JPH04322435A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

半導体装置およびその製造方法

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JPH04322435A
JPH04322435A JP3090509A JP9050991A JPH04322435A JP H04322435 A JPH04322435 A JP H04322435A JP 3090509 A JP3090509 A JP 3090509A JP 9050991 A JP9050991 A JP 9050991A JP H04322435 A JPH04322435 A JP H04322435A
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JP
Japan
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metal
leads
semiconductor chip
semiconductor device
lead
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JP3090509A
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English (en)
Inventor
Kozo Nishino
西野　弘三
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体チップと外部リー
ドとを接続した金属リードを補強した半導体装置および
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、半導体チップと外部リードとの電
気的接続は金属細線を用いたワイヤボンディングにより
行われる。
【０００３】以下に従来の半導体装置について説明する
。図２は従来の半導体装置の要部断面図である。図２に
示すように、半導体チップ１はリードフレーム２のダイ
パッド２ａにダイボンドされている。半導体チップ１の
表面には、保護膜３が形成されており、その保護膜３の
一部が開口されて電極パッド４が露出している。この電
極パッド４と外部リード２ｂが金属リード（この場合は
金属細線）５により接続されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、金属リード５の強度が弱く、全体を樹脂
封止する際に金属リード５が封止用樹脂の動圧により流
されて、金属リード５の断線やショートが発生するとい
う課題を有していた。近年、半導体装置の小型化を進め
るために電極パッド４の縮小化が望まれているが、その
ために金属リード５となるワイヤボンディング用の金属
細線を細くしなければならず、ますます断線、ショート
の危険性が増大している。
【０００５】本発明は上記の従来の課題を解決するもの
で、金属リードの強度を増強した半導体装置およびその
製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の半導体装置は、基板に搭載された半導体チッ
プと外部リードとが金属リードで接続されており、かつ
基板の少なくとも一部と、半導体チップの表面の保護膜
の上を除いた領域と、金属リードとに金属被膜が形成さ
れている構成を有している。
【０００７】
【作用】この構成によって、細い金属リードを用いても
その強度を増大させることができ、金属リードの断線や
ショートによる不良が減少する。
【０００８】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。図１は本発明の一実施例における半
導体装置の要部断面図である。なお図２に示す従来例と
同一箇所には同一符号を付して、詳細説明を省略した。 図１に示す本実施例が図２に示す従来例と異なる点は、
半導体チップ１の保護膜３を除く領域、リードフレーム
２の表面および金属リード５の表面に金属被膜６が形成
されていることである。この時、半導体チップ１のエッ
ジ部分１ａには保護膜３が形成されているので、金属被
膜６は形成されない。
【０００９】このような半導体装置は次の工程により製
造される。まず半導体チップ１をリードフレーム２のダ
イパッド２ａに合金法、はんだ付けまたは接着剤法を用
いてダイボンドする。次に電極パッド４と外部リード２
ｂとの間を金属細線を用いたワイヤボンディングにより
接続して金属リード５を形成する。次にリードフレーム
２を一方の電極として金、銅、クロム等を電気めっきす
る。この時、金属部分には金属被膜は形成されるが、半
導体チップ１の上に形成されている保護膜３の上には金
属被膜６は形成されない。したがって半導体チップ１の
エッジ部分１ａには金属被膜６は形成されないが、必要
ならば金属被膜６が形成されては困る部分にめっきレジ
ストを形成しておけば良い。金属被膜６の形成方法は、
めっき法以外にも蒸着等でも良いし、金属被膜６は特に
金、銅またはクロムに限るものではない。なお金属被膜
６は金属リード５の表面にのみ形成されても同様の効果
は得られる。
【００１０】
【発明の効果】以上のように本発明は、少なくとも金属
リードの表面に金属被膜を形成した構成とすることによ
り、金属リードの強度を増大させた優れた半導体装置を
実現できるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例における半導体装置の要部断
面図
【図２】従来の半導体装置の要部断面図
【符号の説明】
１　　半導体チップ ２　　リードフレーム（基板） ２ｂ　　外部リード ３　　保護膜 ５　　金属リード ６　　金属被膜

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　基板に搭載された半導体チップと外部
    リードとが金属リードで接続されており、前記基板の少
    なくとも一部と、前記半導体チップの表面の保護膜の上
    を除いた領域と、前記金属リードとに金属被膜が形成さ
    れている半導体装置。
  2. 【請求項２】　　基板の上に搭載された半導体チップの
    電極パッドと外部リードとを金属リードで接続した後、
    前記基板の少なくとも一部と、前記半導体チップの表面
    の保護膜の上を除いた領域と、前記金属リードとに金属
    被膜を形成する半導体装置の製造方法。
JP3090509A 1991-04-22 1991-04-22 半導体装置およびその製造方法 Pending JPH04322435A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010197165A (ja) * 2009-02-24 2010-09-09 Mitsubishi Materials Corp 薄膜温度センサ及びその製造方法
US8030744B2 (en) 2005-06-22 2011-10-04 Infineon Technologies Ag Arrangement for electrically connecting semiconductor circuit arrangements to an external contact device and method for producing the same
JP2016042587A (ja) * 2015-10-29 2016-03-31 アピックヤマダ株式会社 ダミーフレーム、樹脂モールド評価方法、モールド金型の評価方法、およびモールド金型の製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8030744B2 (en) 2005-06-22 2011-10-04 Infineon Technologies Ag Arrangement for electrically connecting semiconductor circuit arrangements to an external contact device and method for producing the same
DE102005028951B4 (de) 2005-06-22 2018-05-30 Infineon Technologies Ag Anordnung zur elektrischen Verbindung einer Halbleiter-Schaltungsanordnung mit einer äusseren Kontakteinrichtung
JP2010197165A (ja) * 2009-02-24 2010-09-09 Mitsubishi Materials Corp 薄膜温度センサ及びその製造方法
JP2016042587A (ja) * 2015-10-29 2016-03-31 アピックヤマダ株式会社 ダミーフレーム、樹脂モールド評価方法、モールド金型の評価方法、およびモールド金型の製造方法

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