させて接合するようにしたから、溶融接合後にお
いてもほとんど形状変化が発生せず、接合の耐ヒートサ
イクル性が劣化することもなく、またソルダーバンプの
ピッチも小さくすることができるという効果がある。
用バンプ構造によれば、融点の異なる二種のソルダーバ
ンプを用い、かつ低融点側のソルダーバンプを必要最小
限のサイズにして、この低融点側のソルダーバンプのみ
を溶融させて接合するようにしたから、溶融接合後にお
いてもほとんど形状変化が発生せず、接合の耐ヒートサ
イクル性が劣化することもなく、またソルダーバンプの
ピッチも小さくすることができるという効果がある。
第１図（ａ）〜（Ｃ）はこの発明の一実施例によるフリ
ップチップボンディング用バンプ構造およびその動作を
示す断面図、第２図（ａ）〜（Ｃ）は従来のフリップチ
ップボンディング用バンプ構造及びその動作を示す断面
図である。 １は半導体素子、２は基板、４Ａは高融点側ソルダーバ
ンプ、４Ｂは低融点側ソルダーバンプである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 第１図
ップチップボンディング用バンプ構造およびその動作を
示す断面図、第２図（ａ）〜（Ｃ）は従来のフリップチ
ップボンディング用バンプ構造及びその動作を示す断面
図である。 １は半導体素子、２は基板、４Ａは高融点側ソルダーバ
ンプ、４Ｂは低融点側ソルダーバンプである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 第１図
Claims (1)
- （１）半導体素子とこれを搭載する基板とを電気的に接
続するために上記半導体素子及び基板の表面に形成され
たソルダーバンプにおいて、 融点の異なる二種のソルダーバンプを各々、上記半導体
素子及び基板の表面に形成し、かつ低融点側のソルダー
バイプを溶融接合するのに必要最小限の大きさとしたこ
とを特徴とするフリップチップボンディング用バンプ構
造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2138869A JPH0432234A (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | フリップチップボンディング用バンプ構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2138869A JPH0432234A (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | フリップチップボンディング用バンプ構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0432234A true JPH0432234A (ja) | 1992-02-04 |
Family
ID=15232024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2138869A Pending JPH0432234A (ja) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | フリップチップボンディング用バンプ構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0432234A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0678908A1 (en) * | 1994-04-19 | 1995-10-25 | International Business Machines Corporation | Low temperature ternary C4 method |
-
1990
- 1990-05-28 JP JP2138869A patent/JPH0432234A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0678908A1 (en) * | 1994-04-19 | 1995-10-25 | International Business Machines Corporation | Low temperature ternary C4 method |
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