JPH04323300A - 低表面張力硫酸組成物 - Google Patents
低表面張力硫酸組成物Info
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- JPH04323300A JPH04323300A JP9241091A JP9241091A JPH04323300A JP H04323300 A JPH04323300 A JP H04323300A JP 9241091 A JP9241091 A JP 9241091A JP 9241091 A JP9241091 A JP 9241091A JP H04323300 A JPH04323300 A JP H04323300A
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- sulfuric acid
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は硫酸組成物に係るもので
ある。本発明は特に半導体製造工程で洗浄剤として使用
される硫酸組成物に関するもので、詳しくは、特定のフ
ッ素系界面活性剤を含有してなる低表面張力硫酸組成物
の改良に関するものである。
ある。本発明は特に半導体製造工程で洗浄剤として使用
される硫酸組成物に関するもので、詳しくは、特定のフ
ッ素系界面活性剤を含有してなる低表面張力硫酸組成物
の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】集積回路等に代表される微細加工技術は
近年益々その加工精度を向上させており、ダイナミック
ランダムアクセスメモリー（ＤＲＡＭ）を例にとれば、
現在では、サブミクロンの加工技術が大量生産レベルの
技術として確立されている。微細加工技術においてはウ
エハー上に存在するパーティクルが加工精度に重大な影
響を与え、フォトリソグラフィー等の各工程では高純度
硫酸等の洗浄剤を用い、ウエハー上のパーティクルを除
去するのが通例である。
近年益々その加工精度を向上させており、ダイナミック
ランダムアクセスメモリー（ＤＲＡＭ）を例にとれば、
現在では、サブミクロンの加工技術が大量生産レベルの
技術として確立されている。微細加工技術においてはウ
エハー上に存在するパーティクルが加工精度に重大な影
響を与え、フォトリソグラフィー等の各工程では高純度
硫酸等の洗浄剤を用い、ウエハー上のパーティクルを除
去するのが通例である。
【０００３】上記集積回路の集積度が向上するに伴いパ
ターンの微細化、凹凸の複雑化等も相まって洗浄工程に
要求されるパーティクルの除去もより厳しい要求がなさ
れてきている。硫酸は半導体製造工程において、シリコ
ン基板の洗浄、レジスト膜の除去等に単独にて、又は他
の物質と混合にて使用されている。従来の高純度硫酸を
使用すると、表面張力が大きく、濡れ性が悪いため、又
は、洗浄中に発生、又は同伴される気泡が消泡し難いた
めに、洗浄剤が微細なパターン間内に浸透し難く、洗浄
が不十分になるなどの不都合があった。これらの問題を
解決するため、特定の界面活性剤を添加することにより
表面張力を低下させ濡れ性を向上させる方法が提案され
ている。（特開平２−２４０２８５）しかし、ここに提
案された硫酸組成物は、表面張力は低下しているものの
消泡性が逆に悪化しており、半導体製造用として未だ十
分に満足のいくものではない。
ターンの微細化、凹凸の複雑化等も相まって洗浄工程に
要求されるパーティクルの除去もより厳しい要求がなさ
れてきている。硫酸は半導体製造工程において、シリコ
ン基板の洗浄、レジスト膜の除去等に単独にて、又は他
の物質と混合にて使用されている。従来の高純度硫酸を
使用すると、表面張力が大きく、濡れ性が悪いため、又
は、洗浄中に発生、又は同伴される気泡が消泡し難いた
めに、洗浄剤が微細なパターン間内に浸透し難く、洗浄
が不十分になるなどの不都合があった。これらの問題を
解決するため、特定の界面活性剤を添加することにより
表面張力を低下させ濡れ性を向上させる方法が提案され
ている。（特開平２−２４０２８５）しかし、ここに提
案された硫酸組成物は、表面張力は低下しているものの
消泡性が逆に悪化しており、半導体製造用として未だ十
分に満足のいくものではない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前記
の背景に鑑み、界面活性剤を含有する硫酸組成物の特性
を改良し、低表面張力にて濡れ性が良く且つ消泡性にも
優れた硫酸組成物を提供することにある。
の背景に鑑み、界面活性剤を含有する硫酸組成物の特性
を改良し、低表面張力にて濡れ性が良く且つ消泡性にも
優れた硫酸組成物を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは種々検討を
重ねた結果、芳香族置換基を有する特定のフッ素系界面
活性剤を用いれば目的を達成することができることを見
出し本発明を完成した。即ち、本発明の要旨は一般式 Ｒ１ −ＳＯ２ −ＮＲ２ −ＣＨ２ −（Ｃ
ＨＯＲ３ ）ｎ −ＣＨ２ ＯＲ３ …〔Ｉ〕（式中、
Ｒ１ はフルオロアルキル基を示し、Ｒ２ はフェニル
基、ベンジル基またはフェネチル基を示し、Ｒ３ は同
じでも異なっていてもよく水素原子または−Ｏ２ ＳＯ
Ｈ基を示し、ｎは０または１を表わす）で示されるフル
オロアルキルスルホンアミド化合物を硫酸に含有させた
低表面張力硫酸組成物に存する。
重ねた結果、芳香族置換基を有する特定のフッ素系界面
活性剤を用いれば目的を達成することができることを見
出し本発明を完成した。即ち、本発明の要旨は一般式 Ｒ１ −ＳＯ２ −ＮＲ２ −ＣＨ２ −（Ｃ
ＨＯＲ３ ）ｎ −ＣＨ２ ＯＲ３ …〔Ｉ〕（式中、
Ｒ１ はフルオロアルキル基を示し、Ｒ２ はフェニル
基、ベンジル基またはフェネチル基を示し、Ｒ３ は同
じでも異なっていてもよく水素原子または−Ｏ２ ＳＯ
Ｈ基を示し、ｎは０または１を表わす）で示されるフル
オロアルキルスルホンアミド化合物を硫酸に含有させた
低表面張力硫酸組成物に存する。
【０００６】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の
低表面張力硫酸組成物は、上記一般式〔Ｉ〕のフルオロ
アルキルスルホンアミドを硫酸に添加し、溶解させたも
のである。一般式〔Ｉ〕中、Ｒ１ で表わされるフルオ
ロアルキル基としては、通常、炭素数３以上、好ましく
は５〜２０のアルキル基の水素原子がフッ素原子で置換
されたものである。また、この際のフッ素原子の置換率
は５０％以上、好ましくは８０％以上である。
低表面張力硫酸組成物は、上記一般式〔Ｉ〕のフルオロ
アルキルスルホンアミドを硫酸に添加し、溶解させたも
のである。一般式〔Ｉ〕中、Ｒ１ で表わされるフルオ
ロアルキル基としては、通常、炭素数３以上、好ましく
は５〜２０のアルキル基の水素原子がフッ素原子で置換
されたものである。また、この際のフッ素原子の置換率
は５０％以上、好ましくは８０％以上である。
【０００７】フルオロアルキルスルホンアミドの添加量
は、硫酸に対し０．００１〜０．１重量％、好ましくは
０．００５〜０．０５重量％である。上記添加量より少
なすぎると効果が十分でなく、又多すぎてもそれ以上の
効果が得られず意味がない。添加される硫酸（水溶液）
はあまり薄すぎると洗浄効果が十分でないため、一般的
には６０重量％以上、好ましくは７０重量％以上のもの
が使用される。本発明で用いられるフルオロアルキルス
ルホンアミド化合物は上記高濃度、及び／又は高温下の
硫酸中でも十分に安定であり、十分にその効果を発揮す
る。
は、硫酸に対し０．００１〜０．１重量％、好ましくは
０．００５〜０．０５重量％である。上記添加量より少
なすぎると効果が十分でなく、又多すぎてもそれ以上の
効果が得られず意味がない。添加される硫酸（水溶液）
はあまり薄すぎると洗浄効果が十分でないため、一般的
には６０重量％以上、好ましくは７０重量％以上のもの
が使用される。本発明で用いられるフルオロアルキルス
ルホンアミド化合物は上記高濃度、及び／又は高温下の
硫酸中でも十分に安定であり、十分にその効果を発揮す
る。
【０００８】又、硫酸は過酸化水素水と混合にて洗浄用
に供される場合があるが、本発明で用いられるフルオロ
アルキルスルホンアミド化合物はこのような強酸化性の
雰囲気にても安定であり、高温下でも十分にその効果を
発揮する。なお、本発明の硫酸組成物は半導体製造工程
で使用することを目的とするものであるから、原料であ
る硫酸、フルオロスルホンアミド共に高純度のものを使
用する必要がある。
に供される場合があるが、本発明で用いられるフルオロ
アルキルスルホンアミド化合物はこのような強酸化性の
雰囲気にても安定であり、高温下でも十分にその効果を
発揮する。なお、本発明の硫酸組成物は半導体製造工程
で使用することを目的とするものであるから、原料であ
る硫酸、フルオロスルホンアミド共に高純度のものを使
用する必要がある。
【０００９】
【実施例】次に具体例を挙げて本発明を更にくわしく説
明するが、本発明はその要旨を越えないかぎりは実施例
によりなんら制限を受けるものではない。 実施例１〜６及び比較例１〜２ ８９重量％硫酸に表−１に示すフルオロアルキルスルホ
ンアミドの所定量を添加、混合した。得られた硫酸組成
物の２２℃における表面張力をウイルヘルミ法にて測定
した。また、該硫酸組成物を２２℃にて振とうして泡を
発生させ、その泡が消えるまでの時間を測定した。結果
を表−１に示す。
明するが、本発明はその要旨を越えないかぎりは実施例
によりなんら制限を受けるものではない。 実施例１〜６及び比較例１〜２ ８９重量％硫酸に表−１に示すフルオロアルキルスルホ
ンアミドの所定量を添加、混合した。得られた硫酸組成
物の２２℃における表面張力をウイルヘルミ法にて測定
した。また、該硫酸組成物を２２℃にて振とうして泡を
発生させ、その泡が消えるまでの時間を測定した。結果
を表−１に示す。
【００１０】
【表１】
実施例７
実施例−２及び比較例２で用いた硫酸組成物と３０重量
％過酸化水素水とを４：１（容量比）にて混合した混合
組成物を表−２に示した時間加温保持した後、サンンプ
リングした組成物の２２℃における表面張力を測定した
。結果を表−２に示す。
％過酸化水素水とを４：１（容量比）にて混合した混合
組成物を表−２に示した時間加温保持した後、サンンプ
リングした組成物の２２℃における表面張力を測定した
。結果を表−２に示す。
【００１１】
【表２】
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、芳香族置換基を有する
特定のフッ素系界面活性剤を配合することにより、低表
面張力にて消泡性に優れ、且つ高酸化性雰囲気下、高温
下でも安定な硫酸組成物が得られ、高集積回路の工業生
産上利するところ大である。
特定のフッ素系界面活性剤を配合することにより、低表
面張力にて消泡性に優れ、且つ高酸化性雰囲気下、高温
下でも安定な硫酸組成物が得られ、高集積回路の工業生
産上利するところ大である。
Claims (1)
- 【請求項１】 一般式 Ｒ１ −ＳＯ２ −ＮＲ２ −ＣＨ２ −（Ｃ
ＨＯＲ３ ）ｎ −ＣＨ２ ＯＲ３ …〔Ｉ〕（式中、
Ｒ１ はフルオロアルキル基を表わし、Ｒ２ はフェニ
ル基、ベンジル基またはフェネチル基を表わし、Ｒ３
は同一または異って水素原子または−Ｏ２ ＳＯＨを表
わし、ｎは０または１を表わす。）で示されるフルオロ
アルキルスルホンアミド化合物を硫酸に含有させてなる
低表面張力硫酸組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9241091A JPH04323300A (ja) | 1991-04-23 | 1991-04-23 | 低表面張力硫酸組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9241091A JPH04323300A (ja) | 1991-04-23 | 1991-04-23 | 低表面張力硫酸組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04323300A true JPH04323300A (ja) | 1992-11-12 |
Family
ID=14053647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9241091A Pending JPH04323300A (ja) | 1991-04-23 | 1991-04-23 | 低表面張力硫酸組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04323300A (ja) |
-
1991
- 1991-04-23 JP JP9241091A patent/JPH04323300A/ja active Pending
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