JPH04325599A - 低表面張力を有する硫酸組成物 - Google Patents
低表面張力を有する硫酸組成物Info
- Publication number
- JPH04325599A JPH04325599A JP3097302A JP9730291A JPH04325599A JP H04325599 A JPH04325599 A JP H04325599A JP 3097302 A JP3097302 A JP 3097302A JP 9730291 A JP9730291 A JP 9730291A JP H04325599 A JPH04325599 A JP H04325599A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sulfuric acid
- surface tension
- low surface
- acid composition
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Emulsifying, Dispersing, Foam-Producing Or Wetting Agents (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は硫酸組成物に関するもの
であり、特に、半導体製造工程における洗浄剤として有
用な硫酸組成物に関する。
であり、特に、半導体製造工程における洗浄剤として有
用な硫酸組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路等に代表される微細加工技術は
近年益々その加工精度を向上させており、ダイナミック
ランダムアクセスメモリー（ＤＲＡＭ）を例にとれば、
現在では、サブミクロンの加工技術が大量生産レベルの
技術として確立されている。微細加工技術においてはウ
エハー上に存在するパーティクルが加工精度に重大な影
響を与え、フォトリソグラフィー等の各工程では硫酸等
の洗浄剤を用い、ウエハー上のパーティクルを除去する
のが通例である。上記集積回路の集積度が向上するに伴
いパターンの微細化、凹凸の複雑化等も相まって洗浄工
程に要求されるパーティクルの除去もより厳しい要求が
なされてきている。
近年益々その加工精度を向上させており、ダイナミック
ランダムアクセスメモリー（ＤＲＡＭ）を例にとれば、
現在では、サブミクロンの加工技術が大量生産レベルの
技術として確立されている。微細加工技術においてはウ
エハー上に存在するパーティクルが加工精度に重大な影
響を与え、フォトリソグラフィー等の各工程では硫酸等
の洗浄剤を用い、ウエハー上のパーティクルを除去する
のが通例である。上記集積回路の集積度が向上するに伴
いパターンの微細化、凹凸の複雑化等も相まって洗浄工
程に要求されるパーティクルの除去もより厳しい要求が
なされてきている。
【０００３】硫酸は半導体製造工程において、シリコン
基板の洗浄、レジスト膜の除去等に単独で、また、他の
物質と混合して使用されている。しかし、従来の高純度
硫酸を使用すると、表面張力が大きく濡れ性が悪いため
、洗浄剤が微細なパターン間内に浸透し難く、洗浄が不
十分になるなどの不都合があった。特開平２−２４０２
８５号は硫酸にフッ素系界面活性剤を添加した低表面張
力の硫酸組成物を教えている。
基板の洗浄、レジスト膜の除去等に単独で、また、他の
物質と混合して使用されている。しかし、従来の高純度
硫酸を使用すると、表面張力が大きく濡れ性が悪いため
、洗浄剤が微細なパターン間内に浸透し難く、洗浄が不
十分になるなどの不都合があった。特開平２−２４０２
８５号は硫酸にフッ素系界面活性剤を添加した低表面張
力の硫酸組成物を教えている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前記
の背景に鑑み、低表面張力にて濡れ性が良い硫酸組成物
を提供することにある。
の背景に鑑み、低表面張力にて濡れ性が良い硫酸組成物
を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】このような問題点を解決
するために我々は種々検討を重ねた結果、特定のフッ素
系界面活性剤を用いれば目的を達成することができるこ
とを見出し本発明を完成した。即ち、本発明の要旨は一
般式 Ｒ１ −ＳＯ２ −ＮＲ２ −ＣＨ２ −ＣＨＯＲ
３ −ＣＨ２ ＯＲ４ （１）（式中
Ｒ１ はフルオロアルキル基を示し、Ｒ２ は炭素数１
〜６のアルキル基を示し、Ｒ３ 及びＲ４ は同じでも
異なっていてもよく水素原子またはスルホ基を示す。）
で表わされるフルオロアルキルスルホンアミド化合物を
硫酸に配合してなる低表面張力を有する硫酸組成物に存
する。
するために我々は種々検討を重ねた結果、特定のフッ素
系界面活性剤を用いれば目的を達成することができるこ
とを見出し本発明を完成した。即ち、本発明の要旨は一
般式 Ｒ１ −ＳＯ２ −ＮＲ２ −ＣＨ２ −ＣＨＯＲ
３ −ＣＨ２ ＯＲ４ （１）（式中
Ｒ１ はフルオロアルキル基を示し、Ｒ２ は炭素数１
〜６のアルキル基を示し、Ｒ３ 及びＲ４ は同じでも
異なっていてもよく水素原子またはスルホ基を示す。）
で表わされるフルオロアルキルスルホンアミド化合物を
硫酸に配合してなる低表面張力を有する硫酸組成物に存
する。
【０００６】以下、本発明を説明する。上記一般式（１
）において、Ｒ１で表わされるフルオロアルキル基は通
常、炭素数３以上、好ましくは５〜２０のアルキル基の
水素原子の１部をフッ素原子で置換したものであり、そ
の置換率は５０％以上好ましくは８０％以上である。Ｒ
２ で表わされるアルキル基としては例えばメチル、エ
チル、直鎖乃至は分岐のプロピル、ブチル、ペンチル、
ヘキシル等炭素数１〜６のアルキル基であり、就中、炭
素数２〜５のアルキル基が好ましい。
）において、Ｒ１で表わされるフルオロアルキル基は通
常、炭素数３以上、好ましくは５〜２０のアルキル基の
水素原子の１部をフッ素原子で置換したものであり、そ
の置換率は５０％以上好ましくは８０％以上である。Ｒ
２ で表わされるアルキル基としては例えばメチル、エ
チル、直鎖乃至は分岐のプロピル、ブチル、ペンチル、
ヘキシル等炭素数１〜６のアルキル基であり、就中、炭
素数２〜５のアルキル基が好ましい。
【０００７】本発明の低表面張力硫酸組成物においては
、上記一般式（１）に示されるフルオロアルキルスルホ
ンアミド化合物を適当量添加し溶解させることを必須と
するものであり、その添加量は、硫酸に対して０．００
１〜０．１重量％であり、より好ましい添加量は０．０
０５〜０．０５重量％である。上記添加量より少なすぎ
ると効果が十分でなく、又多すぎてもそれ以上の効果が
得られず意味がない。
、上記一般式（１）に示されるフルオロアルキルスルホ
ンアミド化合物を適当量添加し溶解させることを必須と
するものであり、その添加量は、硫酸に対して０．００
１〜０．１重量％であり、より好ましい添加量は０．０
０５〜０．０５重量％である。上記添加量より少なすぎ
ると効果が十分でなく、又多すぎてもそれ以上の効果が
得られず意味がない。
【０００８】又、添加される硫酸（水溶液）はあまり薄
すぎると洗浄効果が十分でないため、一般的には６０重
量％以上、好ましくは７０重量％以上のものが使用され
る。本発明で用いられるフルオロアルキルスルホンアミ
ド化合物は上記高濃度、及び／又は高温下の硫酸中でも
十分に安定であり、十分にその効果を発揮する。又、硫
酸は過酸化水素水と混合にて洗浄用に供される場合があ
るが、本発明で用いられるフルオロアルキルスルホンア
ミド化合物はこのような強酸化性の雰囲気にても安定で
あり、高温下でも十分にその効果を発揮する。なお、本
発明の硫酸組成物は半導体製造工程で使用することを主
目的とするものであるから、原料である硫酸，スルホン
アミド共に高純度のものを使用する必要がある。
すぎると洗浄効果が十分でないため、一般的には６０重
量％以上、好ましくは７０重量％以上のものが使用され
る。本発明で用いられるフルオロアルキルスルホンアミ
ド化合物は上記高濃度、及び／又は高温下の硫酸中でも
十分に安定であり、十分にその効果を発揮する。又、硫
酸は過酸化水素水と混合にて洗浄用に供される場合があ
るが、本発明で用いられるフルオロアルキルスルホンア
ミド化合物はこのような強酸化性の雰囲気にても安定で
あり、高温下でも十分にその効果を発揮する。なお、本
発明の硫酸組成物は半導体製造工程で使用することを主
目的とするものであるから、原料である硫酸，スルホン
アミド共に高純度のものを使用する必要がある。
【０００９】
【実施例】次に具体例を挙げて本発明を更に詳しく説明
するが、本発明はその要旨を越えないかぎりは実施例に
よりなんら制限を受けるものではない。 実施例１〜４及び比較例１〜２ ８９％硫酸に表−１記載のスルホンアミドの所定量を添
加し、２２℃における表面張力をウイルヘルミ法で測定
した。また、比較のためスルホンアミド無添加（比較例
１）及び本発明で使用されるスルホンアミドと類似構造
を有する下式（Ａ）のスルホンアミドを用いた場合（比
較例２）について同様に表面張力を測定した。結果を表
−１に示す。
するが、本発明はその要旨を越えないかぎりは実施例に
よりなんら制限を受けるものではない。 実施例１〜４及び比較例１〜２ ８９％硫酸に表−１記載のスルホンアミドの所定量を添
加し、２２℃における表面張力をウイルヘルミ法で測定
した。また、比較のためスルホンアミド無添加（比較例
１）及び本発明で使用されるスルホンアミドと類似構造
を有する下式（Ａ）のスルホンアミドを用いた場合（比
較例２）について同様に表面張力を測定した。結果を表
−１に示す。
【００１０】比較例スルホンアミド
Ｃ８ Ｈ１７ＳＯ２ Ｎ（Ｃ３ Ｈ７ ）−（
ＣＨ２ ＣＨ２ Ｏ）２０Ｈ （Ａ）
ＣＨ２ ＣＨ２ Ｏ）２０Ｈ （Ａ）
【
００１１】
００１１】
【表１】
実施例−５
実施例−２で用いた硫酸組成物と３０重量％過酸化水素
水とを４：１（容量比）にて混合した混合組成物を、表
−２に示した時間加温保持し、経時的にサンプリングし
た組成物の２２℃における表面張力を測定した。結果を
表−２に示す。
水とを４：１（容量比）にて混合した混合組成物を、表
−２に示した時間加温保持し、経時的にサンプリングし
た組成物の２２℃における表面張力を測定した。結果を
表−２に示す。
【００１２】
【表２】
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、低表面張力にて、高酸
化性雰囲気下、高温下でも安定な硫酸組成物を提供でき
、高集積回路の工業生産上利するところ大である。
化性雰囲気下、高温下でも安定な硫酸組成物を提供でき
、高集積回路の工業生産上利するところ大である。
Claims (1)
- 【請求項１】 一般式 Ｒ１ −ＳＯ２ −ＮＲ２ −ＣＨ２ −ＣＨＯＲ
３ −ＣＨ２ ＯＲ４ （１）（式中
、Ｒ１ はフルオロアルキル基を示し、Ｒ２ は炭素数
１〜６のアルキル基を示し、Ｒ３ 及びＲ４ は同じで
も異なっていても良く水素原子またはスルホ基を示す）
で表わされるフルオロアルキルスルホンアミド化合物を
硫酸に配合してなる低表面張力を有する硫酸組成物
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3097302A JPH04325599A (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | 低表面張力を有する硫酸組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3097302A JPH04325599A (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | 低表面張力を有する硫酸組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04325599A true JPH04325599A (ja) | 1992-11-13 |
Family
ID=14188696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3097302A Pending JPH04325599A (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | 低表面張力を有する硫酸組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04325599A (ja) |
-
1991
- 1991-04-26 JP JP3097302A patent/JPH04325599A/ja active Pending
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